JP2710874B2 - 薄膜トランジスタ型液晶表示装置 - Google Patents
薄膜トランジスタ型液晶表示装置Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタ型液
晶表示装置に関するものである。
晶表示装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図5は従来の薄膜トランジスタ型液晶表
示装置(以下、「TFT−LCD」という)の一部断面
図である。薄膜トランジスタ基板(以下、「TFT基
板」という)上には、ゲート電極41、ゲート絶縁膜と
して機能する第1の絶縁膜49が形成されている。その
上に、半導体層45と、オーミック接合層50が所定の
パターンに形成され、さらに、その上にドレイン−ソー
ス電極42,43が形成されている。そして、画素電極
44が第1の絶縁膜49上に形成され、且つソース電極
43と接続され、その上に保護膜51が形成されてい
る。
示装置(以下、「TFT−LCD」という)の一部断面
図である。薄膜トランジスタ基板(以下、「TFT基
板」という)上には、ゲート電極41、ゲート絶縁膜と
して機能する第1の絶縁膜49が形成されている。その
上に、半導体層45と、オーミック接合層50が所定の
パターンに形成され、さらに、その上にドレイン−ソー
ス電極42,43が形成されている。そして、画素電極
44が第1の絶縁膜49上に形成され、且つソース電極
43と接続され、その上に保護膜51が形成されてい
る。
【0003】また、対向電極基板(以下、「対向基板」
という)上には配線部の光漏れを防ぐためにブラック層
52と、カラーフィルタ層53が形成されており、その
上に保護膜54が形成されている。そして、その上に対
向電極55が形成されており、この対向基板と、先に示
したTFT基板の両方に各々に配向膜56が形成され、
配向膜56間にセル間隔dが設けられ、そこに液晶57
が封入されている。なお、図5では、TFT基板そのも
の及び対向基板そのもの並びに、これら両基板上の液晶
57との対向面の反対面側にそれぞれ設けた偏光板の図
示は省略している。
という)上には配線部の光漏れを防ぐためにブラック層
52と、カラーフィルタ層53が形成されており、その
上に保護膜54が形成されている。そして、その上に対
向電極55が形成されており、この対向基板と、先に示
したTFT基板の両方に各々に配向膜56が形成され、
配向膜56間にセル間隔dが設けられ、そこに液晶57
が封入されている。なお、図5では、TFT基板そのも
の及び対向基板そのもの並びに、これら両基板上の液晶
57との対向面の反対面側にそれぞれ設けた偏光板の図
示は省略している。
【0004】図6は従来のTFT−LCDにおいてセル
間隔をパラメータにしたときの印加電圧−透過率特性図
である。なお、ここで透過率T(%)は電圧を印加して
いない時を100としてある。また、電圧Vは最大5ボ
ルト程度である。図6(A)は、正面方向から見たとき
の特性を示す。20が第1セル間隔、21が第2セル間
隔の場合のものを示しているが、第1,第2セル間隔と
もほぼ同じ曲線となっている。これは、液晶材料が同じ
なので、わずかなセル間隔の差(0.5〜0.8μm)
ではNW(ノーマリホワイト)表示の場合、透過率の電
圧依存性の差は無視できるほど小さいことによる。な
お、ここでは第1セル間隔の方が第2セル間隔より小さ
いものとしている。
間隔をパラメータにしたときの印加電圧−透過率特性図
である。なお、ここで透過率T(%)は電圧を印加して
いない時を100としてある。また、電圧Vは最大5ボ
ルト程度である。図6(A)は、正面方向から見たとき
の特性を示す。20が第1セル間隔、21が第2セル間
隔の場合のものを示しているが、第1,第2セル間隔と
もほぼ同じ曲線となっている。これは、液晶材料が同じ
なので、わずかなセル間隔の差(0.5〜0.8μm)
ではNW(ノーマリホワイト)表示の場合、透過率の電
圧依存性の差は無視できるほど小さいことによる。な
お、ここでは第1セル間隔の方が第2セル間隔より小さ
いものとしている。
【0005】図6(B)は、偏光板の偏光軸と配向膜の
ラビング方向が垂直の場合の下方向(明視方向)か、も
しくは平行の場合の左右方向の30°視角から見たとき
の特性を示す。22が第1セル間隔、23が第2セル間
隔の場合のものを示している。わずかなセル間隔の差で
も、斜めから見たときの視野角特性はかなり異なるので
ある。先に示したように、第1セル間隔の方が小さいの
