JP2710487B2 - 半導体発光素子駆動回路 - Google Patents
半導体発光素子駆動回路Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体発光素子駆動
回路に関し、特に半導体発光素子の光出力波形を改善す
ることができる半導体発光素子駆動回路に関する。
回路に関し、特に半導体発光素子の光出力波形を改善す
ることができる半導体発光素子駆動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の半導体発光素子駆動回路
を示す回路図である。図において、１は半導体レーザー
ダイオード、Ｑ１，Ｑ２は差動スイッチ回路５０を構成
するＮＰＮトランジスタである。トランジスタＱ１はコ
レクタが抵抗５を介して高電位電源１０に接続されてい
る。トランジスタＱ２は、エミッタがトランジスタＱ１
のエミッタに、コレクタが半導体レーザーダイオード１
のカソードに各々接続されている。半導体レーザーダイ
オード１のアノードは高電位電源１０に接続されてい
る。
を示す回路図である。図において、１は半導体レーザー
ダイオード、Ｑ１，Ｑ２は差動スイッチ回路５０を構成
するＮＰＮトランジスタである。トランジスタＱ１はコ
レクタが抵抗５を介して高電位電源１０に接続されてい
る。トランジスタＱ２は、エミッタがトランジスタＱ１
のエミッタに、コレクタが半導体レーザーダイオード１
のカソードに各々接続されている。半導体レーザーダイ
オード１のアノードは高電位電源１０に接続されてい
る。
【０００３】Ｑ３，Ｑ４は入力段のＮＰＮトランジスタ
であり、これらのトランジスタによりトランジスタＱ
１，Ｑ２のオン／オフを制御する。トランジスタＱ３
は、ベースが第１の入力端子ＩＮ１に、コレクタが高電
位電源１０に各々接続されている。トランジスタＱ３の
エミッタは抵抗１５を介して低電位電源２０に接続され
るとともに、トランジスタＱ１のベースにも接続されて
いる。トランジスタＱ４は、ベースが第２の入力端子Ｉ
Ｎ２に、コレクタが高電位電源１０に各々接続されてい
る。トランジスタＱ４のエミッタは抵抗２５を介して低
電位電源２０に接続されるとともに、トランジスタＱ２
のベースにも接続されている。
であり、これらのトランジスタによりトランジスタＱ
１，Ｑ２のオン／オフを制御する。トランジスタＱ３
は、ベースが第１の入力端子ＩＮ１に、コレクタが高電
位電源１０に各々接続されている。トランジスタＱ３の
エミッタは抵抗１５を介して低電位電源２０に接続され
るとともに、トランジスタＱ１のベースにも接続されて
いる。トランジスタＱ４は、ベースが第２の入力端子Ｉ
Ｎ２に、コレクタが高電位電源１０に各々接続されてい
る。トランジスタＱ４のエミッタは抵抗２５を介して低
電位電源２０に接続されるとともに、トランジスタＱ２
のベースにも接続されている。
【０００４】Ｑ５，Ｑ６はカレントミラー回路２００を
構成するＮＰＮトランジスタである。トランジスタＱ５
は、ベースとコレクタが共通接続され、この共通接続点
が定電流源１００を介して高電位電源１０に、エミッタ
が低電位電源２０に各々接続されている。トランジスタ
Ｑ６は、ベースがトランジスタＱ５のベースに、エミッ
タが低電位電源２０に、コレクタがトランジスタＱ１，
Ｑ２のエミッタ共通接続点に各々接続されている。
構成するＮＰＮトランジスタである。トランジスタＱ５
は、ベースとコレクタが共通接続され、この共通接続点
が定電流源１００を介して高電位電源１０に、エミッタ
が低電位電源２０に各々接続されている。トランジスタ
Ｑ６は、ベースがトランジスタＱ５のベースに、エミッ
タが低電位電源２０に、コレクタがトランジスタＱ１，
Ｑ２のエミッタ共通接続点に各々接続されている。
【０００５】次に動作について説明する。いま、定電流
