JP2695699B2 - エレベータの制御装置 - Google Patents
エレベータの制御装置Info
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- JP2695699B2 JP2695699B2 JP2330487A JP33048790A JP2695699B2 JP 2695699 B2 JP2695699 B2 JP 2695699B2 JP 2330487 A JP2330487 A JP 2330487A JP 33048790 A JP33048790 A JP 33048790A JP 2695699 B2 JP2695699 B2 JP 2695699B2
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- semiconductor element
- inverter
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、エレベータの制御装置に関し、特に電圧
駆動形半導体素子にて構成されたインバータを用いて誘
導電動機を駆動するものにおいて、高速スイッチングに
よる弊害を低減したエレベータの制御装置に関するもの
である。
駆動形半導体素子にて構成されたインバータを用いて誘
導電動機を駆動するものにおいて、高速スイッチングに
よる弊害を低減したエレベータの制御装置に関するもの
である。
［従来の技術］ 近年、MOSFETやIGBTと言った電圧駆動形半導体素子に
てインバータが構成され、その特長である高速スイッチ
ングを利用してインバータの高周波化を図り、電動機の
磁気音を人間の可聴周波数より高くして騒音の低減を実
現できるようになった。
てインバータが構成され、その特長である高速スイッチ
ングを利用してインバータの高周波化を図り、電動機の
磁気音を人間の可聴周波数より高くして騒音の低減を実
現できるようになった。
第２図は従来のエレベータの制御装置を示す構成図で
あって、図において、（１）はＲ相、Ｓ相、Ｔ相からな
る３相交流電源を直流に変換するコンバータ、（２）は
コンバータ（１）の出力端間に接続されて直流出力の平
滑化を行う平滑コンデンサ、（３）は平滑コンデンサ
（２）によって平滑化された直流を３相交流電源に変換
して３相誘導電動機（４）に供給して、これを駆動する
インバータ、（５）はインバータ（３）を構成するIGBT
のゲートに接続され、これを駆動するゲートドライブ回
路である。尚、図示せずも３相誘導電動機（４）には巻
上機が連結され、これに巻回されたワイヤーによって吊
り下げられたかご及び釣り合いおもりを上下に走行させ
ている。そして、従来は第３図に示すようにインバータ
（３）を構成する電圧駆動形半導体素子例えばIGBT
（６）のゲートにゲート入力用抵抗器（７）を固定的に
挿入し、IGBT（６）のスイッチング速度を一定に保持し
ている。
あって、図において、（１）はＲ相、Ｓ相、Ｔ相からな
る３相交流電源を直流に変換するコンバータ、（２）は
コンバータ（１）の出力端間に接続されて直流出力の平
滑化を行う平滑コンデンサ、（３）は平滑コンデンサ
（２）によって平滑化された直流を３相交流電源に変換
して３相誘導電動機（４）に供給して、これを駆動する
インバータ、（５）はインバータ（３）を構成するIGBT
のゲートに接続され、これを駆動するゲートドライブ回
路である。尚、図示せずも３相誘導電動機（４）には巻
上機が連結され、これに巻回されたワイヤーによって吊
り下げられたかご及び釣り合いおもりを上下に走行させ
ている。そして、従来は第３図に示すようにインバータ
（３）を構成する電圧駆動形半導体素子例えばIGBT
（６）のゲートにゲート入力用抵抗器（７）を固定的に
挿入し、IGBT（６）のスイッチング速度を一定に保持し
ている。
［発明が解決しようとする課題］ ところで、インバータの高周波化を図るには高速スイッ
チングを行う必要があるが、インバータを構成する半導
体素子のスイッチング速度が遅いと、半導体素子の発熱
の増加、インバータを構成する各アームの上下短絡防止
時間を長く取る必要があるという不具合があり、逆に半
導体素子のスイッチング速度が速いと、インバータに含
まれるスナバ回路の発熱の増加、インバータや電動機の
絶縁劣化の促進、高調波障害の増加といった不具合があ
る。また、半導体素子の発熱の許容量は放熱フインの容
量によって決まり、それはエレベータの最大の起動頻度
にて決められている。
チングを行う必要があるが、インバータを構成する半導
体素子のスイッチング速度が遅いと、半導体素子の発熱
の増加、インバータを構成する各アームの上下短絡防止
時間を長く取る必要があるという不具合があり、逆に半
導体素子のスイッチング速度が速いと、インバータに含
まれるスナバ回路の発熱の増加、インバータや電動機の
絶縁劣化の促進、高調波障害の増加といった不具合があ
る。また、半導体素子の発熱の許容量は放熱フインの容
量によって決まり、それはエレベータの最大の起動頻度
にて決められている。
ところが従来のエレベータの制御装置はエレベータの
起動頻度が高くてもこれに追従するように抵抗器（７）
を一定の値に設定している。この為半導体素子の発熱が
増加し、これを抑える為半導体素子のスイッチング速度
を速くなるようにしている。するとエレベータの起動頻
度が低くなると、半導体素子の発熱は減少するが、抵抗