で、最小透過率を示す電圧は、第2セル間隔の場合に比
べ、やや小さくなる。これは、液晶のΔnが同じ場合、
セル間隔は小さいほうが階調反転を起こす視角方向にお
いて、より低電圧で最小透過率を示すという現象によっ
て起きるものである。
ラビング方向が垂直の場合の下方向(明視方向)か、も
しくは平行の場合の左右方向の30°視角から見たとき
の特性を示す。22が第1セル間隔、23が第2セル間
隔の場合のものを示している。わずかなセル間隔の差で
も、斜めから見たときの視野角特性はかなり異なるので
ある。先に示したように、第1セル間隔の方が小さいの
で、最小透過率を示す電圧は、第2セル間隔の場合に比
べ、やや小さくなる。これは、液晶のΔnが同じ場合、
セル間隔は小さいほうが階調反転を起こす視角方向にお
いて、より低電圧で最小透過率を示すという現象によっ
て起きるものである。
【0006】図6(C)は偏光板の偏光軸と配向膜のラ
ビング方向が垂直の場合の下方向(明視方向)か、もし
くは平行の場合の左右方向の60°視角から見たときの
透過率の電圧依存性を示す。24が第1セル間隔、25
が第2セル間隔の場合のものを示している。視角が大き
い程斜めから見たときの視野角特性はさらに大きく異な
るのである。図6(B)において第1,第2セル間隔の
時の最小透過率を示す電圧をV4 ,V2 とし、図6
(C)において第1セル,第2セル間隔の時の最小透過
率をV3 ,V1 とすると、これらの大小関係はV1 <V
2 〜V3 <V4 となることが分かる。
ビング方向が垂直の場合の下方向(明視方向)か、もし
くは平行の場合の左右方向の60°視角から見たときの
透過率の電圧依存性を示す。24が第1セル間隔、25
が第2セル間隔の場合のものを示している。視角が大き
い程斜めから見たときの視野角特性はさらに大きく異な
るのである。図6(B)において第1,第2セル間隔の
時の最小透過率を示す電圧をV4 ,V2 とし、図6
(C)において第1セル,第2セル間隔の時の最小透過
率をV3 ,V1 とすると、これらの大小関係はV1 <V
2 〜V3 <V4 となることが分かる。
【0007】図7は従来のTFT−LCDにおいて印加
電圧をパラメータにしたときの視角−透過率特性図であ
る。図7(A)は、第1セル間隔の場合で、印加電圧が
図6のV3 ,V4 の時の特性を示したものである。V3
の時60°で最も暗く、V4 の時30°で最も暗い。ま
た、V3 の曲線とV4 の曲線が交差するため、ある角度
以上では低電圧であるV3 の方が暗くなっている。これ
を階調反転という。この交差する視角以上では画像が不
自然に見える。
電圧をパラメータにしたときの視角−透過率特性図であ
る。図7(A)は、第1セル間隔の場合で、印加電圧が
図6のV3 ,V4 の時の特性を示したものである。V3
の時60°で最も暗く、V4 の時30°で最も暗い。ま
た、V3 の曲線とV4 の曲線が交差するため、ある角度
以上では低電圧であるV3 の方が暗くなっている。これ
を階調反転という。この交差する視角以上では画像が不
自然に見える。
【0008】図7(B)は、第2セル間隔の場合で、印
加電圧がV1 ,V2 の時の特性を示したもので、第1セ
ル間隔の場合と同じように階調反転が起きていることが
分かる。そして、従来、このような階調反転、高遮光率
等の透過率の視角依存性の問題を解決するための技術と
しては、例えば、S.MIYAKE et al.,’
European Display’90,p352−
355に記載されるものがあった。
加電圧がV1 ,V2 の時の特性を示したもので、第1セ
ル間隔の場合と同じように階調反転が起きていることが
分かる。そして、従来、このような階調反転、高遮光率
等の透過率の視角依存性の問題を解決するための技術と
しては、例えば、S.MIYAKE et al.,’
European Display’90,p352−
355に記載されるものがあった。
【0009】この文献では、この上記問題に対してNW
(ノーマリホワイト)で、しかも上下視角方向におい
て、最も階調反転のない視野が広くとれる条件をΔn・
dをふって求め、Δn・d=0.39が階調表示に最適
であるとしている(なお、Δnは液晶の屈折率異方性、
dは液晶セルの厚みである)。ここで、偏光板の偏光軸
は、配向膜のラビング方向と入射側・出射側ともに垂直
に配置されている。
(ノーマリホワイト)で、しかも上下視角方向におい
て、最も階調反転のない視野が広くとれる条件をΔn・