源１００が出力する定電流をＩS 、トランジスタＱ５，
Ｑ６により構成されるカレントミラー回路２００のカレ
ントミラー比を１：Ｎとすると、トランジスタＱ６のコ
レクタ電流（駆動電流）はほぼＮ・ＩS （以下ＩL とい
う）となる。
源１００が出力する定電流をＩS 、トランジスタＱ５，
Ｑ６により構成されるカレントミラー回路２００のカレ
ントミラー比を１：Ｎとすると、トランジスタＱ６のコ
レクタ電流（駆動電流）はほぼＮ・ＩS （以下ＩL とい
う）となる。
【０００６】まず、第１の入力端子ＩＮ１に低レベル電
圧ＶL が、第２の入力端子ＩＮ２に高レベル電圧ＶH が
各々入力された場合について説明する。このとき、トラ
ンジスタＱ１のベース電位ＶB1は、
圧ＶL が、第２の入力端子ＩＮ２に高レベル電圧ＶH が
各々入力された場合について説明する。このとき、トラ
ンジスタＱ１のベース電位ＶB1は、
【０００７】
【数１】 ＶB1＝ＶL−ＶBE
【０００８】となる。一方、トランジスタＱ２のベース
電位ＶB2は、
電位ＶB2は、
【０００９】
【数２】 ＶB2＝ＶH−ＶBE
【００１０】となる。ただし、ＶBEはＮＰＮトランジス
タのベース・エミッタ間順方向電圧降下である。ここ
で、ＶL ＜ＶH であるので、ＶB1＜ＶB2となり、トラン
ジスタＱ１はオフ、トランジスタＱ２はオンする。その
結果、半導体レーザーダイオード１にはほぼＩL に等し
い電流が流れ半導体レーザーダイオード１はオンする。
タのベース・エミッタ間順方向電圧降下である。ここ
で、ＶL ＜ＶH であるので、ＶB1＜ＶB2となり、トラン
ジスタＱ１はオフ、トランジスタＱ２はオンする。その
結果、半導体レーザーダイオード１にはほぼＩL に等し
い電流が流れ半導体レーザーダイオード１はオンする。
【００１１】次に、第１の入力端子ＩＮ１に高レベル電
圧ＶH が、第２の入力端子ＩＮ２に低レベル電圧ＶL が
各々入力された場合について説明する。このときの動作
は、上記動作と逆の動作となる。つまり、トランジスタ
Ｑ１がオンし、トランジスタＱ１のコレクタにはほぼＩ
L に等しい電流が流れる一方、トランジスタＱ２がオフ
し、半導体レーザーダイオード１はオフする。
圧ＶH が、第２の入力端子ＩＮ２に低レベル電圧ＶL が
各々入力された場合について説明する。このときの動作
は、上記動作と逆の動作となる。つまり、トランジスタ
Ｑ１がオンし、トランジスタＱ１のコレクタにはほぼＩ
L に等しい電流が流れる一方、トランジスタＱ２がオフ
し、半導体レーザーダイオード１はオフする。
【００１２】このように、第１，第２の入力端子ＩＮ
１，ＩＮ２への信号レベルによって、半導体レーザーダ
イオード１のオン／オフを制御している。
１，ＩＮ２への信号レベルによって、半導体レーザーダ
イオード１のオン／オフを制御している。
【００１３】図４は半導体レーザーダイオード１の光出
力と駆動電流ＩL の関係を示すグラフである。図４から
わかるように、動作周囲温度Ｔaの変化に対応して半導
体レーザーダイオード１の光出力を一定に保つためには
駆動電流ＩL を変化させる必要がある。例えば、半導体
レーザーダイオード１の光出力をＰ0 に保つためには、
動作周囲温度Ｔa が２５℃の時には駆動電流ＩL をＩ0
に、動作周囲温度Ｔa が６０℃の時には駆動電流ＩL を
Ｉ1 にしなければならない。なお、Ｉth0 はＴa ＝２５
℃における半導体レーザーダイオード１のスレッショル
ド電流値、Ｉth 1 はＴa ＝６０℃における半導体レーザ
ーダイオード１のスレッショルド電流値である。
力と駆動電流ＩL の関係を示すグラフである。図４から
わかるように、動作周囲温度Ｔaの変化に対応して半導
体レーザーダイオード１の光出力を一定に保つためには
駆動電流ＩL を変化させる必要がある。例えば、半導体
レーザーダイオード１の光出力をＰ0 に保つためには、
