JP2681433B2 - エッチング剤およびこのエッチング剤を使用するシリコン半導体部材のエッチング方法、および洗浄剤およびこの洗浄剤を使用するシリコン半導体部材の洗浄方法 - Google Patents
エッチング剤およびこのエッチング剤を使用するシリコン半導体部材のエッチング方法、および洗浄剤およびこの洗浄剤を使用するシリコン半導体部材の洗浄方法Info
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- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体表面を湿式でエッ
チング処理する際に好適なエッチング剤，このエッチン
グ剤を用いて構成部材表面をエッチング処理する方法，
このエッチング処理方法を用いて電子装置を製造する方
法、並びに固体表面を洗浄する際に好適な洗浄剤，この
洗浄剤を用いて構成部材表面や器具を洗浄処理する方法
さらにはこの構成部材表面の洗浄処理方法を用いて機器
を製造する方法に関する。
チング処理する際に好適なエッチング剤，このエッチン
グ剤を用いて構成部材表面をエッチング処理する方法，
このエッチング処理方法を用いて電子装置を製造する方
法、並びに固体表面を洗浄する際に好適な洗浄剤，この
洗浄剤を用いて構成部材表面や器具を洗浄処理する方法
さらにはこの構成部材表面の洗浄処理方法を用いて機器
を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、エッチング剤や洗浄剤として、フ
ッ化水素酸と硝酸と酢酸の混合溶液が用いられてきた。
特に半導体装置に代表される電子装置を製造する際の単
結晶シリコン（以下ｃ- Ｓｉと記載），多結晶シリコン
（以下ｐ- Ｓｉと記載）またはアモルファスシリコン
（以下ａ- Ｓｉと記載）等のエッチング処理や、機器を
製造する際の板材やステンレス配管等からなる構成部材
の表面の洗浄処理、さらには工程で使用する器具の洗浄
処理等に、上記混合溶液が多用されている。
ッ化水素酸と硝酸と酢酸の混合溶液が用いられてきた。
特に半導体装置に代表される電子装置を製造する際の単
結晶シリコン（以下ｃ- Ｓｉと記載），多結晶シリコン
（以下ｐ- Ｓｉと記載）またはアモルファスシリコン
（以下ａ- Ｓｉと記載）等のエッチング処理や、機器を
製造する際の板材やステンレス配管等からなる構成部材
の表面の洗浄処理、さらには工程で使用する器具の洗浄
処理等に、上記混合溶液が多用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のエッチング剤や洗浄剤を用いて電子装置等を
製造する際の構成部材表面のエッチング処理や、機器を
製造する際の板材やステンレス配管等からなる構成部材
の表面の洗浄処理、さらには工程で使用する器具の洗浄
処理等にあっては、処理過程で硝酸が分解して有害な窒
素酸化物（ＮＯｘ）が発生するため、発生した有毒気体
が環境に悪影響を与えないような特別な処理装置の設置
が必須であった。
うな従来のエッチング剤や洗浄剤を用いて電子装置等を
製造する際の構成部材表面のエッチング処理や、機器を
製造する際の板材やステンレス配管等からなる構成部材
の表面の洗浄処理、さらには工程で使用する器具の洗浄
処理等にあっては、処理過程で硝酸が分解して有害な窒
素酸化物（ＮＯｘ）が発生するため、発生した有毒気体
が環境に悪影響を与えないような特別な処理装置の設置
が必須であった。
【０００４】代表的な電子装置である半導体装置のシリ
コン表面に対して、この従来のエッチング剤を用いた場
合の反応式を化１に示した。この際、上記したように有
害な窒素酸化物（ＮＯ）が発生することが分かる。
コン表面に対して、この従来のエッチング剤を用いた場
合の反応式を化１に示した。この際、上記したように有
害な窒素酸化物（ＮＯ）が発生することが分かる。
【０００５】
【化１】３Ｓｉ＋４ＨＮＯ3 ＋１８ＨＦ→３Ｈ2 ＳｉＦ
6 ＋４ＮＯ↑＋８Ｈ2 Ｏ
6 ＋４ＮＯ↑＋８Ｈ2 Ｏ
【０００６】また処理過程で、気体が発生するために、
エッチング加工し半導体装置を製造する際に、微細なパ
ターンの形成に適用できないという問題点があった。
エッチング加工し半導体装置を製造する際に、微細なパ
ターンの形成に適用できないという問題点があった。
【０００７】また硝酸を含む溶液による処理では一般に
激しい発熱がともない、反応表面での正確な温度コント
ロールは極めて困難である。この点からも微細加工には
適用できないばかりでなく、このような従来のエッチン
グ剤や洗浄剤を用いた電子装置等を製造する際の構成部
材表面のエッチング処理や、機器を製造する際の板材や
ステンレス配管等からなる構成部材の表面の洗浄処理、
さらには工程で使用する器具の洗浄処理等にあっても、
安全性を確保するため十分留意された設備が必要であっ
た。
激しい発熱がともない、反応表面での正確な温度コント
ロールは極めて困難である。この点からも微細加工には
適用できないばかりでなく、このような従来のエッチン
グ剤や洗浄剤を用いた電子装置等を製造する際の構成部
材表面のエッチング処理や、機器を製造する際の板材や
ステンレス配管等からなる構成部材の表面の洗浄処理、
さらには工程で使用する器具の洗浄処理等にあっても、
安全性を確保するため十分留意された設備が必要であっ
た。
【０００８】また、硝酸は薬品配管系として多く用いら
れているパーフルオロアルコキシフッ素樹脂（ＰＦＡ）
のチューブを透過する性質があるため、２重・３重構造
の特殊なチューブを使用する必要があり、配管のコスト
アップや常時液漏れのチェックを要する等生産工場の運
用管理の上で大きな障害であった。
れているパーフルオロアルコキシフッ素樹脂（ＰＦＡ）
のチューブを透過する性質があるため、２重・３重構造
の特殊なチューブを使用する必要があり、配管のコスト
アップや常時液漏れのチェックを要する等生産工場の運
用管理の上で大きな障害であった。
【０００９】また上記混合溶液で、硝酸の解離を防ぐ目
的で用いられている酢酸は有機酸であり、廃棄する際に
排水のＣＯＤ値が高くならないような特別な廃液処理が
必要であった。
的で用いられている酢酸は有機酸であり、廃棄する際に
排水のＣＯＤ値が高くならないような特別な廃液処理が
必要であった。
【００１０】さらに半導体装置の製造工程において、従
来のエッチング剤では、フッ化水素酸及び硝酸を高濃度
にしないと充分なエッチング処理速度が得られなかっ
た。例えば、半導体装置を製造する際の、ａ- Ｓｉの室
温でのエッチングスピードであるエッチレートとして、
毎分１，５００オングストロームを得るためには、フッ
化水素酸および硝酸の濃度をそれぞれ０．５２ｍｏｌ／
ｌ，６．４ｍｏｌ／ｌとしなくてはならなかった。この
ような高濃度の硝酸を含んだ従来のエッチング剤を用い