dをふって求め、Δn・d=0.39が階調表示に最適
であるとしている(なお、Δnは液晶の屈折率異方性、
dは液晶セルの厚みである)。ここで、偏光板の偏光軸
は、配向膜のラビング方向と入射側・出射側ともに垂直
に配置されている。
【0010】この配置の場合、図7に示したように、上
下視角方向において著しい階調反転が生じる。この階調
反転の現象は、高視角の方が正面方向に比べ、より低電
圧で高遮光率が得られるためである。ちなみに、下方向
を明視角方向とすれば、この階調反転はこの下方向にお
いて起きる。一方、この偏光板配置では、左右方向では
上下方向の著しい階調反転は生じないので、上記文献に
おいては上下方向についてのみ階調表示の場合の広視野
角化を図っている。
下視角方向において著しい階調反転が生じる。この階調
反転の現象は、高視角の方が正面方向に比べ、より低電
圧で高遮光率が得られるためである。ちなみに、下方向
を明視角方向とすれば、この階調反転はこの下方向にお
いて起きる。一方、この偏光板配置では、左右方向では
上下方向の著しい階調反転は生じないので、上記文献に
おいては上下方向についてのみ階調表示の場合の広視野
角化を図っている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た文献に示されるような方法では、実質的な階調表示の
高視野角化は図られているが、所定電圧・所定視角にお
ける異常な高遮光率の出現までは防ぐことができない。
すなわち、この上記文献においては、下方向においてあ
る中間調電圧では異常に高い遮光率が出現することは明
らかであり、階調表示画像が不自然な印象を与えてしま
うという問題点があった。
た文献に示されるような方法では、実質的な階調表示の
高視野角化は図られているが、所定電圧・所定視角にお
ける異常な高遮光率の出現までは防ぐことができない。
すなわち、この上記文献においては、下方向においてあ
る中間調電圧では異常に高い遮光率が出現することは明
らかであり、階調表示画像が不自然な印象を与えてしま
うという問題点があった。
【0012】本発明は、前記問題点を解決して、階調表
示の広視野角化及びある視角・電圧での異常な高遮光率
の出現をなくし、自然な印象を与える高表示品質の薄膜
トランジスタ型液晶表示装置を提供することを目的とす
る。
示の広視野角化及びある視角・電圧での異常な高遮光率
の出現をなくし、自然な印象を与える高表示品質の薄膜
トランジスタ型液晶表示装置を提供することを目的とす
る。
【0013】
【課題を解決するための手段】前記問題点を解決するた
めに、本発明は、複数のゲート電極と、ゲート絶縁膜と
して機能する第1の絶縁膜と、前記ゲート電極と交差す
る複数のドレイン電極と、その交差部近傍に形成された
薄膜トランジスタと、それらの上に選択的に形成される
第2の絶縁膜と、前記薄膜トランジスタのソース電極に
接続された画素電極とを有する薄膜トランジスタ基板
と、液晶を挟んでその薄膜トランジスタ基板と対向する
対向電極基板と、前記薄膜トランジスタ基板上及び対向
電極基板上に液晶と接するようにそれぞれ形成された配
向膜と、前記薄膜トランジスタ基板上及び対向電極基板
上の液晶との対向面の反対面側にそれぞれ設けた偏光板
とを備えた薄膜トランジスタ型液晶表示装置であって、
前記画素電極の下部において前記第2の絶縁膜を形成し
た部分と前記第2の絶縁膜を形成しない部分とを選択的
に設けることによって、第1セル間隔と第2セル間隔と
を有するものとし、前記偏光板の偏光軸と前記配向膜の
ラビング方向がほぼ垂直か、ほぼ平行にするようにした
ものである。
めに、本発明は、複数のゲート電極と、ゲート絶縁膜と
して機能する第1の絶縁膜と、前記ゲート電極と交差す
る複数のドレイン電極と、その交差部近傍に形成された
薄膜トランジスタと、それらの上に選択的に形成される
第2の絶縁膜と、前記薄膜トランジスタのソース電極に
接続された画素電極とを有する薄膜トランジスタ基板
と、液晶を挟んでその薄膜トランジスタ基板と対向する
対向電極基板と、前記薄膜トランジスタ基板上及び対向
電極基板上に液晶と接するようにそれぞれ形成された配
向膜と、前記薄膜トランジスタ基板上及び対向電極基板
上の液晶との対向面の反対面側にそれぞれ設けた偏光板
とを備えた薄膜トランジスタ型液晶表示装置であって、
前記画素電極の下部において前記第2の絶縁膜を形成し
た部分と前記第2の絶縁膜を形成しない部分とを選択的
に設けることによって、第1セル間隔と第2セル間隔と
を有するものとし、前記偏光板の偏光軸と前記配向膜の
