JP2695602B2 - ガラスセラミックス多層基板 - Google Patents
ガラスセラミックス多層基板Info
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- JP2695602B2 JP2695602B2 JP5303834A JP30383493A JP2695602B2 JP 2695602 B2 JP2695602 B2 JP 2695602B2 JP 5303834 A JP5303834 A JP 5303834A JP 30383493 A JP30383493 A JP 30383493A JP 2695602 B2 JP2695602 B2 JP 2695602B2
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- Japan
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- glass
- multilayer substrate
- ceramic multilayer
- component
- glass ceramic
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、厚膜回路部品、ＩＣ、
ＬＳＩ等が高密度実装されるガラスセラミックス多層基
板に関するものである。
ＬＳＩ等が高密度実装されるガラスセラミックス多層基
板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、厚膜回路部品、ＩＣ、ＬＳＩ等が
高密度実装されるセラミックス多層基板として、アルミ
ナセラミックスや、ガラス粉末とフィラー粉末の混合物
を焼成してなるガラスセラミックス多層基板が知られて
いる。中でもガラスセラミックス多層基板は、１０００
℃以下の温度で焼成することができるため、導体抵抗の
低いＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の低融点の金属材料を内層導体
として使用することが可能であり、注目されている。
高密度実装されるセラミックス多層基板として、アルミ
ナセラミックスや、ガラス粉末とフィラー粉末の混合物
を焼成してなるガラスセラミックス多層基板が知られて
いる。中でもガラスセラミックス多層基板は、１０００
℃以下の温度で焼成することができるため、導体抵抗の
低いＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の低融点の金属材料を内層導体
として使用することが可能であり、注目されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところでガラスセラミ
ックス多層基板に要求される特性として、１０００℃以
下の温度で焼成できることの他に、機械的強度が高いこ
と、シリコンチップを直接搭載できるようにシリコン
（熱膨張係数３５×１０-7／℃）と近似した熱膨張係数
を示すこと等が要求される。また高速演算処理を行う高
速信号回路用の基板については、これらの特性に加え、
６以下の低い誘電率（ε）を有することが求められてい
る。
ックス多層基板に要求される特性として、１０００℃以
下の温度で焼成できることの他に、機械的強度が高いこ
と、シリコンチップを直接搭載できるようにシリコン
（熱膨張係数３５×１０-7／℃）と近似した熱膨張係数
を示すこと等が要求される。また高速演算処理を行う高
速信号回路用の基板については、これらの特性に加え、
６以下の低い誘電率（ε）を有することが求められてい
る。
【０００４】しかしながら、従来より知られているガラ
スセラミックス多層基板においては、上記した要求特性
全てを満足するものは存在しないのが現状である。
スセラミックス多層基板においては、上記した要求特性
全てを満足するものは存在しないのが現状である。
【０００５】本発明の目的は、機械的強度が高く、シリ
コンと近似した熱膨張係数を示し、しかも高速演算処理
に対応できるように６以下の誘電率を有するガラスセラ
ミックス多層基板を提供することである。
コンと近似した熱膨張係数を示し、しかも高速演算処理
に対応できるように６以下の誘電率を有するガラスセラ
ミックス多層基板を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は種々の実験
を行った結果、ガラス成分として、コージエライト（２
ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 ）とガーナイト（Ｚ
ｎＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ）を析出してなる結晶化ガラスを使用
することにより、上記目的が達成できることを見いだ
し、本発明を提案するに至った。
を行った結果、ガラス成分として、コージエライト（２
ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 ）とガーナイト（Ｚ
ｎＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ）を析出してなる結晶化ガラスを使用
することにより、上記目的が達成できることを見いだ
し、本発明を提案するに至った。
【０００７】即ち、本発明のガラスセラミックス多層基
板は、重量百分率でガラス成分４０〜８０％、フィラー
成分２０〜６０％からなり、該ガラス粉末がＳｉＯ2 ３
５〜５０％、Ａｌ2 Ｏ3 ２１〜３０％、ＭｇＯ１５〜３
０％、Ｂ2 Ｏ3 ２〜１５％、ＣａＯ０．１〜５％、Ｚｎ
Ｏ１〜６％の組成を有することを特徴とする。
板は、重量百分率でガラス成分４０〜８０％、フィラー
成分２０〜６０％からなり、該ガラス粉末がＳｉＯ2 ３
５〜５０％、Ａｌ2 Ｏ3 ２１〜３０％、ＭｇＯ１５〜３
０％、Ｂ2 Ｏ3 ２〜１５％、ＣａＯ０．１〜５％、Ｚｎ
Ｏ１〜６％の組成を有することを特徴とする。
【０００８】ガラス成分とフィラー成分の割合を上記の
ように限定した理由は、ガラス成分の割合が４０％より
少ない（即ち、フィラー成分が６０％より多い）と焼成
時に緻密化し難いために基板強度が著しく低下し、ガラ
ス成分が８０％より多い（即ち、フィラー成分が２０％
より少ない）とガラス成分が基板表面から浮き出し、表
面に印刷される導体との接着強度が低下するためであ
る。
ように限定した理由は、ガラス成分の割合が４０％より
少ない（即ち、フィラー成分が６０％より多い）と焼成
時に緻密化し難いために基板強度が著しく低下し、ガラ
ス成分が８０％より多い（即ち、フィラー成分が２０％
より少ない）とガラス成分が基板表面から浮き出し、表
面に印刷される導体との接着強度が低下するためであ
る。
【０００９】次に、ガラス成分の組成を上記のように限
定した理由を以下に示す。
定した理由を以下に示す。
【００１０】ＳｉＯ2 はガラスのネットワークフォーマ
ーであるとともに、コージエライトの構成成分であり、
その含有量は３５〜５０％、好ましくは３９〜４５％で
ある。ＳｉＯ2 が３５％より少ないとコージエライトの
析出量が少なくなり、機械的強度が低下するとともに、
低い誘電率が得られなくなる。一方５０％より多いとガ
ラスの溶融性が悪くなるとともに、軟化点が高くなって
１０００℃以下での焼成が困難となる。
ーであるとともに、コージエライトの構成成分であり、
その含有量は３５〜５０％、好ましくは３９〜４５％で
ある。ＳｉＯ2 が３５％より少ないとコージエライトの
析出量が少なくなり、機械的強度が低下するとともに、
低い誘電率が得られなくなる。一方５０％より多いとガ
ラスの溶融性が悪くなるとともに、軟化点が高くなって
１０００℃以下での焼成が困難となる。
【００１１】Ａｌ2 Ｏ3 はコージエライト及びガーナイ
トの構成成分であり、その含有量は２１〜３０％、好ま
しくは２１〜２５％である。Ａｌ2 Ｏ3 が２１％より少
ないとこれらの結晶の析出量が少なくなって機械的強度
が低くなり、また低膨張、低誘電率を達成することがで
きなくなる。一方３０％より多いと溶融性が悪くなる。
トの構成成分であり、その含有量は２１〜３０％、好ま
しくは２１〜２５％である。Ａｌ2 Ｏ3 が２１％より少
ないとこれらの結晶の析出量が少なくなって機械的強度
が低くなり、また低膨張、低誘電率を達成することがで
きなくなる。一方３０％より多いと溶融性が悪くなる。
【００１２】ＭｇＯはコージエライトの構成成分であ
り、その含有量は１５〜３０％、好ましくは２０〜２５
％である。ＭｇＯが１５％より少ないとコージエライト
が十分に析出しないために低膨張、低誘電率を達成でき
なくなり、３０％より多いとガラスの成形時に失透し易
くなる。
り、その含有量は１５〜３０％、好ましくは２０〜２５
％である。ＭｇＯが１５％より少ないとコージエライト