器（７）の値が一定であるので、半導体素子のスイッチ
ング速度は速いまま変わらず、この結果起動頻度が低い
場合上述したようなスナバ回路の発熱の増加、インバー
タや電動機の絶縁劣化の促進、高調波障害の増加等の弊
害を生ずるという問題点があった。
起動頻度が高くてもこれに追従するように抵抗器（７）
を一定の値に設定している。この為半導体素子の発熱が
増加し、これを抑える為半導体素子のスイッチング速度
を速くなるようにしている。するとエレベータの起動頻
度が低くなると、半導体素子の発熱は減少するが、抵抗
器（７）の値が一定であるので、半導体素子のスイッチ
ング速度は速いまま変わらず、この結果起動頻度が低い
場合上述したようなスナバ回路の発熱の増加、インバー
タや電動機の絶縁劣化の促進、高調波障害の増加等の弊
害を生ずるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、エレベータの起動頻度が低い場合の弊害を
低減できるエレベータの制御装置を得ることを目的とす
る。
れたもので、エレベータの起動頻度が低い場合の弊害を
低減できるエレベータの制御装置を得ることを目的とす
る。
［課題を解決するための手段］ この発明に係るエレベータの制御装置は、インバータ
によって任意の交流電力を発生させ、この交流電力を誘
導電動機に供給することによってかごの駆動を行うエレ
ベータの制御装置において、上記インバータを構成する
半導体素子の発熱量を検出する検出手段と、上記発熱量
に応じて上記半導体素子のゲートとゲートドライブ回路
との間に接続されたゲート入力抵抗の値を変化させるこ
とにより、該半導体素子のゲート電圧の立ち上がり時間
を変化させる手段とを備えたものである。
によって任意の交流電力を発生させ、この交流電力を誘
導電動機に供給することによってかごの駆動を行うエレ
ベータの制御装置において、上記インバータを構成する
半導体素子の発熱量を検出する検出手段と、上記発熱量
に応じて上記半導体素子のゲートとゲートドライブ回路
との間に接続されたゲート入力抵抗の値を変化させるこ
とにより、該半導体素子のゲート電圧の立ち上がり時間
を変化させる手段とを備えたものである。
［作用］ この発明においては、エレベータの起動頻度が高く、
インバータが熱的に苦しいときには、半導体素子のスイ
ッチング速度を速くしてスイッチング損失を減らし、半
導体素子の発熱を抑え、起動頻度が低く、インバータが
熱的に苦しくないときには、上下短絡防止時間で許容さ
れる範囲で半導体素子のスイッチング速度を遅くして高
調波障害の発生等の不具合を抑える。
インバータが熱的に苦しいときには、半導体素子のスイ
ッチング速度を速くしてスイッチング損失を減らし、半
導体素子の発熱を抑え、起動頻度が低く、インバータが
熱的に苦しくないときには、上下短絡防止時間で許容さ
れる範囲で半導体素子のスイッチング速度を遅くして高
調波障害の発生等の不具合を抑える。
［実施例］ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第
１図はこの発明の一実施例を示す構成図であり、（５）
〜（７）は前述と同様のものである。（８）は温度によ
り抵抗値の変わる感温素子例えばサーミスタ、（９）は
ゲート入力抵抗が零になるのを防止するための保護用抵
抗器である。サーミスタ（８）は電気的には抵抗器
（９）と直列接続され、この直列回路が抵抗器（７）と
並列接続されている。また、サーミスタ（８）は機械的
にはIGBT（６）の放熱フイン等の上に取り付けられてい
る。
１図はこの発明の一実施例を示す構成図であり、（５）
〜（７）は前述と同様のものである。（８）は温度によ
り抵抗値の変わる感温素子例えばサーミスタ、（９）は
ゲート入力抵抗が零になるのを防止するための保護用抵
抗器である。サーミスタ（８）は電気的には抵抗器
（９）と直列接続され、この直列回路が抵抗器（７）と
並列接続されている。また、サーミスタ（８）は機械的
にはIGBT（６）の放熱フイン等の上に取り付けられてい
る。
次に、第１図に示したこの発明の一実施例の動作につ
いて説明する。エレベータの起動頻度が高く、放熱フイ
ンの温度が高いときには、サーミスタ（８）の抵抗値が
小さくなり、ゲート入力抵抗が小さくなって、IGBT
（６）のスイッチング速度が速くなる。従って、IGBT
（６）のスイッチング損失が減り、インバータはエレベ
ータの高い起動頻度にも対応できる。
いて説明する。エレベータの起動頻度が高く、放熱フイ
ンの温度が高いときには、サーミスタ（８）の抵抗値が
小さくなり、ゲート入力抵抗が小さくなって、IGBT
（６）のスイッチング速度が速くなる。従って、IGBT
（６）のスイッチング損失が減り、インバータはエレベ
ータの高い起動頻度にも対応できる。
エレベータの起動頻度が低く、放熱フインの温度が低
いときには、サーミスタ（８）の抵抗値が大きくなり、
ゲート入力抵抗が大きくなって、IGBT（６）のスイッチ
ング速度が遅くなる。従って、スナバ回路の発熱、イン
バータや電動機の絶縁劣化、高調波障害の発生等が抑え
られ、スイッチング速度を速く固定した場合よりも高品
質のエレベータの制御装置を得ることが出来る。
いときには、サーミスタ（８）の抵抗値が大きくなり、
ゲート入力抵抗が大きくなって、IGBT（６）のスイッチ
ング速度が遅くなる。従って、スナバ回路の発熱、イン
バータや電動機の絶縁劣化、高調波障害の発生等が抑え
られ、スイッチング速度を速く固定した場合よりも高品