ラビング方向がほぼ垂直か、ほぼ平行にするようにした
ものである。
【0014】
【作用】本発明によれば、以上のようにTFT−LCD
を構成したので、1画素内において2つのセル間隔d
1,d2を有する構成とすることにより、液晶層のΔn
・dを2レベルに設定した。したがって、LCDの視野
角特性はΔn・d1の液晶とΔn・d2の液晶の平均に
なるので、所定視角・電圧での異常な高遮光率の出現が
回避される。
を構成したので、1画素内において2つのセル間隔d
1,d2を有する構成とすることにより、液晶層のΔn
・dを2レベルに設定した。したがって、LCDの視野
角特性はΔn・d1の液晶とΔn・d2の液晶の平均に
なるので、所定視角・電圧での異常な高遮光率の出現が
回避される。
【0015】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図1は本発明の実施例における
TFT基板上の薄膜パターンの構成を示す平面図であ
る。TFTの構成はゲート電極1とドレイン電極2の交
差部近傍に半導体層5をチャネルとするトランジスタが
設けられ、ソース電極3と画素電極4に所定の電圧が書
き込まれるというもので、ごく一般的なものである。
ながら詳細に説明する。図1は本発明の実施例における
TFT基板上の薄膜パターンの構成を示す平面図であ
る。TFTの構成はゲート電極1とドレイン電極2の交
差部近傍に半導体層5をチャネルとするトランジスタが
設けられ、ソース電極3と画素電極4に所定の電圧が書
き込まれるというもので、ごく一般的なものである。
【0016】コンタクトホール6及び第2セル間隔用ホ
ール7は、後に述べる第2の絶縁膜のない部分を示して
いる。コンタクトホール6はソース電極3と画素電極4
を電気的に接続するものであり、第2セル間隔用ホール
7は2番目のセル間隔として規定するためのものであ
る。図に示すように、画素のほぼ半分はこの2番目のセ
ル間隔となっている。本実施例では、第1セル間隔と第
2セル間隔とが画素のほぼ半分ずつになるように構成し
ているが、これは左右方向又は上下方向の輝度を等しく
するためである。
ール7は、後に述べる第2の絶縁膜のない部分を示して
いる。コンタクトホール6はソース電極3と画素電極4
を電気的に接続するものであり、第2セル間隔用ホール
7は2番目のセル間隔として規定するためのものであ
る。図に示すように、画素のほぼ半分はこの2番目のセ
ル間隔となっている。本実施例では、第1セル間隔と第
2セル間隔とが画素のほぼ半分ずつになるように構成し
ているが、これは左右方向又は上下方向の輝度を等しく
するためである。
【0017】図2は本発明の実施例におけるTFT基板
のTFTチャネル部(図1中のA−A′)の断面図であ
る。本実施例では、ゲート電極1の表面は陽極酸化さ
れ、ゲート−ドレイン電極1,2間のショートを防ぐた
めのゲート陽極酸化膜8が形成されている。そして、こ
れらゲート電極1上にゲート絶縁膜として機能する第1
の絶縁膜9が形成されている。さらに、第1の絶縁膜9
の上に半導体層5が図1に示すようなパターンで形成さ
れている。そして、その上にオーミック接合層10が所
定のパターンに形成され、その上にドレイン−ソース電
極2,3が図1に示すようなパターンに形成されてい
る。さらに、その上に第2の絶縁膜11がコンタクトホ
ール6及び第2セル間隔用ホール7以外の部分に形成さ
れ、その上に画素電極4が図1に示すようなパターンに
形成されている。なお、図2ではTFT基板そのもの及
び後述する配向膜並びにTFT基板上の配向膜形成面と
反対面側に設けた偏光板の図示は省略している。
のTFTチャネル部(図1中のA−A′)の断面図であ
る。本実施例では、ゲート電極1の表面は陽極酸化さ
れ、ゲート−ドレイン電極1,2間のショートを防ぐた
めのゲート陽極酸化膜8が形成されている。そして、こ
れらゲート電極1上にゲート絶縁膜として機能する第1
の絶縁膜9が形成されている。さらに、第1の絶縁膜9
の上に半導体層5が図1に示すようなパターンで形成さ
れている。そして、その上にオーミック接合層10が所
定のパターンに形成され、その上にドレイン−ソース電
極2,3が図1に示すようなパターンに形成されてい
る。さらに、その上に第2の絶縁膜11がコンタクトホ
ール6及び第2セル間隔用ホール7以外の部分に形成さ
れ、その上に画素電極4が図1に示すようなパターンに
形成されている。なお、図2ではTFT基板そのもの及
び後述する配向膜並びにTFT基板上の配向膜形成面と