が十分に析出しないために低膨張、低誘電率を達成でき
なくなり、３０％より多いとガラスの成形時に失透し易
くなる。
【００１３】Ｂ2 Ｏ3 はガラスの溶融性を向上させる成
分であり、その含有量は２〜１５％、好ましくは５〜１
０％である。Ｂ2 Ｏ3 が２％より少ないとその効果がな
く、逆に１５％より多いとガラスの耐水性が悪化し、高
温多湿の条件下で使用すると基板の変質が起こってしま
う。
分であり、その含有量は２〜１５％、好ましくは５〜１
０％である。Ｂ2 Ｏ3 が２％より少ないとその効果がな
く、逆に１５％より多いとガラスの耐水性が悪化し、高
温多湿の条件下で使用すると基板の変質が起こってしま
う。
【００１４】ＣａＯはＢ2 Ｏ3 と同様にガラスの溶融性
を向上させる成分であり、その含有量は０．１〜５％、
好ましくは１〜５％である。ＣａＯが０．１％より少な
いとその効果がなく、５％より多いとコージエライトの
析出を阻害してしまう。
を向上させる成分であり、その含有量は０．１〜５％、
好ましくは１〜５％である。ＣａＯが０．１％より少な
いとその効果がなく、５％より多いとコージエライトの
析出を阻害してしまう。
【００１５】ＺｎＯはガーナイトの構成成分であり、そ
の含有量は１〜６％、好ましくは１〜５％である。Ｚｎ
Ｏが１％より少ないとガーナイトが殆ど析出しなくなっ
て機械的強度が低下する。一方６％より多いと熱膨張係
数が大きくなり過ぎる。
の含有量は１〜６％、好ましくは１〜５％である。Ｚｎ
Ｏが１％より少ないとガーナイトが殆ど析出しなくなっ
て機械的強度が低下する。一方６％より多いと熱膨張係
数が大きくなり過ぎる。
【００１６】本発明において使用するフィラー成分とし
ては、アルミナ、ムライト、コージエライト、ジルコニ
ア、ケイ酸ジルコニウムの群から選ばれる１種以上であ
ることが好ましい。
ては、アルミナ、ムライト、コージエライト、ジルコニ
ア、ケイ酸ジルコニウムの群から選ばれる１種以上であ
ることが好ましい。
【００１７】次に、本発明のガラスセラミックス多層基
板の作製方法の一例を述べる。
板の作製方法の一例を述べる。
【００１８】まず上記組成を有するガラス粉末と、フィ
ラー粉末とを所定の割合で秤取し、バインダー、可塑剤
及び溶剤等と混合してスラリーを調製する。バインダー
としては、例えばポリビニルブチラール樹脂やメタアク
リル酸樹脂等を用いることができ、可塑剤としてはフタ
ル酸ジブチル等を使用することができる。また溶剤とし
ては、例えばトルエン、メチルエチルケトン等を用いる
ことができる。
ラー粉末とを所定の割合で秤取し、バインダー、可塑剤
及び溶剤等と混合してスラリーを調製する。バインダー
としては、例えばポリビニルブチラール樹脂やメタアク
リル酸樹脂等を用いることができ、可塑剤としてはフタ
ル酸ジブチル等を使用することができる。また溶剤とし
ては、例えばトルエン、メチルエチルケトン等を用いる
ことができる。
【００１９】このようにして得られたスラリーをポリエ
ステルフィルム上にドクターブレード法により塗布し、
厚み０．２ｍｍ程度のグリーンシートを製造する。これ
を乾燥し、所定の大きさに切断した後、各グリーンシー
トに機械的加工によりスルーホールを形成し、導体とな
るＣｕペーストをスルーホール及びグリーンシート表面
に印刷し形成する。さらにこれらのグリーンシートを複
数枚積層し、熱圧着により一体化する。
ステルフィルム上にドクターブレード法により塗布し、
厚み０．２ｍｍ程度のグリーンシートを製造する。これ
を乾燥し、所定の大きさに切断した後、各グリーンシー
トに機械的加工によりスルーホールを形成し、導体とな
るＣｕペーストをスルーホール及びグリーンシート表面
に印刷し形成する。さらにこれらのグリーンシートを複
数枚積層し、熱圧着により一体化する。
【００２０】続いてこの積層グリーンシートを毎分３℃
の速度で昇温し、５００℃の温度で３０分間保持するこ
とによって、グリーンシート中のバインダー、可塑剤等
の有機物質を除去する。その後毎分３℃の速度で９００
〜１０００℃まで昇温し、１０分〜１時間保持して焼結
させ、本発明の多層基板を得る。
の速度で昇温し、５００℃の温度で３０分間保持するこ
とによって、グリーンシート中のバインダー、可塑剤等
の有機物質を除去する。その後毎分３℃の速度で９００
〜１０００℃まで昇温し、１０分〜１時間保持して焼結
させ、本発明の多層基板を得る。
【００２１】
【作用】本発明のガラスセラミックス多層基板は、ガラ
