JP2690036B2 - Ｘ線分光集光素子 - Google Patents
Ｘ線分光集光素子Info
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- crystal
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- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K7/00—Gamma- or X-ray microscopes
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
- G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
- G21K2201/067—Construction details
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線を利用した測定・
分析機器に用いて好適なＸ線分光集光素子に関するもの
である。
分析機器に用いて好適なＸ線分光集光素子に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】１つの素子でＸ線の分光と集光とを同時
に行える素子としては、ブラッグ・フレネル素子があげ
られる（例えばV.V.Aristov 等, Nuclear Instruments
and Methods in Physics Research A261(1987)72 ）。
この素子では、図４または図５に示すように、シリコン
(111) の結晶の表面に直線状または同心円状のフレネル
パターンの微細加工を施し（フレネルパターン層の形
成）、結晶によるブラッグの原理に基づく分光とフレネ
ル回折による集光とを同時に行うことができるようにす
る。ここで、微細加工により形成したフレネルパターン
の凹凸の１つ１つをゾーンと呼んでいる。例えば図４で
は、中央に凸のゾーンがあり、外側に向かうに従って凹
のゾーンと凸のゾーンが繰り返されている。図４は直線
状のゾーンからなる１次元のブラッグ・フレネル素子の
例であり、図５は同心円状のゾーンからなる２次元のブ
ラッグ・フレネル素子の例である。中心の凸のゾーンを
１番目のゾーン、次の凹のゾーンを２番目のゾーンとい
うようにして番号が付けられる。また、最終ゾーンをこ
こではＮ番目のゾーンとする。中心からｎ番目のゾーン
からｎ＋１番目のゾーンの境界までの距離ｒn は、
に行える素子としては、ブラッグ・フレネル素子があげ
られる（例えばV.V.Aristov 等, Nuclear Instruments
and Methods in Physics Research A261(1987)72 ）。
この素子では、図４または図５に示すように、シリコン
(111) の結晶の表面に直線状または同心円状のフレネル
パターンの微細加工を施し（フレネルパターン層の形
成）、結晶によるブラッグの原理に基づく分光とフレネ
ル回折による集光とを同時に行うことができるようにす
る。ここで、微細加工により形成したフレネルパターン
の凹凸の１つ１つをゾーンと呼んでいる。例えば図４で
は、中央に凸のゾーンがあり、外側に向かうに従って凹
のゾーンと凸のゾーンが繰り返されている。図４は直線
状のゾーンからなる１次元のブラッグ・フレネル素子の
例であり、図５は同心円状のゾーンからなる２次元のブ
ラッグ・フレネル素子の例である。中心の凸のゾーンを
１番目のゾーン、次の凹のゾーンを２番目のゾーンとい
うようにして番号が付けられる。また、最終ゾーンをこ
こではＮ番目のゾーンとする。中心からｎ番目のゾーン
からｎ＋１番目のゾーンの境界までの距離ｒn は、
【０００３】
【数１】 ｒn ＝（ｎｆλ）1/2 ／ｓｉｎθB （１） という関係式で表される。ここで、ｆは焦点距離、λは
Ｘ線の波長、θB はブラッグの反射角で、用いる結晶の
光子面間隔とＸ線の波長により決まるＸ線の入射角度で
ある。
Ｘ線の波長、θB はブラッグの反射角で、用いる結晶の
光子面間隔とＸ線の波長により決まるＸ線の入射角度で
ある。
【０００４】このようなブラッグ・フレネル素子の作製
方法の一例を図６に示す。まず、工程（ａ）において、
シリコン（１１１）基板１０１上にＰＭＭＡ等のレジス
トを塗布し、そのレジスト上を電子ビームでフレネルの
パターンを走査して硬化させ、残余の部分を洗い流し
て、シリコン基板１０１上にフレネルパターン１０２を
形成する。次に、工程（ｂ）において、アルミニウムを
フレネルパターン１０２上より蒸着して、アルミニウム
層１０３および１０４を基板１０１の露出面およびフレ
ネルパターン１０２の露出面の上にそれぞれ形成する。
次の工程（ｃ）において、フレネルパターン１０２およ
びこのパターン１０２上に蒸着したアルミニウム層１０
４を除去する。そして、次の工程（ｄ）において、６弗
化硫黄と酸素によるプラズマにより基板１０１のうちア
ルミニウム層１０３によって保護されていない部分１０
１ａをエッチング除去する。エッチングする深さｈは、
隣り合うゾーンで反射されるＸ線の位相差が、πになる
ように以下の式によって決められる。
方法の一例を図６に示す。まず、工程（ａ）において、
シリコン（１１１）基板１０１上にＰＭＭＡ等のレジス
トを塗布し、そのレジスト上を電子ビームでフレネルの
パターンを走査して硬化させ、残余の部分を洗い流し
て、シリコン基板１０１上にフレネルパターン１０２を
形成する。次に、工程（ｂ）において、アルミニウムを
フレネルパターン１０２上より蒸着して、アルミニウム
層１０３および１０４を基板１０１の露出面およびフレ
ネルパターン１０２の露出面の上にそれぞれ形成する。
次の工程（ｃ）において、フレネルパターン１０２およ
びこのパターン１０２上に蒸着したアルミニウム層１０
４を除去する。そして、次の工程（ｄ）において、６弗
化硫黄と酸素によるプラズマにより基板１０１のうちア
ルミニウム層１０３によって保護されていない部分１０
１ａをエッチング除去する。エッチングする深さｈは、
隣り合うゾーンで反射されるＸ線の位相差が、πになる
ように以下の式によって決められる。
【０００５】
【数２】 ｈ＝λｓｉｎθB ／χ0 （２） ここでχ0 は結晶の分極率のフーリエ成分である。これ
らのブラッグ・フレネル素子によるＸ線の分解能Δは、
らのブラッグ・フレネル素子によるＸ線の分解能Δは、
【０００６】
【数３】 Δ＝１．２２δｒN （３） によって与えられる。ここでδｒN は最外のゾーンの幅
（ｒN −ｒN-1 ）であり、この値が小さいほど集光され
るＸ線の分解能は向上する。
（ｒN −ｒN-1 ）であり、この値が小さいほど集光され
るＸ線の分解能は向上する。
【０００７】以上の方法により作製したブラッグ・フレ
ネル素子の具体的なパラメータは、例えば図４の１次元
ブラッグ・フレネル素子の場合には、結晶はシリコン
（１１１）、中心のゾーンの半分の長さｒ1 が１０μ
ｍ、最終ゾーンの幅δｒN が０．５μｍ、焦点距離ｆが
３９ｍｍ、Ｘ線波長λが０．１５４ｎｍ、エッチング深
さｈが２．５μｍである。図５の２次元ブラッグ・フレ
ネル素子の場合には、結晶はシリコン（３３３）、中心
のゾーンの半径ｒ1 が１４μｍ、最終ゾーンの幅δｒN
が０．５μｍ、焦点距離ｆが９４０ｍｍ、Ｘ線波長λが
０．２０８５ｎｍ、エッチング深さｈが３．８μｍであ
る。
ネル素子の具体的なパラメータは、例えば図４の１次元
ブラッグ・フレネル素子の場合には、結晶はシリコン
（１１１）、中心のゾーンの半分の長さｒ1 が１０μ
ｍ、最終ゾーンの幅δｒN が０．５μｍ、焦点距離ｆが
３９ｍｍ、Ｘ線波長λが０．１５４ｎｍ、エッチング深
さｈが２．５μｍである。図５の２次元ブラッグ・フレ
ネル素子の場合には、結晶はシリコン（３３３）、中心
のゾーンの半径ｒ1 が１４μｍ、最終ゾーンの幅δｒN
が０．５μｍ、焦点距離ｆが９４０ｍｍ、Ｘ線波長λが
０．２０８５ｎｍ、エッチング深さｈが３．８μｍであ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上のようなブラッグ
・フレネル素子において、Ｘ線の分解能を上げるために
は、（３）式に示されるように、最外ゾーンの幅δｒN
をできる限り小さくしなければならない。エッチング深
さと最外ゾーンの幅の比、ｈ／δｒN は図４の素子では
５、図５の素子では７．６であり、現状の加工技術では
これを大きくするのは困難である。さらにまた、エッチ
ング深さｈはＸ線のエネルギーに従って大きな値となる
ので、高いエネルギーのＸ線用の素子では分解能は低下
するという問題がある。
・フレネル素子において、Ｘ線の分解能を上げるために
は、（３）式に示されるように、最外ゾーンの幅δｒN
をできる限り小さくしなければならない。エッチング深
さと最外ゾーンの幅の比、ｈ／δｒN は図４の素子では
５、図５の素子では７．６であり、現状の加工技術では
これを大きくするのは困難である。さらにまた、エッチ
ング深さｈはＸ線のエネルギーに従って大きな値となる
ので、高いエネルギーのＸ線用の素子では分解能は低下
するという問題がある。
【０００９】このように、従来方法では、小さな最外ゾ
ーン幅を得るのが困難である。
ーン幅を得るのが困難である。
【００１０】そこで、本発明の目的は、このような従来
の問題点を解決して、干渉板を適切に構成し、その干渉
板をフレネルパターン層として分光結晶上に固定して配
設することにより構成した分光集光素子を提供すること
にある。
の問題点を解決して、干渉板を適切に構成し、その干渉
板をフレネルパターン層として分光結晶上に固定して配
設することにより構成した分光集光素子を提供すること
にある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、ブラッグの原理に基づく分光を行
う分光結晶と、基板上に２種類の物質を交互に積層した
積層膜を薄片化してフレネルパターンを構成した構造を
持ち、フレネル回折による集光を行うことのできる干渉
板とを具え、前記分光結晶の表面上に前記干渉板を固定
して配置したことを特徴とする。
るために、本発明は、ブラッグの原理に基づく分光を行
う分光結晶と、基板上に２種類の物質を交互に積層した
積層膜を薄片化してフレネルパターンを構成した構造を
持ち、フレネル回折による集光を行うことのできる干渉
板とを具え、前記分光結晶の表面上に前記干渉板を固定
して配置したことを特徴とする。
【００１２】
【作用】本発明によれば、結晶の表面に、積層膜を薄片
化してフレネルパターンを構成した干渉板を固定して配
置したので、干渉板が分光結晶へのＸ線の入射・反射の
過程でフレネル回折による集光機能を果たし、全体とし
て分光集光素子として作用し、しかも、本発明では積層
膜の薄片化により干渉板を構成しているので、エッチン
グ加工の場合のような制約を受けず、例えばヘリコンプ
ラズマ（ＨＰ）スパッタリングを用いれば１ｎｍ以下の
最外ゾーン幅のものも作製可能であることより、Ｘ線の
分解能を向上させることができ、従って、従来不可能で
あったＸ線の微小領域への分光集光を容易に実現でき
る。しかも、本発明によれば、エネルギーの高いＸ線に
対しては、干渉板の厚さを厚くする、つまり薄片化する
ときの厚さを厚くすることによって、分解能の低下を防
止することができる。
化してフレネルパターンを構成した干渉板を固定して配
置したので、干渉板が分光結晶へのＸ線の入射・反射の
過程でフレネル回折による集光機能を果たし、全体とし
て分光集光素子として作用し、しかも、本発明では積層
膜の薄片化により干渉板を構成しているので、エッチン
グ加工の場合のような制約を受けず、例えばヘリコンプ
ラズマ（ＨＰ）スパッタリングを用いれば１ｎｍ以下の
最外ゾーン幅のものも作製可能であることより、Ｘ線の
分解能を向上させることができ、従って、従来不可能で
あったＸ線の微小領域への分光集光を容易に実現でき
る。しかも、本発明によれば、エネルギーの高いＸ線に
対しては、干渉板の厚さを厚くする、つまり薄片化する
ときの厚さを厚くすることによって、分解能の低下を防
止することができる。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１４】図１および図２は本発明分光集光素子の作
製手法の例を示す。
製手法の例を示す。
【００１５】図１は１次元素子の例であり、図２は２次
元素子の例である。各工程（ａ）に示すように、１次元
素子を形成するためには平面状基板１を用い、２次元素
子を形成するためには細い丸棒状基板１１を用いる。次
の工程（ｂ）において、この基板１または１１上に２種
類の物質をＨＰスパッタリング等の手法により交互に積
層して断面がフレネルパターンに相当する、積層膜２ま
たは１２を形成する。ここで、ｎ番目の層の厚さは以下
の式によるものとする。
元素子の例である。各工程（ａ）に示すように、１次元
素子を形成するためには平面状基板１を用い、２次元素
子を形成するためには細い丸棒状基板１１を用いる。次
の工程（ｂ）において、この基板１または１１上に２種
類の物質をＨＰスパッタリング等の手法により交互に積
層して断面がフレネルパターンに相当する、積層膜２ま
たは１２を形成する。ここで、ｎ番目の層の厚さは以下
の式によるものとする。
【００１６】
【数４】 ｒn ＝（ｒ0 2＋ｎｆλ／ｓｉｎ2 θB ）1/2 （４） ここで、ｒ0 の値は、１次元素子では任意であり、２次
元素子では細い丸棒状基板１１の半径である。積層する
２種類の物質の組合せとしては、重元素と軽元素の組合
せを用いることにより強度変調の素子を作製でき、ある
いは異なる軽元素の組合せを用いることにより位相変調
型の素子を作製することができる。強度変調型の素子を
形成する場合には、基板としてはＸ線をあまり吸収しな
い材料を選択する。位相変調型の素子を形成する場合に
は、一方の物質としては基板の材料と同じものを選択す
る。
元素子では細い丸棒状基板１１の半径である。積層する
２種類の物質の組合せとしては、重元素と軽元素の組合
せを用いることにより強度変調の素子を作製でき、ある
いは異なる軽元素の組合せを用いることにより位相変調
型の素子を作製することができる。強度変調型の素子を
形成する場合には、基板としてはＸ線をあまり吸収しな
い材料を選択する。位相変調型の素子を形成する場合に
は、一方の物質としては基板の材料と同じものを選択す
る。
【００１７】積層終了後、工程（ｂ）に示すように、積
層膜２または１２の積層方向に垂直な方向にこの積層膜
をスライス（薄片化）し、次いで研磨して、工程（ｃ）
に示すように、２種類の物質が交互に配置された干渉板
３または１３を得る。この干渉板３または１３の厚さ
は、強度変調型の場合には、重元素ゾーンでは往復でＸ
線を十分吸収し、軽元素ゾーンでは往復でＸ線をあまり
吸収しないような厚さとする。位相変調型の場合には、
隣り合う２つのゾーンでＸ線の位相差が往復でπになる
ような厚さとする。この干渉板３または１３を分光結晶
４上に固定して配置することにより分光集光素子とす
る。分光結晶４は干渉板３または１３を支持する支持基
板としての役目も果たす。
層膜２または１２の積層方向に垂直な方向にこの積層膜
をスライス（薄片化）し、次いで研磨して、工程（ｃ）
に示すように、２種類の物質が交互に配置された干渉板
３または１３を得る。この干渉板３または１３の厚さ
は、強度変調型の場合には、重元素ゾーンでは往復でＸ
線を十分吸収し、軽元素ゾーンでは往復でＸ線をあまり
吸収しないような厚さとする。位相変調型の場合には、
隣り合う２つのゾーンでＸ線の位相差が往復でπになる
ような厚さとする。この干渉板３または１３を分光結晶
４上に固定して配置することにより分光集光素子とす
る。分光結晶４は干渉板３または１３を支持する支持基
板としての役目も果たす。
【００１８】図３はＨＰスパッタリングで作製した強度
変調型素子の走査型電子顕微鏡による写真を模写した図
である。図３の左端はシリコン基板１（図中黒色）であ
り、重元素として銀（図中白色）、軽元素としてアルミ
ニウム（図中黒色）を（４）式に従って交互に１００対
２００層積層してから薄片化し、分光結晶４としてのゲ
ルマニウム（４２２）結晶上に固定したものである。最
外層のゾーンの幅δｒN は７５ｎｍであり、図４または
図５に示した従来型のものの３／２０のものが得られて
いる。ＨＰスパッタリングによると１層の厚さが１ｎｍ
以下のものも制御して作製できるので（小池等, Intern
ational Conference on Synchrotron Radiation Instr
umentation, New York(1994) ）、分光集光素子として
大きな性能の向上が期待できる。しかもまた、エネルギ
ーの高いＸ線に対しては、本発明分光集光素子では、単
に薄片化する厚さを厚くすればよいのであるから、作製
はより容易になる。
変調型素子の走査型電子顕微鏡による写真を模写した図
である。図３の左端はシリコン基板１（図中黒色）であ
り、重元素として銀（図中白色）、軽元素としてアルミ
ニウム（図中黒色）を（４）式に従って交互に１００対
２００層積層してから薄片化し、分光結晶４としてのゲ
ルマニウム（４２２）結晶上に固定したものである。最
外層のゾーンの幅δｒN は７５ｎｍであり、図４または
図５に示した従来型のものの３／２０のものが得られて
いる。ＨＰスパッタリングによると１層の厚さが１ｎｍ
以下のものも制御して作製できるので（小池等, Intern
ational Conference on Synchrotron Radiation Instr
umentation, New York(1994) ）、分光集光素子として
大きな性能の向上が期待できる。しかもまた、エネルギ
ーの高いＸ線に対しては、本発明分光集光素子では、単
に薄片化する厚さを厚くすればよいのであるから、作製
はより容易になる。
【００１９】本発明Ｘ線集光分光素子を用いた走査型Ｘ
線顕微鏡の一例の概略図を図７に示す。図中、２１は本
発明によるＸ線分光集光素子であり、２２はＸ線光源、
２３は試料、２４は検出器、２５は試料２３を載置した
Ｘ−Ｙステージである。Ｘ線光源２２としては、Ｘ線管
球光源、シンクロトロン放射Ｘ線光源、レーザープラズ
マＸ線光源等を用いることできる。Ｘ線光源２２からの
Ｘ線はＸ線分光集光素子２１により単色化され、試料２
３の位置で集光される。集光Ｘ線により励起された試料
２３の微小領域はその構成元素に応じたエネルギーを持
つ蛍光Ｘ線を発するので、それを検出器２４で検出して
分析することにより、その領域での構成元素を定量的に
知ることができる。このような検出、分析をＸ−Ｙステ
ージ２５により試料２３の位置を少しずつ変えて繰り返
すことにより、それらの構成元素の試料２３中での分布
を定量的に得ることができる。
線顕微鏡の一例の概略図を図７に示す。図中、２１は本
発明によるＸ線分光集光素子であり、２２はＸ線光源、
２３は試料、２４は検出器、２５は試料２３を載置した
Ｘ−Ｙステージである。Ｘ線光源２２としては、Ｘ線管
球光源、シンクロトロン放射Ｘ線光源、レーザープラズ
マＸ線光源等を用いることできる。Ｘ線光源２２からの
Ｘ線はＸ線分光集光素子２１により単色化され、試料２
３の位置で集光される。集光Ｘ線により励起された試料
２３の微小領域はその構成元素に応じたエネルギーを持
つ蛍光Ｘ線を発するので、それを検出器２４で検出して
分析することにより、その領域での構成元素を定量的に
知ることができる。このような検出、分析をＸ−Ｙステ
ージ２５により試料２３の位置を少しずつ変えて繰り返
すことにより、それらの構成元素の試料２３中での分布
を定量的に得ることができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
結晶の表面に、積層膜を薄片化してフレネルパターンを
構成した干渉板を固定して配置したので、干渉板が分光
結晶へのＸ線の入射・反射の過程でフレネル回折による
集光機能を果たし、全体として分光集光素子として作用
し、しかも、本発明では積層膜の薄片化により干渉板を
構成しているので、エッチング加工の場合のような制約
を受けず、例えばＨＰスパッタリングを用いれば１ｎｍ
以下の最外ゾーン幅のものも作製可能であることより、
Ｘ線の分解能を向上させることができ、従って、従来不
可能であったＸ線の微小領域への分光集光を容易に実現
できる。しかも、本発明によれば、エネルギーの高いＸ
線に対しては、干渉板の厚さ、すなわち薄片化するとき
の厚さを厚くすることによって、分解能の低下を防止す
ることができる。
結晶の表面に、積層膜を薄片化してフレネルパターンを
構成した干渉板を固定して配置したので、干渉板が分光
結晶へのＸ線の入射・反射の過程でフレネル回折による
集光機能を果たし、全体として分光集光素子として作用
し、しかも、本発明では積層膜の薄片化により干渉板を
構成しているので、エッチング加工の場合のような制約
を受けず、例えばＨＰスパッタリングを用いれば１ｎｍ
以下の最外ゾーン幅のものも作製可能であることより、
Ｘ線の分解能を向上させることができ、従って、従来不
可能であったＸ線の微小領域への分光集光を容易に実現
できる。しかも、本発明によれば、エネルギーの高いＸ
線に対しては、干渉板の厚さ、すなわち薄片化するとき
の厚さを厚くすることによって、分解能の低下を防止す
ることができる。
【図１】本発明分光集光素子の一実施例としての１次元
素子およびその製造工程の説明用斜視図である。
素子およびその製造工程の説明用斜視図である。
【図２】本発明分光集光素子の一実施例としての２次元
素子およびその製造工程の説明用斜視図である。
素子およびその製造工程の説明用斜視図である。
【図３】ＨＰスパッタリングで作製した本発明による強
度変調型素子の走査型電子顕微鏡写真の模式図である。
度変調型素子の走査型電子顕微鏡写真の模式図である。
【図４】従来の直線状のゾーンからなる１次元のブラッ
グ・フレネル素子を示す模式図である。
グ・フレネル素子を示す模式図である。
【図５】従来の同心円状のゾーンからなる２次元のブラ
ッグ・フレネル素子を示す模式図である。
ッグ・フレネル素子を示す模式図である。
【図６】従来型のブラッグ・フレネル素子の作製方法の
一例の説明図である。
一例の説明図である。
【図７】本発明分光集光素子を組込んだ走査型Ｘ線顕微
鏡の一例を示す概略図である。
鏡の一例を示す概略図である。
１，１１ 基板 ２，１２ 積層膜 ３，１３ 干渉板 ４ 分光結晶 ２１ 本発明によるＸ線分光集光素子 ２２ Ｘ線光源 ２３ 試料 ２４ 検出器 ２５ Ｘ−Ｙステージ １０１ 基板 １０１ａ エッチング除去部分 １０２ フレネルパターン １０３，１０４ アルミニウム層
Claims (3)
- 【請求項１】 結晶の表面に面方向に延びる所定厚みの
フレネルパターン層が一体的に形成されてなり、前記結
晶によるブラッグの原理に基づいて入射Ｘ線の分光を行
うとともに前記フレネルパターン層で入射および反射Ｘ
線を回折して集光するＸ線分光集光素子であって、 前記フレネルパターン層が、基板上に２種類の物質を交
互に積層した積層膜を積層面に垂直に薄片化してフレネ
ルパターンを構成した構造を持つ干渉板から構成されて
いることを特徴とするＸ線分光集光素子。 - 【請求項２】 前記フレネルパターンが一次元パターン
であることを特徴とする請求項１に記載のＸ線分光集光
素子。 - 【請求項３】 前記フレネルパターンが二次元パターン
であることを特徴とする請求項１に記載のＸ線分光集光
素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7063670A JP2690036B2 (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | Ｘ線分光集光素子 |
| US08/610,545 US5719915A (en) | 1995-03-23 | 1996-03-06 | X-ray dispersing/focusing device and method of producing same |
| FR9603392A FR2733854B1 (fr) | 1995-03-23 | 1996-03-19 | Dispositif de focalisation/dispersion de rayons x et procede de production de celui-ci |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7063670A JP2690036B2 (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | Ｘ線分光集光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08262197A JPH08262197A (ja) | 1996-10-11 |
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