JP2710487B2 - Semiconductor light emitting element drive circuit - Google Patents
Semiconductor light emitting element drive circuitInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、半導体発光素子駆動
回路に関し、特に半導体発光素子の光出力波形を改善す
ることができる半導体発光素子駆動回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor light emitting device driving circuit, and more particularly to a semiconductor light emitting device driving circuit capable of improving an optical output waveform of a semiconductor light emitting device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図３は、従来の半導体発光素子駆動回路
を示す回路図である。図において、１は半導体レーザー
ダイオード、Ｑ１，Ｑ２は差動スイッチ回路５０を構成
するＮＰＮトランジスタである。トランジスタＱ１はコ
レクタが抵抗５を介して高電位電源１０に接続されてい
る。トランジスタＱ２は、エミッタがトランジスタＱ１
のエミッタに、コレクタが半導体レーザーダイオード１
のカソードに各々接続されている。半導体レーザーダイ
オード１のアノードは高電位電源１０に接続されてい
る。2. Description of the Related Art FIG. 3 is a circuit diagram showing a conventional semiconductor light emitting element driving circuit. In the figure, 1 is a semiconductor laser diode, and Q1 and Q2 are NPN transistors constituting the differential switch circuit 50. The transistor Q1 has a collector connected to the high potential power supply 10 via the resistor 5. The transistor Q2 has an emitter of the transistor Q1.
Semiconductor laser diode 1 as emitter and collector
Are connected to the respective cathodes . The anode of the semiconductor laser diode 1 is connected to a high potential power supply 10.
【０００３】Ｑ３，Ｑ４は入力段のＮＰＮトランジスタ
であり、これらのトランジスタによりトランジスタＱ
１，Ｑ２のオン／オフを制御する。トランジスタＱ３
は、ベースが第１の入力端子ＩＮ１に、コレクタが高電
位電源１０に各々接続されている。トランジスタＱ３の
エミッタは抵抗１５を介して低電位電源２０に接続され
るとともに、トランジスタＱ１のベースにも接続されて
いる。トランジスタＱ４は、ベースが第２の入力端子Ｉ
Ｎ２に、コレクタが高電位電源１０に各々接続されてい
る。トランジスタＱ４のエミッタは抵抗２５を介して低
電位電源２０に接続されるとともに、トランジスタＱ２
のベースにも接続されている。Q3 and Q4 are NPN transistors at the input stage.
1, on / off of Q2. Transistor Q3
Has a base connected to the first input terminal IN1 and a collector connected to the high-potential power supply 10, respectively. The emitter of the transistor Q3 is connected to the low potential power supply 20 via the resistor 15, and is also connected to the base of the transistor Q1. The transistor Q4 has a base connected to the second input terminal I
The collector is connected to the high potential power supply 10 at N2. The emitter of the transistor Q4 is connected to the low potential power supply 20 via the resistor 25 and the transistor Q2
It is also connected to the base.
【０００４】Ｑ５，Ｑ６はカレントミラー回路２００を
構成するＮＰＮトランジスタである。トランジスタＱ５
は、ベースとコレクタが共通接続され、この共通接続点
が定電流源１００を介して高電位電源１０に、エミッタ
が低電位電源２０に各々接続されている。トランジスタ
Ｑ６は、ベースがトランジスタＱ５のベースに、エミッ
タが低電位電源２０に、コレクタがトランジスタＱ１，
Ｑ２のエミッタ共通接続点に各々接続されている。[0004] Q5 and Q6 are NPN transistors constituting the current mirror circuit 200. Transistor Q5
The base and the collector are connected in common, and this common connection point is connected to the high potential power supply 10 via the constant current source 100, and the emitter is connected to the low potential power supply 20. The transistor Q6 has a base at the base of the transistor Q5, an emitter at the low potential power supply 20, and a collector at the transistor Q1,
It is connected to the common emitter connection point of Q2.