ると、フォトレジストの変質や図２に示すようにフォト
レジスト３と被処理物であるシリコン２との間の密着性
が劣化し、図２に示すようにサイドエッチング量が多く
発生し、微細なパターンが得られなかった。
来のエッチング剤では、フッ化水素酸及び硝酸を高濃度
にしないと充分なエッチング処理速度が得られなかっ
た。例えば、半導体装置を製造する際の、ａ- Ｓｉの室
温でのエッチングスピードであるエッチレートとして、
毎分１，５００オングストロームを得るためには、フッ
化水素酸および硝酸の濃度をそれぞれ０．５２ｍｏｌ／
ｌ，６．４ｍｏｌ／ｌとしなくてはならなかった。この
ような高濃度の硝酸を含んだ従来のエッチング剤を用い
ると、フォトレジストの変質や図２に示すようにフォト
レジスト３と被処理物であるシリコン２との間の密着性
が劣化し、図２に示すようにサイドエッチング量が多く
発生し、微細なパターンが得られなかった。
【００１１】また半導体装置の製造工程において、従来
のエッチング剤では上記したように酢酸が成分として用
いられていたが、図３に示すように酢酸はフォトレジス
ト３にダメージを与え、フォトレジスト溶解部分４がで
きてしまいフォトレジスト３をポーラスな膜にしてしま
うため、微細パターンの形成には適用できなかった。
のエッチング剤では上記したように酢酸が成分として用
いられていたが、図３に示すように酢酸はフォトレジス
ト３にダメージを与え、フォトレジスト溶解部分４がで
きてしまいフォトレジスト３をポーラスな膜にしてしま
うため、微細パターンの形成には適用できなかった。
【００１２】またエッチレートを高くする目的で、従来
のフッ化水素酸と硝酸と酢酸の混合溶液にヨウ素を添加
したいわゆるヨウ素エッチ液が特開昭５７−１３７４７
２号に開示されているが、それでも高濃度の硝酸が必要
であり、さきに示したａ- Ｓｉを室温でエッチングする
際に、ヨウ素を０．０１５ｍｏｌ／ｌ添加しても、フッ
化水素酸および硝酸の濃度をそれぞれ０．５２ｍｏｌ／
ｌ，１．６ｍｏｌ／ｌとしなくてはならず、高濃度硝酸
に起因する問題点は解消されない。さらに、ヨウ素が図
４に示すように昇華しやすく解放系では容易に系外に出
てしまうために、エッチレートが１０時間で２５％も低
下してしまい、液の安定性が悪く管理上大きな問題であ
った。
のフッ化水素酸と硝酸と酢酸の混合溶液にヨウ素を添加
したいわゆるヨウ素エッチ液が特開昭５７−１３７４７
２号に開示されているが、それでも高濃度の硝酸が必要
であり、さきに示したａ- Ｓｉを室温でエッチングする
際に、ヨウ素を０．０１５ｍｏｌ／ｌ添加しても、フッ
化水素酸および硝酸の濃度をそれぞれ０．５２ｍｏｌ／
ｌ，１．６ｍｏｌ／ｌとしなくてはならず、高濃度硝酸
に起因する問題点は解消されない。さらに、ヨウ素が図
４に示すように昇華しやすく解放系では容易に系外に出
てしまうために、エッチレートが１０時間で２５％も低
下してしまい、液の安定性が悪く管理上大きな問題であ
った。
【００１３】本発明の目的は、上記問題を解消するエッ
チング剤，このエッチング剤を用いたシリコン半導体部
材のエッチング方法，並びに洗浄剤，この洗浄剤を用い
たシリコン半導体部材表面の洗浄方法を提供することに
ある。
チング剤，このエッチング剤を用いたシリコン半導体部
材のエッチング方法，並びに洗浄剤，この洗浄剤を用い
たシリコン半導体部材表面の洗浄方法を提供することに
ある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、フッ化水素酸
と、Ｍｍ（ＩＯｎ）ｐ（Ｍは水素，または１〜３価の金
属またはＮＨ4 のうちのいずれか１種、ｍは１，２，３
または５、ｎは３，４または６、ｐは１，２または３）
で示されるヨウ素酸またはヨウ素酸塩化合物と、を含む
ことを特徴とするシリコン半導体部材のエッチング剤、
および、このエッチング剤を用いて、シリコン半導体部
材のエッチング処理を行うことを特徴とするシリコン半
導体部材のエッチング方法に関するものである。 さら
に、フッ化水素酸と、Ｍｍ（ＩＯｎ）ｐ（Ｍは水素，ま
たは１〜３価の金属またはＮＨ 4 のうちのいずれか１
種、ｍは１，２，３または５、ｎは３，４または６、ｐ
は１，２または３）で示されるヨウ素酸またはヨウ素酸
塩化合物と、を含むことを特徴とするシリコン半導体部
材の洗浄剤、およびこの洗浄剤を用いて、シリコン半導
体部材表面の洗浄処理を行うことを特徴とするシリコン
半導体部材の洗浄方法に関する。
と、Ｍｍ（ＩＯｎ）ｐ（Ｍは水素，または１〜３価の金
属またはＮＨ4 のうちのいずれか１種、ｍは１，２，３
または５、ｎは３，４または６、ｐは１，２または３）
で示されるヨウ素酸またはヨウ素酸塩化合物と、を含む
ことを特徴とするシリコン半導体部材のエッチング剤、
および、このエッチング剤を用いて、シリコン半導体部
材のエッチング処理を行うことを特徴とするシリコン半
導体部材のエッチング方法に関するものである。 さら
に、フッ化水素酸と、Ｍｍ（ＩＯｎ）ｐ（Ｍは水素，ま
たは１〜３価の金属またはＮＨ 4 のうちのいずれか１
種、ｍは１，２，３または５、ｎは３，４または６、ｐ
は１，２または３）で示されるヨウ素酸またはヨウ素酸
塩化合物と、を含むことを特徴とするシリコン半導体部
材の洗浄剤、およびこの洗浄剤を用いて、シリコン半導
体部材表面の洗浄処理を行うことを特徴とするシリコン
半導体部材の洗浄方法に関する。
【００１５】本発明のエッチング剤および洗浄剤に含ま
れるヨウ素酸あるいはヨウ素酸塩化合物としては、例え
ばヨウ素酸（ＨＩＯ3），ヨウ素酸カリウム（ＫＩ
Ｏ3），ヨウ素酸ナトリウム（ＮａＩＯ3），ヨウ素酸ア
ンモニウム（ＮＨ4ＩＯ3），ヨウ素酸カルシウム（Ｃａ
（ＩＯ3）2），ヨウ素酸マグネシウム（Ｍｇ（Ｉ
Ｏ3）2），ヨウ素酸アルミニウム（Ａｌ（ＩＯ3）3），
過ヨウ素酸（ＨＩＯ4），過ヨウ素酸リチウム（ＬｉＩ
Ｏ4），過ヨウ素酸カリウム（ＫＩＯ4），等があるが、
中でもヨウ素酸（ＨＩＯ3），ヨウ素酸カリウム（ＫＩ
Ｏ3）が取扱いやすく好適である。特に、ヨウ素酸（Ｈ
ＩＯ3）は、半導体材料の汚染源となる可能性のある金
属元素を含まないため、代表的な電子機器であるシリコ
ン半導体装置の構成部材のエッチング剤および洗浄剤と
して最適である。また、前記ヨウ素酸またはヨウ素酸塩
化合物以外にも、臭素酸（ＨＢｒＯ 3 ），臭素酸カリウ
ム（ＫＢｒＯ 3 ），臭素酸ナトリウム（ＮａＢｒＯ 3 ），
臭素酸アンモニウム（ＮＨ 4 ＢｒＯ 3 ），臭素酸カルシウ
ム（Ｃａ（ＢｒＯ 3 ） 2 ），臭素酸マグネシウム（Ｍｇ
（ＢｒＯ 3 ） 2 ），臭素酸カルシウム（Ｃａ（Ｂｒ
Ｏ 3 ） 2 ），臭素酸アルミニウム（Ａｌ（ＢｒＯ 3 ） 3 ），
過臭素酸（ＨＢｒＯ 4 ），過臭素酸リチウム（ＬｉＢｒ
Ｏ 4 ），過臭素酸カリウム（ＫＢｒＯ 4 ）が使用可能であ