ス相に低膨張、低誘電率のコージエライトと高強度のガ
ーナイトが析出しているため、機械的強度が高く、シリ
コンに近似した熱膨張係数を示し、しかも誘電率が低い
焼結体である。
ス相に低膨張、低誘電率のコージエライトと高強度のガ
ーナイトが析出しているため、機械的強度が高く、シリ
コンに近似した熱膨張係数を示し、しかも誘電率が低い
焼結体である。
【００２２】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明のガラスセラ
ミックス多層基板を説明する。
ミックス多層基板を説明する。
【００２３】表１及び表２は本発明の実施例（試料Ｎ
ｏ．１〜６）及び比較例（試料Ｎｏ．７〜９）を示して
いる。
ｏ．１〜６）及び比較例（試料Ｎｏ．７〜９）を示して
いる。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表２】
【００２６】表中の組成になるように、二酸化珪素、酸
化アルミニウム、酸化マグネシウム、ホウ酸、炭酸カル
シウム、酸化亜鉛を調合し、これを白金坩堝に入れ、１
５００℃で２時間保持して溶融した。次いでこの溶融ガ
ラスを薄板状に成形した後、アルミナボールで粉砕し、
分級することによって、平均粒径が約２μｍのガラス粉
末を得た。
化アルミニウム、酸化マグネシウム、ホウ酸、炭酸カル
シウム、酸化亜鉛を調合し、これを白金坩堝に入れ、１
５００℃で２時間保持して溶融した。次いでこの溶融ガ
ラスを薄板状に成形した後、アルミナボールで粉砕し、
分級することによって、平均粒径が約２μｍのガラス粉
末を得た。
【００２７】次に、ガラス粉末と表中に示すセラミック
ス粉末とを所定の割合で混合した。なおセラミックス粉
末は、平均粒径が約２μｍのものを使用した。
ス粉末とを所定の割合で混合した。なおセラミックス粉
末は、平均粒径が約２μｍのものを使用した。
【００２８】さらに得られた混合物を、幅１５ｍｍ、長
さ５０ｍｍ、厚み１ｍｍの短冊状試料、直径５ｍｍ、長
さ５０ｍｍの丸棒状試料、及び直径４０ｍｍ、厚み２ｍ
ｍの円板状試料にプレス成形した後、９００℃で１０分
間焼成した。続いて短冊状試料を用いて曲げ強度（三点
荷重方式）を測定し、丸棒状試料を用い、ディラトメー
ターにて３０〜３８０℃における熱膨張係数を測定し、
円板状試料を用いて誘電率を測定した。
さ５０ｍｍ、厚み１ｍｍの短冊状試料、直径５ｍｍ、長
さ５０ｍｍの丸棒状試料、及び直径４０ｍｍ、厚み２ｍ
ｍの円板状試料にプレス成形した後、９００℃で１０分
間焼成した。続いて短冊状試料を用いて曲げ強度（三点
荷重方式）を測定し、丸棒状試料を用い、ディラトメー
ターにて３０〜３８０℃における熱膨張係数を測定し、
円板状試料を用いて誘電率を測定した。
【００２９】結果を表１及び表２に示す。
【００３０】表から明らかなように、本発明の実施例で
ある試料Ｎｏ．１〜６は、曲げ強度が１８００〜２３０
０ｋｇ／ｃｍ2 、３０〜３８０℃における熱膨張係数が
３０〜４５×１０-7／℃、誘電率が５．０〜５．８であ
った。
ある試料Ｎｏ．１〜６は、曲げ強度が１８００〜２３０
０ｋｇ／ｃｍ2 、３０〜３８０℃における熱膨張係数が
３０〜４５×１０-7／℃、誘電率が５．０〜５．８であ
った。
【００３１】これに対して比較例である試料Ｎｏ．７
は、ＭｇＯの含有量が少ないために熱膨張係数が５２×
１０-7／℃と高く、また誘電率も７．２と高い値を示し
た。試料Ｎｏ．８は、ＺｎＯを含有していないために、
曲げ強度が９００ｋｇ／ｃｍ2と低かった。また試料Ｎ
ｏ．９はＡｌ2 Ｏ3 の含有量が少ないために曲げ強度が
１３００ｋｇ／ｃｍ2 と低く、熱膨張係数が５０×１０
-7／℃と高く、しかも誘電率が６．９と高かった。
は、ＭｇＯの含有量が少ないために熱膨張係数が５２×
１０-7／℃と高く、また誘電率も７．２と高い値を示し
た。試料Ｎｏ．８は、ＺｎＯを含有していないために、
曲げ強度が９００ｋｇ／ｃｍ2と低かった。また試料Ｎ
ｏ．９はＡｌ2 Ｏ3 の含有量が少ないために曲げ強度が
１３００ｋｇ／ｃｍ2 と低く、熱膨張係数が５０×１０
-7／℃と高く、しかも誘電率が６．９と高かった。
【００３２】次に実施例１〜６のガラスセラミックス組
成物を使用してセラミックス多層基板を作製した。図１
は焼成後のセラミックス多層基板の断面図を示したもの
であり、１はビア導体、２は内層導体パターン、３は最
外層導体、４はベアＩＣチップ、５は突起電極、６は接