動作周囲温度Ｔa が２５℃の時には駆動電流ＩL をＩ0
に、動作周囲温度Ｔa が６０℃の時には駆動電流ＩL を
Ｉ1 にしなければならない。なお、Ｉth0 はＴa ＝２５
℃における半導体レーザーダイオード１のスレッショル
ド電流値、Ｉth 1 はＴa ＝６０℃における半導体レーザ
ーダイオード１のスレッショルド電流値である。
【００１４】以下、トランジスタＱ２のスイッチング時
にトランジスタＱ４に流れる電流の変化率について説明
する。
にトランジスタＱ４に流れる電流の変化率について説明
する。
【００１５】第１の入力端子ＩＮ１に低レベル電圧ＶL
が、第２の入力端子ＩＮ２に高レベル電圧ＶH が各々入
力されると、前述したようにトランジスタＱ２がオン
し、半導体レーザーダイオード１はオンする。ＮＰＮト
ランジスタの電流増幅率をβとすると、トランジスタＱ
２のベース電流ＩB2は、
が、第２の入力端子ＩＮ２に高レベル電圧ＶH が各々入
力されると、前述したようにトランジスタＱ２がオン
し、半導体レーザーダイオード１はオンする。ＮＰＮト
ランジスタの電流増幅率をβとすると、トランジスタＱ
２のベース電流ＩB2は、
【００１６】
【数３】 ＩL＝ＩB2・（１＋β）
【００１７】より、
【００１８】
【数４】 ＩB2＝ＩL／（１＋β）
【００１９】となる。このベース電流ＩB2はトランジス
タＱ４から供給される。また、トランジスタＱ２のベー
ス電位はＶH −ＶBEなので、低電位電源２０の電位を０
Ｖとすれば、抵抗２５に流れる電流ＩR25 は、
タＱ４から供給される。また、トランジスタＱ２のベー
ス電位はＶH −ＶBEなので、低電位電源２０の電位を０
Ｖとすれば、抵抗２５に流れる電流ＩR25 は、
【００２０】
【数５】 ＩR25＝（ＶH−ＶBE）／Ｒ25
【００２１】となる。この電流ＩR25 もトランジスタＱ
４から供給される。なお、ここでＲ25は抵抗２５の抵抗
値である。したがって、トランジスタＱ２がオンしてい
るときのトランジスタＱ４の出力電流ＩE4は数４と数５
より、
４から供給される。なお、ここでＲ25は抵抗２５の抵抗
値である。したがって、トランジスタＱ２がオンしてい
るときのトランジスタＱ４の出力電流ＩE4は数４と数５
より、
【００２２】
【数６】 ＩE4＝ＩL／（１＋β）＋（ＶH−ＶBE）／Ｒ25
【００２３】となる。
【００２４】次に、第１の入力端子ＩＮ１に高レベル電
圧ＶH が、第２の入力端子ＩＮ２に低レベル電圧ＶL が
各々入力されると、トランジスタＱ２がオフし、トラン
ジスタＱ２のベース電流は０となる。しかし、トランジ
スタＱ２のベース電位はＶL −ＶBEなので抵抗２５には
（ＶL −ＶBE）／Ｒ25なる電流がトランジスタＱ４から
供給される。すなわち、トランジスタＱ２がオフしてい
るときトランジスタＱ４の出力電流ＩE4は、
圧ＶH が、第２の入力端子ＩＮ２に低レベル電圧ＶL が
各々入力されると、トランジスタＱ２がオフし、トラン
ジスタＱ２のベース電流は０となる。しかし、トランジ
スタＱ２のベース電位はＶL −ＶBEなので抵抗２５には
（ＶL −ＶBE）／Ｒ25なる電流がトランジスタＱ４から
供給される。すなわち、トランジスタＱ２がオフしてい
るときトランジスタＱ４の出力電流ＩE4は、
【００２５】
【数７】 ＩE4＝（ＶL−ＶBE）／Ｒ25
【００２６】となる。数６と数７を比較すると、トラン
ジスタＱ２がオンしているときのトランジスタＱ４の出
力電流ＩE4は半導体レーザーダイオード１の駆動電流Ｉ
L に依存するのに対し、トランジスタＱ２がオフしてい
るときのトランジスタＱ４の出力電流ＩE4は半導体レー
ザーダイオード１の駆動電流ＩL に無関係であることが
わかる。
ジスタＱ２がオンしているときのトランジスタＱ４の出
力電流ＩE4は半導体レーザーダイオード１の駆動電流Ｉ
