JP2681145B2 - 樹脂封止半導体装置 - Google Patents
樹脂封止半導体装置Info
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- JP2681145B2 JP2681145B2 JP3125039A JP12503991A JP2681145B2 JP 2681145 B2 JP2681145 B2 JP 2681145B2 JP 3125039 A JP3125039 A JP 3125039A JP 12503991 A JP12503991 A JP 12503991A JP 2681145 B2 JP2681145 B2 JP 2681145B2
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- resin
- electrode
- semiconductor chip
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体チップ部を樹
脂封止体により封止し、樹脂封止体の側部から複数の外
部リードを出した樹脂封止半導体装置に関する。
脂封止体により封止し、樹脂封止体の側部から複数の外
部リードを出した樹脂封止半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の半導体装置を図５Ａに示
す。１はＩＣチップなど半導体チップ（以下「チップ」
と称する）で、リードフレームの一部に形成されたダイ
パッド３上にダイボンド材６によりダイボンディングさ
れている。４は複数の内部リード部、５は各内部リード
部から延長されて折曲げられた外部リードである。チッ
プ１の表面周囲側には、図５Ｂのように、複数の電極２
が形成されており、各電極２と対応する各内部リード部
４とをそれぞれ金属細線７でワイヤボンディングしてい
る。この金属細線７は直径25〜30μmのものを用いてい
る。この状態から、図５Ａのように、チップ１部をエポ
キシ樹脂などでトランスファモールドにより成形された
樹脂封止体（パッケージ）８で封止している。
す。１はＩＣチップなど半導体チップ（以下「チップ」
と称する）で、リードフレームの一部に形成されたダイ
パッド３上にダイボンド材６によりダイボンディングさ
れている。４は複数の内部リード部、５は各内部リード
部から延長されて折曲げられた外部リードである。チッ
プ１の表面周囲側には、図５Ｂのように、複数の電極２
が形成されており、各電極２と対応する各内部リード部
４とをそれぞれ金属細線７でワイヤボンディングしてい
る。この金属細線７は直径25〜30μmのものを用いてい
る。この状態から、図５Ａのように、チップ１部をエポ
キシ樹脂などでトランスファモールドにより成形された
樹脂封止体（パッケージ）８で封止している。
【０００３】図５Ｂに示すワイヤボンディングは、次の
ようにしている。ワイヤボンディング装置のキャピラリ
チップ（図示しない）に金属細線７を通し、キャピラリ
チップの下端に出た金属細線７の先端を溶融し球状に形
成する。チップ１上の100μm四角の電極（ボンディング
パッド）２に金属細線７の球状部を加圧して押付け、温
度と超音波をかけて金属拡散接合する。つづいて、キャ
ピラリチップを、金属細線７を繰出しながら内部リード
部４上に移動し、金属細線７を押付け、上記と同様に金
属拡散接合する。
ようにしている。ワイヤボンディング装置のキャピラリ
チップ（図示しない）に金属細線７を通し、キャピラリ
チップの下端に出た金属細線７の先端を溶融し球状に形
成する。チップ１上の100μm四角の電極（ボンディング
パッド）２に金属細線７の球状部を加圧して押付け、温
度と超音波をかけて金属拡散接合する。つづいて、キャ
ピラリチップを、金属細線７を繰出しながら内部リード
部４上に移動し、金属細線７を押付け、上記と同様に金
属拡散接合する。
【０００４】このワイヤボンディングでは、次のような
制約条件がある。(ａ)チップ１上の電極２が周囲側にあ
ること。(ｂ)チップ１の電極２と内部リード部４との間
隔は、金属細線４で双方を接続するためには、0.5mm以
上であること。(ｃ)内部リード部４とダイパッド３の間
隔は、絶縁上から0.2mm以上必要であること。(ｄ)内部
リード部４に接合するためには、内部リード４の長さは