合材である。また表３は作製したセラミックス多層基板
の反りや変形の有無、端子強度、接続抵抗値の変化量を
それぞれ示している。
成物を使用してセラミックス多層基板を作製した。図１
は焼成後のセラミックス多層基板の断面図を示したもの
であり、１はビア導体、２は内層導体パターン、３は最
外層導体、４はベアＩＣチップ、５は突起電極、６は接
合材である。また表３は作製したセラミックス多層基板
の反りや変形の有無、端子強度、接続抵抗値の変化量を
それぞれ示している。
【００３３】
【表３】
【００３４】まず実施例１〜６の組成を有するガラスセ
ラミックス組成物を用い、公知の技術によりグリーンシ
ートを複数枚作製した。さらに得られた各グリーンシー
トの所定の位置にビア孔を設け、ＣｕＯビア導体を充填
してビア導体１を形成し、また印刷法によりＣｕＯ内層
導体を用いて内層導体パターン２を形成した。その後、
これらのグリーンシートを積層して多層化し、脱バイン
ダーの後、Ｈ2 ／Ｎ2グリーンガスにより還元し、９０
０〜９５０℃の窒素雰囲気中で１０分間焼成した。この
ようにして内層導体と同時焼成されたセラミックス多層
基板には、反りや変形は認められなかった。
ラミックス組成物を用い、公知の技術によりグリーンシ
ートを複数枚作製した。さらに得られた各グリーンシー
トの所定の位置にビア孔を設け、ＣｕＯビア導体を充填
してビア導体１を形成し、また印刷法によりＣｕＯ内層
導体を用いて内層導体パターン２を形成した。その後、
これらのグリーンシートを積層して多層化し、脱バイン
ダーの後、Ｈ2 ／Ｎ2グリーンガスにより還元し、９０
０〜９５０℃の窒素雰囲気中で１０分間焼成した。この
ようにして内層導体と同時焼成されたセラミックス多層
基板には、反りや変形は認められなかった。
【００３５】またセラミックス多層基板にＣｕ導体を印
刷して焼成し、最外層導体３を形成し、その端子強度を
測定した。端子強度が１．５ｍｍ角の電極で１．０ｋｇ
以上であれば実用レベルであるが、本実施例では表３に
示すように１．５〜１．９ｋｇ／１．５ｍｍ角の値を示
し、実用に十分耐え得ることがわかった。
刷して焼成し、最外層導体３を形成し、その端子強度を
測定した。端子強度が１．５ｍｍ角の電極で１．０ｋｇ
以上であれば実用レベルであるが、本実施例では表３に
示すように１．５〜１．９ｋｇ／１．５ｍｍ角の値を示
し、実用に十分耐え得ることがわかった。
【００３６】さらに６ｍｍ角のベアＩＣチップ４を、接
合材に共晶ハンダを用い、フリップチップ実装法により
セラミックス多層基板にハンダ付けした。チップ実装後
の多層基板に対して、ヒートサイクル−４０〜＋１２５
℃、１００サイクルの試験を行ったところ、接続部の断
線はなく１バンプ（ＩＣパッドの大きさは１００μｍ）
当たりの抵抗値の変化量は±２０ｍΩと良好な値を示し
た。このように熱膨張係数をシリコンチップに近づけた
組成により、優れた信頼性のフリップチップ実装された
多層基板を得ることができた。
合材に共晶ハンダを用い、フリップチップ実装法により
セラミックス多層基板にハンダ付けした。チップ実装後
の多層基板に対して、ヒートサイクル−４０〜＋１２５
℃、１００サイクルの試験を行ったところ、接続部の断
線はなく１バンプ（ＩＣパッドの大きさは１００μｍ）
当たりの抵抗値の変化量は±２０ｍΩと良好な値を示し
た。このように熱膨張係数をシリコンチップに近づけた
組成により、優れた信頼性のフリップチップ実装された
多層基板を得ることができた。
【００３７】
【発明の効果】以上のように、本発明のガラスセラミッ
クス多層基板は、１０００℃以下の温度で焼成が可能で
あり、シリコンチップを直接搭載できる低い熱膨張係数
を有し、高速演算処理に十分に対応できる６以下の低い
誘電率を有し、かつ高い機械的強度を有するものであ
り、セラミックス多層基板として好適である。
クス多層基板は、１０００℃以下の温度で焼成が可能で
あり、シリコンチップを直接搭載できる低い熱膨張係数
を有し、高速演算処理に十分に対応できる６以下の低い
誘電率を有し、かつ高い機械的強度を有するものであ
り、セラミックス多層基板として好適である。
【図１】本発明のガラスセラミックス多層基板にＩＣチ
ップを実装した状態を示す断面図。
ップを実装した状態を示す断面図。
１・・・ビア導体 ２・・・内層導体パターン ３・・・最外層導体 ４・・・ベアＩＣチップ ５・・・突起電極 ６・・・接合材
フロントページの続き (72)発明者 越智 博 香川県高松市古新町８番地の１ 松下寿 電子工業株式会社内 (72)発明者 馬屋原 芳夫 滋賀県大津市晴嵐二丁目７番１号 日本 電気硝子株式会社内 (72)発明者 渡邊 広光 滋賀県大津市晴嵐二丁目７番１号 日本 電気硝子株式会社内 (72)発明者 新藤 和義 滋賀県大津市晴嵐二丁目７番１号 日本 電気硝子株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−32587（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−50149（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−254923（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−278195（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】 重量百分率でガラス成分４０〜８０％、
フィラー成分２０〜６０％とを焼成してなり、該ガラス
成分がＳｉＯ2 ３５〜５０％、Ａｌ2 Ｏ3 ２１〜３０
％、ＭｇＯ１５〜３０％、Ｂ2 Ｏ3 ２〜１５％、ＣａＯ
０．１〜５％、ＺｎＯ１〜６％の組成を有することを特
徴とするガラスセラミックス多層基板。 - 【請求項２】 フィラー成分が、アルミナ、ムライト、
コージエライト、ジルコニア及びケイ酸ジルコニウムの
群から選ばれる１種以上であることを特徴とする請求項
１のガラスセラミックス多層基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5303834A JP2695602B2 (ja) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | ガラスセラミックス多層基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5303834A JP2695602B2 (ja) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | ガラスセラミックス多層基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07162150A JPH07162150A (ja) | 1995-06-23 |
| JP2695602B2 true JP2695602B2 (ja) | 1998-01-14 |
Family
ID=17925875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5303834A Expired - Lifetime JP2695602B2 (ja) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | ガラスセラミックス多層基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2695602B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100768662B1 (ko) | 2004-10-26 | 2007-10-18 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 세라믹 원료 조성물, 세라믹 기판 및 비가역 회로소자 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61278195A (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-09 | 株式会社日立製作所 | 多層回路基板及びその製造方法 |
| JP2712031B2 (ja) * | 1988-07-22 | 1998-02-10 | 岩城硝子株式会社 | 回路基板用組成物及びそれを使用した電子部品 |
| JPH0350149A (ja) * | 1989-07-18 | 1991-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | セラミックグリーンシートの製造方法 |
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