【０００５】次に動作について説明する。いま、定電流
源１００が出力する定電流をＩS 、トランジスタＱ５，
Ｑ６により構成されるカレントミラー回路２００のカレ
ントミラー比を１：Ｎとすると、トランジスタＱ６のコ
レクタ電流（駆動電流）はほぼＮ・ＩS （以下ＩL とい
う）となる。Next, the operation will be described. Now, the constant current output from the constant current source 100 is I S , the transistor Q5,
Assuming that the current mirror ratio of the current mirror circuit 200 constituted by Q6 is 1: N, the collector current (drive current) of the transistor Q6 is approximately N · I S (hereinafter referred to as IL ).
【０００６】まず、第１の入力端子ＩＮ１に低レベル電
圧ＶL が、第２の入力端子ＩＮ２に高レベル電圧ＶH が
各々入力された場合について説明する。このとき、トラ
ンジスタＱ１のベース電位ＶB1は、First, a case where the low level voltage VL is input to the first input terminal IN1 and the high level voltage VH is input to the second input terminal IN2 will be described. At this time, the base potential V B1 of the transistor Q1 is
【０００７】[0007]
【数１】 ＶB1＝ＶL−ＶBE ## EQU1 ## V B1 = V L -V BE
【０００８】となる。一方、トランジスタＱ２のベース
電位ＶB2は、[0008] On the other hand, the base potential V B2 of the transistor Q2 is
【０００９】[0009]
【数２】 ＶB2＝ＶH−ＶBE ## EQU2 ## V B2 = V H -V BE
【００１０】となる。ただし、ＶBEはＮＰＮトランジス
タのベース・エミッタ間順方向電圧降下である。ここ
で、ＶL ＜ＶH であるので、ＶB1＜ＶB2となり、トラン
ジスタＱ１はオフ、トランジスタＱ２はオンする。その
結果、半導体レーザーダイオード１にはほぼＩL に等し
い電流が流れ半導体レーザーダイオード１はオンする。## EQU1 ## Here, V BE is a forward voltage drop between the base and the emitter of the NPN transistor. Here, since VL < VH , VB1 < VB2 , and the transistor Q1 is turned off and the transistor Q2 is turned on. As a result, the semiconductor laser diode 1 to flow a current substantially equal to I L in the semiconductor laser diode 1 is turned on.
【００１１】次に、第１の入力端子ＩＮ１に高レベル電
圧ＶH が、第２の入力端子ＩＮ２に低レベル電圧ＶL が
各々入力された場合について説明する。このときの動作
は、上記動作と逆の動作となる。つまり、トランジスタ
Ｑ１がオンし、トランジスタＱ１のコレクタにはほぼＩ
L に等しい電流が流れる一方、トランジスタＱ２がオフ
し、半導体レーザーダイオード１はオフする。Next, the case where the high level voltage V H is input to the first input terminal IN1 and the low level voltage V L is input to the second input terminal IN2 will be described. The operation at this time is the reverse of the above operation. That is, the transistor Q1 is turned on, and the collector of the transistor Q1 has almost I
While a current equal to L flows, the transistor Q2 turns off and the semiconductor laser diode 1 turns off.
【００１２】このように、第１，第２の入力端子ＩＮ
１，ＩＮ２への信号レベルによって、半導体レーザーダ
イオード１のオン／オフを制御している。As described above, the first and second input terminals IN
The on / off of the semiconductor laser diode 1 is controlled by the signal level to IN1 and IN2.
【００１３】図４は半導体レーザーダイオード１の光出
力と駆動電流ＩL の関係を示すグラフである。図４から
わかるように、動作周囲温度Ｔaの変化に対応して半導
体レーザーダイオード１の光出力を一定に保つためには
駆動電流ＩL を変化させる必要がある。例えば、半導体
レーザーダイオード１の光出力をＰ0 に保つためには、
動作周囲温度Ｔa が２５℃の時には駆動電流ＩL をＩ0
に、動作周囲温度Ｔa が６０℃の時には駆動電流ＩL を
Ｉ1 にしなければならない。なお、Ｉth0 はＴa ＝２５
℃における半導体レーザーダイオード１のスレッショル
ド電流値、Ｉth 1 はＴa ＝６０℃における半導体レーザ
ーダイオード１のスレッショルド電流値である。[0013] FIG. 4 is a graph showing the relationship between the semiconductor laser diode 1 of light output and the drive current I L. As it can be seen from Figure 4, in order to keep the optical output of the semiconductor laser diode 1 constant in response to changes in the operating ambient temperature T a, it is necessary to change the drive current I L. For example, to keep the optical output of the semiconductor laser diode 1 at P 0 ,
I 0 the drive current I L when the operating ambient temperature T a is 25 ° C.
