JP2710874B2 - 薄膜トランジスタ型液晶表示装置 - Google Patents
薄膜トランジスタ型液晶表示装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタ型液
晶表示装置に関するものである。
晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の薄膜トランジスタ型液晶表
示装置（以下、「ＴＦＴ−ＬＣＤ」という）の一部断面
図である。薄膜トランジスタ基板（以下、「ＴＦＴ基
板」という）上には、ゲート電極４１、ゲート絶縁膜と
して機能する第１の絶縁膜４９が形成されている。その
上に、半導体層４５と、オーミック接合層５０が所定の
パターンに形成され、さらに、その上にドレイン−ソー
ス電極４２，４３が形成されている。そして、画素電極
４４が第１の絶縁膜４９上に形成され、且つソース電極
４３と接続され、その上に保護膜５１が形成されてい
る。
示装置（以下、「ＴＦＴ−ＬＣＤ」という）の一部断面
図である。薄膜トランジスタ基板（以下、「ＴＦＴ基
板」という）上には、ゲート電極４１、ゲート絶縁膜と
して機能する第１の絶縁膜４９が形成されている。その
上に、半導体層４５と、オーミック接合層５０が所定の
パターンに形成され、さらに、その上にドレイン−ソー
ス電極４２，４３が形成されている。そして、画素電極
４４が第１の絶縁膜４９上に形成され、且つソース電極
４３と接続され、その上に保護膜５１が形成されてい
る。
【０００３】また、対向電極基板（以下、「対向基板」
という）上には配線部の光漏れを防ぐためにブラック層
５２と、カラーフィルタ層５３が形成されており、その
上に保護膜５４が形成されている。そして、その上に対
向電極５５が形成されており、この対向基板と、先に示
したＴＦＴ基板の両方に各々に配向膜５６が形成され、
配向膜５６間にセル間隔ｄが設けられ、そこに液晶５７
が封入されている。なお、図５では、ＴＦＴ基板そのも
の及び対向基板そのもの並びに、これら両基板上の液晶
５７との対向面の反対面側にそれぞれ設けた偏光板の図
示は省略している。
という）上には配線部の光漏れを防ぐためにブラック層
５２と、カラーフィルタ層５３が形成されており、その
上に保護膜５４が形成されている。そして、その上に対
向電極５５が形成されており、この対向基板と、先に示
したＴＦＴ基板の両方に各々に配向膜５６が形成され、
配向膜５６間にセル間隔ｄが設けられ、そこに液晶５７
が封入されている。なお、図５では、ＴＦＴ基板そのも
の及び対向基板そのもの並びに、これら両基板上の液晶
５７との対向面の反対面側にそれぞれ設けた偏光板の図
示は省略している。
【０００４】図６は従来のＴＦＴ−ＬＣＤにおいてセル
間隔をパラメータにしたときの印加電圧−透過率特性図
である。なお、ここで透過率Ｔ（％）は電圧を印加して
いない時を１００としてある。また、電圧Ｖは最大５ボ
ルト程度である。図６（Ａ）は、正面方向から見たとき
の特性を示す。２０が第１セル間隔、２１が第２セル間
隔の場合のものを示しているが、第１，第２セル間隔と
もほぼ同じ曲線となっている。これは、液晶材料が同じ
なので、わずかなセル間隔の差（０．５〜０．８μｍ）
ではＮＷ（ノーマリホワイト）表示の場合、透過率の電
圧依存性の差は無視できるほど小さいことによる。な
お、ここでは第１セル間隔の方が第２セル間隔より小さ
いものとしている。
間隔をパラメータにしたときの印加電圧−透過率特性図
である。なお、ここで透過率Ｔ（％）は電圧を印加して
いない時を１００としてある。また、電圧Ｖは最大５ボ
ルト程度である。図６（Ａ）は、正面方向から見たとき
の特性を示す。２０が第１セル間隔、２１が第２セル間
隔の場合のものを示しているが、第１，第２セル間隔と
もほぼ同じ曲線となっている。これは、液晶材料が同じ
なので、わずかなセル間隔の差（０．５〜０．８μｍ）
ではＮＷ（ノーマリホワイト）表示の場合、透過率の電
圧依存性の差は無視できるほど小さいことによる。な
お、ここでは第１セル間隔の方が第２セル間隔より小さ
いものとしている。
【０００５】図６（Ｂ）は、偏光板の偏光軸と配向膜の
ラビング方向が垂直の場合の下方向（明視方向）か、も
しくは平行の場合の左右方向の３０°視角から見たとき
の特性を示す。２２が第１セル間隔、２３が第２セル間
隔の場合のものを示している。わずかなセル間隔の差で
も、斜めから見たときの視野角特性はかなり異なるので
ある。先に示したように、第１セル間隔の方が小さいの
で、最小透過率を示す電圧は、第２セル間隔の場合に比
べ、やや小さくなる。これは、液晶のΔｎが同じ場合、
セル間隔は小さいほうが階調反転を起こす視角方向にお
いて、より低電圧で最小透過率を示すという現象によっ
て起きるものである。
ラビング方向が垂直の場合の下方向（明視方向）か、も
しくは平行の場合の左右方向の３０°視角から見たとき
の特性を示す。２２が第１セル間隔、２３が第２セル間
隔の場合のものを示している。わずかなセル間隔の差で
も、斜めから見たときの視野角特性はかなり異なるので
ある。先に示したように、第１セル間隔の方が小さいの
で、最小透過率を示す電圧は、第２セル間隔の場合に比
べ、やや小さくなる。これは、液晶のΔｎが同じ場合、
セル間隔は小さいほうが階調反転を起こす視角方向にお
いて、より低電圧で最小透過率を示すという現象によっ
て起きるものである。
【０００６】図６（Ｃ）は偏光板の偏光軸と配向膜のラ
ビング方向が垂直の場合の下方向（明視方向）か、もし
くは平行の場合の左右方向の６０°視角から見たときの
透過率の電圧依存性を示す。２４が第１セル間隔、２５
が第２セル間隔の場合のものを示している。視角が大き
い程斜めから見たときの視野角特性はさらに大きく異な
るのである。図６（Ｂ）において第１，第２セル間隔の
時の最小透過率を示す電圧をＶ4 ，Ｖ2 とし、図６
（Ｃ）において第１セル，第２セル間隔の時の最小透過
率をＶ3 ，Ｖ1 とすると、これらの大小関係はＶ1 ＜Ｖ
2 〜Ｖ3 ＜Ｖ4 となることが分かる。
ビング方向が垂直の場合の下方向（明視方向）か、もし
くは平行の場合の左右方向の６０°視角から見たときの
透過率の電圧依存性を示す。２４が第１セル間隔、２５
が第２セル間隔の場合のものを示している。視角が大き
い程斜めから見たときの視野角特性はさらに大きく異な
るのである。図６（Ｂ）において第１，第２セル間隔の
時の最小透過率を示す電圧をＶ4 ，Ｖ2 とし、図６
（Ｃ）において第１セル，第２セル間隔の時の最小透過
率をＶ3 ，Ｖ1 とすると、これらの大小関係はＶ1 ＜Ｖ
2 〜Ｖ3 ＜Ｖ4 となることが分かる。
【０００７】図７は従来のＴＦＴ−ＬＣＤにおいて印加
電圧をパラメータにしたときの視角−透過率特性図であ
る。図７（Ａ）は、第１セル間隔の場合で、印加電圧が
図６のＶ3 ，Ｖ4 の時の特性を示したものである。Ｖ3
の時６０°で最も暗く、Ｖ4 の時３０°で最も暗い。ま
た、Ｖ3 の曲線とＶ4 の曲線が交差するため、ある角度
以上では低電圧であるＶ3 の方が暗くなっている。これ
を階調反転という。この交差する視角以上では画像が不
自然に見える。
電圧をパラメータにしたときの視角−透過率特性図であ
る。図７（Ａ）は、第１セル間隔の場合で、印加電圧が
図６のＶ3 ，Ｖ4 の時の特性を示したものである。Ｖ3
の時６０°で最も暗く、Ｖ4 の時３０°で最も暗い。ま
た、Ｖ3 の曲線とＶ4 の曲線が交差するため、ある角度
以上では低電圧であるＶ3 の方が暗くなっている。これ
を階調反転という。この交差する視角以上では画像が不
自然に見える。
【０００８】図７（Ｂ）は、第２セル間隔の場合で、印
加電圧がＶ1 ，Ｖ2 の時の特性を示したもので、第１セ
ル間隔の場合と同じように階調反転が起きていることが
分かる。そして、従来、このような階調反転、高遮光率
等の透過率の視角依存性の問題を解決するための技術と
しては、例えば、Ｓ．ＭＩＹＡＫＥ ｅｔ ａｌ．，’
Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｄｉｓｐｌａｙ’９０，ｐ３５２−