0.2mm以上必要であること。
制約条件がある。(ａ)チップ１上の電極２が周囲側にあ
ること。(ｂ)チップ１の電極２と内部リード部４との間
隔は、金属細線４で双方を接続するためには、0.5mm以
上であること。(ｃ)内部リード部４とダイパッド３の間
隔は、絶縁上から0.2mm以上必要であること。(ｄ)内部
リード部４に接合するためには、内部リード４の長さは
0.2mm以上必要であること。
【０００５】このことにより、樹脂封止体８の外形は、
封止されているチップ１との間に、少なくとも、内部リ
ード部４のワイヤボンドの広さと相互配線の長さが必要
である。このため、図５の従来装置においては、チップ
１の周囲から0.5mm以上の間隔にした樹脂封止体８の外
形となる。
封止されているチップ１との間に、少なくとも、内部リ
ード部４のワイヤボンドの広さと相互配線の長さが必要
である。このため、図５の従来装置においては、チップ
１の周囲から0.5mm以上の間隔にした樹脂封止体８の外
形となる。
【０００６】最近のＩＣ装置の高集積化、高機能化によ
り、ＩＣチップなどチップ１は、次第に大きくなる傾向
にあるが、電子機器の小形化、薄形化の要求により、小
形の表面実装の樹脂封止半導体装置が要求されている。
図６に半導体チップ１の大きさの推移と、樹脂封止体８
外形との関係を示す。本図はメモリＩＣの例を示したも
ので、年代とともに、Ａ→Ｂ→Ｃの順に進んでおり、樹
脂封止体８は小形化、チップ１は大形化と相反する方向
にある。Ｃ図に示すように、チップ１と樹脂封止体８外
形との間隔が0.5mm以下となり、上記従来のワイヤボン
ディングによる半導体装置では対応できなくなってい
る。
り、ＩＣチップなどチップ１は、次第に大きくなる傾向
にあるが、電子機器の小形化、薄形化の要求により、小
形の表面実装の樹脂封止半導体装置が要求されている。
図６に半導体チップ１の大きさの推移と、樹脂封止体８
外形との関係を示す。本図はメモリＩＣの例を示したも
ので、年代とともに、Ａ→Ｂ→Ｃの順に進んでおり、樹
脂封止体８は小形化、チップ１は大形化と相反する方向
にある。Ｃ図に示すように、チップ１と樹脂封止体８外
形との間隔が0.5mm以下となり、上記従来のワイヤボン
ディングによる半導体装置では対応できなくなってい
る。
【０００７】上記のように、チップ１の大形化と、樹脂
封止体５の小形への抑制に対処するため、従来、図８に
示す、ＴＡＢ（Tape AutomatedBonding）方式によった
樹脂封止半導体装置が考案されている。図８Ａは樹脂封
止前の平面図で、図８Ｂは完成された半導体装置の拡大
断面図である。10は絶縁テープで、上面に銅はくなどか
らなる複数のリード11が配線されている。チップ１上の
周囲側の各電極２に金属バンプ12を介し、絶縁テープ10
の各リード11の内端部を接続している。この状態のチッ
プ１部を樹脂封止体13により封止している。
封止体５の小形への抑制に対処するため、従来、図８に
示す、ＴＡＢ（Tape AutomatedBonding）方式によった
樹脂封止半導体装置が考案されている。図８Ａは樹脂封
止前の平面図で、図８Ｂは完成された半導体装置の拡大
断面図である。10は絶縁テープで、上面に銅はくなどか
らなる複数のリード11が配線されている。チップ１上の
周囲側の各電極２に金属バンプ12を介し、絶縁テープ10
の各リード11の内端部を接続している。この状態のチッ
プ１部を樹脂封止体13により封止している。
【０００８】図８のＴＡＢ方式の半導体装置に相当する
従来のワイヤボンディング方式の半導体装置を図７Ａ及
びＢに、樹脂封止前の平面図及び完成後の拡大断面図で
示す。リードフレームによるダイパッド３上にチップ１
がダイボンド材６によりダイボンドされ、チップ１上の
周囲側に形成されてある複数の電極２と、対応する内部
リード部４とを、それぞれ金属細線７でワイヤボンディ
ングしている。この状態のチップ１部を内部リード部４
を含めて、樹脂封止体８で封止している。
従来のワイヤボンディング方式の半導体装置を図７Ａ及
びＢに、樹脂封止前の平面図及び完成後の拡大断面図で
示す。リードフレームによるダイパッド３上にチップ１
がダイボンド材６によりダイボンドされ、チップ１上の
周囲側に形成されてある複数の電極２と、対応する内部
リード部４とを、それぞれ金属細線７でワイヤボンディ