り、特に臭素酸カリウム（ＫＢｒＯ 3 ）は取扱いやすく
好適である。
れるヨウ素酸あるいはヨウ素酸塩化合物としては、例え
ばヨウ素酸（ＨＩＯ3），ヨウ素酸カリウム（ＫＩ
Ｏ3），ヨウ素酸ナトリウム（ＮａＩＯ3），ヨウ素酸ア
ンモニウム（ＮＨ4ＩＯ3），ヨウ素酸カルシウム（Ｃａ
（ＩＯ3）2），ヨウ素酸マグネシウム（Ｍｇ（Ｉ
Ｏ3）2），ヨウ素酸アルミニウム（Ａｌ（ＩＯ3）3），
過ヨウ素酸（ＨＩＯ4），過ヨウ素酸リチウム（ＬｉＩ
Ｏ4），過ヨウ素酸カリウム（ＫＩＯ4），等があるが、
中でもヨウ素酸（ＨＩＯ3），ヨウ素酸カリウム（ＫＩ
Ｏ3）が取扱いやすく好適である。特に、ヨウ素酸（Ｈ
ＩＯ3）は、半導体材料の汚染源となる可能性のある金
属元素を含まないため、代表的な電子機器であるシリコ
ン半導体装置の構成部材のエッチング剤および洗浄剤と
して最適である。また、前記ヨウ素酸またはヨウ素酸塩
化合物以外にも、臭素酸（ＨＢｒＯ 3 ），臭素酸カリウ
ム（ＫＢｒＯ 3 ），臭素酸ナトリウム（ＮａＢｒＯ 3 ），
臭素酸アンモニウム（ＮＨ 4 ＢｒＯ 3 ），臭素酸カルシウ
ム（Ｃａ（ＢｒＯ 3 ） 2 ），臭素酸マグネシウム（Ｍｇ
（ＢｒＯ 3 ） 2 ），臭素酸カルシウム（Ｃａ（Ｂｒ
Ｏ 3 ） 2 ），臭素酸アルミニウム（Ａｌ（ＢｒＯ 3 ） 3 ），
過臭素酸（ＨＢｒＯ 4 ），過臭素酸リチウム（ＬｉＢｒ
Ｏ 4 ），過臭素酸カリウム（ＫＢｒＯ 4 ）が使用可能であ
り、特に臭素酸カリウム（ＫＢｒＯ 3 ）は取扱いやすく
好適である。
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【００２１】
【００２２】
【００２３】
【作用】本発明のエッチング剤において、Ｍｍ（ＩＯ
ｎ）ｐ（Ｍは水素，または１〜３価の金属またはＮＨ 4
のうちのいずれか１種、ｍは１，２，３または５、ｎは
３，４または６、ｐは１，２または３）で示されるヨウ
素酸、あるいはヨウ素酸塩化合物は、強力な酸化剤とし
て働き、シリコン半導体部材の表面を酸化物に変える。
ついでこれらの酸化物がフッ化水素酸により溶解され
る。このため、本エッチング剤はシリコン半導体部材表
面を除去する工程に有効に作用する。
ｎ）ｐ（Ｍは水素，または１〜３価の金属またはＮＨ 4
のうちのいずれか１種、ｍは１，２，３または５、ｎは
３，４または６、ｐは１，２または３）で示されるヨウ
素酸、あるいはヨウ素酸塩化合物は、強力な酸化剤とし
て働き、シリコン半導体部材の表面を酸化物に変える。
ついでこれらの酸化物がフッ化水素酸により溶解され
る。このため、本エッチング剤はシリコン半導体部材表
面を除去する工程に有効に作用する。
【００２４】この際、発熱したり副生成物として気体が
発生することはないし、ヨウ素酸またはヨウ素酸塩化合
物などのオキソ酸、あるいはオキソ酸塩化合物は、昇華
性が無いため本エッチング剤は長期間安定である。
発生することはないし、ヨウ素酸またはヨウ素酸塩化合
物などのオキソ酸、あるいはオキソ酸塩化合物は、昇華
性が無いため本エッチング剤は長期間安定である。
【００２５】また、通常のパーフルオロアルコキシフッ
素樹脂（ＰＦＡ）の配管を透過することが無い。また、
エッチング剤の成分として有機系の化合物を用いなくて
も、シリコン半導体部材表面のエッチングが可能であ
り、この場合、排水のＣＯＤ値を高くすることがない。
素樹脂（ＰＦＡ）の配管を透過することが無い。また、
エッチング剤の成分として有機系の化合物を用いなくて
も、シリコン半導体部材表面のエッチングが可能であ
り、この場合、排水のＣＯＤ値を高くすることがない。
【００２６】請求項２記載の部材表面のエッチング処理
方法は上記構成としたために、処理過程で本エッチング
剤に起因する発熱や気体の発生が無く、有効成分の組成
変動もなく長期間エッチング速度が安定なエッチング処
理ができる。
方法は上記構成としたために、処理過程で本エッチング
剤に起因する発熱や気体の発生が無く、有効成分の組成
変動もなく長期間エッチング速度が安定なエッチング処
理ができる。
【００２７】また、処理装置として通常のパーフルオロ
アルコキシフッ素樹脂（ＰＦＡ）の配管を用いることが
可能となり、さらにはエッチング剤中に有機系の化合物
が含まれていない場合には、排水のＣＯＤ値を高くする
ことがない。
アルコキシフッ素樹脂（ＰＦＡ）の配管を用いることが
可能となり、さらにはエッチング剤中に有機系の化合物
が含まれていない場合には、排水のＣＯＤ値を高くする
ことがない。
【００２８】
【００２９】代表的電子装置である半導体装置の半導体
材料であるシリコン表面に対して、オキソ酸としてヨウ
素酸を用いた本エッチング剤で、エッチング処理をした
場合の反応式を化２に示した。
材料であるシリコン表面に対して、オキソ酸としてヨウ
素酸を用いた本エッチング剤で、エッチング処理をした
場合の反応式を化２に示した。
【００３０】
【化２】５Ｓｉ＋４ＨＩＯ3 ＋３０ＨＦ→５Ｈ2 ＳｉＦ
6 ＋２Ｉ2 ＋１２Ｈ2 Ｏ
6 ＋２Ｉ2 ＋１２Ｈ2 Ｏ
【００３１】この際、副生成物として気体が発生するこ
とはなく、ヨウ素が生成するが、これは容易に系外に除
去可能であるし、ヨウ素酸に代表されるオキソ酸または
オキソ酸塩化合物は、昇華性が無いため本エッチング剤
は長期間安定である。
とはなく、ヨウ素が生成するが、これは容易に系外に除
去可能であるし、ヨウ素酸に代表されるオキソ酸または
オキソ酸塩化合物は、昇華性が無いため本エッチング剤
は長期間安定である。
【００３２】また、通常のパーフルオロアルコキシフッ
素樹脂（ＰＦＡ）の配管を透過することが無い。また、
エッチング剤の成分として有機系の化合物を用いなくて
も、シリコン半導体部材表面のエッチングが可能であ
り、この場合、排水のＣＯＤ値が高くなることがないう
えに、エッチング処理工程で用いられるフォトレジスト
に対する影響も全く認められなかった。
素樹脂（ＰＦＡ）の配管を透過することが無い。また、
エッチング剤の成分として有機系の化合物を用いなくて
も、シリコン半導体部材表面のエッチングが可能であ
り、この場合、排水のＣＯＤ値が高くなることがないう
えに、エッチング処理工程で用いられるフォトレジスト
に対する影響も全く認められなかった。
【００３３】請求項３記載の洗浄剤を使用した場合、ヨ
ウ素酸、あるいはヨウ素酸塩化合物が強力な酸化剤とし
て働き、シリコン半導体部材表面に形成された汚染物を
酸化物に変える。ついでこれらの酸化物がフッ化水素酸
により溶解される。このため、本洗浄剤はシリコン半導
体部材表面を清浄にする工程に有効に作用する。
ウ素酸、あるいはヨウ素酸塩化合物が強力な酸化剤とし
て働き、シリコン半導体部材表面に形成された汚染物を
酸化物に変える。ついでこれらの酸化物がフッ化水素酸
により溶解される。このため、本洗浄剤はシリコン半導
体部材表面を清浄にする工程に有効に作用する。
【００３４】この際、請求項１記載のエッチング剤と同
様に、発熱したり副生成物として気体が発生することは
ないし、オキソ酸またはオキソ酸塩化合物は、昇華性が
無いため本洗浄剤は長期間安定である。
様に、発熱したり副生成物として気体が発生することは
ないし、オキソ酸またはオキソ酸塩化合物は、昇華性が
無いため本洗浄剤は長期間安定である。
【００３５】また、通常のパーフルオロアルコキシフッ
素樹脂（ＰＦＡ）の配管を透過することが無い。また、
洗浄剤の成分として有機系の化合物を用いなくても、シ
リコン半導体部材表面の洗浄が可能であり、この場合、
排水のＣＯＤ値を高くすることがない。
素樹脂（ＰＦＡ）の配管を透過することが無い。また、
洗浄剤の成分として有機系の化合物を用いなくても、シ
リコン半導体部材表面の洗浄が可能であり、この場合、
排水のＣＯＤ値を高くすることがない。
【００３６】この時の表面の汚染物と、オキソ酸として
ヨウ素酸を用いた場合の反応式は、化２のＳｉ元素を該
当する汚染物元素に置き換えたものとなる。
ヨウ素酸を用いた場合の反応式は、化２のＳｉ元素を該
当する汚染物元素に置き換えたものとなる。
【００３７】また、この洗浄剤を使用したシリコン半導
体部材表面の洗浄方法は、前記のエッチング方法の処理
過程と同様に、処理過程で本洗浄剤に起因する発熱や気
体の発生が無く、有効成分の組成変動もなく長期間安定
な洗浄速度で洗浄処理ができる。よって、シリコン半導
体部材の製造工程において効果的に使用できる。また、
この洗浄剤はシリコン半導体装置の製造に使用される器
具の表面に形成されている汚染物の洗浄にも使用でき
る。
体部材表面の洗浄方法は、前記のエッチング方法の処理
過程と同様に、処理過程で本洗浄剤に起因する発熱や気
体の発生が無く、有効成分の組成変動もなく長期間安定
な洗浄速度で洗浄処理ができる。よって、シリコン半導
体部材の製造工程において効果的に使用できる。また、
この洗浄剤はシリコン半導体装置の製造に使用される器
具の表面に形成されている汚染物の洗浄にも使用でき
る。
【００３８】また、処理装置として通常のパーフルオロ
アルコキシフッ素樹脂（ＰＦＡ）の配管を用いることが
可能となり、さらには洗浄剤の成分として有機系の化合
物が含まれていない場合には、排水のＣＯＤ値を高くす
ることがない。
アルコキシフッ素樹脂（ＰＦＡ）の配管を用いることが
可能となり、さらには洗浄剤の成分として有機系の化合
物が含まれていない場合には、排水のＣＯＤ値を高くす
ることがない。
【００３９】
【００４０】
【００４１】
【００４２】この時のシリコン半導体部材表面の汚染物
と、Ｍｍ（ＩＯｎ）ｐで示されるヨウ素酸あるいはヨウ
素酸塩化合物として、ＨＩＯ 3 を用いた場合の反応式
は、化２のＳｉ元素を該当する汚染物元素に置き換えた
ものとなる。この際も、化２と同様に副生成物として気
体が発生することはなく、ヨウ素が生成するが、これは
同様に容易に系外に除去可能である。
と、Ｍｍ（ＩＯｎ）ｐで示されるヨウ素酸あるいはヨウ
素酸塩化合物として、ＨＩＯ 3 を用いた場合の反応式
は、化２のＳｉ元素を該当する汚染物元素に置き換えた
ものとなる。この際も、化２と同様に副生成物として気
体が発生することはなく、ヨウ素が生成するが、これは
同様に容易に系外に除去可能である。
【００４３】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。 （実施例１）テフロン容器中で、純水にフッ化水素酸
（ダイキン工業製ＥＬグレード）とヨウ素酸（ＨＩ
Ｏ3 ）（和光純薬製特級試薬）とを、それぞれの濃度が
０．５２ｍｏｌ／ｌ，０．０４ｍｏｌ／ｌとなるように
入れ、エッチング剤を調整した。
（ダイキン工業製ＥＬグレード）とヨウ素酸（ＨＩ
Ｏ3 ）（和光純薬製特級試薬）とを、それぞれの濃度が
０．５２ｍｏｌ／ｌ，０．０４ｍｏｌ／ｌとなるように
入れ、エッチング剤を調整した。
【００４４】このエッチング剤に、Ｐ−ＣＶＤにより表
面にａ- Ｓｉ膜を形成した基板を浸漬して室温でのエッ
チレートを測定したところ、毎分２０００オングストロ
ームでエッチングされており、優れたエッチング剤であ
ることが確認された。この表面処理の最中には、発熱や
気体の発生はいっさい認められず、ヨウ素に起因する溶
液の色の変化が認められただけであり、処理過程での環
境保全のために特別な処理装置の設置が不要であること
が確認されたと同時に、前記化２が正しいことがわかっ
た。
面にａ- Ｓｉ膜を形成した基板を浸漬して室温でのエッ
チレートを測定したところ、毎分２０００オングストロ
ームでエッチングされており、優れたエッチング剤であ
ることが確認された。この表面処理の最中には、発熱や
気体の発生はいっさい認められず、ヨウ素に起因する溶
液の色の変化が認められただけであり、処理過程での環
境保全のために特別な処理装置の設置が不要であること
が確認されたと同時に、前記化２が正しいことがわかっ
た。
【００４５】このエッチング剤のＣＯＤ値を測定したと
ころ、前記化２より予想されたことではあるが、測定限
界以下であり、このエッチング剤を廃棄する際に、排水
のＣＯＤ値が高くならないような特別な廃液処理が必要
無いことが確認された。
ころ、前記化２より予想されたことではあるが、測定限
界以下であり、このエッチング剤を廃棄する際に、排水
のＣＯＤ値が高くならないような特別な廃液処理が必要
無いことが確認された。
【００４６】またこのエッチング剤を、硝酸は透過して
しまうパーフルオロアルコキシフッ素樹脂（ＰＦＡ）製
で内径１０ｍｍの配管系を用いて１ｋｇ／ｃｍ2 の送圧
で６ケ月間循環させたが、エッチング剤の成分が外部に
しみ出したり、配管が変色する等の異常は認められなか
った。
しまうパーフルオロアルコキシフッ素樹脂（ＰＦＡ）製
で内径１０ｍｍの配管系を用いて１ｋｇ／ｃｍ2 の送圧
で６ケ月間循環させたが、エッチング剤の成分が外部に
しみ出したり、配管が変色する等の異常は認められなか
った。
【００４７】このエッチング剤の、大気解放保存でのエ
ッチレートの変化具合いを図１に示した。図１で、縦軸
は室温でのａ- Ｓｉのエッチレート（オングストローム
／分）を、横軸は大気解放保存期間（時間）を示してい
る。図中の△は、本実施例に示した表面処理剤を用いた
結果であり、□は従来の技術の例として組成を示したヨ
ウ素を添加したヨウ素エッチ液を用いた結果である。
ッチレートの変化具合いを図１に示した。図１で、縦軸
は室温でのａ- Ｓｉのエッチレート（オングストローム
／分）を、横軸は大気解放保存期間（時間）を示してい
る。図中の△は、本実施例に示した表面処理剤を用いた
結果であり、□は従来の技術の例として組成を示したヨ
ウ素を添加したヨウ素エッチ液を用いた結果である。
【００４８】従来のヨウ素エッチ液では、課題の項にも
示したように、１０時間保存後に約２５％のエッチレー
トの低下が認められたが、本発明のエッチング剤では、
１００時間保存した後でもほとんどエッチレートの低下
は認められなかった。
示したように、１０時間保存後に約２５％のエッチレー
トの低下が認められたが、本発明のエッチング剤では、
１００時間保存した後でもほとんどエッチレートの低下
は認められなかった。
【００４９】本実施例で示したエッチング剤と同様の成
分で、組成を変えてｃ- Ｓｉとａ-Ｓｉのエッチレート
を測定した実験結果を、図５及び図６に示した。
分で、組成を変えてｃ- Ｓｉとａ-Ｓｉのエッチレート
を測定した実験結果を、図５及び図６に示した。
【００５０】図５ではヨウ素酸の濃度を０．０４ｍｏｌ
／ｌに固定し、フッ化水素酸の濃度を変化させたときの
室温でのｃ- Ｓｉのエッチレートを○で、ａ- Ｓｉのエ
ッチレートを△で示した。この結果エッチレートはとも
にフッ化水素酸濃度に比例しており、所望のエッチレー
トを有するエッチング剤が容易に得られることが分か
る。
／ｌに固定し、フッ化水素酸の濃度を変化させたときの
室温でのｃ- Ｓｉのエッチレートを○で、ａ- Ｓｉのエ
ッチレートを△で示した。この結果エッチレートはとも
にフッ化水素酸濃度に比例しており、所望のエッチレー
トを有するエッチング剤が容易に得られることが分か
る。
【００５１】図６ではフッ化水素酸濃度を０．５２ｍｏ
ｌ／ｌに固定し、ヨウ素酸の濃度を変化させたときの室
温でのｃ- Ｓｉのエッチレートを○で、ａ- Ｓｉのエッ
チレートを△で示した。この結果ヨウ素酸濃度が高くな
るに従いエッチレートは大きくなるが、ヨウ素酸濃度が
約０．０５ｍｏｌ／ｌ以上ではエッチレートはほぼ一定
になることが分かった。、
ｌ／ｌに固定し、ヨウ素酸の濃度を変化させたときの室
温でのｃ- Ｓｉのエッチレートを○で、ａ- Ｓｉのエッ
チレートを△で示した。この結果ヨウ素酸濃度が高くな
るに従いエッチレートは大きくなるが、ヨウ素酸濃度が
約０．０５ｍｏｌ／ｌ以上ではエッチレートはほぼ一定
になることが分かった。、
【００５２】図５及び図６に示したいずれの組成のエッ
チング剤でも、従来のエッチング剤での課題であった問
題点（処理時に発熱すること・気体が発生すること・Ｃ
ＯＤ対策としての排水処理が必須であること・ＰＦＡ配
管を透過してしまうこと・エッチレートが経時変化して
しまうこと）は、全く発生していないことが確認され
た。
チング剤でも、従来のエッチング剤での課題であった問
題点（処理時に発熱すること・気体が発生すること・Ｃ
ＯＤ対策としての排水処理が必須であること・ＰＦＡ配
管を透過してしまうこと・エッチレートが経時変化して
しまうこと）は、全く発生していないことが確認され
た。
【００５３】（実施例２） フッ化水素酸とともに用いる試薬として、ＨＩＯ 3 ，Ｋ
ＩＯ 3 ，ＫＢｒＯ 3 を用いてａ−Ｓｉをエッチングした実
験結果を下記表１に示した。
ＩＯ 3 ，ＫＢｒＯ 3 を用いてａ−Ｓｉをエッチングした実
験結果を下記表１に示した。
【００５４】
【表１】
【００５５】上記表１に示したように、ＨＩＯ 3 ，ＫＩ
Ｏ 3 といったヨウ素酸、ヨウ素酸塩化合物あるいはＫＢ
ｒＯ 3 が、フッ化水素酸に添加される化合物として有効
であることが分かった。
Ｏ 3 といったヨウ素酸、ヨウ素酸塩化合物あるいはＫＢ
ｒＯ 3 が、フッ化水素酸に添加される化合物として有効
であることが分かった。
【００５６】（実施例３）実施例１及び２で示したエッ
チング剤を用いてｃ- Ｓｉ及びａ- Ｓｉをエッチングし
た時のエッチレートと、プラズマＣＶＤで成膜した窒化
シリコン膜に対するａ- Ｓｉのエッチング選択比とを下
記表２に示した。なお前記表１に示したエッチング剤と
同一のエッチング剤を、同一の”Ｎｏ”で示した。
チング剤を用いてｃ- Ｓｉ及びａ- Ｓｉをエッチングし
た時のエッチレートと、プラズマＣＶＤで成膜した窒化
シリコン膜に対するａ- Ｓｉのエッチング選択比とを下
記表２に示した。なお前記表１に示したエッチング剤と
同一のエッチング剤を、同一の”Ｎｏ”で示した。
【００５７】
【表２】
【００５８】この様に、本発明のエッチング剤では各シ
リコンに対して充分なエッチレートが得られる上、絶縁
物である窒化シリコンに対し充分なエッチング選択比が
得られることが分かった。但し、上記表２で示されてい
るように、ＨＩＯ 3 ，ＫＩＯ 3 といったヨウ素酸、あるい
はヨウ素酸塩化合物を使用したときの方が、ＫＢｒＯ 3
を使用したときよりもエッチレートが大きいので、ＨＩ
Ｏ 3 ，ＫＩＯ 3 などのヨウ素酸、あるいはヨウ素酸塩化合
物を使用することがより好ましい。
リコンに対して充分なエッチレートが得られる上、絶縁
物である窒化シリコンに対し充分なエッチング選択比が
得られることが分かった。但し、上記表２で示されてい
るように、ＨＩＯ 3 ，ＫＩＯ 3 といったヨウ素酸、あるい
はヨウ素酸塩化合物を使用したときの方が、ＫＢｒＯ 3
を使用したときよりもエッチレートが大きいので、ＨＩ
Ｏ 3 ，ＫＩＯ 3 などのヨウ素酸、あるいはヨウ素酸塩化合
物を使用することがより好ましい。
【００５９】（実施例３）実施例１に示したエッチング
剤（フッ化水素酸とヨウ素酸の濃度は、それぞれ０．５
２ｍｏｌ／ｌ，０．０４ｍｏｌ／ｌ）を作成した。また
Ｐ−ＣＶＤにより表面にａ- Ｓｉ膜を形成した石英基板
の表面に、フォトレジスト（東京応化製ＯＦＰＲ８０
０）を用いて５μｍのラインアンドスペースの微細パタ
ーンを形成して、試料を作成した。この試料を、前記エ
ッチング剤に浸漬処理してａ- Ｓｉのパターン出しエッ
チング加工をした。
剤（フッ化水素酸とヨウ素酸の濃度は、それぞれ０．５
２ｍｏｌ／ｌ，０．０４ｍｏｌ／ｌ）を作成した。また
Ｐ−ＣＶＤにより表面にａ- Ｓｉ膜を形成した石英基板
の表面に、フォトレジスト（東京応化製ＯＦＰＲ８０
０）を用いて５μｍのラインアンドスペースの微細パタ
ーンを形成して、試料を作成した。この試料を、前記エ
ッチング剤に浸漬処理してａ- Ｓｉのパターン出しエッ
チング加工をした。
【００６０】この結果を図７に示したが、フォトレジス
ト３のａ- Ｓｉ２に対する密着性の劣化に起因するサイ
ドエッチは発生していないことが確認された。
ト３のａ- Ｓｉ２に対する密着性の劣化に起因するサイ
ドエッチは発生していないことが確認された。
【００６１】また本エッチング剤は、フォトレジスト３
に対する溶解作用も全く認められなかった。
に対する溶解作用も全く認められなかった。
【００６２】（実施例４）テフロン容器中で、純水にフ
ッ化水素酸（ダイキン工業製ＥＬグレード）とヨウ素酸
（ＨＩＯ3 ）（和光純薬製特級試薬）とを、それぞれの
濃度が１．０ｍｏｌ／ｌ，０．１５ｍｏｌ／ｌとなるよ
うに入れ、洗浄剤を調整した。この洗浄剤に、表面が鏡
面研磨されたステンレス（ＳＵＳ３０６）製の板状の部
材を浸漬して、表面の洗浄処理を行った。板状部材の表
面の清浄度の評価として、純水の表面接触角を測定（協
和界面科学製接触角計使用）した。この結果、洗浄処理
前が３０゜であったのに対して、洗浄処理後は１０゜と
なり、表面の清浄度が明らかに向上していることが確認
された。
ッ化水素酸（ダイキン工業製ＥＬグレード）とヨウ素酸
（ＨＩＯ3 ）（和光純薬製特級試薬）とを、それぞれの
濃度が１．０ｍｏｌ／ｌ，０．１５ｍｏｌ／ｌとなるよ
うに入れ、洗浄剤を調整した。この洗浄剤に、表面が鏡
面研磨されたステンレス（ＳＵＳ３０６）製の板状の部
材を浸漬して、表面の洗浄処理を行った。板状部材の表
面の清浄度の評価として、純水の表面接触角を測定（協
和界面科学製接触角計使用）した。この結果、洗浄処理
前が３０゜であったのに対して、洗浄処理後は１０゜と
なり、表面の清浄度が明らかに向上していることが確認
された。
【００６３】本洗浄処理中に、従来の洗浄剤での課題で
あった問題点（処理時に発熱すること・気体が発生する
こと・ＣＯＤ対策としての排水処理が必須であること・
ＰＦＡ配管を透過してしまうこと・エッチレートが経時
変化してしまうこと）は、全く発生していないことが確
認された。
あった問題点（処理時に発熱すること・気体が発生する
こと・ＣＯＤ対策としての排水処理が必須であること・
ＰＦＡ配管を透過してしまうこと・エッチレートが経時
変化してしまうこと）は、全く発生していないことが確
認された。
【００６４】本板状部材および同様の洗浄処理を施した
部材を用いて、真空機器のチャンバー部分を組立て製造
したところ、この真空機器の真空度は、２×１０-7Ｔｏ
ｒｒであった。この性能は、従来の洗浄剤を用いた洗浄
処理を施した部材を用いて組立製造した機器と、遜色無
いものであり、本洗浄剤を用いた部材の洗浄処理工程が
当該機器の製造方法として有効であることが分かった。
部材を用いて、真空機器のチャンバー部分を組立て製造
したところ、この真空機器の真空度は、２×１０-7Ｔｏ
ｒｒであった。この性能は、従来の洗浄剤を用いた洗浄
処理を施した部材を用いて組立製造した機器と、遜色無
いものであり、本洗浄剤を用いた部材の洗浄処理工程が
当該機器の製造方法として有効であることが分かった。
【００６５】（実施例５）実施例１に示したエッチング
剤（フッ化水素酸とヨウ素酸の濃度は、それぞれ０．５
２ｍｏｌ／ｌ，０．０４ｍｏｌ／ｌ）と同じ成分組成の
洗浄剤を作成した。この洗浄剤に、表面が研磨されたガ
ラス（コーニング製＃７０５９）製の板状の部材を浸漬
して、表面の洗浄処理を行った。板状部材の表面の清浄
度の評価として、前記実施例４と同様に純水の表面接触
角を測定した。この結果、洗浄処理前が３０゜であった
のに対して、洗浄処理後は１０゜となり、表面の清浄度
が明らかに向上しており、本洗浄剤を用いた洗浄方法が
有効であることが確認された。
剤（フッ化水素酸とヨウ素酸の濃度は、それぞれ０．５
２ｍｏｌ／ｌ，０．０４ｍｏｌ／ｌ）と同じ成分組成の
洗浄剤を作成した。この洗浄剤に、表面が研磨されたガ
ラス（コーニング製＃７０５９）製の板状の部材を浸漬
して、表面の洗浄処理を行った。板状部材の表面の清浄
度の評価として、前記実施例４と同様に純水の表面接触
角を測定した。この結果、洗浄処理前が３０゜であった
のに対して、洗浄処理後は１０゜となり、表面の清浄度
が明らかに向上しており、本洗浄剤を用いた洗浄方法が
有効であることが確認された。
【００６６】本洗浄処理中にも、前記実施例４における
処理時と同様に、従来の洗浄剤での課題であった問題点
（処理時に発熱すること・気体が発生すること・ＣＯＤ
対策としての排水処理が必須であること・ＰＦＡ配管を
透過してしまうこと・エッチレートが経時変化してしま
うこと）は、全く発生していないことが確認された。
処理時と同様に、従来の洗浄剤での課題であった問題点
（処理時に発熱すること・気体が発生すること・ＣＯＤ
対策としての排水処理が必須であること・ＰＦＡ配管を
透過してしまうこと・エッチレートが経時変化してしま
うこと）は、全く発生していないことが確認された。
【００６７】（実施例６）実施例５に示した洗浄剤（フ
ッ化水素酸とヨウ素酸の濃度は、それぞれ０．５２ｍｏ
ｌ／ｌ，０．０４ｍｏｌ／ｌ）と同じ成分組成の洗浄剤
を作成した。この洗浄剤に、石英製の器具を浸漬して、
表面の洗浄処理を行った。器具の表面の清浄度の評価と
して、前記実施例４と同様に純水の表面接触角を測定し
た。この結果、洗浄処理前が３０゜であったのに対し
て、洗浄処理後は７゜となり、表面の清浄度が明らかに
向上しており、本洗浄剤を用いた器具の洗浄方法が有効
であることが確認された。
ッ化水素酸とヨウ素酸の濃度は、それぞれ０．５２ｍｏ
ｌ／ｌ，０．０４ｍｏｌ／ｌ）と同じ成分組成の洗浄剤
を作成した。この洗浄剤に、石英製の器具を浸漬して、
表面の洗浄処理を行った。器具の表面の清浄度の評価と
して、前記実施例４と同様に純水の表面接触角を測定し
た。この結果、洗浄処理前が３０゜であったのに対し
て、洗浄処理後は７゜となり、表面の清浄度が明らかに
向上しており、本洗浄剤を用いた器具の洗浄方法が有効
であることが確認された。
【００６８】本洗浄処理中にも、前記実施例５における
処理時と同様に、従来の洗浄剤での課題であった問題点
（処理時に発熱すること・気体が発生すること・ＣＯＤ
対策としての排水処理が必須であること・ＰＦＡ配管を
透過してしまうこと・エッチレートが経時変化してしま
うこと）は、全く発生していないことが確認された。
処理時と同様に、従来の洗浄剤での課題であった問題点
（処理時に発熱すること・気体が発生すること・ＣＯＤ
対策としての排水処理が必須であること・ＰＦＡ配管を
透過してしまうこと・エッチレートが経時変化してしま
うこと）は、全く発生していないことが確認された。
【００６９】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明に記載
のエッチング剤及び洗浄剤は、溶液中にフッ化水素酸
と、Ｍｍ（ＩＯｎ）ｐ（Ｍは水素，または１〜３価の金
属またはＮＨ4 のうちのいずれか１種、ｍは１，２，３
または５、ｎは３，４または６、ｐは１，２または３）
で示されるヨウ素酸またはヨウ素酸塩化合物とを含むた
め、ヨウ素酸またはヨウ素酸塩化合物が強力な酸化剤と
して働き、シリコン半導体部材表面またはシリコン半導
体部材表面に形成された汚染物を酸化物に変える。つい
でこれらの酸化物がフッ化水素酸により溶解される。こ
のため、本エッチング剤及び洗浄剤を用いたエッチング
方法および洗浄方法は、シリコン半導体部材表面の所望
の部分のエッチング処理またはシリコン半導体部材表面
に形成された汚染物を除去するという効果を有する。
のエッチング剤及び洗浄剤は、溶液中にフッ化水素酸
と、Ｍｍ（ＩＯｎ）ｐ（Ｍは水素，または１〜３価の金
属またはＮＨ4 のうちのいずれか１種、ｍは１，２，３
または５、ｎは３，４または６、ｐは１，２または３）
で示されるヨウ素酸またはヨウ素酸塩化合物とを含むた
め、ヨウ素酸またはヨウ素酸塩化合物が強力な酸化剤と
して働き、シリコン半導体部材表面またはシリコン半導
体部材表面に形成された汚染物を酸化物に変える。つい
でこれらの酸化物がフッ化水素酸により溶解される。こ
のため、本エッチング剤及び洗浄剤を用いたエッチング
方法および洗浄方法は、シリコン半導体部材表面の所望
の部分のエッチング処理またはシリコン半導体部材表面
に形成された汚染物を除去するという効果を有する。
【００７０】またこのような効果を有するエッチング処
理方法および洗浄処理方法は電子部品や機器の製造方法
として活用することができる。
理方法および洗浄処理方法は電子部品や機器の製造方法
として活用することができる。
【００７１】この際、副生成物として毒性を有する気体
が発生することがなく、これを処理するための特別な処
理装置が不要となるという顕著な効果を奏する。
が発生することがなく、これを処理するための特別な処
理装置が不要となるという顕著な効果を奏する。
【００７２】また処理過程で、気体が発生しないため、
半導体部材等のエッチング処理時の微細なパターンの形
成にも十分適用できるという顕著な効果を奏する。
半導体部材等のエッチング処理時の微細なパターンの形
成にも十分適用できるという顕著な効果を奏する。
【００７３】さらに、本エッチング剤はフォトレジスト
の変質やフォトレジストと被処理物との間の密着性の劣
化を引き起こさないため、サイドエッチングが殆ど発生
せず、微細なパターンを得ることができるという顕著な
効果を奏する。。
の変質やフォトレジストと被処理物との間の密着性の劣
化を引き起こさないため、サイドエッチングが殆ど発生
せず、微細なパターンを得ることができるという顕著な
効果を奏する。。
【００７４】またエッチング処理並びに洗浄処理中に発
熱することがないため、処理表面での正確な温度コント
ロールが容易にできるという顕著な効果を奏し、この点
からもエッチング処理時においては、微細なパターンの
加工にも十分適用できるばかりでなく、本エッチング剤
や本洗浄剤を用いた電子装置等を製造する際の構成部材
表面のエッチング処理や、機器を製造する際の板材やス
テンレス配管等からなる構成部材の表面の洗浄処理、さ
らには工程で使用する器具の洗浄処理等にあっても、十
分安全であり防災のための特別な設備は必要ない。
熱することがないため、処理表面での正確な温度コント
ロールが容易にできるという顕著な効果を奏し、この点
からもエッチング処理時においては、微細なパターンの
加工にも十分適用できるばかりでなく、本エッチング剤
や本洗浄剤を用いた電子装置等を製造する際の構成部材
表面のエッチング処理や、機器を製造する際の板材やス
テンレス配管等からなる構成部材の表面の洗浄処理、さ
らには工程で使用する器具の洗浄処理等にあっても、十
分安全であり防災のための特別な設備は必要ない。
【００７５】またオキソ酸またはオキソ酸塩化合物は、
昇華性が無いため本エッチング剤および洗浄剤は長期間
安定であり、非常に管理がやりやすいという顕著な効果
を奏する。
昇華性が無いため本エッチング剤および洗浄剤は長期間
安定であり、非常に管理がやりやすいという顕著な効果
を奏する。
【００７６】そのうえ通常のパーフルオロアルコキシフ
ッ素樹脂（ＰＦＡ）のチューブを透過することが無いた
め、特別な配管を用いる必要がなく生産工場の管理が非
常にやりやすくなるという顕著な効果を奏する。
ッ素樹脂（ＰＦＡ）のチューブを透過することが無いた
め、特別な配管を用いる必要がなく生産工場の管理が非
常にやりやすくなるという顕著な効果を奏する。
【００７７】さらに、エッチング剤および洗浄剤の成分
として有機系の化合物を用いなくても、エッチングおよ
び洗浄が可能である。このように有機系化合物を用いな
い場合、排水のＣＯＤ値を高くすることがなく、特別な
廃液処理設備が必要ないという顕著な効果を奏する。
として有機系の化合物を用いなくても、エッチングおよ
び洗浄が可能である。このように有機系化合物を用いな
い場合、排水のＣＯＤ値を高くすることがなく、特別な
廃液処理設備が必要ないという顕著な効果を奏する。
【００７８】また、代表的な電子装置であるシリコン半
導体装置の製造工程において、本エッチング剤では上記
したように酢酸等の有機系の成分を用いなくてもよく、
フォトレジストにダメージを与えることがない。このた
めフォトレジスト溶解部分が発生することがなく、フォ
トレジストをポーラスな膜にすることがないため、微細
なパターンの形成にも適用できるという顕著な効果を奏
する。
導体装置の製造工程において、本エッチング剤では上記
したように酢酸等の有機系の成分を用いなくてもよく、
フォトレジストにダメージを与えることがない。このた
めフォトレジスト溶解部分が発生することがなく、フォ
トレジストをポーラスな膜にすることがないため、微細
なパターンの形成にも適用できるという顕著な効果を奏
する。
【図１】実施例１と従来例のエッチレートの経時変化を
示す図
示す図
【図２】従来例によるサイドエッチを示す断面略図
【図３】従来例のフォトレジストに対するダメージを示
す断面略図
す断面略図
【図４】従来のヨウ素エッチ液のヨウ素濃度の経時変化
を示す図
を示す図
【図５】実施例１のフッ化水素酸濃度とエッチレートと
の関係を示す図
の関係を示す図
【図６】実施例１のヨウ素酸濃度とエッチレートとの関
係を示す図
係を示す図
【図７】実施例１による加工状態を示す断面略図
１ 基板 ２ ａ- Ｓｉ ３ フォトレジスト ４ フォトレジスト溶解部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 笠間 泰彦 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アル プス電気株式会社内 (72)発明者 阿部 章 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アル プス電気株式会社内 (72)発明者 中村 功 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アル プス電気株式会社内 (72)発明者 大見 忠弘 宮城県仙台市青葉区米ヶ袋２−１−17− 301 (72)発明者 荻野 和子 宮城県仙台市青葉区子平町16−30 (56)参考文献 特公 昭47−35652（ＪＰ，Ｂ１) 特公 昭41−18934（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (4)
- 【請求項１】 フッ化水素酸と、Ｍｍ（ＩＯｎ）ｐ（Ｍ
は水素，または１〜３価の金属またはＮＨ4 のうちのい
ずれか１種、ｍは１，２，３または５、ｎは３，４また
は６、ｐは１，２または３）で示されるヨウ素酸または
ヨウ素酸塩化合物と、を含むことを特徴とするシリコン
半導体部材のエッチング剤。 - 【請求項２】 請求項１記載のエッチング剤を用いて、
シリコン半導体部材のエッチング処理を行うことを特徴
とするシリコン半導体部材のエッチング方法。 - 【請求項３】 フッ化水素酸と、Ｍｍ（ＩＯｎ）ｐ（Ｍ
は水素，または１〜３価の金属またはＮＨ 4 のうちのい
ずれか１種、ｍは１，２，３または５、ｎは３，４また
は６、ｐは１，２または３）で示されるヨウ素酸または
ヨウ素酸塩化合物と、を含むことを特徴とするシリコン
半導体部材の洗浄剤。 - 【請求項４】 請求項３記載の洗浄剤を用いて、シリコ
ン半導体部材表面の洗浄処理を行うことを特徴とするシ
リコン半導体部材の洗浄方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4285338A JP2681433B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | エッチング剤およびこのエッチング剤を使用するシリコン半導体部材のエッチング方法、および洗浄剤およびこの洗浄剤を使用するシリコン半導体部材の洗浄方法 |
| KR1019930020137A KR0140688B1 (ko) | 1992-09-30 | 1993-09-28 | 에칭제, 세정제 및 기기의 제조방법 |
| US08/128,419 US5409569A (en) | 1992-09-30 | 1993-09-28 | Etchant, detergent and device/apparatus manufacturing method |
| TW082110968A TW260810B (ja) | 1992-09-30 | 1993-12-24 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4285338A JP2681433B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | エッチング剤およびこのエッチング剤を使用するシリコン半導体部材のエッチング方法、および洗浄剤およびこの洗浄剤を使用するシリコン半導体部材の洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06200384A JPH06200384A (ja) | 1994-07-19 |
| JP2681433B2 true JP2681433B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=17690262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4285338A Expired - Lifetime JP2681433B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | エッチング剤およびこのエッチング剤を使用するシリコン半導体部材のエッチング方法、および洗浄剤およびこの洗浄剤を使用するシリコン半導体部材の洗浄方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5409569A (ja) |
| JP (1) | JP2681433B2 (ja) |
| KR (1) | KR0140688B1 (ja) |
| TW (1) | TW260810B (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2743823B2 (ja) * | 1994-03-25 | 1998-04-22 | 日本電気株式会社 | 半導体基板のウエット処理方法 |
| JP2792550B2 (ja) * | 1994-03-31 | 1998-09-03 | 株式会社フロンテック | エッチング剤 |
| KR0154252B1 (ko) * | 1994-03-31 | 1998-12-01 | 아베 아끼라 | 에칭제 및 전자소자와 그의 제조방법 |
| EP0771892A4 (en) * | 1994-08-01 | 1997-11-19 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | METHOD FOR PRODUCING DECORATIVE SILICONS |
| US20040140288A1 (en) * | 1996-07-25 | 2004-07-22 | Bakul Patel | Wet etch of titanium-tungsten film |
| JP4240424B2 (ja) | 1998-10-23 | 2009-03-18 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | エッチング剤及びこれを用いた電子機器用基板の製造方法 |
| TW490756B (en) * | 1999-08-31 | 2002-06-11 | Hitachi Ltd | Method for mass production of semiconductor integrated circuit device and manufacturing method of electronic components |
| US6915592B2 (en) * | 2002-07-29 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for generating gas to a processing chamber |
| EP1662970A2 (en) * | 2003-09-17 | 2006-06-07 | Becton, Dickinson and Company | System and method for creating linear and non-linear trenches in silicon and other crystalline materials with a router |
| JP4355201B2 (ja) * | 2003-12-02 | 2009-10-28 | 関東化学株式会社 | タングステン金属除去液及びそれを用いたタングステン金属の除去方法 |
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