L に依存するのに対し、トランジスタＱ２がオフしてい
るときのトランジスタＱ４の出力電流ＩE4は半導体レー
ザーダイオード１の駆動電流ＩL に無関係であることが
わかる。
【００２７】いま、上記に示した記号に一般的数値を代
入して説明する。光出力Ｐ0 を得るための駆動電流ＩL
をＴa ＝２５℃のとき５０ｍＡ、Ｔa ＝６０℃のとき１
００ｍＡとする。また、ＶL ＝２．０Ｖ、ＶH ＝２．５
Ｖ、Ｒ25＝２ｋΩ、ＶBE＝０．７Ｖ、β＝１００とす
る。
入して説明する。光出力Ｐ0 を得るための駆動電流ＩL
をＴa ＝２５℃のとき５０ｍＡ、Ｔa ＝６０℃のとき１
００ｍＡとする。また、ＶL ＝２．０Ｖ、ＶH ＝２．５
Ｖ、Ｒ25＝２ｋΩ、ＶBE＝０．７Ｖ、β＝１００とす
る。
【００２８】トランジスタＱ２がオフしているときのト
ランジスタＱ４のエミッタ電流ＩE4 A は、数７より０．
６５ｍＡとなる。一方、ＩL ＝５０ｍＡにおいてトラン
ジスタＱ２がオンしているときのトランジスタＱ４の出
力電流ＩE4B は数６より１．４ｍＡ、ＩL ＝１００ｍＡ
においてトランジスタＱ２がオンしているときのトラン
ジスタＱ４の出力電流ＩE4C は数６より１．８９ｍＡと
なる。
ランジスタＱ４のエミッタ電流ＩE4 A は、数７より０．
６５ｍＡとなる。一方、ＩL ＝５０ｍＡにおいてトラン
ジスタＱ２がオンしているときのトランジスタＱ４の出
力電流ＩE4B は数６より１．４ｍＡ、ＩL ＝１００ｍＡ
においてトランジスタＱ２がオンしているときのトラン
ジスタＱ４の出力電流ＩE4C は数６より１．８９ｍＡと
なる。
【００２９】ここでトランジスタＱ２がオフからオンへ
変化したときのトランジスタＱ４の出力電流の変化率は
ＩL ＝５０ｍＡのとき２．１５（ＩE4B ／ＩE4A ）、Ｉ
L ＝１００ｍＡのとき２．９１（ＩE4C ／ＩE4A ）とな
る。このことより、駆動電流ＩL が大きくなるほどトラ
ンジスタＱ４の出力電流を大きく変化させなければなら
ないことがわかる。その結果、駆動電流ＩL が大きい場
合、トランジスタＱ２がオフから完全にオンするまでの
時間、すなわちトランジスタＱ２のコレクタ電流が０か
ら最大値（ＩL ）に達するまでの時間が長くなり、半導
体レーザーダイオード１の光出力波形のデューティは図
５（ｂ），（ｃ）に示すように駆動電流ＩL の値によっ
て変化することになる。図５（ｂ）がＩL ＝５０ｍＡの
ときのレーザー電流ＩX と光出力の関係、図５（ｃ）は
ＩL ＝１００ｍＡのときのレーザー電流ＩX と光出力の
関係を示している。
変化したときのトランジスタＱ４の出力電流の変化率は
ＩL ＝５０ｍＡのとき２．１５（ＩE4B ／ＩE4A ）、Ｉ
L ＝１００ｍＡのとき２．９１（ＩE4C ／ＩE4A ）とな
る。このことより、駆動電流ＩL が大きくなるほどトラ
ンジスタＱ４の出力電流を大きく変化させなければなら
ないことがわかる。その結果、駆動電流ＩL が大きい場
合、トランジスタＱ２がオフから完全にオンするまでの
時間、すなわちトランジスタＱ２のコレクタ電流が０か
ら最大値（ＩL ）に達するまでの時間が長くなり、半導
体レーザーダイオード１の光出力波形のデューティは図
５（ｂ），（ｃ）に示すように駆動電流ＩL の値によっ
て変化することになる。図５（ｂ）がＩL ＝５０ｍＡの
ときのレーザー電流ＩX と光出力の関係、図５（ｃ）は
ＩL ＝１００ｍＡのときのレーザー電流ＩX と光出力の
関係を示している。
【００３０】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体発光素子
駆動回路は以上のように構成されているので、同じ光出
力を得る場合、駆動電流ＩL の大小により半導体レーザ
ーダイオード１の光出力波形が変化してしまうという問
題点があった。
