JP2680933B2 - シリコンウェハの洗浄方法及びその洗浄装置 - Google Patents
シリコンウェハの洗浄方法及びその洗浄装置Info
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- JP2680933B2 JP2680933B2 JP2402400A JP40240090A JP2680933B2 JP 2680933 B2 JP2680933 B2 JP 2680933B2 JP 2402400 A JP2402400 A JP 2402400A JP 40240090 A JP40240090 A JP 40240090A JP 2680933 B2 JP2680933 B2 JP 2680933B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウェハの洗浄
方法及びその洗浄装置に関する。
方法及びその洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコンウェハを洗浄するには、
(1) 洗浄液である弗酸水溶液を満たした槽内にシリコン
ウェハを浸漬する方法、(2) シリコンウェハに高圧噴射
装置を用いては洗浄液である弗酸水溶液を噴射する方
法、が知られている。
(1) 洗浄液である弗酸水溶液を満たした槽内にシリコン
ウェハを浸漬する方法、(2) シリコンウェハに高圧噴射
装置を用いては洗浄液である弗酸水溶液を噴射する方
法、が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記洗
浄方法は次のような欠点があった。即ち、前記(1) の浸
漬による方法では洗浄液の清浄度を管理することが困難
である。また、前記(2)の洗浄方法ではシリコンウェハ
への洗浄液の噴射時間や圧力分布が一定とならない。更
に、前記各洗浄方法は洗浄液中に分散される微粒子状物
質による汚染を招く。従って、いずれの洗浄方法ともシ
リコンウェハ表面全体を均一にエッチングできず、かつ
微粒子状物質による二次汚染を招くため、シリコンウェ
ハの表面全体を均一かつ高い清浄度で洗浄できないとい
う問題があった。
浄方法は次のような欠点があった。即ち、前記(1) の浸
漬による方法では洗浄液の清浄度を管理することが困難
である。また、前記(2)の洗浄方法ではシリコンウェハ
への洗浄液の噴射時間や圧力分布が一定とならない。更
に、前記各洗浄方法は洗浄液中に分散される微粒子状物
質による汚染を招く。従って、いずれの洗浄方法ともシ
リコンウェハ表面全体を均一にエッチングできず、かつ
微粒子状物質による二次汚染を招くため、シリコンウェ
ハの表面全体を均一かつ高い清浄度で洗浄できないとい
う問題があった。
【０００４】本発明は、上記従来の問題点を解決するた
めになされたもので、シリコンウェハの表裏面全体を均
一かつ高い清浄度で洗浄し得る方法、並びにかかる均一
かつ高い清浄度で洗浄を実現し得る装置を提供しようと
するものである。
めになされたもので、シリコンウェハの表裏面全体を均
一かつ高い清浄度で洗浄し得る方法、並びにかかる均一
かつ高い清浄度で洗浄を実現し得る装置を提供しようと
するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係わるシリコン
ウェハの洗浄方法は、霧発生室内に付設された高周波振
動ノズルにより弗酸水溶液の霧を発生させる工程と、前
記弗酸水溶液の霧を処理室内に輸送させ、前記処理室に
立てて配置したシリコンウェハを前記霧の雰囲気に曝し
てエッチングを行う工程と、前記霧の雰囲気に曝された
シリコンウェハに純水を該ウェハ面に沿って噴射するこ
とにより該ウェハ両面をリンスする工程とを具備したこ
とを特徴とするものである。前記弗酸水溶液としては、
例えば弗酸濃度が 0.1〜50％のものを用いることが望ま
しい。
ウェハの洗浄方法は、霧発生室内に付設された高周波振
動ノズルにより弗酸水溶液の霧を発生させる工程と、前
記弗酸水溶液の霧を処理室内に輸送させ、前記処理室に
立てて配置したシリコンウェハを前記霧の雰囲気に曝し
てエッチングを行う工程と、前記霧の雰囲気に曝された
シリコンウェハに純水を該ウェハ面に沿って噴射するこ
とにより該ウェハ両面をリンスする工程とを具備したこ
とを特徴とするものである。前記弗酸水溶液としては、
例えば弗酸濃度が 0.1〜50％のものを用いることが望ま
しい。
【０００６】また、本発明に係わるシリコンウェハの洗
浄装置は弗酸水溶液を噴射するための高周波振動ノズル
が付設された霧発生室と、前記霧発生室に連結された処
理室と、前記霧発生室と前記処理室との連通部に配置さ
れたシャッタと、前記処理室内に複数のシリコンウェハ
を立てて収納した収納部材を搬送するための搬送手段
と、前記収納部材の上方に位置する前記処理室に設けら
れ、純水を前記収納部材の各シリコンウェハ面に沿って
噴射するための純水噴射ノズルとを具備したことを特徴
とするものである。
浄装置は弗酸水溶液を噴射するための高周波振動ノズル
が付設された霧発生室と、前記霧発生室に連結された処
理室と、前記霧発生室と前記処理室との連通部に配置さ
れたシャッタと、前記処理室内に複数のシリコンウェハ
を立てて収納した収納部材を搬送するための搬送手段
と、前記収納部材の上方に位置する前記処理室に設けら
れ、純水を前記収納部材の各シリコンウェハ面に沿って
噴射するための純水噴射ノズルとを具備したことを特徴
とするものである。
【０００７】前記高周波振動ノズルは、本体内に設けら
れた振動子に高周波発振器から高周波を供給し、該振動
子に取り付けた振動板が１〜４ＭＨｚの高周波を発生す
る構造のものが望ましい。かかる高周波振動ノズルは、
前記霧発生室の側壁又は底面或いは両方に設けることが
可能である。特に、前記霧発生室の底面に設けられる前
記高周波振動ノズルは、そのノズル口が該霧発生室の底
部付近に満たされた弗酸水溶液の水面より下に位置する
ように配置することが望ましい。
れた振動子に高周波発振器から高周波を供給し、該振動
子に取り付けた振動板が１〜４ＭＨｚの高周波を発生す
る構造のものが望ましい。かかる高周波振動ノズルは、
前記霧発生室の側壁又は底面或いは両方に設けることが
可能である。特に、前記霧発生室の底面に設けられる前
記高周波振動ノズルは、そのノズル口が該霧発生室の底
部付近に満たされた弗酸水溶液の水面より下に位置する
ように配置することが望ましい。
【０００８】本発明に係わる洗浄装置においては、矩形
筒状の輸送路を前記霧発生室と処理室の隔壁部分に貫通
させると共に、前記輸送路の両端を前記各室に突出さ
せ、かつ前記霧発生室側に位置する前記輸送路の端部に
シャッタを配置し、更に前記輸送路に清浄度の高い空気
又は不活性ガス（例えば窒素ガス、アルゴンガス等）を
前記処理室側に向けて噴射するためのノズルを設けても
よい。
筒状の輸送路を前記霧発生室と処理室の隔壁部分に貫通
させると共に、前記輸送路の両端を前記各室に突出さ
せ、かつ前記霧発生室側に位置する前記輸送路の端部に
シャッタを配置し、更に前記輸送路に清浄度の高い空気
又は不活性ガス（例えば窒素ガス、アルゴンガス等）を
前記処理室側に向けて噴射するためのノズルを設けても
よい。
【０００９】
【作用】本発明方法によれば、霧発生室内で弗酸水溶液
に高周波振動を与えることによって、ミクロン乃至サブ
ミクロンオーダの霧を発生できると共に、前記オーダの
霧発生と前記発生室での霧の滞留により弗酸水溶液中の
二次汚染源となる微粒子状物質を分離できる。このよう
な弗酸水溶液の霧を処理室内に輸送させ、前記処理室に
立てて配置したシリコンウェハを前記霧雰囲気に曝すこ
とによって、前記ウェハ表裏面全体を弗酸により均一に
エッチングできる。この後、前記霧の雰囲気に曝された
シリコンウェハに純水を該ウェハ面に沿って噴射するこ
とによって、該ウェハ両面を良好にリンスできる。ま
た、前記エッチング及びリンス処理に際し、微粒子状物
質が分離された清浄度の高い弗酸水溶液の霧に曝すこと
ができるため、前記微粒子状物質による二次汚染を防止
できる。更に、前記エッチング及びリンス処理を密閉し
た処理室で行なう、つまりクローズ状態で連続的な処理
を行なうことによって、エッチング後の活性なウェハ表
裏面の酸化を回避できる。従って、シリコンウェハの表
裏面全体を均一かつ高い清浄度で洗浄できる。
に高周波振動を与えることによって、ミクロン乃至サブ
ミクロンオーダの霧を発生できると共に、前記オーダの
霧発生と前記発生室での霧の滞留により弗酸水溶液中の
二次汚染源となる微粒子状物質を分離できる。このよう
な弗酸水溶液の霧を処理室内に輸送させ、前記処理室に
立てて配置したシリコンウェハを前記霧雰囲気に曝すこ
とによって、前記ウェハ表裏面全体を弗酸により均一に
エッチングできる。この後、前記霧の雰囲気に曝された
シリコンウェハに純水を該ウェハ面に沿って噴射するこ
とによって、該ウェハ両面を良好にリンスできる。ま
た、前記エッチング及びリンス処理に際し、微粒子状物
質が分離された清浄度の高い弗酸水溶液の霧に曝すこと
ができるため、前記微粒子状物質による二次汚染を防止
できる。更に、前記エッチング及びリンス処理を密閉し
た処理室で行なう、つまりクローズ状態で連続的な処理
を行なうことによって、エッチング後の活性なウェハ表
裏面の酸化を回避できる。従って、シリコンウェハの表
裏面全体を均一かつ高い清浄度で洗浄できる。
【００１０】また、本発明によれば弗酸水溶液の高周波
振動ノズルが付設された霧発生室と、前記霧発生室に連
結された処理室と、前記霧発生室と前記処理室との連通
部に配置されたシャッタと、前記処理室内に複数のシリ
コンウェハを立てて収納した収納部材を搬送するための
搬送手段と、前記収納部材の上方に位置する前記処理室
に設けられ、純水を前記収納部材の各シリコンウェハ面
に沿って噴射するための純水噴射ノズルとを具備した構
成にすることによって、シリコンウェハの表裏面全体を
均一かつ高い清浄度で洗浄し得る洗浄装置を実現でき
る。
振動ノズルが付設された霧発生室と、前記霧発生室に連
結された処理室と、前記霧発生室と前記処理室との連通
部に配置されたシャッタと、前記処理室内に複数のシリ
コンウェハを立てて収納した収納部材を搬送するための
搬送手段と、前記収納部材の上方に位置する前記処理室
に設けられ、純水を前記収納部材の各シリコンウェハ面
に沿って噴射するための純水噴射ノズルとを具備した構
成にすることによって、シリコンウェハの表裏面全体を
均一かつ高い清浄度で洗浄し得る洗浄装置を実現でき
る。
【００１１】更に、前記洗浄装置において前記霧発生室
と処理室の隔壁部分に矩形筒状の輸送路を貫通させると
共に、前記輸送路の両端を前記各室に突出させ、かつ前
記霧発生室側に位置する前記輸送路の端部にシャッタを
配置し、更に前記輸送路に清浄度の高い空気又は不活性
ガスを前記処理室側に向けて噴射するためのノズルを設
けることによって、霧発生室内の弗酸水溶液の霧を処理
室内に効率よく輸送することができ、シリコンウェハ表
裏面のエッチング及びリンス処理を短時間で行なうこと
が可能となる。
と処理室の隔壁部分に矩形筒状の輸送路を貫通させると
共に、前記輸送路の両端を前記各室に突出させ、かつ前
記霧発生室側に位置する前記輸送路の端部にシャッタを
配置し、更に前記輸送路に清浄度の高い空気又は不活性
ガスを前記処理室側に向けて噴射するためのノズルを設
けることによって、霧発生室内の弗酸水溶液の霧を処理
室内に効率よく輸送することができ、シリコンウェハ表
裏面のエッチング及びリンス処理を短時間で行なうこと
が可能となる。
【００１２】更に、前記洗浄装置において霧発生室の側
壁及び底面にそれぞれ高周波振動ノズルを設ければ、短
時間で霧発生室に弗酸水溶液の霧を満たすことができ、
該霧を処理室に輸送することによりシリコンウェハ表裏
面のエッチング及びリンス処理を短時間で行なうことが
可能となる。
壁及び底面にそれぞれ高周波振動ノズルを設ければ、短
時間で霧発生室に弗酸水溶液の霧を満たすことができ、
該霧を処理室に輸送することによりシリコンウェハ表裏
面のエッチング及びリンス処理を短時間で行なうことが
可能となる。
【００１３】
【実施例】図１は、本発明の一実施例を示す洗浄装置の
概略図である。図１において、１は霧発生室、２は前記
発生室１に隣接して配置された処理室である。これら室
１、２は、隔壁３により区画されている。前記霧発生室
１の前記隔壁３と対向する側壁には、弗酸水溶液を噴霧
するための例えばバー型高周波振動ノズル４が設けられ
ている。このノズル４は、図１の紙面方向に延びる細長
状のノズル口４ａを有する本体４ｂと、該本体４ｂに内
蔵され、振動子が取り付けられた振動板（いずれも図示
せず）とから構成されている。前記ノズル４の前記振動
子には、高周波発振器５のケーブル６が接続され、該振
動子に高周波を供給することにより該振動子に取り付け
られた振動板が１〜４ＭＨｚの高周波が発生する構造に
なっている。前記ノズル４における前記振動板とノズル
口４ａ間に位置する本体４ｂ部分には、例えば濃度20％
の弗酸水溶液を該本体４ｂ内に供給するための供給管７
が連結されている。この供給管７の他端は、槽８内に収
容された弗酸水溶液９に浸漬されている。前記供給管７
には、第１ポンプ10が介装されている。前記霧発生室１
の底面には、該霧発生室１底部に満たされた弗酸水溶液
９を前記槽８内に返送するための排水管11が連結されて
いる。この排水管11の他端は、前記槽８内に挿入されて
いる。前記排水管11には、前記霧発生室１の連結部側か
ら第２ポンプ12及び目開きが 0.2μｍ以下のフィルタ13
が順次介装されている。
概略図である。図１において、１は霧発生室、２は前記
発生室１に隣接して配置された処理室である。これら室
１、２は、隔壁３により区画されている。前記霧発生室
１の前記隔壁３と対向する側壁には、弗酸水溶液を噴霧
するための例えばバー型高周波振動ノズル４が設けられ
ている。このノズル４は、図１の紙面方向に延びる細長
状のノズル口４ａを有する本体４ｂと、該本体４ｂに内
蔵され、振動子が取り付けられた振動板（いずれも図示
せず）とから構成されている。前記ノズル４の前記振動
子には、高周波発振器５のケーブル６が接続され、該振
動子に高周波を供給することにより該振動子に取り付け
られた振動板が１〜４ＭＨｚの高周波が発生する構造に
なっている。前記ノズル４における前記振動板とノズル
口４ａ間に位置する本体４ｂ部分には、例えば濃度20％
の弗酸水溶液を該本体４ｂ内に供給するための供給管７
が連結されている。この供給管７の他端は、槽８内に収
容された弗酸水溶液９に浸漬されている。前記供給管７
には、第１ポンプ10が介装されている。前記霧発生室１
の底面には、該霧発生室１底部に満たされた弗酸水溶液
９を前記槽８内に返送するための排水管11が連結されて
いる。この排水管11の他端は、前記槽８内に挿入されて
いる。前記排水管11には、前記霧発生室１の連結部側か
ら第２ポンプ12及び目開きが 0.2μｍ以下のフィルタ13
が順次介装されている。
【００１４】前記霧発生室１の底面には、別の高周波振
動ノズル14が該霧発生室１に満たされた弗酸水余溶液９
に浸漬されるように設けられている。このノズル14は、
前記霧発生室１に満たされた弗酸水溶液９の水面より下
に配置される丸形のノズル口14ａを有する本体14ｂと、
該本体14ｂに内蔵され、振動子が取り付けられた振動板
（いずれも図示せず）とから構成されている。前記ノズ
ル14の前記振動子には、前記高周波発振器５のケーブル
15が接続され、該振動子に高周波を供給することにより
該振動子に取り付けられた振動板が１〜４ＭＨｚの高周
波が発生する構造になっている。
動ノズル14が該霧発生室１に満たされた弗酸水余溶液９
に浸漬されるように設けられている。このノズル14は、
前記霧発生室１に満たされた弗酸水溶液９の水面より下
に配置される丸形のノズル口14ａを有する本体14ｂと、
該本体14ｂに内蔵され、振動子が取り付けられた振動板
（いずれも図示せず）とから構成されている。前記ノズ
ル14の前記振動子には、前記高周波発振器５のケーブル
15が接続され、該振動子に高周波を供給することにより
該振動子に取り付けられた振動板が１〜４ＭＨｚの高周
波が発生する構造になっている。
【００１５】また、前記隔壁３には扁平四角筒状の輸送
路16がその両端を前記発生室１及び処理室２に突出する
ように貫通されている。前記霧発生室１側に位置する前
記輸送路16の端部には、該輸送路16の開口部を開閉する
ためのシャッタ17が配置されている。前記霧発生室１側
に突出した輸送路16部分には、例えばクリーンエアーを
該輸送路16内から前記処理室２側に向けて噴射するため
の複数のノズル18が設けられている。
路16がその両端を前記発生室１及び処理室２に突出する
ように貫通されている。前記霧発生室１側に位置する前
記輸送路16の端部には、該輸送路16の開口部を開閉する
ためのシャッタ17が配置されている。前記霧発生室１側
に突出した輸送路16部分には、例えばクリーンエアーを
該輸送路16内から前記処理室２側に向けて噴射するため
の複数のノズル18が設けられている。
【００１６】更に、図中19は前記処理室２側壁のゲート
20を通して該処理室２の内部と外部の間を移動する搬送
部材である。この搬送部材19には、シリコンウェハを立
てて収納するためのキャリア21が載置される。前記処理
室２内に搬送されたキャリア21の上方に位置する処理室
２上壁には、純水噴射ノズル22が前記キャリア21の長手
方向（図中の紙面方向）に複数配列されていると共に、
例えばクリーンエアーを前記処理室２内に供給するため
のガス供給ノズル23が設けられている。前記処理室２に
は、該処理室２内のガス等を排気するための排気管24が
該処理室２の底部側から挿入されており、かつ該排気管
24には排気ファン25が介装されている。更に、前記処理
室２の底部にはドレイン26が設けられている。次に、前
述した洗浄装置を用いてシリコンウェハの洗浄方法を説
明する。
20を通して該処理室２の内部と外部の間を移動する搬送
部材である。この搬送部材19には、シリコンウェハを立
てて収納するためのキャリア21が載置される。前記処理
室２内に搬送されたキャリア21の上方に位置する処理室
２上壁には、純水噴射ノズル22が前記キャリア21の長手
方向（図中の紙面方向）に複数配列されていると共に、
例えばクリーンエアーを前記処理室２内に供給するため
のガス供給ノズル23が設けられている。前記処理室２に
は、該処理室２内のガス等を排気するための排気管24が
該処理室２の底部側から挿入されており、かつ該排気管
24には排気ファン25が介装されている。更に、前記処理
室２の底部にはドレイン26が設けられている。次に、前
述した洗浄装置を用いてシリコンウェハの洗浄方法を説
明する。
【００１７】まず、複数枚のシリコンウェハ27が立てて
収納されたキャリア21を搬送部材19に載せた後、ゲート
20を開き、前記搬送部材19を該ゲート20を通して処理室
２内に搬送し、ゲート20を閉じる。つづいて、ガス供給
ノズル23から例えばクリーンエアーを処理室２内に供給
すると共に排気ファン25を作動して処理室２内のガスを
排気管24を通して排気することにより、処理室２内をク
リーンエアーに置換する。
収納されたキャリア21を搬送部材19に載せた後、ゲート
20を開き、前記搬送部材19を該ゲート20を通して処理室
２内に搬送し、ゲート20を閉じる。つづいて、ガス供給
ノズル23から例えばクリーンエアーを処理室２内に供給
すると共に排気ファン25を作動して処理室２内のガスを
排気管24を通して排気することにより、処理室２内をク
リーンエアーに置換する。
【００１８】前記処理室２内をクリーンエアーに置換す
る間に、第１ポンプ10を作動して槽８内の弗酸水溶液９
を供給管７を通してバー型高周波振動ノズル４に供給す
ると共に、高周波発振器５から該振動ノズル４の振動子
に高周波を供給することにより、該振動子に取り付けた
振動板で１〜４ＭＨｚの高周波を発生する。かかる高周
波振動ノズル４への弗酸水溶液の供給、振動板による１
〜４ＭＨｚの高周波の発生によって、該振動ノズル４の
ノズル口４ａから弗酸水溶液の霧28が噴射される。この
時、ミクロンオーダ乃至サブミクロンオーダの霧27が発
生されると共に、前記オーダの霧発生と前記霧発生室１
での霧28の滞留により弗酸水溶液中に本来含まれていた
微粒子状物質が分離される。なお、前記バー型高周波振
動ノズル４の作動と共に、前記高周波発振器６からケー
ブル15を通して前記霧発生室１底面に設けた別の高周波
振動ノズル14の振動子に高周波を供給することにより、
該振動子に取り付けられた振動板で１〜４ＭＨｚの高周
波を発生する。かかる振動板からの１〜４ＭＨｚの高周
波振動は、前記霧発生室１底部の弗酸水溶液９に付与さ
れることにより、該弗酸水溶液９水面から霧が霧発生室
１内に噴射される。こうした別の高周波振動ノズル14の
併用により、前記霧発生室１内に霧28を短時間で充満さ
せることが可能となる。前記霧発生室１底部に満たされ
た弗酸水溶液９は、該水溶液９に蓄積された微粒子状物
質を系外に除去するために、第２ポンプ12の作動により
排水管11に導入され、前記排水管11に介装したフィルタ
13により微粒子状物質が除去された後、清浄度の高い弗
酸水溶液として前記槽８内に返送される。
る間に、第１ポンプ10を作動して槽８内の弗酸水溶液９
を供給管７を通してバー型高周波振動ノズル４に供給す
ると共に、高周波発振器５から該振動ノズル４の振動子
に高周波を供給することにより、該振動子に取り付けた
振動板で１〜４ＭＨｚの高周波を発生する。かかる高周
波振動ノズル４への弗酸水溶液の供給、振動板による１
〜４ＭＨｚの高周波の発生によって、該振動ノズル４の
ノズル口４ａから弗酸水溶液の霧28が噴射される。この
時、ミクロンオーダ乃至サブミクロンオーダの霧27が発
生されると共に、前記オーダの霧発生と前記霧発生室１
での霧28の滞留により弗酸水溶液中に本来含まれていた
微粒子状物質が分離される。なお、前記バー型高周波振
動ノズル４の作動と共に、前記高周波発振器６からケー
ブル15を通して前記霧発生室１底面に設けた別の高周波
振動ノズル14の振動子に高周波を供給することにより、
該振動子に取り付けられた振動板で１〜４ＭＨｚの高周
波を発生する。かかる振動板からの１〜４ＭＨｚの高周
波振動は、前記霧発生室１底部の弗酸水溶液９に付与さ
れることにより、該弗酸水溶液９水面から霧が霧発生室
１内に噴射される。こうした別の高周波振動ノズル14の
併用により、前記霧発生室１内に霧28を短時間で充満さ
せることが可能となる。前記霧発生室１底部に満たされ
た弗酸水溶液９は、該水溶液９に蓄積された微粒子状物
質を系外に除去するために、第２ポンプ12の作動により
排水管11に導入され、前記排水管11に介装したフィルタ
13により微粒子状物質が除去された後、清浄度の高い弗
酸水溶液として前記槽８内に返送される。
【００１９】霧発生室１内に十分な量の霧28を充満させ
た後、前記バー型高周波振動ノズル４の作動を停止（別
の高周波振動ノズル14を作動させた場合には、該ノズル
の作動も停止）し、輸送路16に配置したシャッタ17を開
く。同時に、輸送路16部分に設けた複数のノズル18から
例えばクリーンエアーを前記処理室２側に向けて噴射
し、同時に前記排気ファン25を作動する。かかる操作に
より前記霧発生室１内の弗酸水溶液の霧28は、前記輸送
路16内にノズル18から噴射されたクリーンエアーに乗っ
て処理室２側に向けて加速されて前記処理室２内に輸送
され、前記処理室２内が前記霧の雰囲気となる。処理室
２が前記霧雰囲気になると、該処理室２内に搬送された
キャリア21内の複数のシリコンウェハ27に前記弗酸水溶
液の霧が接触し、各ウェハ27の表裏面がエッチングされ
る。
た後、前記バー型高周波振動ノズル４の作動を停止（別
の高周波振動ノズル14を作動させた場合には、該ノズル
の作動も停止）し、輸送路16に配置したシャッタ17を開
く。同時に、輸送路16部分に設けた複数のノズル18から
例えばクリーンエアーを前記処理室２側に向けて噴射
し、同時に前記排気ファン25を作動する。かかる操作に
より前記霧発生室１内の弗酸水溶液の霧28は、前記輸送
路16内にノズル18から噴射されたクリーンエアーに乗っ
て処理室２側に向けて加速されて前記処理室２内に輸送
され、前記処理室２内が前記霧の雰囲気となる。処理室
２が前記霧雰囲気になると、該処理室２内に搬送された
キャリア21内の複数のシリコンウェハ27に前記弗酸水溶
液の霧が接触し、各ウェハ27の表裏面がエッチングされ
る。
【００２０】次いで、所定時間のエッチングを行った
後、前記シャッタ17を閉じ、前記ノズル18からのクリー
ンエアーの噴射を停止する。ひきつづき、前記キャリア
21の上方に配置した複数の純水噴射ノズル22から純水を
噴射する。この時、前記純水は前記キャリア21に立てて
収納された複数のウェハ27の表裏面に沿って噴射される
ことにより、前記各ウェハ27の表裏面がリンスされる。
このようなリンス処理に際しては、弗酸水溶液の霧がシ
リコンウェハ27に再付着するのを防止するために、リン
ス後期に排気ファン25を作動して霧を排気管24を通して
排出することが望ましい。
後、前記シャッタ17を閉じ、前記ノズル18からのクリー
ンエアーの噴射を停止する。ひきつづき、前記キャリア
21の上方に配置した複数の純水噴射ノズル22から純水を
噴射する。この時、前記純水は前記キャリア21に立てて
収納された複数のウェハ27の表裏面に沿って噴射される
ことにより、前記各ウェハ27の表裏面がリンスされる。
このようなリンス処理に際しては、弗酸水溶液の霧がシ
リコンウェハ27に再付着するのを防止するために、リン
ス後期に排気ファン25を作動して霧を排気管24を通して
排出することが望ましい。
【００２１】次いで、純水噴射ノズル22からの純水噴射
を停止した後、前記ガス供給ノズル23からクリーンエア
ーを処理室２内に供給すると共に排気ファン25を作動し
て処理室２内のガスや霧を排気管24を通して排気するこ
とにより、処理室２内をクリーンエアーに置換する。こ
の後、ゲート20を開き、搬送部材19によりエッチング、
リンス処理後のウェハ27が収納されたキャリア21をゲー
ト20を通して処理室２の外部に搬送する。
を停止した後、前記ガス供給ノズル23からクリーンエア
ーを処理室２内に供給すると共に排気ファン25を作動し
て処理室２内のガスや霧を排気管24を通して排気するこ
とにより、処理室２内をクリーンエアーに置換する。こ
の後、ゲート20を開き、搬送部材19によりエッチング、
リンス処理後のウェハ27が収納されたキャリア21をゲー
ト20を通して処理室２の外部に搬送する。
【００２２】以上のような洗浄方法によれば、霧発生室
１で予め発生させたミクロンオーダ乃至サブミクロンオ
ーダの弗酸水溶液の霧を処理室２内に輸送し、シリコン
ウェハ27が配置された該処理室２を霧雰囲気にすること
により、該ウェハ27の表裏面全体を前記弗酸水溶液の霧
で均一にエッチングすることができる。しかも、この後
に前記霧雰囲気に曝されたシリコンウェハ27に純水噴射
ノズル22から純水を該ウェハ27面に沿って噴射すること
によって、該ウェハ27両面を良好にリンスできる。ま
た、前記エッチング及びリンス処理に際し、前記ウェハ
27を前記霧発生室１で既に微粒子状物質が分離された清
浄度の高い弗酸水溶液の霧に曝すことができるため、前
記微粒子状物質による二次汚染を防止でき、高い清浄度
でエッチング及びリンス処理することができる。更に、
前記エッチング及びリンス処理を密閉した処理室２で行
なう、つまりクローズ状態で連続的な処理を行なうこと
によって、エッチング後の活性なウェハ27表裏面の酸化
を回避できる。従って、シリコンウェハ27の表裏面全体
を均一かつ高い清浄度で洗浄することができる。
１で予め発生させたミクロンオーダ乃至サブミクロンオ
ーダの弗酸水溶液の霧を処理室２内に輸送し、シリコン
ウェハ27が配置された該処理室２を霧雰囲気にすること
により、該ウェハ27の表裏面全体を前記弗酸水溶液の霧
で均一にエッチングすることができる。しかも、この後
に前記霧雰囲気に曝されたシリコンウェハ27に純水噴射
ノズル22から純水を該ウェハ27面に沿って噴射すること
によって、該ウェハ27両面を良好にリンスできる。ま
た、前記エッチング及びリンス処理に際し、前記ウェハ
27を前記霧発生室１で既に微粒子状物質が分離された清
浄度の高い弗酸水溶液の霧に曝すことができるため、前
記微粒子状物質による二次汚染を防止でき、高い清浄度
でエッチング及びリンス処理することができる。更に、
前記エッチング及びリンス処理を密閉した処理室２で行
なう、つまりクローズ状態で連続的な処理を行なうこと
によって、エッチング後の活性なウェハ27表裏面の酸化
を回避できる。従って、シリコンウェハ27の表裏面全体
を均一かつ高い清浄度で洗浄することができる。
【００２３】なお、上記実施例では霧発生室に設けた高
周波振動ノズルとしてバー型のものを用いたが、これに
限定されず、通常のノズル口が丸形の高周波振動ノスル
を用いてもよい。
周波振動ノズルとしてバー型のものを用いたが、これに
限定されず、通常のノズル口が丸形の高周波振動ノスル
を用いてもよい。
【００２４】上記実施例では、霧発生室の底面に設けた
高周波振動ノズルとして振動子に高周波のみを供給し、
該霧発生室の底部に満たした弗酸水溶液に高周波振動を
与えて該弗酸水溶液を噴霧する構造のものを用いたが、
これに限定されない。例えば、霧発生室の側壁に設けた
高周波振動ノズルと同様な構造、つまりノズル口と振動
板の間の本体部分に弗酸水溶液を供給する構造の高周波
振動ノズルを霧発生室の底面に設けてもよい。
高周波振動ノズルとして振動子に高周波のみを供給し、
該霧発生室の底部に満たした弗酸水溶液に高周波振動を
与えて該弗酸水溶液を噴霧する構造のものを用いたが、
これに限定されない。例えば、霧発生室の側壁に設けた
高周波振動ノズルと同様な構造、つまりノズル口と振動
板の間の本体部分に弗酸水溶液を供給する構造の高周波
振動ノズルを霧発生室の底面に設けてもよい。
【００２５】上記実施例では、霧雰囲気に曝された状態
のシリコンウェハに純水を噴射したが、これに限定され
ない。例えば、処理室内の霧を排気すると共に処理室内
にガス供給ノズルからアルゴン等の不活性ガスを供給し
て処理室内を不活性ガスで置換した後、シリコンウェハ
に純水を噴射してリンス処理を行ってもよい。
のシリコンウェハに純水を噴射したが、これに限定され
ない。例えば、処理室内の霧を排気すると共に処理室内
にガス供給ノズルからアルゴン等の不活性ガスを供給し
て処理室内を不活性ガスで置換した後、シリコンウェハ
に純水を噴射してリンス処理を行ってもよい。
【００２６】
【発明の効果】以上詳述した如く、本発明によればシリ
コンウェハの表裏面全体を均一かつ高い清浄度で洗浄し
得る方法、並びにかかる均一かつ高い清浄度でシリコン
ウェハの洗浄を実現し得る装置を提供できる。
コンウェハの表裏面全体を均一かつ高い清浄度で洗浄し
得る方法、並びにかかる均一かつ高い清浄度でシリコン
ウェハの洗浄を実現し得る装置を提供できる。
【図１】本発明の一実施例の洗浄装置を示す概略図。 １…霧発生室、２…処理室、４…高周波振動ノズル、５
…高周波発振器、８…槽、９…弗酸水溶液、14…高周波
振動ノズル、16…輸送路、17…シャッタ、18…ノズル、
19…搬送部材、20…ゲート、21…キャリア、22…純水噴
射ノズル、25…排気ファン、27…シリコンウェハ、28…
霧。
…高周波発振器、８…槽、９…弗酸水溶液、14…高周波
振動ノズル、16…輸送路、17…シャッタ、18…ノズル、
19…搬送部材、20…ゲート、21…キャリア、22…純水噴
射ノズル、25…排気ファン、27…シリコンウェハ、28…
霧。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 亀谷 巨樹 マレーシア国，セランゴール州，ウル・ クラン・フリー・トレイド・ゾーン，ロ ロング・エンガング 35，ロットナンバ ー２ エス・イー・エイチ・マレーシ ア・センデイリアン・ベルハット内 (72)発明者 原田 康之 東京都多摩市鶴牧５−37−２−３ (72)発明者 天野 裕 静岡県静岡市川合962−８チェリス河合 301 (56)参考文献 特開 平２−194527（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−115763（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−284423（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】 霧発生室内に付設された高周波振動ノズ
ルにより弗酸水溶液の霧を発生させる工程と、前記弗酸
水溶液の霧を処理室内に輸送させ、前記処理室に立てて
配置したシリコンウェハを前記霧の雰囲気に曝してエッ
チングを行う工程と、前記霧の雰囲気に曝されたシリコ
ンウェハに純水を該ウェハ面に沿って噴射することによ
り該ウェハ両面をリンスする工程とを具備したことを特
徴とするシリコンウェハの洗浄方法。 - 【請求項２】 弗酸水溶液を噴射するための高周波振動
ノズルが付設された霧発生室と、前記霧発生室に連結さ
れた処理室と、前記霧発生室と前記処理室との連通部に
配置されたシャッタと、前記処理室内に複数のシリコン
ウェハを立てて収納した収納部材を搬送するための搬送
手段と、前記収納部材の上方に位置する前記処理室に設
けられ、純水を前記収納部材の各シリコンウェハ面に沿
って噴射するための純水噴射ノズルとを具備したことを
特徴とするシリコンウェハの洗浄装置。 - 【請求項３】 矩形筒状の輸送路を、前記霧発生室と処
理室の隔壁部分に貫通させると共に、前記輸送路の両端
を前記各室に突出させ、かつ前記霧発生室側に位置する
前記輸送路の端部にシャッタを配置し、更に前記輸送路
に清浄度の高い空気又は不活性ガスを前記処理室側に向
けて噴射するためのノズルを設けたことを特徴とする請
求項２記載のシリコンウェハの洗浄装置。 - 【請求項４】 前記高周波振動ノズルは、前記霧発生室
の側壁及び底面に設けられることを特徴とする請求項２
記載のシリコンウェハの洗浄装置。 - 【請求項５】 前記霧発生室の底部には弗酸水溶液が満
たされ、かつ該霧発生室の底面に設けられる前記高周波
振動ノズルのノズル口が前記弗酸水溶液の水面より下に
位置されていることを特徴とする請求項２記載のシリコ
ンウェハの洗浄装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2402400A JP2680933B2 (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | シリコンウェハの洗浄方法及びその洗浄装置 |
| US07/804,451 US5186192A (en) | 1990-12-14 | 1991-12-10 | Apparatus for cleaning silicon wafer |
| EP91121436A EP0490405B1 (en) | 1990-12-14 | 1991-12-13 | Apparatus for cleaning silicon wafers |
| DE69108689T DE69108689T2 (de) | 1990-12-14 | 1991-12-13 | Vorrichtung zum Reinigen von Siliciumscheiben. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2402400A JP2680933B2 (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | シリコンウェハの洗浄方法及びその洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04215436A JPH04215436A (ja) | 1992-08-06 |
| JP2680933B2 true JP2680933B2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=18512219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2402400A Expired - Lifetime JP2680933B2 (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | シリコンウェハの洗浄方法及びその洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2680933B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4858331B2 (ja) * | 2007-06-26 | 2012-01-18 | 株式会社デンソー | ミストエッチング方法及び装置ならびに半導体装置の製造方法 |
| JP2008091931A (ja) * | 2007-10-09 | 2008-04-17 | Denso Corp | 微粒子発生方法および装置 |
| JP6530289B2 (ja) * | 2015-09-11 | 2019-06-12 | 東芝メモリ株式会社 | 分析前処理装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59115763A (ja) * | 1982-12-21 | 1984-07-04 | Fujitsu Ltd | 超音波フオグ処理装置 |
| JPH02194527A (ja) * | 1989-01-23 | 1990-08-01 | Dan Sangyo Kk | 被膜除去方法 |
| JP2522389B2 (ja) * | 1989-04-25 | 1996-08-07 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-12-14 JP JP2402400A patent/JP2680933B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04215436A (ja) | 1992-08-06 |
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