, The operating ambient temperature T a is at the time of 60 ° C. should the drive current I L to I 1. In addition, I th0 is T a = 25
Threshold current value of semiconductor laser diode 1 at ° C., I th 1 is a threshold current value of semiconductor laser diode 1 in T a = 60 ℃.
【００１４】以下、トランジスタＱ２のスイッチング時
にトランジスタＱ４に流れる電流の変化率について説明
する。The rate of change of the current flowing through transistor Q4 during switching of transistor Q2 will be described below.
【００１５】第１の入力端子ＩＮ１に低レベル電圧ＶL
が、第２の入力端子ＩＮ２に高レベル電圧ＶH が各々入
力されると、前述したようにトランジスタＱ２がオン
し、半導体レーザーダイオード１はオンする。ＮＰＮト
ランジスタの電流増幅率をβとすると、トランジスタＱ
２のベース電流ＩB2は、The low level voltage V L is applied to the first input terminal IN1.
However, when the high level voltage V H is input to the second input terminal IN2, the transistor Q2 turns on and the semiconductor laser diode 1 turns on as described above. Assuming that the current amplification factor of the NPN transistor is β, the transistor Q
2, the base current I B2 is
【００１６】[0016]
【数３】 ＩL＝ＩB2・（１＋β）## EQU3 ## I L = I B2 · (1 + β)
【００１７】より、[0017]
【００１８】[0018]
【数４】 ＩB2＝ＩL／（１＋β）## EQU4 ## I B2 = I L / (1 + β)
【００１９】となる。このベース電流ＩB2はトランジス
タＱ４から供給される。また、トランジスタＱ２のベー
ス電位はＶH −ＶBEなので、低電位電源２０の電位を０
Ｖとすれば、抵抗２５に流れる電流ＩR25 は、## EQU1 ## This base current IB2 is supplied from the transistor Q4. Further, since the base potential of the transistor Q2 is V H −V BE , the potential of the low potential power
If V, the current I R25 flowing through the resistor 25 is
【００２０】[0020]
【数５】 ＩR25＝（ＶH−ＶBE）／Ｒ25 [Number 5] I R25 = (V H -V BE ) / R 25
【００２１】となる。この電流ＩR25 もトランジスタＱ
４から供給される。なお、ここでＲ25は抵抗２５の抵抗
値である。したがって、トランジスタＱ２がオンしてい
るときのトランジスタＱ４の出力電流ＩE4は数４と数５
より、## EQU1 ## This current I R25 is also the transistor Q
Supplied from 4. Here, R 25 is the resistance value of the resistor 25. Thus, the number and the output current I E4 number 4 of the transistors Q4 when the transistor Q2 is turned on 5
Than,
【００２２】[0022]
【数６】 ＩE4＝ＩL／（１＋β）＋（ＶH−ＶBE）／Ｒ25 I E4 = I L / (1 + β) + (V H −V BE ) / R 25
【００２３】となる。## EQU1 ##
【００２４】次に、第１の入力端子ＩＮ１に高レベル電
圧ＶH が、第２の入力端子ＩＮ２に低レベル電圧ＶL が
各々入力されると、トランジスタＱ２がオフし、トラン
ジスタＱ２のベース電流は０となる。しかし、トランジ
スタＱ２のベース電位はＶL −ＶBEなので抵抗２５には
（ＶL −ＶBE）／Ｒ25なる電流がトランジスタＱ４から
供給される。すなわち、トランジスタＱ２がオフしてい
るときトランジスタＱ４の出力電流ＩE4は、Next, when the high level voltage V H is input to the first input terminal IN1 and the low level voltage VL is input to the second input terminal IN2, the transistor Q2 is turned off, and the base current of the transistor Q2 is turned off. Becomes 0. However, the base potential of the transistor Q2 is the V L -V BE Since resistor 25 is (V L -V BE) / R 25 becomes a current supplied from the transistor Q4. That is, the output current I E4 of the transistor Q4 when the transistor Q2 is off,
【００２５】[0025]
【数７】 ＩE4＝（ＶL−ＶBE）／Ｒ25 [Equation 7] I E4 = (V L -V BE ) / R 25
【００２６】となる。数６と数７を比較すると、トラン
ジスタＱ２がオンしているときのトランジスタＱ４の出
力電流ＩE4は半導体レーザーダイオード１の駆動電流Ｉ
L に依存するのに対し、トランジスタＱ２がオフしてい
るときのトランジスタＱ４の出力電流ＩE4は半導体レー
ザーダイオード１の駆動電流ＩL に無関係であることが
わかる。## EQU1 ## Comparing Equations 6 and 7, the output current I E4 of the transistor Q4 when the transistor Q2 is on is equal to the driving current I E of the semiconductor laser diode 1.