駆動回路は以上のように構成されているので、同じ光出
力を得る場合、駆動電流ＩL の大小により半導体レーザ
ーダイオード１の光出力波形が変化してしまうという問
題点があった。
【００３１】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、半導体発光素子の駆動電流の大
小に関係なく一定の光出力波形を得ることができる半導
体発光素子の駆動回路を得ることを目的とする。
ためになされたもので、半導体発光素子の駆動電流の大
小に関係なく一定の光出力波形を得ることができる半導
体発光素子の駆動回路を得ることを目的とする。
【００３２】
【課題を解決するための手段】この発明は、半導体発光
素子と、前記半導体発光素子を駆動する駆動電流を出力
する駆動用電流源と、前記半導体発光素子と前記駆動用
電流源との間に接続され、前記半導体発光素子に前記駆
動電流を選択的に供給するスイッチ回路と、前記スイッ
チ回路のスイッチングを制御するスイッチ制御回路とを
備えた半導体発光素子駆動回路に適用される。
素子と、前記半導体発光素子を駆動する駆動電流を出力
する駆動用電流源と、前記半導体発光素子と前記駆動用
電流源との間に接続され、前記半導体発光素子に前記駆
動電流を選択的に供給するスイッチ回路と、前記スイッ
チ回路のスイッチングを制御するスイッチ制御回路とを
備えた半導体発光素子駆動回路に適用される。
【００３３】この発明に係る半導体発光素子駆動回路に
おいては、スイッチ制御回路に流れる電流は、スイッチ
制御回路と駆動電流源とで構成されたカレントミラー回
路によって、駆動電流に応じて制御されることを特徴と
する。
おいては、スイッチ制御回路に流れる電流は、スイッチ
制御回路と駆動電流源とで構成されたカレントミラー回
路によって、駆動電流に応じて制御されることを特徴と
する。
【００３４】
【作用】この発明におけるカレントミラー回路による
と、スイッチ制御回路に流れる電流は駆動電流に応じて
制御されるので、半導体発光素子がオフからオンに移行
するとき、あるいはオンからオフに移行するときのスイ
ッチ制御回路に流れる電流の変化率が駆動電流に依存し
なくなるようにできる。
と、スイッチ制御回路に流れる電流は駆動電流に応じて
制御されるので、半導体発光素子がオフからオンに移行
するとき、あるいはオンからオフに移行するときのスイ
ッチ制御回路に流れる電流の変化率が駆動電流に依存し
なくなるようにできる。
【００３５】
【実施例】図１はこの発明に係る半導体発光素子駆動回
路の一実施例を示す回路図である。図において、図３に
示した従来回路との相違点は、抵抗１５，２５をなく
し、ＮＰＮトランジスタＱ１１，Ｑ１２を新たに設けた
ことである。トランジスタＱ１１，Ｑ１２はトランジス
タＱ５，Ｑ６とカレントミラー回路を構成する。トラン
ジスタＱ１１は、ベースがトランジスタＱ６のベース
に、コレクタがトランジスタＱ３のエミッタに、エミッ
タが低電位電源２０に各々接続されている。トランジス
タＱ１２は、ベースにトランジスタＱ６のベースに、コ
レクタがトランジスタＱ４のエミッタに、エミッタが低
電位電源２０に各々接続されている。その他の構成は図
３に示した従来回路と同様である。
路の一実施例を示す回路図である。図において、図３に
示した従来回路との相違点は、抵抗１５，２５をなく
し、ＮＰＮトランジスタＱ１１，Ｑ１２を新たに設けた
ことである。トランジスタＱ１１，Ｑ１２はトランジス
タＱ５，Ｑ６とカレントミラー回路を構成する。トラン
ジスタＱ１１は、ベースがトランジスタＱ６のベース
に、コレクタがトランジスタＱ３のエミッタに、エミッ
タが低電位電源２０に各々接続されている。トランジス
タＱ１２は、ベースにトランジスタＱ６のベースに、コ
レクタがトランジスタＱ４のエミッタに、エミッタが低
電位電源２０に各々接続されている。その他の構成は図
３に示した従来回路と同様である。
【００３６】次に動作について説明する。いま、トラン
ジスタＱ１１，Ｑ１２とトランジスタＱ６とのカレント
ミラー比を１：Ｍとする。まず、トランジスタＱ２がオ
フしているときについて説明する。いま、トランジスタ
Ｑ６には駆動電流ＩL が流れている。そのため、トラン
ジスタＱ１２に流れる電流はＩL ／Ｍとなり、この電流
はトランジスタＱ４から供給される。このときのトラン
ジスタＱ４の出力電流ＩE4D は、
ジスタＱ１１，Ｑ１２とトランジスタＱ６とのカレント
ミラー比を１：Ｍとする。まず、トランジスタＱ２がオ
フしているときについて説明する。いま、トランジスタ
Ｑ６には駆動電流ＩL が流れている。そのため、トラン
ジスタＱ１２に流れる電流はＩL ／Ｍとなり、この電流
はトランジスタＱ４から供給される。このときのトラン
ジスタＱ４の出力電流ＩE4D は、
【００３７】
【数８】 ＩE4D＝ＩL／Ｍ
【００３８】となる。
【００３９】トランジスタＱ２がオンのときのトランジ
スタＱ４の出力電流ＩE4E は数６に示したＩE4と同様に
して求められる。つまり、
スタＱ４の出力電流ＩE4E は数６に示したＩE4と同様に
して求められる。つまり、
【００４０】
【数９】 ＩE4E＝ＩL／（１＋β）＋ＩL／Ｍ
【００４１】となる。トランジスタＱ２がオフ時の出力
電流ＩE4D とトランジスタＱ２がオン時の出力電流Ｉ
E4E との比（ＩE4E ／ＩE4D ）を数８，数９から求める
と、１＋Ｍ／（１＋β）となり駆動電流ＩL に無関係な
一定値となる。つまり、トランジスタＱ２がオフからオ
ンあるいはオンからオフへ変化したときのトランジスタ
Ｑ４に流れる電流の変化率は、駆動電流ＩL の大きさに
かかわらず一定となる。その結果、半導体発光素子１の
光出力波形のデューティは図２（ｂ），（ｃ）に示すよ
うに駆動電流ＩL の大小にかかわらず一定となり、か
つ、半導体発光素子間の駆動電流特性のばらつきの影響
を受けることもない。
電流ＩE4D とトランジスタＱ２がオン時の出力電流Ｉ
E4E との比（ＩE4E ／ＩE4D ）を数８，数９から求める
と、１＋Ｍ／（１＋β）となり駆動電流ＩL に無関係な
一定値となる。つまり、トランジスタＱ２がオフからオ
ンあるいはオンからオフへ変化したときのトランジスタ
Ｑ４に流れる電流の変化率は、駆動電流ＩL の大きさに
かかわらず一定となる。その結果、半導体発光素子１の
光出力波形のデューティは図２（ｂ），（ｃ）に示すよ
うに駆動電流ＩL の大小にかかわらず一定となり、か
つ、半導体発光素子間の駆動電流特性のばらつきの影響
を受けることもない。
【００４２】なお、上記実施例では半導体発光素子とし
て半導体レーザーダイオードを用いた場合について説明
したが、他の半導体発光素子、例えばＬＥＤを用いても
同様の効果がある。
て半導体レーザーダイオードを用いた場合について説明
したが、他の半導体発光素子、例えばＬＥＤを用いても
同様の効果がある。
【００４３】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、カレン
トミラー回路によって、スイッチ制御回路に流れる電流
は駆動用電流源の駆動電流に応じて制御されるので、半
導体発光素子がオフからオンあるいはオンからオフに移
行するときの電流の変化率が駆動電流に依存しなくなる
ようにできる。その結果、駆動電流が変化しても光出力
波形が一定になるという効果がある。しかも、かかる効
果は半導体発光素子間の駆動電流特性のばらつきの影響
を受けることもない。
トミラー回路によって、スイッチ制御回路に流れる電流
は駆動用電流源の駆動電流に応じて制御されるので、半
導体発光素子がオフからオンあるいはオンからオフに移
行するときの電流の変化率が駆動電流に依存しなくなる