反対面側に設けた偏光板の図示は省略している。
【0018】図3は本発明の実施例におけるTFT−L
CDの一部(図1中のB−B′)断面図である。従来と
同様、対向基板上には配線部の光漏れを防ぐためにブラ
ック層12が形成されており、その上にカラーフィルタ
層13が形成されており、その上に保護膜14が形成さ
れている。そして、その上に対向電極15が形成されて
おり、この対向基板と、先に示したTFT基板の両方に
各々、配向膜16が形成され、両基板間に液晶17が封
入されている。なお、図3では、TFT基板そのもの及
び対向基板そのもの並びにこれら両基板上の液晶17と
の対向面の反対面側にそれぞれ設けた偏光板の図示は省
略している。
CDの一部(図1中のB−B′)断面図である。従来と
同様、対向基板上には配線部の光漏れを防ぐためにブラ
ック層12が形成されており、その上にカラーフィルタ
層13が形成されており、その上に保護膜14が形成さ
れている。そして、その上に対向電極15が形成されて
おり、この対向基板と、先に示したTFT基板の両方に
各々、配向膜16が形成され、両基板間に液晶17が封
入されている。なお、図3では、TFT基板そのもの及
び対向基板そのもの並びにこれら両基板上の液晶17と
の対向面の反対面側にそれぞれ設けた偏光板の図示は省
略している。
【0019】ここで、先に述べた第2セル間隔用ホール
7は第2の絶縁膜11のない部分として得られるので、
この図に示すように、画素電極4上は第1セル間隔1
8、第2セル間隔19の2つのセル間隔を有することに
なる。すなわち、第1,第2セル間隔差は、第2の絶縁
膜11の厚みに相当する。この第1,第2セル間隔差
は、液晶のΔn(屈折率異方性)が大きい方が小さくて
良いという傾向があるが、通常用いる第2の絶縁膜11
の厚みは0.5〜0.8μmであり、視野角特性を変え
得るに十分な間隔である。
7は第2の絶縁膜11のない部分として得られるので、
この図に示すように、画素電極4上は第1セル間隔1
8、第2セル間隔19の2つのセル間隔を有することに
なる。すなわち、第1,第2セル間隔差は、第2の絶縁
膜11の厚みに相当する。この第1,第2セル間隔差
は、液晶のΔn(屈折率異方性)が大きい方が小さくて
良いという傾向があるが、通常用いる第2の絶縁膜11
の厚みは0.5〜0.8μmであり、視野角特性を変え
得るに十分な間隔である。
【0020】しかし、もしこの第2の絶縁膜11の厚み
で足りない場合は、第1の絶縁膜9に第2セル間隔用の
ホール7を形成すればよい。つまり、第1,第2セル間
隔差は、第1,第2の絶縁膜9,11のホールの深さに
よって、所望の値に制御できるのである。ただし、第2
の絶縁膜11の、コンタクトホール部は全てエッチング
されなければならないので、第2の絶縁膜11の第2セ
ル間隔用ホール7は全てエッチングされる方が好まし
い。
で足りない場合は、第1の絶縁膜9に第2セル間隔用の
ホール7を形成すればよい。つまり、第1,第2セル間
隔差は、第1,第2の絶縁膜9,11のホールの深さに
よって、所望の値に制御できるのである。ただし、第2
の絶縁膜11の、コンタクトホール部は全てエッチング
されなければならないので、第2の絶縁膜11の第2セ
ル間隔用ホール7は全てエッチングされる方が好まし
い。
【0021】図4は本発明の実施例において印加電圧を
パラメータにしたときの視角−透過率特性図で、図7に
おけるV1 ,V2 〜V3 ,V4 の時の特性を示してい
る。1画素内で2つのセル間隔を有しているので、図7
(A),(B)の平均となるような視角特性を表す。し
たがって、一方のセル間隔で最小透過率を示しても、他
方のセル間隔では最小透過率を示すことはない。よっ
て、ある視角・電圧での異常な高遮光率の出現は回避さ
れる。また、そのことにより、著しい階調反転も軽減さ
れることになる。つまり、どの電圧でも、どの視角から
みても自然な画像が得られるのである。
パラメータにしたときの視角−透過率特性図で、図7に
おけるV1 ,V2 〜V3 ,V4 の時の特性を示してい
る。1画素内で2つのセル間隔を有しているので、図7
(A),(B)の平均となるような視角特性を表す。し
たがって、一方のセル間隔で最小透過率を示しても、他
方のセル間隔では最小透過率を示すことはない。よっ
て、ある視角・電圧での異常な高遮光率の出現は回避さ
れる。また、そのことにより、著しい階調反転も軽減さ
れることになる。つまり、どの電圧でも、どの視角から
みても自然な画像が得られるのである。
【0022】そして、この現象が得られるのは、Δn・