While dependent L, and the transistor Q2 is the output current I E4 of the transistor Q4 when turned off is found to be independent of the drive current I L of the semiconductor laser diode 1.
【００２７】いま、上記に示した記号に一般的数値を代
入して説明する。光出力Ｐ0 を得るための駆動電流ＩL
をＴa ＝２５℃のとき５０ｍＡ、Ｔa ＝６０℃のとき１
００ｍＡとする。また、ＶL ＝２．０Ｖ、ＶH ＝２．５
Ｖ、Ｒ25＝２ｋΩ、ＶBE＝０．７Ｖ、β＝１００とす
る。Now, description will be made by substituting general numerical values into the above-mentioned symbols. Drive current I L for obtaining optical output P 0
When the T a = 25 ℃ 50mA when, for T a = 60 ℃ 1
00 mA. V L = 2.0 V, V H = 2.5
V, R 25 = 2 kΩ, V BE = 0.7 V, β = 100.
【００２８】トランジスタＱ２がオフしているときのト
ランジスタＱ４のエミッタ電流ＩE4 A は、数７より０．
６５ｍＡとなる。一方、ＩL ＝５０ｍＡにおいてトラン
ジスタＱ２がオンしているときのトランジスタＱ４の出
力電流ＩE4B は数６より１．４ｍＡ、ＩL ＝１００ｍＡ
においてトランジスタＱ２がオンしているときのトラン
ジスタＱ４の出力電流ＩE4C は数６より１．８９ｍＡと
なる。When the transistor Q2 is off, the emitter current I E4 A of the transistor Q4 is equal to 0
65 mA. On the other hand, the output current I E4B of the transistor Q4 when the transistor Q2 is on when I L = 50 mA is 1.4 mA and I L = 100 mA from the equation (6).
, The output current IE4C of the transistor Q4 when the transistor Q2 is on is 1.89 mA from the equation (6).
【００２９】ここでトランジスタＱ２がオフからオンへ
変化したときのトランジスタＱ４の出力電流の変化率は
ＩL ＝５０ｍＡのとき２．１５（ＩE4B ／ＩE4A ）、Ｉ
L ＝１００ｍＡのとき２．９１（ＩE4C ／ＩE4A ）とな
る。このことより、駆動電流ＩL が大きくなるほどトラ
ンジスタＱ４の出力電流を大きく変化させなければなら
ないことがわかる。その結果、駆動電流ＩL が大きい場
合、トランジスタＱ２がオフから完全にオンするまでの
時間、すなわちトランジスタＱ２のコレクタ電流が０か
ら最大値（ＩL ）に達するまでの時間が長くなり、半導
体レーザーダイオード１の光出力波形のデューティは図
５（ｂ），（ｃ）に示すように駆動電流ＩL の値によっ
て変化することになる。図５（ｂ）がＩL ＝５０ｍＡの
ときのレーザー電流ＩX と光出力の関係、図５（ｃ）は
ＩL ＝１００ｍＡのときのレーザー電流ＩX と光出力の
関係を示している。Here, the rate of change of the output current of the transistor Q4 when the transistor Q2 changes from off to on is 2.15 (I E4B / I E4A ) when I L = 50 mA, and I
When L = 100 mA, it becomes 2.91 (I E4C / I E4A ). From this, it can be seen that must greatly change the output current of the driving current I L as increases transistor Q4. As a result, when the driving current I L is large, the time from when the transistor Q2 is completely turned on to when it is off, that is, the time when the collector current of the transistor Q2 reaches from 0 to the maximum value (I L ) becomes longer. duty of the diode 1 of the optical output waveform FIG. 5 (b), will vary depending on the value of the drive current I L as shown in (c). FIG. 5B shows the relationship between the laser current IX and the optical output when I L = 50 mA, and FIG. 5C shows the relationship between the laser current IX and the optical output when I L = 100 mA.