３５５に記載されるものがあった。
加電圧がＶ1 ，Ｖ2 の時の特性を示したもので、第１セ
ル間隔の場合と同じように階調反転が起きていることが
分かる。そして、従来、このような階調反転、高遮光率
等の透過率の視角依存性の問題を解決するための技術と
しては、例えば、Ｓ．ＭＩＹＡＫＥ ｅｔ ａｌ．，’
Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｄｉｓｐｌａｙ’９０，ｐ３５２−
３５５に記載されるものがあった。
【０００９】この文献では、この上記問題に対してＮＷ
（ノーマリホワイト）で、しかも上下視角方向におい
て、最も階調反転のない視野が広くとれる条件をΔｎ・
ｄをふって求め、Δｎ・ｄ＝０．３９が階調表示に最適
であるとしている（なお、Δｎは液晶の屈折率異方性、
ｄは液晶セルの厚みである）。ここで、偏光板の偏光軸
は、配向膜のラビング方向と入射側・出射側ともに垂直
に配置されている。
（ノーマリホワイト）で、しかも上下視角方向におい
て、最も階調反転のない視野が広くとれる条件をΔｎ・
ｄをふって求め、Δｎ・ｄ＝０．３９が階調表示に最適
であるとしている（なお、Δｎは液晶の屈折率異方性、
ｄは液晶セルの厚みである）。ここで、偏光板の偏光軸
は、配向膜のラビング方向と入射側・出射側ともに垂直
に配置されている。
【００１０】この配置の場合、図７に示したように、上
下視角方向において著しい階調反転が生じる。この階調
反転の現象は、高視角の方が正面方向に比べ、より低電
圧で高遮光率が得られるためである。ちなみに、下方向
を明視角方向とすれば、この階調反転はこの下方向にお
いて起きる。一方、この偏光板配置では、左右方向では
上下方向の著しい階調反転は生じないので、上記文献に
おいては上下方向についてのみ階調表示の場合の広視野
角化を図っている。
下視角方向において著しい階調反転が生じる。この階調
反転の現象は、高視角の方が正面方向に比べ、より低電
圧で高遮光率が得られるためである。ちなみに、下方向
を明視角方向とすれば、この階調反転はこの下方向にお
いて起きる。一方、この偏光板配置では、左右方向では
上下方向の著しい階調反転は生じないので、上記文献に
おいては上下方向についてのみ階調表示の場合の広視野
角化を図っている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た文献に示されるような方法では、実質的な階調表示の
高視野角化は図られているが、所定電圧・所定視角にお
ける異常な高遮光率の出現までは防ぐことができない。
すなわち、この上記文献においては、下方向においてあ
る中間調電圧では異常に高い遮光率が出現することは明
らかであり、階調表示画像が不自然な印象を与えてしま
うという問題点があった。
た文献に示されるような方法では、実質的な階調表示の
高視野角化は図られているが、所定電圧・所定視角にお
ける異常な高遮光率の出現までは防ぐことができない。
すなわち、この上記文献においては、下方向においてあ
る中間調電圧では異常に高い遮光率が出現することは明
らかであり、階調表示画像が不自然な印象を与えてしま
うという問題点があった。
【００１２】本発明は、前記問題点を解決して、階調表
示の広視野角化及びある視角・電圧での異常な高遮光率
の出現をなくし、自然な印象を与える高表示品質の薄膜
トランジスタ型液晶表示装置を提供することを目的とす
る。
示の広視野角化及びある視角・電圧での異常な高遮光率
の出現をなくし、自然な印象を与える高表示品質の薄膜
トランジスタ型液晶表示装置を提供することを目的とす
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記問題点を解決するた
めに、本発明は、複数のゲート電極と、ゲート絶縁膜と
して機能する第１の絶縁膜と、前記ゲート電極と交差す
る複数のドレイン電極と、その交差部近傍に形成された
薄膜トランジスタと、それらの上に選択的に形成される
第２の絶縁膜と、前記薄膜トランジスタのソース電極に
接続された画素電極とを有する薄膜トランジスタ基板
と、液晶を挟んでその薄膜トランジスタ基板と対向する
対向電極基板と、前記薄膜トランジスタ基板上及び対向
電極基板上に液晶と接するようにそれぞれ形成された配
向膜と、前記薄膜トランジスタ基板上及び対向電極基板
上の液晶との対向面の反対面側にそれぞれ設けた偏光板
とを備えた薄膜トランジスタ型液晶表示装置であって、
前記画素電極の下部において前記第２の絶縁膜を形成し
た部分と前記第２の絶縁膜を形成しない部分とを選択的
に設けることによって、第１セル間隔と第２セル間隔と
を有するものとし、前記偏光板の偏光軸と前記配向膜の
ラビング方向がほぼ垂直か、ほぼ平行にするようにした
ものである。
めに、本発明は、複数のゲート電極と、ゲート絶縁膜と
して機能する第１の絶縁膜と、前記ゲート電極と交差す
る複数のドレイン電極と、その交差部近傍に形成された
薄膜トランジスタと、それらの上に選択的に形成される
第２の絶縁膜と、前記薄膜トランジスタのソース電極に
接続された画素電極とを有する薄膜トランジスタ基板
と、液晶を挟んでその薄膜トランジスタ基板と対向する
対向電極基板と、前記薄膜トランジスタ基板上及び対向
電極基板上に液晶と接するようにそれぞれ形成された配
向膜と、前記薄膜トランジスタ基板上及び対向電極基板
上の液晶との対向面の反対面側にそれぞれ設けた偏光板
とを備えた薄膜トランジスタ型液晶表示装置であって、
前記画素電極の下部において前記第２の絶縁膜を形成し
た部分と前記第２の絶縁膜を形成しない部分とを選択的
に設けることによって、第１セル間隔と第２セル間隔と
を有するものとし、前記偏光板の偏光軸と前記配向膜の
ラビング方向がほぼ垂直か、ほぼ平行にするようにした
ものである。
【００１４】
【作用】本発明によれば、以上のようにＴＦＴ−ＬＣＤ
を構成したので、１画素内において２つのセル間隔ｄ
１，ｄ２を有する構成とすることにより、液晶層のΔｎ
・ｄを２レベルに設定した。したがって、ＬＣＤの視野
角特性はΔｎ・ｄ１の液晶とΔｎ・ｄ２の液晶の平均に
なるので、所定視角・電圧での異常な高遮光率の出現が
回避される。
を構成したので、１画素内において２つのセル間隔ｄ
１，ｄ２を有する構成とすることにより、液晶層のΔｎ
・ｄを２レベルに設定した。したがって、ＬＣＤの視野
角特性はΔｎ・ｄ１の液晶とΔｎ・ｄ２の液晶の平均に
なるので、所定視角・電圧での異常な高遮光率の出現が
回避される。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例における
ＴＦＴ基板上の薄膜パターンの構成を示す平面図であ
る。ＴＦＴの構成はゲート電極１とドレイン電極２の交
差部近傍に半導体層５をチャネルとするトランジスタが
設けられ、ソース電極３と画素電極４に所定の電圧が書
き込まれるというもので、ごく一般的なものである。
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例における
ＴＦＴ基板上の薄膜パターンの構成を示す平面図であ
る。ＴＦＴの構成はゲート電極１とドレイン電極２の交
差部近傍に半導体層５をチャネルとするトランジスタが
設けられ、ソース電極３と画素電極４に所定の電圧が書
き込まれるというもので、ごく一般的なものである。
【００１６】コンタクトホール６及び第２セル間隔用ホ
ール７は、後に述べる第２の絶縁膜のない部分を示して
いる。コンタクトホール６はソース電極３と画素電極４
を電気的に接続するものであり、第２セル間隔用ホール
７は２番目のセル間隔として規定するためのものであ
る。図に示すように、画素のほぼ半分はこの２番目のセ
ル間隔となっている。本実施例では、第１セル間隔と第
２セル間隔とが画素のほぼ半分ずつになるように構成し
ているが、これは左右方向又は上下方向の輝度を等しく
するためである。
ール７は、後に述べる第２の絶縁膜のない部分を示して
いる。コンタクトホール６はソース電極３と画素電極４
を電気的に接続するものであり、第２セル間隔用ホール
７は２番目のセル間隔として規定するためのものであ
る。図に示すように、画素のほぼ半分はこの２番目のセ
ル間隔となっている。本実施例では、第１セル間隔と第
２セル間隔とが画素のほぼ半分ずつになるように構成し
ているが、これは左右方向又は上下方向の輝度を等しく
するためである。
【００１７】図２は本発明の実施例におけるＴＦＴ基板
のＴＦＴチャネル部（図１中のＡ−Ａ′）の断面図であ
る。本実施例では、ゲート電極１の表面は陽極酸化さ
れ、ゲート−ドレイン電極１，２間のショートを防ぐた
めのゲート陽極酸化膜８が形成されている。そして、こ
れらゲート電極１上にゲート絶縁膜として機能する第１
の絶縁膜９が形成されている。さらに、第１の絶縁膜９
の上に半導体層５が図１に示すようなパターンで形成さ
れている。そして、その上にオーミック接合層１０が所
定のパターンに形成され、その上にドレイン−ソース電
極２，３が図１に示すようなパターンに形成されてい
る。さらに、その上に第２の絶縁膜１１がコンタクトホ
ール６及び第２セル間隔用ホール７以外の部分に形成さ
れ、その上に画素電極４が図１に示すようなパターンに
形成されている。なお、図２ではＴＦＴ基板そのもの及
び後述する配向膜並びにＴＦＴ基板上の配向膜形成面と
反対面側に設けた偏光板の図示は省略している。
のＴＦＴチャネル部（図１中のＡ−Ａ′）の断面図であ
る。本実施例では、ゲート電極１の表面は陽極酸化さ
れ、ゲート−ドレイン電極１，２間のショートを防ぐた
めのゲート陽極酸化膜８が形成されている。そして、こ
れらゲート電極１上にゲート絶縁膜として機能する第１
の絶縁膜９が形成されている。さらに、第１の絶縁膜９
の上に半導体層５が図１に示すようなパターンで形成さ
れている。そして、その上にオーミック接合層１０が所
定のパターンに形成され、その上にドレイン−ソース電
極２，３が図１に示すようなパターンに形成されてい
る。さらに、その上に第２の絶縁膜１１がコンタクトホ
ール６及び第２セル間隔用ホール７以外の部分に形成さ
れ、その上に画素電極４が図１に示すようなパターンに
形成されている。なお、図２ではＴＦＴ基板そのもの及
び後述する配向膜並びにＴＦＴ基板上の配向膜形成面と
反対面側に設けた偏光板の図示は省略している。
【００１８】図３は本発明の実施例におけるＴＦＴ−Ｌ
ＣＤの一部（図１中のＢ−Ｂ′）断面図である。従来と
同様、対向基板上には配線部の光漏れを防ぐためにブラ
ック層１２が形成されており、その上にカラーフィルタ
層１３が形成されており、その上に保護膜１４が形成さ
れている。そして、その上に対向電極１５が形成されて
おり、この対向基板と、先に示したＴＦＴ基板の両方に
各々、配向膜１６が形成され、両基板間に液晶１７が封
入されている。なお、図３では、ＴＦＴ基板そのもの及
び対向基板そのもの並びにこれら両基板上の液晶１７と
の対向面の反対面側にそれぞれ設けた偏光板の図示は省
略している。
ＣＤの一部（図１中のＢ−Ｂ′）断面図である。従来と
同様、対向基板上には配線部の光漏れを防ぐためにブラ
ック層１２が形成されており、その上にカラーフィルタ
層１３が形成されており、その上に保護膜１４が形成さ
れている。そして、その上に対向電極１５が形成されて
おり、この対向基板と、先に示したＴＦＴ基板の両方に
各々、配向膜１６が形成され、両基板間に液晶１７が封
入されている。なお、図３では、ＴＦＴ基板そのもの及
び対向基板そのもの並びにこれら両基板上の液晶１７と
の対向面の反対面側にそれぞれ設けた偏光板の図示は省
略している。
【００１９】ここで、先に述べた第２セル間隔用ホール
７は第２の絶縁膜１１のない部分として得られるので、
この図に示すように、画素電極４上は第１セル間隔１
８、第２セル間隔１９の２つのセル間隔を有することに
なる。すなわち、第１，第２セル間隔差は、第２の絶縁
膜１１の厚みに相当する。この第１，第２セル間隔差
は、液晶のΔｎ（屈折率異方性）が大きい方が小さくて
良いという傾向があるが、通常用いる第２の絶縁膜１１
の厚みは０．５〜０．８μｍであり、視野角特性を変え
得るに十分な間隔である。
７は第２の絶縁膜１１のない部分として得られるので、
この図に示すように、画素電極４上は第１セル間隔１
８、第２セル間隔１９の２つのセル間隔を有することに
なる。すなわち、第１，第２セル間隔差は、第２の絶縁
膜１１の厚みに相当する。この第１，第２セル間隔差
は、液晶のΔｎ（屈折率異方性）が大きい方が小さくて
良いという傾向があるが、通常用いる第２の絶縁膜１１
の厚みは０．５〜０．８μｍであり、視野角特性を変え
得るに十分な間隔である。
【００２０】しかし、もしこの第２の絶縁膜１１の厚み
で足りない場合は、第１の絶縁膜９に第２セル間隔用の
ホール７を形成すればよい。つまり、第１，第２セル間
隔差は、第１，第２の絶縁膜９，１１のホールの深さに
よって、所望の値に制御できるのである。ただし、第２
の絶縁膜１１の、コンタクトホール部は全てエッチング
されなければならないので、第２の絶縁膜１１の第２セ
ル間隔用ホール７は全てエッチングされる方が好まし
い。
で足りない場合は、第１の絶縁膜９に第２セル間隔用の
ホール７を形成すればよい。つまり、第１，第２セル間
隔差は、第１，第２の絶縁膜９，１１のホールの深さに
よって、所望の値に制御できるのである。ただし、第２
の絶縁膜１１の、コンタクトホール部は全てエッチング
されなければならないので、第２の絶縁膜１１の第２セ
ル間隔用ホール７は全てエッチングされる方が好まし
い。
【００２１】図４は本発明の実施例において印加電圧を
パラメータにしたときの視角−透過率特性図で、図７に
おけるＶ1 ，Ｖ2 〜Ｖ3 ，Ｖ4 の時の特性を示してい
る。１画素内で２つのセル間隔を有しているので、図７
（Ａ），（Ｂ）の平均となるような視角特性を表す。し
たがって、一方のセル間隔で最小透過率を示しても、他
方のセル間隔では最小透過率を示すことはない。よっ
て、ある視角・電圧での異常な高遮光率の出現は回避さ
れる。また、そのことにより、著しい階調反転も軽減さ
れることになる。つまり、どの電圧でも、どの視角から
みても自然な画像が得られるのである。
パラメータにしたときの視角−透過率特性図で、図７に
おけるＶ1 ，Ｖ2 〜Ｖ3 ，Ｖ4 の時の特性を示してい
る。１画素内で２つのセル間隔を有しているので、図７
（Ａ），（Ｂ）の平均となるような視角特性を表す。し
たがって、一方のセル間隔で最小透過率を示しても、他
方のセル間隔では最小透過率を示すことはない。よっ
て、ある視角・電圧での異常な高遮光率の出現は回避さ
れる。また、そのことにより、著しい階調反転も軽減さ
れることになる。つまり、どの電圧でも、どの視角から
みても自然な画像が得られるのである。
【００２２】そして、この現象が得られるのは、Δｎ・
ｄがＮＢ（ノーマリブラック）表示の場合の１ｓｔ ｍ
ｉｎ条件程度の時のみではないが、一般的に１以上にす
ると視野角自体が狭くなってしまうので、０．３〜０．
７程度の範囲内であれば、かなり良好な結果が得られ
た。また、第１セル間隔１８とΔｎの積と、第２セル間
隔１９とΔｎの積の差は、０．０２〜０．１程度の範囲
内にあれば十分効果が表れた。
ｄがＮＢ（ノーマリブラック）表示の場合の１ｓｔ ｍ
ｉｎ条件程度の時のみではないが、一般的に１以上にす
ると視野角自体が狭くなってしまうので、０．３〜０．
７程度の範囲内であれば、かなり良好な結果が得られ
た。また、第１セル間隔１８とΔｎの積と、第２セル間
隔１９とΔｎの積の差は、０．０２〜０．１程度の範囲
内にあれば十分効果が表れた。
【００２３】また、本発明の実施例によれば、従来文献
で見られるようなＮＷ表示で偏光軸と配向膜のラビング
方向を垂直にした時の下方向の高視角化のみに有効な方
法ではなく、どの方向において発生する高遮光率現象も
回避することができるので、セル設計にも広がりをもた
せることができる。なお、本発明は上記実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が
可能であり、それらを本発明の範囲から排除するもので
はない。
で見られるようなＮＷ表示で偏光軸と配向膜のラビング
方向を垂直にした時の下方向の高視角化のみに有効な方
法ではなく、どの方向において発生する高遮光率現象も
回避することができるので、セル設計にも広がりをもた
せることができる。なお、本発明は上記実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が
可能であり、それらを本発明の範囲から排除するもので
はない。
【００２４】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、１画素内において、２種類のセル間隔で駆動さ
れるようにしたので、どの視角からみても、特異的に発
生する高遮光現象を回避でき、また、著しい階調反転現
象を和らげることができる。したがって、広視野角の階
調表示が得られるので、自然な画像表示が可能で、高品
位なＴＦＴ−ＬＣＤが実現できる。
よれば、１画素内において、２種類のセル間隔で駆動さ
れるようにしたので、どの視角からみても、特異的に発
生する高遮光現象を回避でき、また、著しい階調反転現
象を和らげることができる。したがって、広視野角の階
調表示が得られるので、自然な画像表示が可能で、高品
位なＴＦＴ−ＬＣＤが実現できる。
【図１】本発明の実施例におけるＴＦＴ基板上の薄膜パ
ターンの構成を示す平面図である。
ターンの構成を示す平面図である。
【図２】本発明の実施例におけるＴＦＴ基板のＴＦＴチ
ャネル部の断面図（図１中のＡ−Ａ′）である。
ャネル部の断面図（図１中のＡ−Ａ′）である。
【図３】本発明の実施例におけるＴＦＴ−ＬＣＤの一部
（図１中のＢ−Ｂ′）断面図である。
（図１中のＢ−Ｂ′）断面図である。
【図４】本発明の実施例において印加電圧をパラメータ
にしたときの視角−透過率特性図である。
にしたときの視角−透過率特性図である。
【図５】従来のＴＦＴ−ＬＣＤの一部断面図である。
【図６】従来のＴＦＴ−ＬＣＤにおいてセル間隔をパラ
メータにしたときの印加電圧−透過率特性図である。
メータにしたときの印加電圧−透過率特性図である。
【図７】従来のＴＦＴ−ＬＣＤにおいて印加電圧をパラ
メータにしたときの視角−透過率特性図である。
メータにしたときの視角−透過率特性図である。
１ ゲート電極 ２ ドレイン電極 ３ ソース電極 ４ 画素電極 ５ 半導体層 ６ コンタクトホール ７ 第２セル間隔用ホール ８ ゲート陽極酸化膜 ９ 第１の絶縁膜 １０ オーミック接合層 １１ 第２の絶縁膜
Claims (5)
- 【請求項１】 複数のゲート電極と、ゲート絶縁膜とし
て機能する第１の絶縁膜と、前記ゲート電極と交差する
複数のドレイン電極と、その交差部近傍に形成された薄
膜トランジスタと、それらの上に選択的に形成される第
２の絶縁膜と、前記薄膜トランジスタのソース電極に接
続された画素電極とを有する薄膜トランジスタ基板と、
液晶を挟んで該薄膜トランジスタ基板と対向する対向電
極基板と、前記薄膜トランジスタ基板上及び対向電極基
板上に液晶と接するようにそれぞれ形成された配向膜
と、前記薄膜トランジスタ基板上及び対向電極基板上の
液晶との対向面の反対面側にそれぞれ設けた偏光板とを
備えた薄膜トランジスタ型液晶表示装置であって、 （ａ）前記画素電極の下部において前記第２の絶縁膜を
形成した部分と前記第２の絶縁膜を形成しない部分とを
選択的に設けることによって、第１セル間隔と第２セル
間隔とを有するものとし、 （ｂ）前記偏光板の偏光軸と前記配向膜のラビング方向
がほぼ垂直か、ほぼ平行にしたことを特徴とする薄膜ト
ランジスタ型液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記画素電極のほぼ半分の下部に前記第
２の絶縁膜を形成するようにした請求項１記載の薄膜ト
ランジスタ型液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記画素電極の下部の前記第２の絶縁膜
を形成しない部分に対応する位置では前記第１の絶縁膜
を形成しないようにするか、又は前記第１の絶縁膜を所
定の深さまで取り除いていることを特徴とする請求項１
又は２記載の薄膜トランジスタ型液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記第１セル間隔、前記第２セル間隔と
前記液晶の屈折率異方性Δｎの積が０．３以上０．７以
下である請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜トランジ
スタ型液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記第１セル間隔と前記液晶の屈折率異
方性Δｎの積と、前記第２セル間隔と前記液晶の屈折率
異方性Δｎの積の差が０．０２以上０．１以下である請
求項１〜４のいずれかに記載の薄膜トランジスタ型液晶
表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14163291A JP2710874B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 薄膜トランジスタ型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14163291A JP2710874B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 薄膜トランジスタ型液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04366813A JPH04366813A (ja) | 1992-12-18 |
| JP2710874B2 true JP2710874B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=15296557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14163291A Expired - Lifetime JP2710874B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 薄膜トランジスタ型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2710874B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5777700A (en) * | 1993-07-14 | 1998-07-07 | Nec Corporation | Liquid crystal display with improved viewing angle dependence |
| EP0636917B1 (en) * | 1993-07-27 | 1998-09-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60159830A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラ−液晶表示装置 |
| JPH0782171B2 (ja) * | 1989-02-20 | 1995-09-06 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2721214B2 (ja) * | 1988-12-26 | 1998-03-04 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
-
1991
- 1991-06-13 JP JP14163291A patent/JP2710874B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04366813A (ja) | 1992-12-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19971014 |