dがNB(ノーマリブラック)表示の場合の1st m
in条件程度の時のみではないが、一般的に1以上にす
ると視野角自体が狭くなってしまうので、0.3〜0.
7程度の範囲内であれば、かなり良好な結果が得られ
た。また、第1セル間隔18とΔnの積と、第2セル間
隔19とΔnの積の差は、0.02〜0.1程度の範囲
内にあれば十分効果が表れた。
dがNB(ノーマリブラック)表示の場合の1st m
in条件程度の時のみではないが、一般的に1以上にす
ると視野角自体が狭くなってしまうので、0.3〜0.
7程度の範囲内であれば、かなり良好な結果が得られ
た。また、第1セル間隔18とΔnの積と、第2セル間
隔19とΔnの積の差は、0.02〜0.1程度の範囲
内にあれば十分効果が表れた。
【0023】また、本発明の実施例によれば、従来文献
で見られるようなNW表示で偏光軸と配向膜のラビング
方向を垂直にした時の下方向の高視角化のみに有効な方
法ではなく、どの方向において発生する高遮光率現象も
回避することができるので、セル設計にも広がりをもた
せることができる。なお、本発明は上記実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が
可能であり、それらを本発明の範囲から排除するもので
はない。
で見られるようなNW表示で偏光軸と配向膜のラビング
方向を垂直にした時の下方向の高視角化のみに有効な方
法ではなく、どの方向において発生する高遮光率現象も
回避することができるので、セル設計にも広がりをもた
せることができる。なお、本発明は上記実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が
可能であり、それらを本発明の範囲から排除するもので
はない。
【0024】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、1画素内において、2種類のセル間隔で駆動さ
れるようにしたので、どの視角からみても、特異的に発
生する高遮光現象を回避でき、また、著しい階調反転現
象を和らげることができる。したがって、広視野角の階
調表示が得られるので、自然な画像表示が可能で、高品
位なTFT−LCDが実現できる。
よれば、1画素内において、2種類のセル間隔で駆動さ
れるようにしたので、どの視角からみても、特異的に発
生する高遮光現象を回避でき、また、著しい階調反転現
象を和らげることができる。したがって、広視野角の階
調表示が得られるので、自然な画像表示が可能で、高品
位なTFT−LCDが実現できる。
【図1】本発明の実施例におけるTFT基板上の薄膜パ
ターンの構成を示す平面図である。
ターンの構成を示す平面図である。
【図2】本発明の実施例におけるTFT基板のTFTチ
ャネル部の断面図(図1中のA−A′)である。
ャネル部の断面図(図1中のA−A′)である。
【図3】本発明の実施例におけるTFT−LCDの一部
(図1中のB−B′)断面図である。
(図1中のB−B′)断面図である。
【図4】本発明の実施例において印加電圧をパラメータ
にしたときの視角−透過率特性図である。
にしたときの視角−透過率特性図である。
【図5】従来のTFT−LCDの一部断面図である。
【図6】従来のTFT−LCDにおいてセル間隔をパラ
メータにしたときの印加電圧−透過率特性図である。
メータにしたときの印加電圧−透過率特性図である。
【図7】従来のTFT−LCDにおいて印加電圧をパラ
メータにしたときの視角−透過率特性図である。
メータにしたときの視角−透過率特性図である。
1 ゲート電極 2 ドレイン電極 3 ソース電極 4 画素電極 5 半導体層 6 コンタクトホール 7 第2セル間隔用ホール 8 ゲート陽極酸化膜 9 第1の絶縁膜 10 オーミック接合層 11 第2の絶縁膜
Claims (5)
- 【請求項1】 複数のゲート電極と、ゲート絶縁膜とし
て機能する第1の絶縁膜と、前記ゲート電極と交差する
複数のドレイン電極と、その交差部近傍に形成された薄
膜トランジスタと、それらの上に選択的に形成される第
2の絶縁膜と、前記薄膜トランジスタのソース電極に接
続された画素電極とを有する薄膜トランジスタ基板と、
液晶を挟んで該薄膜トランジスタ基板と対向する対向電
極基板と、前記薄膜トランジスタ基板上及び対向電極基
板上に液晶と接するようにそれぞれ形成された配向膜
と、前記薄膜トランジスタ基板上及び対向電極基板上の
液晶との対向面の反対面側にそれぞれ設けた偏光板とを
備えた薄膜トランジスタ型液晶表示装置であって、 (a)前記画素電極の下部において前記第2の絶縁膜を
形成した部分と前記第2の絶縁膜を形成しない部分とを
選択的に設けることによって、第1セル間隔と第2セル
間隔とを有するものとし、 (b)前記偏光板の偏光軸と前記配向膜のラビング方向
がほぼ垂直か、ほぼ平行にしたことを特徴とする薄膜ト
ランジスタ型液晶表示装置。 - 【請求項2】 前記画素電極のほぼ半分の下部に前記第
2の絶縁膜を形成するようにした請求項1記載の薄膜ト
ランジスタ型液晶表示装置。 - 【請求項3】 前記画素電極の下部の前記第2の絶縁膜
を形成しない部分に対応する位置では前記第1の絶縁膜
を形成しないようにするか、又は前記第1の絶縁膜を所
定の深さまで取り除いていることを特徴とする請求項1
又は2記載の薄膜トランジスタ型液晶表示装置。 - 【請求項4】 前記第1セル間隔、前記第2セル間隔と
前記液晶の屈折率異方性Δnの積が0.3以上0.7以
下である請求項1〜3のいずれかに記載の薄膜トランジ
スタ型液晶表示装置。 - 【請求項5】 前記第1セル間隔と前記液晶の屈折率異
方性Δnの積と、前記第2セル間隔と前記液晶の屈折率
異方性Δnの積の差が0.02以上0.1以下である請
求項1〜4のいずれかに記載の薄膜トランジスタ型液晶
表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14163291A JP2710874B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 薄膜トランジスタ型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14163291A JP2710874B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 薄膜トランジスタ型液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04366813A JPH04366813A (ja) | 1992-12-18 |
JP2710874B2 true JP2710874B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=15296557
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14163291A Expired - Lifetime JP2710874B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 薄膜トランジスタ型液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2710874B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5777700A (en) * | 1993-07-14 | 1998-07-07 | Nec Corporation | Liquid crystal display with improved viewing angle dependence |
EP0636917B1 (en) * | 1993-07-27 | 1998-09-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60159830A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラ−液晶表示装置 |
JPH0782171B2 (ja) * | 1989-02-20 | 1995-09-06 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
JP2721214B2 (ja) * | 1988-12-26 | 1998-03-04 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
-
1991
- 1991-06-13 JP JP14163291A patent/JP2710874B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04366813A (ja) | 1992-12-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19971014 |