【００３０】[0030]
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体発光素子
駆動回路は以上のように構成されているので、同じ光出
力を得る場合、駆動電流ＩL の大小により半導体レーザ
ーダイオード１の光出力波形が変化してしまうという問
題点があった。Since THE INVENTION Problems to be Solved] Conventional semiconductor light emitting element driving circuit is constructed as described above, when obtaining the same light output, the optical output waveform of the semiconductor laser diode 1 is the magnitude of the drive current I L There was a problem that it would change.
【００３１】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、半導体発光素子の駆動電流の大
小に関係なく一定の光出力波形を得ることができる半導
体発光素子の駆動回路を得ることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and a drive circuit for a semiconductor light emitting device capable of obtaining a constant light output waveform regardless of the magnitude of the drive current for the semiconductor light emitting device is provided. The purpose is to gain.
【００３２】[0032]
【課題を解決するための手段】この発明は、半導体発光
素子と、前記半導体発光素子を駆動する駆動電流を出力
する駆動用電流源と、前記半導体発光素子と前記駆動用
電流源との間に接続され、前記半導体発光素子に前記駆
動電流を選択的に供給するスイッチ回路と、前記スイッ
チ回路のスイッチングを制御するスイッチ制御回路とを
備えた半導体発光素子駆動回路に適用される。The present invention provides a semiconductor light emitting device, a driving current source for outputting a driving current for driving the semiconductor light emitting device, and a driving current source between the semiconductor light emitting device and the driving current source. connected, is applied to the semiconductor selectively supplying switch circuit the drive current to the light emitting element, a semiconductor light emitting element driving circuit and a switch control circuit for controlling the switch Chin grayed of the switching circuit.
【００３３】この発明に係る半導体発光素子駆動回路に
おいては、スイッチ制御回路に流れる電流は、スイッチ
制御回路と駆動電流源とで構成されたカレントミラー回
路によって、駆動電流に応じて制御されることを特徴と
する。 In the semiconductor light emitting device driving circuit according to the present invention ,
In this case, the current flowing through the switch control circuit
A current mirror circuit composed of a control circuit and a drive current source
It is controlled according to the drive current by the road.
I do.
【００３４】[0034]
【作用】この発明におけるカレントミラー回路による
と、スイッチ制御回路に流れる電流は駆動電流に応じて
制御されるので、半導体発光素子がオフからオンに移行
するとき、あるいはオンからオフに移行するときのスイ
ッチ制御回路に流れる電流の変化率が駆動電流に依存し
なくなるようにできる。According to the present invention, the current mirror circuit is used.
And the current flowing through the switch control circuit depends on the drive current.
Since the control is performed , the rate of change of the current flowing through the switch control circuit when the semiconductor light emitting element shifts from off to on or from on to off does not depend on the drive current.
【００３５】[0035]
【実施例】図１はこの発明に係る半導体発光素子駆動回
路の一実施例を示す回路図である。図において、図３に
示した従来回路との相違点は、抵抗１５，２５をなく
し、ＮＰＮトランジスタＱ１１，Ｑ１２を新たに設けた
ことである。トランジスタＱ１１，Ｑ１２はトランジス
タＱ５，Ｑ６とカレントミラー回路を構成する。トラン
ジスタＱ１１は、ベースがトランジスタＱ６のベース
に、コレクタがトランジスタＱ３のエミッタに、エミッ
タが低電位電源２０に各々接続されている。トランジス
タＱ１２は、ベースにトランジスタＱ６のベースに、コ
レクタがトランジスタＱ４のエミッタに、エミッタが低
電位電源２０に各々接続されている。その他の構成は図
３に示した従来回路と同様である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a semiconductor light emitting element driving circuit according to the present invention. In the figure, the difference from the conventional circuit shown in FIG. 3 is that the resistors 15 and 25 are eliminated and NPN transistors Q11 and Q12 are newly provided. The transistors Q11 and Q12 form a current mirror circuit with the transistors Q5 and Q6. The transistor Q11 has a base connected to the base of the transistor Q6, a collector connected to the emitter of the transistor Q3, and an emitter connected to the low potential power supply 20. The transistor Q12 has a base connected to the base of the transistor Q6, a collector connected to the emitter of the transistor Q4, and an emitter connected to the low potential power supply 20. Other configurations are the same as those of the conventional circuit shown in FIG.
【００３６】次に動作について説明する。いま、トラン
ジスタＱ１１，Ｑ１２とトランジスタＱ６とのカレント
ミラー比を１：Ｍとする。まず、トランジスタＱ２がオ
フしているときについて説明する。いま、トランジスタ
Ｑ６には駆動電流ＩL が流れている。そのため、トラン
ジスタＱ１２に流れる電流はＩL ／Ｍとなり、この電流
はトランジスタＱ４から供給される。このときのトラン
ジスタＱ４の出力電流ＩE4D は、Next, the operation will be described. Now, it is assumed that the current mirror ratio between the transistors Q11 and Q12 and the transistor Q6 is 1: M. First, the case where the transistor Q2 is off will be described. Now, the transistor Q6 is driving current I L flows. Therefore, the current flowing through the transistor Q12 becomes I L / M, and this current is supplied from the transistor Q4. The output current IE4D of the transistor Q4 at this time is
【００３７】[0037]
【数８】 ＩE4D＝ＩL／Ｍ[ Expression 8] I E4D = I L / M
【００３８】となる。## EQU4 ##
【００３９】トランジスタＱ２がオンのときのトランジ
スタＱ４の出力電流ＩE4E は数６に示したＩE4と同様に
して求められる。つまり、The transistor Q2 is the output current I E4E transistor Q4 when the ON is determined in the same manner as I E4 shown in Equation 6. That is,
【００４０】[0040]
【数９】 ＩE4E＝ＩL／（１＋β）＋ＩL／ＭI E4E = I L / (1 + β) + I L / M
【００４１】となる。トランジスタＱ２がオフ時の出力
電流ＩE4D とトランジスタＱ２がオン時の出力電流Ｉ
E4E との比（ＩE4E ／ＩE4D ）を数８，数９から求める
と、１＋Ｍ／（１＋β）となり駆動電流ＩL に無関係な
一定値となる。つまり、トランジスタＱ２がオフからオ
ンあるいはオンからオフへ変化したときのトランジスタ
Ｑ４に流れる電流の変化率は、駆動電流ＩL の大きさに
かかわらず一定となる。その結果、半導体発光素子１の
光出力波形のデューティは図２（ｂ），（ｃ）に示すよ
うに駆動電流ＩL の大小にかかわらず一定となり、か
つ、半導体発光素子間の駆動電流特性のばらつきの影響
を受けることもない。 ## EQU1 ## The output current I E4D when the transistor Q2 is off and the output current I E when the transistor Q2 is on
The ratio of the E4E (I E4E / I E4D) the number 8, and obtained from a number 9, the independent constant value 1 + M / (1 + β ) next to the drive current I L. In other words, the rate of change of current flowing through the transistor Q4 when the transistor Q2 is changed from on to off or from off is constant regardless of the magnitude of the drive current I L. As a result, the duty of the optical output waveform of the semiconductor light emitting element 1 FIG. 2 (b), Ri Do constant regardless of the magnitude of the drive current I L as shown in (c), or
First, the effect of variations in drive current characteristics between semiconductor light emitting devices
I do not receive it.
【００４２】なお、上記実施例では半導体発光素子とし
て半導体レーザーダイオードを用いた場合について説明
したが、他の半導体発光素子、例えばＬＥＤを用いても
同様の効果がある。In the above embodiment, the case where a semiconductor laser diode is used as a semiconductor light emitting element has been described. However, similar effects can be obtained by using another semiconductor light emitting element, for example, an LED.
【００４３】[0043]
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、カレン
トミラー回路によって、スイッチ制御回路に流れる電流
は駆動用電流源の駆動電流に応じて制御されるので、半
導体発光素子がオフからオンあるいはオンからオフに移
行するときの電流の変化率が駆動電流に依存しなくなる
ようにできる。その結果、駆動電流が変化しても光出力
波形が一定になるという効果がある。しかも、かかる効
果は半導体発光素子間の駆動電流特性のばらつきの影響
を受けることもない。 According to this invention, as described above, according to the present invention, Karen
Current flowing through the switch control circuit by the trimmer circuit
Is controlled in accordance with the drive current of the drive current source, so that the rate of change of the current when the semiconductor light emitting element shifts from off to on or from on to off does not depend on the drive current. As a result, there is an effect that the optical output waveform becomes constant even if the drive current changes. Moreover, such effects
The result is the effect of variations in drive current characteristics between semiconductor light emitting devices
I do not receive it.
【図１】この発明に係る半導体発光素子駆動回路の一実
施例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of a semiconductor light emitting element drive circuit according to the present invention.
【図２】図１に示した回路の動作を説明するため図であ
る。FIG. 2 is a diagram for explaining the operation of the circuit shown in FIG.
【図３】従来の半導体発光素子駆動回路の構成を示す回
路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional semiconductor light emitting element driving circuit.
【図４】半導体レーザーダイオードの光出力と駆動電流
との関係を示すグラフである。FIG. 4 is a graph showing a relationship between an optical output of a semiconductor laser diode and a driving current.
【図５】図３に示した回路の動作を説明するため図であ
る。FIG. 5 is a diagram for explaining the operation of the circuit shown in FIG. 3;
１ 半導体レーザーダイオード ５０ 差動スイッチ回路 １００ 定電流源 ２００ カレントミラー回路 ＩＮ１ 第１の入力端子 ＩＮ２ 第２の入力端子 Ｑ３，Ｑ４，Ｑ１１，Ｑ１２ ＮＰＮトランジスタ Reference Signs List 1 semiconductor laser diode 50 differential switch circuit 100 constant current source 200 current mirror circuit IN1 first input terminal IN2 second input terminal Q3, Q4, Q11, Q12 NPN transistor
Claims (1)
を駆動する駆動電流を出力する駆動用電流源と、前記半
導体発光素子と前記駆動用電流源との間に接続され、前
記半導体発光素子に前記駆動電流を選択的に供給するス
イッチ回路と、前記スイッチ回路のスイッチングを制御
するスイッチ制御回路とを備えた半導体発光素子駆動回
路において、 前記スイッチ制御回路に流れる電流は、前記スイッチ制
御回路と前記駆動電流源とで構成されたカレントミラー
回路によって、前記駆動電流に応じて制御されることを
特徴とする半導体発光素子駆動回路。 1. A semiconductor light emitting device, a driving current source for outputting a driving current for driving the semiconductor light emitting device, and a semiconductor light emitting device connected between the semiconductor light emitting device and the driving current source. selectively supplying switch circuit the driving current, in the semiconductor light emitting element driving circuit and a switch control circuit for controlling the switch Chin grayed of the switching circuit, a current flowing through the switch control circuit, said switch system
Current mirror composed of a control circuit and the driving current source
That the circuit is controlled in accordance with the drive current.
Characteristic semiconductor light emitting element driving circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20926591A JP2710487B2 (en) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | Semiconductor light emitting element drive circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20926591A JP2710487B2 (en) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | Semiconductor light emitting element drive circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0548149A JPH0548149A (en) | 1993-02-26 |
| JP2710487B2 true JP2710487B2 (en) | 1998-02-10 |
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Family Applications (1)
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP2710487B2 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2610307B2 (en) * | 1988-06-28 | 1997-05-14 | 株式会社東芝 | Light emitting element drive circuit |
-
1991
- 1991-08-21 JP JP20926591A patent/JP2710487B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JPH0548149A (en) | 1993-02-26 |
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