ングしている。この状態のチップ１部を内部リード部４
を含めて、樹脂封止体８で封止している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の樹
脂封止半導体装置では、ワイヤボンディング方式による
ものは、チップ１部外周から相当の距離を要した樹脂封
止体の外形となり、小形化を阻害するという問題点があ
った。また、ＴＡＢ方式によるものは、リード11が銅は
くなどからなり強度が弱く、特別な実装方法が必要であ
り、従来の図７に示す樹脂封止半導体装置とは異なる実
装方法となり、実装に互換性のある樹脂封止半導体装置
とならないという問題点があった。
脂封止半導体装置では、ワイヤボンディング方式による
ものは、チップ１部外周から相当の距離を要した樹脂封
止体の外形となり、小形化を阻害するという問題点があ
った。また、ＴＡＢ方式によるものは、リード11が銅は
くなどからなり強度が弱く、特別な実装方法が必要であ
り、従来の図７に示す樹脂封止半導体装置とは異なる実
装方法となり、実装に互換性のある樹脂封止半導体装置
とならないという問題点があった。
【００１０】この発明は、このような問題点を解決する
ためになされたもので、チップ表面の複数の電極と内部
リード部との接続が短時間で容易にでき、チップ部を囲
う樹脂封止体の外形が従来のものより小形になり、チッ
プ上の電極の位置が、従来のように内部リード部との接
続のため周囲側に配するという制約を受けることなく、
所要の位置に配設することができ、チップの内部パター
ンの設計上の自由度が大きくなる樹脂封止半導体装置を
得ることを目的としている。
ためになされたもので、チップ表面の複数の電極と内部
リード部との接続が短時間で容易にでき、チップ部を囲
う樹脂封止体の外形が従来のものより小形になり、チッ
プ上の電極の位置が、従来のように内部リード部との接
続のため周囲側に配するという制約を受けることなく、
所要の位置に配設することができ、チップの内部パター
ンの設計上の自由度が大きくなる樹脂封止半導体装置を
得ることを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】チップ上の電極位置を周
囲側に制約されることなくチップのパターン上から都合
のよい位置に配し、リードフレームにダイパッドを要せ
ず、絶縁テープの上面に複数条の接続配線を形成し、各
接続配線の両端に導電接続部を表裏に貫通して設け、チ
ップ上の各電極と、対応する各内部リード部とを、上方
に配した絶縁テープの各導電接続部に、それぞれバンプ
を介して接合し、チップ部及び絶縁テープ部を樹脂封止
体により封止し、樹脂封止体の側部から外部リードを出
したものである。
囲側に制約されることなくチップのパターン上から都合
のよい位置に配し、リードフレームにダイパッドを要せ
ず、絶縁テープの上面に複数条の接続配線を形成し、各
接続配線の両端に導電接続部を表裏に貫通して設け、チ
ップ上の各電極と、対応する各内部リード部とを、上方
に配した絶縁テープの各導電接続部に、それぞれバンプ
を介して接合し、チップ部及び絶縁テープ部を樹脂封止
体により封止し、樹脂封止体の側部から外部リードを出
したものである。
【００１２】
【作用】この発明においては、絶縁テープにより、チッ
プ及び各内部リード部がバンプを介し対応する各導電接
続部に接合され、チップはダイボンディングを要せず、
バンプ接続方法により一度に接合され、製造工程が大幅
に短縮される。ワイヤボンディングによらずバンプ接続
であるので、チップ外周と樹脂封止体の外形との距離が
従来のものより小さくてよく、外形が小さくされる。
プ及び各内部リード部がバンプを介し対応する各導電接
続部に接合され、チップはダイボンディングを要せず、
バンプ接続方法により一度に接合され、製造工程が大幅
に短縮される。ワイヤボンディングによらずバンプ接続
であるので、チップ外周と樹脂封止体の外形との距離が
従来のものより小さくてよく、外形が小さくされる。
【００１３】
【実施例】図１ないし図４はこの発明による樹脂封止半
導体装置の一実施例を示す。図３Ａにおいて、21はＩＣ
チップなど半導体チップ（以下「チップ」と称する）
で、上面には、短辺方向の中央部位置に、長辺方向に複
数の電極22が形成されている。各電極22上には金属バン
プ23が付着されている。金属バンプ23には、例えばはん
だ材、金材などを用いる。電極22部を図３Ｂに拡大断面
図で示す。24はチップ21表面に施されたパッシベーショ
ン膜である。
導体装置の一実施例を示す。図３Ａにおいて、21はＩＣ
チップなど半導体チップ（以下「チップ」と称する）
で、上面には、短辺方向の中央部位置に、長辺方向に複
数の電極22が形成されている。各電極22上には金属バン
プ23が付着されている。金属バンプ23には、例えばはん
だ材、金材などを用いる。電極22部を図３Ｂに拡大断面
図で示す。24はチップ21表面に施されたパッシベーショ
ン膜である。
【００１４】図４Ａはリードフレームの平面図である。
帯状のリードフレーム25には複数の内部リード部26及び
外部リード27が形成され、隣接する各リード間はタイバ
ー部28で連結され、また、両側の連結部29に連結されて
いる。各内部リード部26上には、はんだ材、金材などか
らなる金属バンプ30が付着されている。各内部リード部
26の先端は、従来装置では鎖線で示すように、ワイヤボ
ンディングのために延長されていたが、この発明装置で
は、実線のように短くされ、各先端は矢印Ｃ方向に一直
線上に揃えられている。また、リードフレーム25には、
従来必要であったダイパッドは設けられていない。内部
リード部26を、図４Ｂに断面図で示す。
帯状のリードフレーム25には複数の内部リード部26及び
外部リード27が形成され、隣接する各リード間はタイバ
ー部28で連結され、また、両側の連結部29に連結されて
いる。各内部リード部26上には、はんだ材、金材などか
らなる金属バンプ30が付着されている。各内部リード部
26の先端は、従来装置では鎖線で示すように、ワイヤボ
ンディングのために延長されていたが、この発明装置で
は、実線のように短くされ、各先端は矢印Ｃ方向に一直
線上に揃えられている。また、リードフレーム25には、
従来必要であったダイパッドは設けられていない。内部
リード部26を、図４Ｂに断面図で示す。
【００１５】図２に絶縁テープを示す。31は絶縁テープ
で、ポリイミドなどの絶縁材からなる。絶縁テープ31に
は、チップ21の各電極22及び各内部リード部26に対応す
る位置に貫通穴（スルーホール）を設け（図１参照）、
これらの貫通穴には金属導電材からなる導電接続部33a
及び33bを表裏貫通して付着している。これら各導電接
続部33aと33bとをそれぞれ接続するため、絶縁テープ31
表面上に銅はくなどからなる複数条の接続配線32が形成
されている。
で、ポリイミドなどの絶縁材からなる。絶縁テープ31に
は、チップ21の各電極22及び各内部リード部26に対応す
る位置に貫通穴（スルーホール）を設け（図１参照）、
これらの貫通穴には金属導電材からなる導電接続部33a
及び33bを表裏貫通して付着している。これら各導電接
続部33aと33bとをそれぞれ接続するため、絶縁テープ31
表面上に銅はくなどからなる複数条の接続配線32が形成
されている。
【００１６】上記のように形成されたチップ21、リード
フレーム25及び絶縁テープ31を用いたバンプによるボン
ディングを、次に説明する。図２に示すように、まず、
テーブル（図示しない）上にリードフレーム25を位置決
めし固定する。次に、チップ21を固定台（図示しない）
上に位置決めし真空吸着などで固定し、リードフレーム
25に対し、水平面位置及び平面上のＸ，Ｙ軸方向位置と
回動位置が所定になるように、固定台をＸ，Ｙ軸移動及
び回動して調整する。こうして、各接続部の相対関係が
補正され、チップ21上のバンプ23と、内部リード部26の
バンプ30が同一水平面上になるように高さの位置決めが
される。この状態で、上方から絶縁テープ31を下降し、
図１に示すように、各導電接続部33aを対応する各バン
プ23上に当て、各導電接続部33bを対応する各バンプ30
上に当て、加熱された押付体（図示しない）で上方から
接合部全面を押え付け、各バンプと絶縁テープ31の各導
電接続部が一括して一度に接合される。
フレーム25及び絶縁テープ31を用いたバンプによるボン
ディングを、次に説明する。図２に示すように、まず、
テーブル（図示しない）上にリードフレーム25を位置決
めし固定する。次に、チップ21を固定台（図示しない）
上に位置決めし真空吸着などで固定し、リードフレーム
25に対し、水平面位置及び平面上のＸ，Ｙ軸方向位置と
回動位置が所定になるように、固定台をＸ，Ｙ軸移動及
び回動して調整する。こうして、各接続部の相対関係が
補正され、チップ21上のバンプ23と、内部リード部26の
バンプ30が同一水平面上になるように高さの位置決めが
される。この状態で、上方から絶縁テープ31を下降し、
図１に示すように、各導電接続部33aを対応する各バン
プ23上に当て、各導電接続部33bを対応する各バンプ30
上に当て、加熱された押付体（図示しない）で上方から
接合部全面を押え付け、各バンプと絶縁テープ31の各導
電接続部が一括して一度に接合される。
【００１７】こうして、チップ21部とこれに接続された
内部リード26を有するリードフレーム25及び絶縁テープ
31とが、樹脂封止金型装置に入れられ、図１に示すよう
に、樹脂封止体35の成形により封止される。つづいて、
リードフレーム25のタイバー28、連結部29がプレスによ
り切断され、外部リード27がプレス加工により折り曲げ
られ、樹脂封止半導体装置が完成される。
内部リード26を有するリードフレーム25及び絶縁テープ
31とが、樹脂封止金型装置に入れられ、図１に示すよう
に、樹脂封止体35の成形により封止される。つづいて、
リードフレーム25のタイバー28、連結部29がプレスによ
り切断され、外部リード27がプレス加工により折り曲げ
られ、樹脂封止半導体装置が完成される。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、チッ
プの外周と樹脂封止体の外形との距離が小さくでき、外
形が小形化され、また、樹脂封止体が同一外形であれ
ば、従来に比べ大きいチップが収納でき、しかも、外部
リードは従来のワイヤボンド方式の場合と同様な強度が
維持される。また、チップ上の電極位置が従来のように
周囲側に制約されず、中央部に配置でき、この場合はチ
ップ内での電極への配線長さが短縮でき、高速で耐ノイ
ズ性が向上される。さらに、リードフレームに対しチッ
プのダイボンディング工程が省かれ、チップの各電極と
各内部リードの接続が一括して処理され、製造工程が短
縮される。なおまた、リードフレームのダイパッドがな
く、樹脂封止体はダイパッドを省いたチップの収納構造
となり、熱ストレスによる耐クラック性が向上する。
プの外周と樹脂封止体の外形との距離が小さくでき、外
形が小形化され、また、樹脂封止体が同一外形であれ
ば、従来に比べ大きいチップが収納でき、しかも、外部
リードは従来のワイヤボンド方式の場合と同様な強度が
維持される。また、チップ上の電極位置が従来のように
周囲側に制約されず、中央部に配置でき、この場合はチ
ップ内での電極への配線長さが短縮でき、高速で耐ノイ
ズ性が向上される。さらに、リードフレームに対しチッ
プのダイボンディング工程が省かれ、チップの各電極と
各内部リードの接続が一括して処理され、製造工程が短
縮される。なおまた、リードフレームのダイパッドがな
く、樹脂封止体はダイパッドを省いたチップの収納構造
となり、熱ストレスによる耐クラック性が向上する。
【図１】この発明による樹脂封止半導体装置の一実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】図１の装置の樹脂封止前の分解斜視図である。
【図３】Ａ図は図２の半導体チップの斜視図で、Ｂ図は
Ａ図の電極部の拡大断面図である。
Ａ図の電極部の拡大断面図である。
【図４】Ａ図は図２のリードフレームの平面図で、Ｂ図
はＡ図のＢ−Ｂ線における断面図である。
はＡ図のＢ−Ｂ線における断面図である。
【図５】Ａ図は従来の樹脂封止半導体装置の一部破断し
て示す斜視図で、Ｂ図はＡ図のワイヤボンディング部の
拡大図である。
て示す斜視図で、Ｂ図はＡ図のワイヤボンディング部の
拡大図である。
【図６】Ａ，Ｂ及びＣ図は半導体チップの大形化に伴う
樹脂封止体の外形の大形変化を順に示す説明図である。
樹脂封止体の外形の大形変化を順に示す説明図である。
【図７】Ａ及びＢ図は従来のワイヤボンディング方式に
よった樹脂封止半導体装置の他の例を示す樹脂封止前の
平面図及び樹脂封止後の断面図である。
よった樹脂封止半導体装置の他の例を示す樹脂封止前の
平面図及び樹脂封止後の断面図である。
【図８】Ａ及びＢは従来のＴＡＢ方式によった樹脂封止
半導体装置の樹脂封止前の平面図及び樹脂封止後の断面
図である。
半導体装置の樹脂封止前の平面図及び樹脂封止後の断面
図である。
21 半導体チップ 22 電極 23 金属バンプ 25 リードフレーム 26 内部リード部 27 外部リード 30 金属バンプ 31 絶縁テープ 32 接続配線 33a 一方の導電接続部 33b 他方の導電接続部 35 樹脂封止体
Claims (1)
- 【請求項１】 上面の周囲側に制約されることなく内部
パターンに応じて中央部位置に配設された複数の電極
と、各電極上に付着された金属バンプを有する半導体チ
ップと、 ダイパッドが省かれ、上記半導体チップに対する複数の
内部リード部と、この内部リード部から延長された外部
リードが形成され、各内部リード部の内端が一直線にそ
ろえられ各内端部上に金属バンプが付着されたリードフ
レームと、 上記半導体チップの各電極のバンプに対応する複数の一
方の導電接続部と、上記各内部リードのバンプに対応す
る複数の他方の導電接続部とが表裏を貫通して設けら
れ、これら双方の導電接続部を表面でそれぞれ接続する
複数条の接続配線が形成された絶縁テープとを有し、 上記半導体チップが上記リードフレーム内に配置され、
上記電極上面と上記内部リード部上面が同一水平面にさ
れ、上方から上記絶縁テープで覆い、各導電接続部を一
括して加熱押圧により対応する各電極及び各内部リード
部に上記バンプを介し接合しており、 リードフレームの不要部が除去され、上記半導体チップ
部と内部リード部及び絶縁テープ部を封止して成形され
た樹脂封止体を備え、この樹脂封止体の側部から上記複
数の外部リードが出されてなる樹脂封止半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3125039A JP2681145B2 (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 樹脂封止半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3125039A JP2681145B2 (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 樹脂封止半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04326535A JPH04326535A (ja) | 1992-11-16 |
| JP2681145B2 true JP2681145B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=14900333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3125039A Expired - Fee Related JP2681145B2 (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 樹脂封止半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2681145B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100379600B1 (ko) * | 2000-08-14 | 2003-04-10 | 삼성전자주식회사 | 듀얼 칩 패키지의 제조 방법 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63185035A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-07-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH02295144A (ja) * | 1989-05-09 | 1990-12-06 | Nec Corp | 集積回路 |
-
1991
- 1991-04-25 JP JP3125039A patent/JP2681145B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH04326535A (ja) | 1992-11-16 |
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