質のエレベータの制御装置を得ることが出来る。
［発明の効果］ 以上のようにこの発明によれば、インバータによって
任意の交流電力を発生させ、この交流電力を誘導電動機
に供給することによってかごの駆動を行うエレベータの
制御装置において、上記インバータを構成する半導体素
子の発熱量を検出する検出手段と、上記発熱量に応じて
上記半導体素子のゲートとゲートドライブ回路との間に
接続されたゲート入力抵抗の値を変化させることによ
り、該半導体素子のゲート電圧の立ち上がり時間を変化
させる手段とを備えたので、エレベータの起動頻度が低
い場合に生じるスナバ回路の発熱、インバータや電動機
の絶縁劣化、高調波障害の発生等が抑えられ、スイッチ
ング速度を速く固定した場合よりも高品質のエレベータ
の制御装置が得られる効果がある。
任意の交流電力を発生させ、この交流電力を誘導電動機
に供給することによってかごの駆動を行うエレベータの
制御装置において、上記インバータを構成する半導体素
子の発熱量を検出する検出手段と、上記発熱量に応じて
上記半導体素子のゲートとゲートドライブ回路との間に
接続されたゲート入力抵抗の値を変化させることによ
り、該半導体素子のゲート電圧の立ち上がり時間を変化
させる手段とを備えたので、エレベータの起動頻度が低
い場合に生じるスナバ回路の発熱、インバータや電動機
の絶縁劣化、高調波障害の発生等が抑えられ、スイッチ
ング速度を速く固定した場合よりも高品質のエレベータ
の制御装置が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す構成図、第２図は従
来のエレベータの制御装置を示す構成図、第３図は従来
のゲート入力部を示す回路図である。 図において、（３）はインバータ、（４）は３相誘導電
動機、（６）はIGBT、（８）はサーミスタである。 尚、図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
来のエレベータの制御装置を示す構成図、第３図は従来
のゲート入力部を示す回路図である。 図において、（３）はインバータ、（４）は３相誘導電
動機、（６）はIGBT、（８）はサーミスタである。 尚、図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】インバータによって任意の交流電力を発生
させ、この交流電力を誘導電動機に供給することによっ
てかごの駆動を行うエレベータの制御装置において、 上記エレベータを構成する半導体素子の発熱量を検出す
る検出手段と、 上記発熱量に応じて上記半導体素子のゲートとゲートド
ライブ回路との間に接続されたゲート入力抵抗の値を変
化させることにより、該半導体素子のゲート電圧の立ち
上がり時間を変化させる手段と を備えたことを特徴とするエレベータの制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2330487A JP2695699B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | エレベータの制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2330487A JP2695699B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | エレベータの制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04207978A JPH04207978A (ja) | 1992-07-29 |
| JP2695699B2 true JP2695699B2 (ja) | 1998-01-14 |
Family
ID=18233178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2330487A Expired - Fee Related JP2695699B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | エレベータの制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2695699B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7823705B2 (en) * | 2005-09-30 | 2010-11-02 | Mitsubishi Electric Corporation | Elevator apparatus control by measuring changes in a physical quantity other than temperature |
| JP5365431B2 (ja) * | 2009-09-04 | 2013-12-11 | 三菱電機株式会社 | エレベータの制御装置 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2330487A patent/JP2695699B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04207978A (ja) | 1992-07-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |