JP2683032B2 - Liquid crystal element - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の分野〕 本発明は、大画面（例えば、日本工業規格のＡ−５サ
イズ以上）の液晶素子パネル、特に強誘電性スメクチツ
ク液晶を用いた大画面の液晶素子パネルに関するもので
ある。Description: FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a large-screen (for example, A-5 size or larger of Japanese Industrial Standard) liquid crystal element panel, particularly a large-screen liquid crystal element using a ferroelectric smectic liquid crystal. It's about panels.
従来、液晶表示素子に、特に単純なドツトマトリクス
型の液晶表示素子の電極構成としては、基板上に透明電
極のみをストライプ状に形成したものが一般的に用いら
れていた。2. Description of the Related Art Conventionally, as a liquid crystal display element, as a particularly simple dot matrix type liquid crystal display element, an electrode configuration in which only transparent electrodes are formed in stripes on a substrate is generally used.
しかしながら、この様な電極を、大画面且つ高精細な
液晶表示素子に使用するとストライプ電極の長手方向の
長さが長くなるため、電極配線抵抗が大きくなり、信号
の遅延、駆動波形のなまり等の駆動上の問題が発生する
欠点があった。However, when such an electrode is used for a large-screen and high-definition liquid crystal display element, the length of the stripe electrode in the longitudinal direction becomes long, so that the electrode wiring resistance becomes large and the signal delay, the drive waveform rounding, etc. There was a drawback that driving problems occurred.
このため、比較的に比抵抗の小さいAlなどの金属電極
配線が必要とされていた。Therefore, metal electrode wiring such as Al having a relatively low specific resistance has been required.
この金属電極配線をストライプ状透明電極の長手方向
に沿って、且つ電気的に接続させて配線する際には、ス
トライプ状透明電極を設けた基板に蒸着により金属膜を
形成した後、フオトリソグラフイー−エツチング処理に
よって細線金属電極をストライプ状透明電極上に形成さ
せる方法が用いられていた。When wiring the metal electrode wiring along the longitudinal direction of the striped transparent electrode and electrically connecting them, a metal film is formed by vapor deposition on a substrate provided with the striped transparent electrode, and then the photolithography is performed. A method of forming a thin wire metal electrode on a stripe-shaped transparent electrode by etching is used.
しかしながら、通常のフオトリソグラフイー−エツチ
ング処理によって形成した細線金属電極は、ストライプ
状透明電極の長手方向のエツジに沿って第４図の如き形
態で設けられる事ができず、実際には第５図の如き形態
で設けられていた。However, the fine wire metal electrode formed by the usual photolithographic etching process cannot be provided in the form as shown in FIG. 4 along the edge of the stripe-shaped transparent electrode in the longitudinal direction. It was provided in such a form.
第４図によれば、基板１の上に形成したストライプ状
透明電極２のエツジ部2aと細線金属電極３のエツジ部3a
とが一致していたが、実際には第５図に示す形態の微少
画素部が形成されていた。According to FIG. 4, the edge portion 2a of the striped transparent electrode 2 and the edge portion 3a of the thin wire metal electrode 3 formed on the substrate 1 are shown.
However, in reality, the minute pixel portion having the form shown in FIG. 5 was formed.
第５図によればストライプ状透明電極２のエツジ部2a
と細線金属電極３のエツジ部3aとに間隔ｄ（一般には２
〜８μｍ程度）の微少画素部Ａが形成されている。According to FIG. 5, the edge portion 2a of the stripe-shaped transparent electrode 2
And a gap d (generally 2
A micro pixel portion A having a size of about 8 μm) is formed.
ところで、モノドメインの強誘導性スメクチツク液晶
の形成には、ラビング処理などの一軸性配向処理が適し
ている。かかる一軸性配向処理は米国特許第4639089号
公報などで明らかにされている。By the way, a uniaxial alignment treatment such as a rubbing treatment is suitable for forming a mono-domain strongly inductive smectic liquid crystal. Such a uniaxial alignment treatment is disclosed in US Pat. No. 4639089.
しかしながら、ラビング処理、特にストライプ状透明
電極２の長手エツジ方向に対して90゜の角度で交差する
方向に軸を形成させたラビング処理によって生じた配向
状態は、ラビング処理に対してストライプ状透明電極２
のエツジ部と細線金属電極３のエツジ部とで２箇所の段
差を生じているため、前述した微少画素部Ａと主要画素
部Ｐとで相違していた。この微少画素部Ａにおけるモノ
ドメイン形成性は、主要画素部Ｐにおけるモノドメイン
形成と比較して悪く、このため微少画素部Ａの閾値応答
特性が主要画素部Ｐの閾値特性と比較して遅くなる問題
点があった。However, the alignment state caused by the rubbing treatment, particularly the rubbing treatment in which an axis is formed in a direction intersecting with the longitudinal edge direction of the striped transparent electrode 2 at an angle of 90 °, causes Two
Since there are two steps between the edge portion and the edge portion of the thin wire metal electrode 3, the minute pixel portion A and the main pixel portion P described above are different from each other. The mono-domain forming property in the minute pixel portion A is poor as compared with the mono-domain forming in the main pixel portion P, and therefore the threshold response characteristic of the minute pixel portion A becomes slower than that of the main pixel portion P. There was a problem.
かかる問題点は、微少画素部Ａの幅ｄが３μ以上にな
ると、微少画素部Ａの電気光学的応答が表示観察者にと
って視認され、これが原因となって動画やスクロール表
示の際の残像現象として識別される問題点を惹起してい
た。Such a problem is that when the width d of the minute pixel portion A is 3 μ or more, the electro-optical response of the minute pixel portion A is visually recognized by the display observer, which causes an afterimage phenomenon in moving images or scroll display. It caused the identified problems.
本発明の目的は、前述の問題点を解決すること、特に
動画表示又はキヤラクターのスムーズスクロールデイス
プレイ時の残像現象の発生を解消した強誘電性スメクチ
ツク液晶素子を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the above-mentioned problems, and particularly to provide a ferroelectric smectic liquid crystal device which eliminates the occurrence of an afterimage phenomenon when displaying a moving image or smooth scroll display of a character.
本発明は、少なくとも一方に一軸性配向処理を施した
２枚の基板間にカイラルスメクチック液晶を有し、該一
軸性配向処理を施した基板は、ストライプ状の透明電極
と該ストライプ状の透明電極の長手方向に電気的接続さ
せた金属電極と、該透明電極及び金属電極を覆う配向制
御膜とを有し、該配向制御膜の表面に一軸配向処理が施
されている液晶素子において、前記金属電極が、前記透
明電極の長手方向に亘って、該透明電極の幅方向におけ
る一部で該透明電極の上に接しているとともに、該透明
電極のエッジからはみ出して設けられており、且つ前記
一軸性配向処理の軸が該金属電極の長手方向に対して90
゜の角度で交差していることを特徴とする液晶素子であ
る。The present invention has a chiral smectic liquid crystal between two substrates at least one of which is subjected to a uniaxial alignment treatment, and the substrate subjected to the uniaxial alignment treatment is a striped transparent electrode and the striped transparent electrode. In a liquid crystal element having a metal electrode electrically connected in the longitudinal direction and an alignment control film covering the transparent electrode and the metal electrode, and the surface of the alignment control film is uniaxially aligned. The electrode is in contact with the transparent electrode at a part in the width direction of the transparent electrode over the longitudinal direction of the transparent electrode, and is provided so as to protrude from the edge of the transparent electrode, and the uniaxial The axis of the functional alignment treatment is 90 with respect to the longitudinal direction of the metal electrode.
The liquid crystal element is characterized by intersecting at an angle of °.
第１図は、本発明の液晶素子で用いた電極基板11を示
し、第１図（Ａ）はその平面図で、第１図（Ｂ）はその
Ａ−Ａ断面図である。第１図に示す電極基板11は、ガラ
スやプラスチツクで作成した基板１、該基板１の上に設
けたストライプ状透明電極２、該透明電極２のエツジ部
2aからはみ出したはみ出し部５をもつ細線金属電極３を
備えている。FIG. 1 shows an electrode substrate 11 used in a liquid crystal element of the present invention, FIG. 1 (A) is a plan view thereof, and FIG. 1 (B) is its AA cross-sectional view. The electrode substrate 11 shown in FIG. 1 includes a substrate 1 made of glass or plastic, a stripe-shaped transparent electrode 2 provided on the substrate 1, and an edge portion of the transparent electrode 2.
It is provided with a thin wire metal electrode 3 having a protruding portion 5 protruding from 2a.
上述のはみ出し部５のエツジ部5aは、隣り合うストラ
イプ状透明電極２が電気的に接続しない位置にあり、一
般には３〜10μｍ、好ましくは５〜７μｍ程度の幅で、
細線金属電極３の線幅は５〜20μｍ、膜厚500〜5000Å
程度に設定されているのがよく、ストライプ状透明電極
２と細線金属電極３との重なり部Ｍの幅は0.5〜10μ
ｍ、好ましくは１〜５μｍ程度である。この重なり部Ｍ
の幅が小さい程、開口率を向上させることができる。こ
の際のストライプ状透明電極２としては、SnO2,In2O3又
はIn2O3/SnO2（インジウム−テイン−オキサイド;ITO）
などで成膜されたもの、又細線金属電極３としてはアル
ミニウム、モリブデン、クロム、チタン、タングステン
又はその合金（例えばNiCr）で成膜したものを用いるこ
とができる。The edge portion 5a of the above-mentioned protruding portion 5 is located at a position where adjacent stripe transparent electrodes 2 are not electrically connected, and generally has a width of 3 to 10 μm, preferably 5 to 7 μm.
The thin metal electrode 3 has a line width of 5 to 20 μm and a film thickness of 500 to 5000 Å
The width of the overlapping portion M of the stripe-shaped transparent electrode 2 and the thin wire metal electrode 3 is 0.5 to 10 μ.
m, preferably about 1 to 5 μm. This overlapping part M
The smaller the width, the higher the aperture ratio. At this time, as the stripe-shaped transparent electrode 2, SnO 2 , In 2 O 3 or In 2 O 3 / SnO 2 (indium-thein-oxide; ITO)
For example, the thin wire metal electrode 3 may be formed of aluminum, molybdenum, chromium, titanium, tungsten or an alloy thereof (for example, NiCr).
この電極基板11は、更にこの上に強誘電性スメクチツ
ク液晶の配向状態を制御する為の配向制御膜（図示せ
ず）が設けられ、この配向制御膜はラビング処理や斜方
蒸着処理などの一軸配向処理が施されている。この際に
用いられる配向制御膜としては、ポリイミドイミド、ポ
リアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリエーテルイ
ミド、ポリアミド、ポリビニルアルコール、ポリエチレ
ン及びポリエステルなどの有機樹脂の少なくとも１種に
よって形成する事ができる。かかる配向制御膜は、50Å
〜5000Å、好ましくは100Å〜2000Åの範囲で形成する
事ができる。The electrode substrate 11 is further provided with an alignment control film (not shown) for controlling the alignment state of the ferroelectric smectic liquid crystal, and the alignment control film is a uniaxial film such as a rubbing process or an oblique vapor deposition process. Oriented. The orientation control film used at this time can be formed of at least one organic resin such as polyimide imide, polyamide imide, polyester imide, polyether imide, polyamide, polyvinyl alcohol, polyethylene and polyester. Such an orientation control film is 50 Å
It can be formed in the range of ~ 5000Å, preferably 100Å-2000Å.
又、本発明の好ましい具体例では、電極基板11の上に
SiO,SiO2やTiO2などの無機絶縁物質によって成膜した絶
縁膜を形成し、その上に前述した有機樹脂膜で形成した
配向制御膜を設けることができる。この時の絶縁膜は50
0Å〜5000Å、好ましくは1000Å〜2000Åで形成するこ
とができる。Further, in a preferred embodiment of the present invention, it is provided on the electrode substrate 11.
It is possible to form an insulating film formed of an inorganic insulating material such as SiO, SiO 2 or TiO 2 and to provide the orientation control film formed of the above-mentioned organic resin film thereon. The insulating film at this time is 50
It can be formed with 0Å to 5000Å, preferably 1000Å to 2000Å.
第２図は、前述の電極基板11（上側;11A、下側;11Bを
用いた強誘電性スメクチツク液晶素子21の断面図であ
る。電極基板11A及び11Bには、それぞれガラス基板1A及
び1B上にストライプ状透明電極2A及び2B、細線金属電極
3A及び3B、配向制御膜22A及び22Bが形成されている。ス
トライプ状透明電極2A及び2Bは互いに90゜の角度で交差
する様に配置され、一軸性配向処理は、両方の基板上に
形成した配向制御膜23A及び23Bに反平行方向（一軸性配
向処理軸25A及び25B）に施されているとともに、その処
理軸はストライプ状透明電極2Bの長手エツジ方向に対し
て平行に付与されている（25A及び25Bの矢標の方向は、
それぞれ一軸性配向処理軸の向きを表している。） この際、上側電極基板11Aに付与された一軸性配向処
理軸25Aは、ストライプ状透明電極2Aの長手エツジ方向
に対して90゜の角度で交差することになるが、このスト
ライプ状透明電極2Aには、前述した微少画素部がなく、
このため表示の際の残像現象が現れない。2 is a cross-sectional view of a ferroelectric smectic liquid crystal element 21 using the above-described electrode substrate 11 (upper side; 11A, lower side; 11B). The electrode substrates 11A and 11B are on the glass substrates 1A and 1B, respectively. Striped transparent electrodes 2A and 2B, thin wire metal electrodes
3A and 3B and alignment control films 22A and 22B are formed. The stripe-shaped transparent electrodes 2A and 2B are arranged so as to intersect each other at an angle of 90 °, and the uniaxial alignment treatment is performed in an antiparallel direction (uniaxial alignment treatment axis) to the alignment control films 23A and 23B formed on both substrates. 25A and 25B), and its processing axis is given parallel to the longitudinal edge direction of the striped transparent electrode 2B (the directions of the arrows of 25A and 25B are
Each represents the direction of the uniaxial alignment treatment axis. At this time, the uniaxial alignment treatment axis 25A provided on the upper electrode substrate 11A intersects the longitudinal edge direction of the striped transparent electrode 2A at an angle of 90 °. Does not have the aforementioned minute pixel section,
Therefore, the afterimage phenomenon at the time of display does not appear.
強誘電性スメクチツク液晶素子21の一対の電極基板11
Aと11Bとの間には、強誘電性スメクチツク液晶23が配置
されている。強誘電性スメクチツク液晶23としては、例
えば米国特許第4561726号公報、米国特許4589996号公
報、米国特許第4592858号公報、米国特許第4596667号公
報、米国特許第4613209号公報、米国特許第4614609号公
報、米国特許第4638073号公報、米国特許第4725688号公
報などに開示されたものを用いることができる。電極基
板11A及び11Bの間隔を米国特許第4367924号公報などに
開示された間隔に設定することによって、無電界時に強
誘電性スメクチツク液晶のらせん配列構造の形成を制御
することができ、それによって双安定性を付与すること
ができる。Ferroelectric smectic liquid crystal element 21 pair of electrode substrates 11
A ferroelectric smectic liquid crystal 23 is arranged between A and 11B. As the ferroelectric smectic liquid crystal 23, for example, U.S. Pat.No. 4,561,726, U.S. Pat.No. 4,589,996, U.S. Pat. Those disclosed in US Pat. No. 4,638,073, US Pat. No. 4,725,688 and the like can be used. By setting the distance between the electrode substrates 11A and 11B to the distance disclosed in, for example, U.S. Pat.No. 4,367,924, it is possible to control the formation of the helical alignment structure of the ferroelectric smectic liquid crystal when no electric field is applied. Stability can be imparted.
上述の強誘電性スメクチツク液晶23は電気−光学的に
応答するが、この際の光学的検知手段としてクロスニコ
ル又はパラレルニコル配置の偏光子24A及び24Bが用いら
れる。The above-mentioned ferroelectric smectic liquid crystal 23 responds electro-optically, and the polarizers 24A and 24B arranged in crossed Nicols or parallel Nicols are used as optical detection means at this time.
第３図は、本発明で用いた別の電極基板31の断面図で
ある。第３図において第１図と同一符号のものは、同一
部材を表わしている。第３図に示す電極基板31は、スト
ライプ状透明電極２を設けた基板１の上に、SiO,SiO2や
TiO2を蒸着法などにより絶縁膜４を成膜した後、スルー
ホール部32を除いて絶縁膜４の上にフオトレジストマス
クを形成してから、プラズマエツチングすることによっ
てスルーホール部32を形成した後、金属を蒸着すること
によって金属膜を形成する。しかる後に、第３図に図示
する如くのはみ出し部５に細線電極３を形成することが
できる。この細線金属電極３は、隣接するストライプ状
透明電極２間に形成されているので、バラツクストライ
プ線としての効果を併せもつことになる。FIG. 3 is a sectional view of another electrode substrate 31 used in the present invention. In FIG. 3, the same reference numerals as those in FIG. 1 represent the same members. The electrode substrate 31 shown in FIG. 3 has a structure in which SiO, SiO 2 or
After forming the insulating film 4 of TiO 2 by a vapor deposition method or the like, a photoresist mask is formed on the insulating film 4 except the through holes 32, and then plasma etching is performed to form the through holes 32. After that, a metal film is formed by depositing a metal. Thereafter, the thin wire electrode 3 can be formed on the protruding portion 5 as shown in FIG. Since the thin wire metal electrode 3 is formed between the adjacent striped transparent electrodes 2, it also has an effect as a variable stripe line.
以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明す
る。Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.
実施例１ 320×300mmのガラス基板上にスパツタリング法で厚さ
1000ÅのITO膜を成膜し、ホトリングラフィー技術を用
いて前面にピツチ305μｍ、ライン巾285μｍストライプ
パターンの形成した後、厚さ2000ÅのAl膜を成膜し、次
にピツチ305μｍ、ライン巾12μｍ、ITO電極との重なり
巾６μｍで第１図に示す構成のパターンを形成して電極
基板を得た。この際の位置ズレの誤差は±４μｍであっ
た。この電極基板上に0.1μｍのSiO2膜を蒸着法に形成
し、さらに100Å厚のポリイミド膜（ピロメリツク酸２
無水物と4,4′−ジアミノジフエニルエーテルとの脱水
縮合体であるポリアミツク酸の５％wt、Ｎ−メチルピロ
リドン溶液を成膜した後に、250℃以上の温度で焼成す
ることによって形成）を形成した。Example 1 On a 320 × 300 mm glass substrate, the thickness was measured by the sputtering method.
After forming a 1000Å ITO film and forming a stripe pattern with a pitch of 305 μm and a line width of 285 μm on the front surface using photolinography, an Al film of 2000 Å thickness is formed, and then a pitch of 305 μm and a line width of 12 μm. An electrode substrate was obtained by forming a pattern having the structure shown in FIG. 1 with an overlapping width of 6 μm with the ITO electrode. The positional deviation error at this time was ± 4 μm. A 0.1 μm SiO 2 film is formed on this electrode substrate by vapor deposition, and a 100 Å thick polyimide film (pyromellitic acid 2
5% wt of polyamitic acid, which is a dehydration condensate of an anhydride and 4,4'-diaminodiphenyl ether, formed by film-forming a solution of N-methylpyrrolidone and baking at a temperature of 250 ° C or higher) Formed.
この電極基板を２枚用意し、一方の電極基板に対して
は、ストライプ状透明電極の長手エツジ方向と平行方向
（第２図の方向25B）にラビング処理を施し、他方の電
極基板に対しては、ストライプ状透明電極の長手エツジ
方向に対しては90゜の角度で交差する（第２図の方向25
A）様にラビング処理を施した。Two of these electrode substrates are prepared, and one electrode substrate is rubbed in the direction parallel to the longitudinal edge direction of the stripe-shaped transparent electrode (direction 25B in FIG. 2), and the other electrode substrate is rubbed. Cross at an angle of 90 ° with respect to the longitudinal edge direction of the striped transparent electrode (direction 25 in FIG. 2).
A) was rubbed.
しかる後に、２枚の電極基板のストライプ状透明電極
の長手エツジ方向が互いに90゜の角度で交差する様に重
ね合せ（２枚の電極基板間の間隔を1.5μｍに保持する
ための平均粒径1.5μｍのSiO2ビーズを配置）て、セル
を作成し、セル内に強誘電性スメクチツク液晶であるチ
ツソ社製の「CS−1017」（商品名）を注入し、等方相か
ら順次コレステリツク相、スメクチツクＡ相及びカイラ
ルスメクチツクＣ相へと除冷（0.5℃/h）することによ
って双安定性強誘電性スメクチツク液晶素子を作成し
た。Thereafter, the striped transparent electrodes of the two electrode substrates are overlapped so that the longitudinal edge directions thereof intersect each other at an angle of 90 ° (the average grain size for keeping the gap between the two electrode substrates at 1.5 μm). 1.5 μm SiO 2 beads are arranged) to make a cell, and "CS-1007" (trade name) manufactured by Chitso Co., which is a ferroelectric smectic liquid crystal, is injected into the cell, and the cholesteric phase is sequentially obtained from the isotropic phase. A bistable ferroelectric smectic liquid crystal device was prepared by cooling (0.5 ° C./h) into a smectic A phase and a chiral smectic C phase.
この液晶素子を500倍の偏光顕微鏡で観察したとこ
ろ、らせん配列構造が解除されたモノドメインのカイラ
ルスメクチツク相が観察された。When this liquid crystal element was observed with a 500-fold polarization microscope, a chiral smectic phase of a monodomain in which the helical alignment structure was released was observed.
さらに、この液晶素子をマルチプレクシング駆動装置
に接続し、キヤラクターのスクロールデイスプレイを行
ったところ、残像現象が生じていないことが判った。Furthermore, when this liquid crystal element was connected to a multiplexing driving device and a scroll display of a character was performed, it was found that an afterimage phenomenon did not occur.
比較例１ 下記の方法で２枚の電極基板を作成したほかは、実施
例１と同様の方法で比較用強誘電性スメクチツク液晶素
子を作成した。Comparative Example 1 A comparative ferroelectric smectic liquid crystal element was prepared in the same manner as in Example 1 except that two electrode substrates were prepared by the following method.
320×300mmのガラス基板上にスパツタリング法で厚さ
1000ÅのITO膜を成膜し、ホトリングラフィー技術を用
いて全面にピツチ305μｍ、ライン巾285μｍのストライ
プパターンを形成した後、厚さ、2000ÅのAl膜を合成
し、次にピツチ305μｍ、ライン幅12μｍ、ITO電極とな
り重なり巾12μｍ（ITO電極と長手エツジ部とAl膜のエ
ツジ部とが一致する様にした）で、第４図に示す構成の
パターンを形成して電極基板を得ようとした。この結
果、位置ズレによる誤差は±４μｍで、実際には第４図
に示す微少画素部が最大で４μｍ巾に亘って形成されて
いた。Thickness of 320 × 300 mm glass substrate by spattering method
After forming a 1000Å ITO film and using a photolithography technique to form a stripe pattern with a pitch of 305 μm and a line width of 285 μm, synthesize an Al film with a thickness of 2000 Å, then a pitch of 305 μm and a line width. An electrode substrate was obtained by forming a pattern having the configuration shown in FIG. 4 with an overlap width of 12 μm, which is an ITO electrode and has an overlapping width of 12 μm (the ITO electrode, the longitudinal edge portion, and the edge portion of the Al film are aligned). . As a result, the error due to the positional deviation was ± 4 μm, and in reality, the minute pixel portion shown in FIG. 4 was formed over a maximum width of 4 μm.
上述の比較用素子を実施例１と同様の方法で評価した
処、主要画素部と微少画素部とのドメインが相違してお
り、キヤラクターのスクロールデイスプレイの際には明
らかな残像が見られた。When the above-described comparative element was evaluated in the same manner as in Example 1, the domains of the main pixel portion and the minute pixel portion were different, and a clear afterimage was seen in the scroll display of CHARACTER.
本発明によれば、動画表示やキヤラクターのスムーズ
スクロールデイスプレイ時に、残像を生じることがな
く、しかも画面の開口率向上に基づく高輝度画面を実現
することができた。According to the present invention, it is possible to realize a high-brightness screen based on the improvement of the aperture ratio of the screen without causing an afterimage when displaying a moving image or smooth scroll display of a character.
第１図（Ａ）は、本発明で用いた電極基板の平面図で、
第１図（Ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。 第２図は、本発明の液晶素子の断面図である。 第３図は、本発明で用いた別の電極基板の断面図であ
る。 第４図及び第５図は、本発明外の電極基板の断面図であ
る。FIG. 1 (A) is a plan view of the electrode substrate used in the present invention.
FIG. 1 (B) is a sectional view taken along line AA. FIG. 2 is a sectional view of the liquid crystal element of the present invention. FIG. 3 is a sectional view of another electrode substrate used in the present invention. 4 and 5 are cross-sectional views of the electrode substrate other than the present invention.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西田 直哉 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−33533（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−273522（ＪＰ，Ａ) 実開 昭57−9977（ＪＰ，Ｕ) ─────────────────────────────────────────────────── --- Continuation of the front page (72) Inventor Naoya Nishida 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (56) References JP-A-60-33533 (JP, A) JP-A-61 -273522 (JP, A) Actually opened Sho 57-9977 (JP, U)
Claims (10)
２枚の基板間にカイラルスメクチック液晶を有し、該一
軸性配向処理を施した基板は、ストライプ状の透明電極
と該ストライプ状の透明電極の長手方向に電気的接続さ
せた金属電極と、該透明電極及び金属電極を覆う配向制
御膜とを有し、該配向制御膜の表面に一軸配向処理が施
されている液晶素子において、 前記金属電極が、前記透明電極の長手方向に亘って、該
透明電極の幅方向における一部で該透明電極の上に接し
ているとともに、該透明電極のエッジからはみ出して設
けられており、且つ前記一軸性配向処理の軸が該金属電
極の長手方向に対して90゜の角度で交差していることを
特徴とする液晶素子。1. A chiral smectic liquid crystal is provided between two substrates, at least one of which has a uniaxial alignment property, and the substrate which has been subjected to the uniaxial alignment treatment has a stripe transparent electrode and a stripe transparent film. A liquid crystal element having a metal electrode electrically connected in the longitudinal direction of the electrode, and an alignment control film covering the transparent electrode and the metal electrode, wherein the surface of the alignment control film is subjected to uniaxial alignment treatment, The metal electrode is provided in contact with the transparent electrode at a part in the width direction of the transparent electrode over the longitudinal direction of the transparent electrode, and is provided so as to protrude from the edge of the transparent electrode, and A liquid crystal device, wherein the axis of the uniaxial alignment treatment intersects the longitudinal direction of the metal electrode at an angle of 90 °.
１記載の液晶素子。2. The liquid crystal element according to claim 1, wherein the alignment control film is an organic resin film.
いる請求項１記載の液晶素子。3. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the organic resin film is formed on an insulating layer.
アルコール、ポリアミド、ポリエチレン及びポリエステ
ルからなる群より選択された少なくとも１種で形成され
た膜である請求項２又は３記載の液晶素子。4. The liquid crystal device according to claim 2, wherein the organic resin film is a film formed of at least one selected from the group consisting of polyimide, polyvinyl alcohol, polyamide, polyethylene and polyester.
リエステルイミド、ポリアミドイミド又はポリエーテル
イミドである請求項４記載の液晶素子。5. The liquid crystal device according to claim 4, wherein the polyimide is polyimideimide, polyesterimide, polyamideimide or polyetherimide.
載の液晶素子。6. The liquid crystal device according to claim 3, wherein the insulating film is an inorganic insulating film.
ある請求項６記載の液晶素子。7. The liquid crystal device according to claim 6, wherein the inorganic insulating film is SiO, SiO 2 , or TiO 2 .
ン、クロム、タングステン、チタン又はその合金によっ
て形成された膜である請求項１記載の液晶素子。8. The liquid crystal element according to claim 1, wherein the metal electrode is a film formed of aluminum, molybdenum, chromium, tungsten, titanium or an alloy thereof.
請求項１又は２記載の液晶素子。9. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the uniaxial alignment treatment is a rubbing treatment.
れている請求項１記載の液晶素子。10. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the two substrates are subjected to uniaxial alignment treatment.
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| JP63111337A JP2683032B2 (en) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | Liquid crystal element |
| US07/552,860 US5000545A (en) | 1987-05-28 | 1990-07-13 | Liquid crystal device with metal electrode partially overlying transparent electrode |
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| JP63111337A JP2683032B2 (en) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | Liquid crystal element |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP2683032B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (3)
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-
1988
- 1988-05-06 JP JP63111337A patent/JP2683032B2/en not_active Expired - Fee Related
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| DE112022002794T5 (en) | 2021-05-24 | 2024-04-04 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Process for producing a bipyridine derivative, process for producing a macrocyclic compound, process for producing a metal complex containing the macrocyclic compound as a ligand, metal complex, electrode for an air battery and air battery |
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