ようにできる。その結果、駆動電流が変化しても光出力
波形が一定になるという効果がある。しかも、かかる効
果は半導体発光素子間の駆動電流特性のばらつきの影響
を受けることもない。
【図１】この発明に係る半導体発光素子駆動回路の一実
施例を示す回路図である。
施例を示す回路図である。
【図２】図１に示した回路の動作を説明するため図であ
る。
る。
【図３】従来の半導体発光素子駆動回路の構成を示す回
路図である。
路図である。
【図４】半導体レーザーダイオードの光出力と駆動電流
との関係を示すグラフである。
との関係を示すグラフである。
【図５】図３に示した回路の動作を説明するため図であ
る。
る。
１ 半導体レーザーダイオード ５０ 差動スイッチ回路 １００ 定電流源 ２００ カレントミラー回路 ＩＮ１ 第１の入力端子 ＩＮ２ 第２の入力端子 Ｑ３，Ｑ４，Ｑ１１，Ｑ１２ ＮＰＮトランジスタ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体発光素子と、前記半導体発光素子
を駆動する駆動電流を出力する駆動用電流源と、前記半
導体発光素子と前記駆動用電流源との間に接続され、前
記半導体発光素子に前記駆動電流を選択的に供給するス
イッチ回路と、前記スイッチ回路のスイッチングを制御
するスイッチ制御回路とを備えた半導体発光素子駆動回
路において、 前記スイッチ制御回路に流れる電流は、前記スイッチ制
御回路と前記駆動電流源とで構成されたカレントミラー
回路によって、前記駆動電流に応じて制御されることを
特徴とする半導体発光素子駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20926591A JP2710487B2 (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | 半導体発光素子駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20926591A JP2710487B2 (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | 半導体発光素子駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0548149A JPH0548149A (ja) | 1993-02-26 |
| JP2710487B2 true JP2710487B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=16570087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20926591A Expired - Fee Related JP2710487B2 (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | 半導体発光素子駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2710487B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2610307B2 (ja) * | 1988-06-28 | 1997-05-14 | 株式会社東芝 | 発光素子駆動回路 |
-
1991
- 1991-08-21 JP JP20926591A patent/JP2710487B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0548149A (ja) | 1993-02-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |