JP2679248B2 - 光学活性アミン類の製造方法 - Google Patents
光学活性アミン類の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は光学活性アミン類の製造方法に関し、詳しく
は一般式（IV） （式中、R8,R9はアルキル基、アリール基またはアラル
キル基を表し、同一であることはない。＊は不斉炭素を
表す。） で示される光学活性アミン類の製造方法に関するもので
ある。
は一般式（IV） （式中、R8,R9はアルキル基、アリール基またはアラル
キル基を表し、同一であることはない。＊は不斉炭素を
表す。） で示される光学活性アミン類の製造方法に関するもので
ある。
＜従来の技術、発明が解決しようとする課題＞ 一般式（IV）で示される光学活性アミン類は医薬、農
薬あるいはその中間体などの光学分割剤等として重要な
化合物であり、従来よりラセミ体を一旦製造し、次いで
これを光学活性な酸等を用いて光学分割することにより
製造することも良く知られている（例えばOptical Reso
lution Procedures for Chemical Compounds Vol.1）。
薬あるいはその中間体などの光学分割剤等として重要な
化合物であり、従来よりラセミ体を一旦製造し、次いで
これを光学活性な酸等を用いて光学分割することにより
製造することも良く知られている（例えばOptical Reso
lution Procedures for Chemical Compounds Vol.1）。
光学分割により光学活性アミン類を製造するという従
来法は、一旦ラセミ体を製造し、次いでこれに光学活性
な酸類を作用させて塩を形成せしめ、生成したジアステ
レオマー塩の溶解度差を利用して一方のジアステレオマ
ー塩を晶析させ、次いで該塩を分離し、しかる後にアル
カリを作用させて該塩を分解することによって一方の対
掌体である光学活性アミン類を分離回収するという方法
であり、操作が煩雑で効率が悪いという問題があった。
来法は、一旦ラセミ体を製造し、次いでこれに光学活性
な酸類を作用させて塩を形成せしめ、生成したジアステ
レオマー塩の溶解度差を利用して一方のジアステレオマ
ー塩を晶析させ、次いで該塩を分離し、しかる後にアル
カリを作用させて該塩を分解することによって一方の対
掌体である光学活性アミン類を分離回収するという方法
であり、操作が煩雑で効率が悪いという問題があった。
本発明者等は、かかる問題点を解決すべく不斉合成に
よる方法について鋭意検討を重ねた結果、光学活性アミ
ン誘導体と水素化ホウ素化合物から得られる不斉還元剤
を、オキシム誘導体に反応せしめて一挙に光学活性アミ
ン類を製造する方法を見出すとともに、オキシム誘導体
のアンチ体とシン体を使い分けることにより任意の絶対
立体配置を有する光学活性アミン類を製造し得ることを
見出し、既に提案している（特開昭63−99041号公報、T
etrahedron Lett.,29223（1988））。
よる方法について鋭意検討を重ねた結果、光学活性アミ
ン誘導体と水素化ホウ素化合物から得られる不斉還元剤
を、オキシム誘導体に反応せしめて一挙に光学活性アミ
ン類を製造する方法を見出すとともに、オキシム誘導体
のアンチ体とシン体を使い分けることにより任意の絶対
立体配置を有する光学活性アミン類を製造し得ることを
見出し、既に提案している（特開昭63−99041号公報、T
etrahedron Lett.,29223（1988））。
その後、本発明者等は水素化ホウ素化合物として、よ
り取り扱いが容易でしかも安価な水素化ホウ素金属を用
いる方法について更に検討を続けた結果、これを特定の
ルイス酸と組み合わせて使用すれば、目的物の収率の向
上、水素化ホウ素金属の使用量の削減等を計り得ること
を見出すとともに、さらに種々の検討を加えて本発明を
完成した。
り取り扱いが容易でしかも安価な水素化ホウ素金属を用
いる方法について更に検討を続けた結果、これを特定の
ルイス酸と組み合わせて使用すれば、目的物の収率の向
上、水素化ホウ素金属の使用量の削減等を計り得ること
を見出すとともに、さらに種々の検討を加えて本発明を
完成した。
＜課題を解決するための手段＞ すなわち本発明は、一般式（Ｉ） （式中、R1,R2は水素原子、アルキル基またはアルコキ
シ基を、R3は水素原子またはアルキル基を、R4はアルキ
ル基を表し、＊は不斉炭素を表す。） または一般式（II） （式中、R5は水素原子、アルキル基またはアルコキシ基
を、R6はアルキル基を表わす。＊は不斉炭素を表す。） で示される光学活性アミン誘導体と水素化ホウ素金属と
ハロゲン化アルミニウム、ハロゲン化チタン、ハロゲン
化スズ、ハロゲン化銅、ハロゲン化コバルトから選ばれ
る少なくとも一種のルイス酸とから得られる不斉還元剤
を、一般式（III） （式中、R7はアルキル基、アラルキル基またはアルキル
置換シリル基を表す。R8,R9はアルキル基、アリール基
またはアラルキル基を表し、同一であることはない。） で示されるオキシム誘導体のシン体またはアンチ体の一
方、もしくはそれのいずれかに富んだ混合物に反応させ
ることを特徴とする一般式（IV） （式中、R8,R9,＊は前記と同じ意味を表す。）で示され
る光学活性アミン類の工業的に優れた製造方法を提供す
るものである。
シ基を、R3は水素原子またはアルキル基を、R4はアルキ
ル基を表し、＊は不斉炭素を表す。） または一般式（II） （式中、R5は水素原子、アルキル基またはアルコキシ基
を、R6はアルキル基を表わす。＊は不斉炭素を表す。） で示される光学活性アミン誘導体と水素化ホウ素金属と
ハロゲン化アルミニウム、ハロゲン化チタン、ハロゲン
化スズ、ハロゲン化銅、ハロゲン化コバルトから選ばれ
る少なくとも一種のルイス酸とから得られる不斉還元剤
を、一般式（III） （式中、R7はアルキル基、アラルキル基またはアルキル
置換シリル基を表す。R8,R9はアルキル基、アリール基
またはアラルキル基を表し、同一であることはない。） で示されるオキシム誘導体のシン体またはアンチ体の一
方、もしくはそれのいずれかに富んだ混合物に反応させ
ることを特徴とする一般式（IV） （式中、R8,R9,＊は前記と同じ意味を表す。）で示され
る光学活性アミン類の工業的に優れた製造方法を提供す
るものである。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明は、光学活性アミン誘導体と水素化ホウ素金属
と特定のルイス酸とから得られる不斉還元剤を用いる点
に大きな特徴を有するものであるが、光学活性アミン誘
導体としては、例えば一般式（Ｉ）で示される光学活性
アミノアルコール、一般式（II）で示される光学活性ヒ
ドロキシベンジルアミン等が挙げられる。
と特定のルイス酸とから得られる不斉還元剤を用いる点
に大きな特徴を有するものであるが、光学活性アミン誘
導体としては、例えば一般式（Ｉ）で示される光学活性
アミノアルコール、一般式（II）で示される光学活性ヒ
ドロキシベンジルアミン等が挙げられる。
一般式（Ｉ）における置換基R1およびR2としては、例
えば水素原子、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペ
ンチル、ヘキシル等の低級アルキル基、メトキシ、エト
キシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシ
ルオキシ等の低級アルコキシ基などを挙げることができ
る。その置換位置は特に限定されない。
えば水素原子、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペ
ンチル、ヘキシル等の低級アルキル基、メトキシ、エト
キシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシ
ルオキシ等の低級アルコキシ基などを挙げることができ
る。その置換位置は特に限定されない。
置換基R3としては、例えば水素原子、R1と同様の低級
アルキル基を例示することができ、R4としてはR1と同様
の低級アルキル基を例示することができる。
アルキル基を例示することができ、R4としてはR1と同様
の低級アルキル基を例示することができる。
より具体的な化合物としては、光学活性なノルエフェ
ドリン、エフェドリン、２−アミノ−１−（２−メチル
フェニル）−１−プロパノール、２−アミノ−１−（２
−エチルフェニル）−１−プロパノール、２−アミノ−
１−（２−メトキシフェニル）−１−プロパノール、２
−アミノ−１−（２−エトキシフェニル）−１−プロパ
ノール、２−アミノ−１−（2,5−ジメチルフェニル）
−１−プロパノール、２−アミノ−１−（2,5−ジエチ
ルフェニル）−１−プロパノール、２−アミノ−１−
（2,5−ジメトキシフェニル）−１−プロパノール、２
−アミノ−１−（2,5−ジエトキシフェニル）−１−プ
ロパノール、２−アミノ−１−（２−メトキシ−５−メ
チルフェニル）−１−プロパノール、２−アミノ−１−
フェニル−１−ブタノール、２−アミノ−１−（２−メ
チルフェニル）−１−ブタノール、２−アミノ−１−
（２−エチルフェニル）−１−ブタノール、２−アミノ
−１−フェニル−１−ペンタノール、２−アミノ−１−
（2,5−ジメトキシフェニル）−１−ペンタノール、２
−アミノ−１−フェニル−１−ヘキサノール、２−アミ
ノ−１−フェニル−１−ヘプタノール、２−アミノ−１
−フェニル−１−オクタノール等を例示できる。
ドリン、エフェドリン、２−アミノ−１−（２−メチル
フェニル）−１−プロパノール、２−アミノ−１−（２
−エチルフェニル）−１−プロパノール、２−アミノ−
１−（２−メトキシフェニル）−１−プロパノール、２
−アミノ−１−（２−エトキシフェニル）−１−プロパ
ノール、２−アミノ−１−（2,5−ジメチルフェニル）
−１−プロパノール、２−アミノ−１−（2,5−ジエチ
ルフェニル）−１−プロパノール、２−アミノ−１−
（2,5−ジメトキシフェニル）−１−プロパノール、２
−アミノ−１−（2,5−ジエトキシフェニル）−１−プ
ロパノール、２−アミノ−１−（２−メトキシ−５−メ
チルフェニル）−１−プロパノール、２−アミノ−１−
フェニル−１−ブタノール、２−アミノ−１−（２−メ
チルフェニル）−１−ブタノール、２−アミノ−１−
（２−エチルフェニル）−１−ブタノール、２−アミノ
−１−フェニル−１−ペンタノール、２−アミノ−１−
（2,5−ジメトキシフェニル）−１−ペンタノール、２
−アミノ−１−フェニル−１−ヘキサノール、２−アミ
ノ−１−フェニル−１−ヘプタノール、２−アミノ−１
−フェニル−１−オクタノール等を例示できる。
また一般式（II）で示される光学活性ヒドロキシベン
ジルアミンにおける置換基R5としては例えば、水素原
子、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘ
キシル等の低級アルキル基、メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ等
の低級アルコキシ基などを挙げることができる。R6とし
ては、例えばR5と同様の低級アルキル基が挙げられる。
ジルアミンにおける置換基R5としては例えば、水素原
子、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘ
キシル等の低級アルキル基、メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ等
の低級アルコキシ基などを挙げることができる。R6とし
ては、例えばR5と同様の低級アルキル基が挙げられる。
具体化合物としては、例えば光学活性な１−（２−ヒ
ドロキシフェニル）エチルアミン、１−（２−ヒドロキ
シ−３−メチルフェニル）エチルアミン、１−（２−ヒ
ドロキシ−３−エチルフェニル）エチルアミン、１−
（２−ヒドロキシ−３−メトキシフェニル）エチルアミ
ン、１−（２−ヒドロキシ−３−エトキシフェニル）エ
チルアミン、１−（２−ヒドロキシ−５−メトキシフェ
ニル）エチルアミン、１−（２−ヒドロキシ−５−エト
キシフェニル）エチルアミン、１−（２−ヒドロキシ−
４−メチルフェニル）エチルアミン、１−（２−ヒドロ
キシ−５−メチルフェニル）エチルアミン、１−（２−
ヒドロキシフェニル）プロピルアミン、１−（２−ヒド
ロキシ−３−エチルフェニル）プロピルアミン、１−
（２−ヒドロキシ−３−メトキシフェニル）プロピルア
ミン、１−（２−ヒドロキシ−５−メトキシフェニル）
プロピルアミン、１−（２−ヒドロキシ−６−メチルフ
ェニル）エチルアミン、１−（２−ヒドロキシ−３−エ
チルフェニル）エチルアミン、１−（２−ヒドロキシ−
６−メトキシフェニル）プロピルアミン等が例示でき。
またかかる光学活性ヒドロキシベンジルアミン誘導体
は、例えば対応するケトン化合物のオキシム誘導体を不
斉還元することにより製造することができる（特開昭63
−252773号および63−249528号）。
ドロキシフェニル）エチルアミン、１−（２−ヒドロキ
シ−３−メチルフェニル）エチルアミン、１−（２−ヒ
ドロキシ−３−エチルフェニル）エチルアミン、１−
（２−ヒドロキシ−３−メトキシフェニル）エチルアミ
ン、１−（２−ヒドロキシ−３−エトキシフェニル）エ
チルアミン、１−（２−ヒドロキシ−５−メトキシフェ
ニル）エチルアミン、１−（２−ヒドロキシ−５−エト
キシフェニル）エチルアミン、１−（２−ヒドロキシ−
４−メチルフェニル）エチルアミン、１−（２−ヒドロ
キシ−５−メチルフェニル）エチルアミン、１−（２−
ヒドロキシフェニル）プロピルアミン、１−（２−ヒド
ロキシ−３−エチルフェニル）プロピルアミン、１−
（２−ヒドロキシ−３−メトキシフェニル）プロピルア
ミン、１−（２−ヒドロキシ−５−メトキシフェニル）
プロピルアミン、１−（２−ヒドロキシ−６−メチルフ
ェニル）エチルアミン、１−（２−ヒドロキシ−３−エ
チルフェニル）エチルアミン、１−（２−ヒドロキシ−
６−メトキシフェニル）プロピルアミン等が例示でき。
またかかる光学活性ヒドロキシベンジルアミン誘導体
は、例えば対応するケトン化合物のオキシム誘導体を不
斉還元することにより製造することができる（特開昭63
−252773号および63−249528号）。
本発明は、上記のような光学活性アミン誘導体と水素
化ホウ素金属と特定のルイス酸から得られる不斉還元剤
を用いるものであるが、水素化ホウ素金属としては例え
ば、水素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、
水素化ホウ素カリウム、水素化ホウ素亜鉛等が挙げられ
る。通常は水素化ホウ素ナトリウムが用いられる。水素
化ホウ素金属の使用量は光学活性アミン誘導体に対し
て、ボラン換算で通常0.3〜10モル倍程度、好ましくは
約0.5〜８モル倍である。
化ホウ素金属と特定のルイス酸から得られる不斉還元剤
を用いるものであるが、水素化ホウ素金属としては例え
ば、水素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、
水素化ホウ素カリウム、水素化ホウ素亜鉛等が挙げられ
る。通常は水素化ホウ素ナトリウムが用いられる。水素
化ホウ素金属の使用量は光学活性アミン誘導体に対し
て、ボラン換算で通常0.3〜10モル倍程度、好ましくは
約0.5〜８モル倍である。
ルイス酸としては、ハロゲン化アルミニウム、ハロゲ
ン化チタン、ハロゲン化スズ、ハロゲン化銅、ハロゲン
化コバルト等が用いられ。かかるルイス酸を用いること
により目的物の収率の向上、水素化ホウ素金属の使用量
の削減等を計ることができる。本発明に使用されるルイ
ス酸の具体化合物としては、例えば塩化アルミニウム、
臭化アルミニウム、四塩化チタン、三塩化チタン、四塩
化スズ、二塩化スズ、二塩化銅、二塩化コバルト等が挙
げられる。これらの混合物も使用し得る。
ン化チタン、ハロゲン化スズ、ハロゲン化銅、ハロゲン
化コバルト等が用いられ。かかるルイス酸を用いること
により目的物の収率の向上、水素化ホウ素金属の使用量
の削減等を計ることができる。本発明に使用されるルイ
ス酸の具体化合物としては、例えば塩化アルミニウム、
臭化アルミニウム、四塩化チタン、三塩化チタン、四塩
化スズ、二塩化スズ、二塩化銅、二塩化コバルト等が挙
げられる。これらの混合物も使用し得る。
ルイス酸の使用量は、光学活性アミン誘導体に対し、
通常0.3〜３モル倍程度、好ましくは0.6〜２モル倍程度
である。
通常0.3〜３モル倍程度、好ましくは0.6〜２モル倍程度
である。
不斉還元剤を調製するにあたっては、溶媒として、例
えばジオキサン、テオラヒドロフラン、ジグライム等の
エーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水
素類、クロルベンゼン、クロロホルム、1,2−ジクロロ
エタン等のハロゲン化炭化水素類、あるいはこれ等の混
合溶液が用いられる。光学活性アミン誘導体、水素化ホ
ウ素金属、ルイス酸等を加える順序は特に限定はない
が、光学活性アミン誘導体とルイス酸とを混合した後に
水素化ホウ素金属を加える、または水素化ホウ素金属に
光学活性アミン誘導体とルイス酸の混合物を加える方法
が光学収率の点で好ましい。調製温度は、通常100℃以
下、好ましくは50℃以下である。
えばジオキサン、テオラヒドロフラン、ジグライム等の
エーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水
素類、クロルベンゼン、クロロホルム、1,2−ジクロロ
エタン等のハロゲン化炭化水素類、あるいはこれ等の混
合溶液が用いられる。光学活性アミン誘導体、水素化ホ
ウ素金属、ルイス酸等を加える順序は特に限定はない
が、光学活性アミン誘導体とルイス酸とを混合した後に
水素化ホウ素金属を加える、または水素化ホウ素金属に
光学活性アミン誘導体とルイス酸の混合物を加える方法
が光学収率の点で好ましい。調製温度は、通常100℃以
下、好ましくは50℃以下である。
本発明は、かくして得られる不斉還元剤を前記一般式
（III）で示されるオキシム誘導体のアンチ体またはシ
ン体もしくはこれ等のいずれかに富んだ混合物に反応さ
せるものであるが、該オキシム誘導体におけるR7として
は、例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチ
ル、シクロペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプ
チル、シクロヘプチル、オクチル、シクロオクチル、ノ
ニル、デシル等炭素数１〜10のアルキル基、ベンジル、
β−フェネチル、ナフチル等炭素数７〜12のアラルキ
ル、トリメチルシリル、ジメチル−ｔ−ブチルシリル、
トリ−ｎ−プロピルシリル、トリ−ｎ−ブチルシリル等
の炭素数３〜12のアルキルシリル基などが例示できる。
（III）で示されるオキシム誘導体のアンチ体またはシ
ン体もしくはこれ等のいずれかに富んだ混合物に反応さ
せるものであるが、該オキシム誘導体におけるR7として
は、例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチ
ル、シクロペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプ
チル、シクロヘプチル、オクチル、シクロオクチル、ノ
ニル、デシル等炭素数１〜10のアルキル基、ベンジル、
β−フェネチル、ナフチル等炭素数７〜12のアラルキ
ル、トリメチルシリル、ジメチル−ｔ−ブチルシリル、
トリ−ｎ−プロピルシリル、トリ−ｎ−ブチルシリル等
の炭素数３〜12のアルキルシリル基などが例示できる。
置換基R8,R9としてはフェニル、ｏ−,m−,p−クロロ
フェニル、ｏ−,m−,p−ブロモフェニル、2,3−、2,4
−、2,5−、2,6−、3,4−、3,5−ジクロロフェニルなど
のハロゲン化置換フェニル、ｏ−,m−,p−メチルフェニ
ル、ｏ−,m−,p−エチルフェニル、ｏ−,m−,p−ブチル
フェニル、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、3,5−
ジメチルフェニルなどの炭素数が１〜６のアルキル基が
置換したフェニル、ｏ−,m−,p−メトキシフェニル、ｏ
−,m−,p−エトキシフェニル、ｏ−,m−,p−プロポキシ
フェニルなどの炭素数２〜６のアルコキシが置換したフ
ェニル、ｏ−,m−,p−ベンジルオキシフェニル、２−ベ
ンジルオキシ−３−メチルフェニル、２−ベンジルオキ
シ−４−メチルフェニル、２−ベンジルオキシ−５−メ
チルフェニル、２−ベンジルオキシ−５−ｔ−ブチルフ
ェニル、２−ベンジルオキシ−３−メトキシフェニル、
２−ベンジルオキシ−４−メトキシフェニル、２−ベン
ジルオキシ−５−メトキシフェニル、２−ベンジルオキ
シ−3,5−ジクロロフェニルなどのベンジルオキシが置
換したフェニル、ｏ−,m−,p−シアノフェニル、２−,3
−,4−ピリジル、α−，β−ナフチル等の全炭素数が５
〜17のアリール基、メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル、シクロペンチル、ヘキシル、シクロヘキ
シルなどの低級アルキル、クロロメチル、ジクロロメチ
ル、トリクロロメチル、トリプロモメチル、トリフルオ
ロメチル、２−クロロエチル、３−クロロプロピル、４
−クロロブチルなどのハロゲン化アルキル等の全炭素数
が１〜６のアルキル基、ベンジル、ｏ−,m−,p−トリル
メチル、ｏ−,m−,p−エチルベンジル、ｏ−,m−,p−メ
トキシベンジル、ｏ−,m−,p−エトキシベンジル、2,3
−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、3,5−ジメチルベン
ジル、３−スルファモイル−４−メトキシベンジル、
（2,3−、2,4−、2,5−、2,6−ジメトキシフェニル）エ
チル、２−フェニルエチル、２−（ｏ−,m−,p−トリ
ル）エチル、（2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、
3,5−ジメチルフェニル）エチル、３−フェニルプロピ
ル、ナフチルメチル等の全炭素数が７〜11のアラルキル
基などが例示できる。
フェニル、ｏ−,m−,p−ブロモフェニル、2,3−、2,4
−、2,5−、2,6−、3,4−、3,5−ジクロロフェニルなど
のハロゲン化置換フェニル、ｏ−,m−,p−メチルフェニ
ル、ｏ−,m−,p−エチルフェニル、ｏ−,m−,p−ブチル
フェニル、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、3,5−
ジメチルフェニルなどの炭素数が１〜６のアルキル基が
置換したフェニル、ｏ−,m−,p−メトキシフェニル、ｏ
−,m−,p−エトキシフェニル、ｏ−,m−,p−プロポキシ
フェニルなどの炭素数２〜６のアルコキシが置換したフ
ェニル、ｏ−,m−,p−ベンジルオキシフェニル、２−ベ
ンジルオキシ−３−メチルフェニル、２−ベンジルオキ
シ−４−メチルフェニル、２−ベンジルオキシ−５−メ
チルフェニル、２−ベンジルオキシ−５−ｔ−ブチルフ
ェニル、２−ベンジルオキシ−３−メトキシフェニル、
２−ベンジルオキシ−４−メトキシフェニル、２−ベン
ジルオキシ−５−メトキシフェニル、２−ベンジルオキ
シ−3,5−ジクロロフェニルなどのベンジルオキシが置
換したフェニル、ｏ−,m−,p−シアノフェニル、２−,3
−,4−ピリジル、α−，β−ナフチル等の全炭素数が５
〜17のアリール基、メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル、シクロペンチル、ヘキシル、シクロヘキ
シルなどの低級アルキル、クロロメチル、ジクロロメチ
ル、トリクロロメチル、トリプロモメチル、トリフルオ
ロメチル、２−クロロエチル、３−クロロプロピル、４
−クロロブチルなどのハロゲン化アルキル等の全炭素数
が１〜６のアルキル基、ベンジル、ｏ−,m−,p−トリル
メチル、ｏ−,m−,p−エチルベンジル、ｏ−,m−,p−メ
トキシベンジル、ｏ−,m−,p−エトキシベンジル、2,3
−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、3,5−ジメチルベン
ジル、３−スルファモイル−４−メトキシベンジル、
（2,3−、2,4−、2,5−、2,6−ジメトキシフェニル）エ
チル、２−フェニルエチル、２−（ｏ−,m−,p−トリ
ル）エチル、（2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、
3,5−ジメチルフェニル）エチル、３−フェニルプロピ
ル、ナフチルメチル等の全炭素数が７〜11のアラルキル
基などが例示できる。
代表的なオキシム誘導体としては、例えばアセトフェ
ノン、プロピオフェノン、ブチロフェノン、イソブチロ
フェノン、クロロメチル（フェニル）ケトン、ブロモメ
チル（フェニル）ケトン、２−アセチルピリジン、ｏ−
メトキシアセトフェノン、ｏ−エトキシアセトフェノ
ン、ｏ−プロポキシアセトフェノン、ｏ−ベンジルオキ
シアセトフェノン、α−アセトナフトン、β−アセトナ
フトン、（ｐ−クロルフェニル）メチルケトン、（ｐ−
ブロムフエニル）メチルケトン、（ｐ−シアノフェニ
ル）メチルケトン、３−スルファモイル−４−メトキシ
ベンジルメチルケトン、フエニルベンジルケトン、フェ
ニル（ｏ−トリルメチル）ケトン、フエニル（ｍ−トリ
ルメチル）ケトン、フェニル（ｐ−トリルメチル）ケト
ン、フェニル（２−フェニルエチル）ケトン、２−ブタ
ノン、２−ペンタノン、２−ヘキサノン、２−ヘプタノ
ン、２−オクタノン、３−ヘプタノン、３−オクタノ
ン、シクロヘキシルメチルケトン、シクロヘキシルエチ
ルケトン、シクロヘキシルベンジルケトン、α−フェニ
ルアセトン、（２−フェニルエチル）メチルケトン、
（２−フェニルエチル）エチルケトン、（３−フェニル
プロピル）メチルケトンなどのｏ−メチル、ｏ−オクチ
ル、ｏ−シクロヘキシル、ｏ−ベンジル、ｏ−トリメチ
ルシリル等のオキシム誘導体が挙げられ、これらのシン
体、アンチ体もしくはシン体、アンチ体のいずれか一方
に富んだ混合物が用いられる。
ノン、プロピオフェノン、ブチロフェノン、イソブチロ
フェノン、クロロメチル（フェニル）ケトン、ブロモメ
チル（フェニル）ケトン、２−アセチルピリジン、ｏ−
メトキシアセトフェノン、ｏ−エトキシアセトフェノ
ン、ｏ−プロポキシアセトフェノン、ｏ−ベンジルオキ
シアセトフェノン、α−アセトナフトン、β−アセトナ
フトン、（ｐ−クロルフェニル）メチルケトン、（ｐ−
ブロムフエニル）メチルケトン、（ｐ−シアノフェニ
ル）メチルケトン、３−スルファモイル−４−メトキシ
ベンジルメチルケトン、フエニルベンジルケトン、フェ
ニル（ｏ−トリルメチル）ケトン、フエニル（ｍ−トリ
ルメチル）ケトン、フェニル（ｐ−トリルメチル）ケト
ン、フェニル（２−フェニルエチル）ケトン、２−ブタ
ノン、２−ペンタノン、２−ヘキサノン、２−ヘプタノ
ン、２−オクタノン、３−ヘプタノン、３−オクタノ
ン、シクロヘキシルメチルケトン、シクロヘキシルエチ
ルケトン、シクロヘキシルベンジルケトン、α−フェニ
ルアセトン、（２−フェニルエチル）メチルケトン、
（２−フェニルエチル）エチルケトン、（３−フェニル
プロピル）メチルケトンなどのｏ−メチル、ｏ−オクチ
ル、ｏ−シクロヘキシル、ｏ−ベンジル、ｏ−トリメチ
ルシリル等のオキシム誘導体が挙げられ、これらのシン
体、アンチ体もしくはシン体、アンチ体のいずれか一方
に富んだ混合物が用いられる。
オキシム誘導体は、対応するケトンより公知の方法で
容易に製造することができる。またシン体もしくはアン
チ体の一方を用いる場合は分離した残りの異性体を公知
の方法でシン体／アンチ体の異性化反応を行うことによ
り、再び必要な異性体に変換でき、原料を有効に利用し
得る。
容易に製造することができる。またシン体もしくはアン
チ体の一方を用いる場合は分離した残りの異性体を公知
の方法でシン体／アンチ体の異性化反応を行うことによ
り、再び必要な異性体に変換でき、原料を有効に利用し
得る。
還元反応を行うにあたり、用いる溶媒としては例え
ば、還元剤の調製に用いられるのと同様のエーテル類、
炭化水素系溶媒、ハロゲン化炭化水素系溶媒およびこれ
らの混合物を例示することができる。その使用量はオキ
シム誘導体に対して通常２〜50重量倍程度である。
ば、還元剤の調製に用いられるのと同様のエーテル類、
炭化水素系溶媒、ハロゲン化炭化水素系溶媒およびこれ
らの混合物を例示することができる。その使用量はオキ
シム誘導体に対して通常２〜50重量倍程度である。
また還元剤は予め調製したものを用いても良いし、オ
キシム誘導体の存在下で調製することもできる。その使
用量はオキシム誘導体に対し、光学活性アミン誘導体換
算で通常0.2〜６モル倍、好ましくは0.3〜３モル倍であ
り、ボラン換算で通常１〜５モル倍であり、２〜３モル
倍でも反応は十分進行する。
キシム誘導体の存在下で調製することもできる。その使
用量はオキシム誘導体に対し、光学活性アミン誘導体換
算で通常0.2〜６モル倍、好ましくは0.3〜３モル倍であ
り、ボラン換算で通常１〜５モル倍であり、２〜３モル
倍でも反応は十分進行する。
反応温度は、通常150℃以下である。好ましくは−20
〜60℃であるが、必要に応じさらに加温することができ
る。
〜60℃であるが、必要に応じさらに加温することができ
る。
反応の進行はガスクロマトグラフィー等の分析手段に
より確認することができる。
より確認することができる。
反応終了後、例えば反応液に塩酸等の鉱産を加えるこ
とによって還元剤を失活させた後、不斉助剤として光学
活性アミノアルコール（Ｉ）を用いた場合は、例えば、
アルカリ性にしてトルエンのような溶媒を用いて抽出す
ることにより、有機層から目的とする光学活性アミン類
および該不斉助剤を得、次いで蒸留等の通常の分離手段
を用いることにより目的物、該不斉助剤をそれぞれ単離
回収することができる。ここで抽出溶媒としてヘキサン
のような溶媒を用いると目的物と該不斉助剤との溶解度
差を利用することにより、有機層から目的物を、水層か
ら該不斉助剤をそれぞれ単離回収できる。また不斉助剤
として光学活性ヒドロキシベンジルアミン（II）を用い
た場合は、例えば還元剤を失活させた後、苛性ソーダ水
溶液などでアルカリ性にして有機溶媒で抽出することに
より有機層から目的物を単離回収でき、水層を中和する
ことにより該配位子を単離回収することができる。
とによって還元剤を失活させた後、不斉助剤として光学
活性アミノアルコール（Ｉ）を用いた場合は、例えば、
アルカリ性にしてトルエンのような溶媒を用いて抽出す
ることにより、有機層から目的とする光学活性アミン類
および該不斉助剤を得、次いで蒸留等の通常の分離手段
を用いることにより目的物、該不斉助剤をそれぞれ単離
回収することができる。ここで抽出溶媒としてヘキサン
のような溶媒を用いると目的物と該不斉助剤との溶解度
差を利用することにより、有機層から目的物を、水層か
ら該不斉助剤をそれぞれ単離回収できる。また不斉助剤
として光学活性ヒドロキシベンジルアミン（II）を用い
た場合は、例えば還元剤を失活させた後、苛性ソーダ水
溶液などでアルカリ性にして有機溶媒で抽出することに
より有機層から目的物を単離回収でき、水層を中和する
ことにより該配位子を単離回収することができる。
このようにして得られた目的とする光学活性アミン類
はさらに蒸留、カラムクロマトグラフィー等の精製手段
により、更に一層精製することもできる。
はさらに蒸留、カラムクロマトグラフィー等の精製手段
により、更に一層精製することもできる。
＜発明の効果＞ かくして目的とする光学活性アミン類が製造される
が、本発明の方法によれば、目的物の収率の向上、水素
化ホウ素金属の使用量の削減等を計ることができるので
工業的な光学活性アミン類の製造方法として有利であ
る。
が、本発明の方法によれば、目的物の収率の向上、水素
化ホウ素金属の使用量の削減等を計ることができるので
工業的な光学活性アミン類の製造方法として有利であ
る。
＜実施例＞ 以下、本発明を実施例による更に詳細に説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
実施例１ 窒素雰囲気下、室温で（＋）−ノルエフェドリン３ミ
リモル（0.454g）と塩化アルミニウム４ミリモル（0.53
3g）とテトラヒドロフラン（THF）4mlからなる混合物
に、アンチ−フェニル（ｐ−トリルメチル）ケトン（ｏ
−メチルオキシム）１ミリモル（0.239g）とTHF0.5mlか
らなる溶液を加えた。
リモル（0.454g）と塩化アルミニウム４ミリモル（0.53
3g）とテトラヒドロフラン（THF）4mlからなる混合物
に、アンチ−フェニル（ｐ−トリルメチル）ケトン（ｏ
−メチルオキシム）１ミリモル（0.239g）とTHF0.5mlか
らなる溶液を加えた。
次いで、これに水素化ホウ素ナトリウム３ミルモル
（0.114g）とトリグライム1.7mlからなる混合物を加え2
5℃で20時間撹拌した後、６時間還流した。
（0.114g）とトリグライム1.7mlからなる混合物を加え2
5℃で20時間撹拌した後、６時間還流した。
その後、室温まで冷却して10％塩酸10gを加え、同温
度で１時間撹拌した後、反応液を減圧濃縮した。これ
に、カセイソーダ水溶液を加えて塩基性にした後、ヘキ
サン抽出し、分液したヘキサン層を濃縮して１−フェニ
ル−２−（ｐ−トリル）エチルアミン0.21gとトリグラ
イム0.19gの混合物を得た。
度で１時間撹拌した後、反応液を減圧濃縮した。これ
に、カセイソーダ水溶液を加えて塩基性にした後、ヘキ
サン抽出し、分液したヘキサン層を濃縮して１−フェニ
ル−２−（ｐ−トリル）エチルアミン0.21gとトリグラ
イム0.19gの混合物を得た。
ガスクロマトグラフィーによる分析したところ反応率
は100％であり、生成物の組成はアミン体99.8％であ
り、Ｎ−メトキシ体（Ｃ＝Ｎ二重結合のみが還元された
もの）0.2％であった。
は100％であり、生成物の組成はアミン体99.8％であ
り、Ｎ−メトキシ体（Ｃ＝Ｎ二重結合のみが還元された
もの）0.2％であった。
光学活性カラムを用いた高速液体クロマトグラフィー
により、アミン体のエナンチオマー比を求めたところＲ
体95.2％、Ｓ体4.8％であった。
により、アミン体のエナンチオマー比を求めたところＲ
体95.2％、Ｓ体4.8％であった。
実施例２ 窒素雰囲気下、室温で水素化ホウ素ナトリウム３ミリ
モルとTHF1.5mlの混合物に（＋）−ノルエフェドリン３
ミリモルと塩化アルミニウム４ミルモルとTHF4mlからな
る混合物を加え、次いでアンチ−フェニル（ｐ−トリル
メチル）ケトン（ｏ−メチルオキシム）１ミリモルとTH
F0.7mlからなる溶液を加えた後、25℃で19時間撹拌後、
６時間還流した。
モルとTHF1.5mlの混合物に（＋）−ノルエフェドリン３
ミリモルと塩化アルミニウム４ミルモルとTHF4mlからな
る混合物を加え、次いでアンチ−フェニル（ｐ−トリル
メチル）ケトン（ｏ−メチルオキシム）１ミリモルとTH
F0.7mlからなる溶液を加えた後、25℃で19時間撹拌後、
６時間還流した。
以後実施例１と同様に処理して、１−フェニル−２−
（ｐ−トリル）エチルアミンを得た。
（ｐ−トリル）エチルアミンを得た。
反応率100％、アミン体100％であり、エナンチオマー
比はＲ体95.7％、Ｓ体4.3％であった。
比はＲ体95.7％、Ｓ体4.3％であった。
実施例３ 窒素雰囲気下、室温で塩化アルミニウム3.2ミルモル
とTHF3mlの混合物に水素化ホウ素ナトリウム2.4ミリモ
ルとトリグライム1.3mlからなる混合物を加え、次いで
（＋）−ノルエフェドリン2.4ミリモルとTHF1mlからな
る溶液を加えて２時間撹拌した。
とTHF3mlの混合物に水素化ホウ素ナトリウム2.4ミリモ
ルとトリグライム1.3mlからなる混合物を加え、次いで
（＋）−ノルエフェドリン2.4ミリモルとTHF1mlからな
る溶液を加えて２時間撹拌した。
次いで、これにアンチ−フェニル（ｐ−トリルメチ
ル）ケトン（ｏ−メイルオキシム）１ミリモルとTHF0.5
mlからなる溶液を加え25℃で23時間撹拌した後、４時間
還流した。
ル）ケトン（ｏ−メイルオキシム）１ミリモルとTHF0.5
mlからなる溶液を加え25℃で23時間撹拌した後、４時間
還流した。
以後実施例１と同様に処理して、１−フェニル−２−
（ｐ−トリル）エチルアミンを得た。
（ｐ−トリル）エチルアミンを得た。
反応率100％、アミン体98.3％、Ｎ−メトキシ体1.7％
であり、アミン体のエナンチオマー比はＲ体93％、Ｓ体
７％であった。
であり、アミン体のエナンチオマー比はＲ体93％、Ｓ体
７％であった。
実施例４ 実施例１において、（＋）−ノルエフェドリンを0.6
ミリモル、塩化アルミニウムの代わりに四塩化チタン１
ミリモルを用い、反応を25℃で36時間実施する以外は実
施例１に準拠し、実施して１−フェニル−２−（ｐ−ト
リル）エチルアミンを得た。
ミリモル、塩化アルミニウムの代わりに四塩化チタン１
ミリモルを用い、反応を25℃で36時間実施する以外は実
施例１に準拠し、実施して１−フェニル−２−（ｐ−ト
リル）エチルアミンを得た。
反応率100％、アミン体100％であり、エナンチオマー
比はＲ体88％、Ｓ体12％であった。
比はＲ体88％、Ｓ体12％であった。
実施例５ 実施例３において、塩化アルミニウムの代わりに臭化
アルミニウム3.3ミリモル、水素化ホウ素ナトリウム2.5
ミルモル、（＋）−ノルエフェドリン2.5ミリモルを用
い、反応を25℃で44時間、次いで還流を９時間行う以外
は実施例３に準拠して実施した。
アルミニウム3.3ミリモル、水素化ホウ素ナトリウム2.5
ミルモル、（＋）−ノルエフェドリン2.5ミリモルを用
い、反応を25℃で44時間、次いで還流を９時間行う以外
は実施例３に準拠して実施した。
反応率は72.4％、生成物の組成はアミン体100％であ
り、アミン体のエナンチオマー比は、Ｒ体91.2％、Ｓ体
8.8％であった。
り、アミン体のエナンチオマー比は、Ｒ体91.2％、Ｓ体
8.8％であった。
実施例６ 実施例１において、THFの代わりにクロロホルムを用
いる以外は実施例１と同様に実施した。
いる以外は実施例１と同様に実施した。
反応率は91.6％、生成物の組成はアミン体98.6％、Ｎ
−メトキシ体1.4％であり、アミン体のエナンチオマー
比は、Ｒ体80.9％、Ｓ体19.1％であった。
−メトキシ体1.4％であり、アミン体のエナンチオマー
比は、Ｒ体80.9％、Ｓ体19.1％であった。
実施例７ 実施例４において、THFの代わりにジオキサンを用
い、四塩化チタンを1.2ミリモル用いて、反応を25℃で2
4時間実施する以外は、実施例４と同様に実施した。
い、四塩化チタンを1.2ミリモル用いて、反応を25℃で2
4時間実施する以外は、実施例４と同様に実施した。
反応率は99％、生成物の組成はアミン体100％エナン
チオマー比は、Ｒ体87.2％、Ｓ体12.8％であった。
チオマー比は、Ｒ体87.2％、Ｓ体12.8％であった。
実施例８ 実施例１において、（＋）−ノルエフェドリンを0.6
ミリモル、塩化アルミニウムの代わりに四塩化スズ１ミ
ルモルを用い、反応を25℃で19時間、次いで還流下５時
間実施する以外は、実施例１に準拠して実施した。
ミリモル、塩化アルミニウムの代わりに四塩化スズ１ミ
ルモルを用い、反応を25℃で19時間、次いで還流下５時
間実施する以外は、実施例１に準拠して実施した。
反応率100％、生成物中のアミン体100％であり、アミ
ン体のエナンチオマー比はＲ体89.9％、Ｓ体10.1％であ
った。
ン体のエナンチオマー比はＲ体89.9％、Ｓ体10.1％であ
った。
実施例９ 実施例１において、（＋）−ノルえフェドリンを0.6
ミリモル、塩化アルミニウムの代わりに三塩化チタン１
ミルモルを用い、反応を25℃で36時間実施する以外は実
施例１に準拠して実施した。
ミリモル、塩化アルミニウムの代わりに三塩化チタン１
ミルモルを用い、反応を25℃で36時間実施する以外は実
施例１に準拠して実施した。
反応率は97.4％、生成物中のアミン体100％、であ
り、アミン体のエナンチオマー比はＲ体87.6％、Ｓ体1
2.4％であった。
り、アミン体のエナンチオマー比はＲ体87.6％、Ｓ体1
2.4％であった。
実施例10 実施例１において、（＋）−ノルエフェドリンを0.6
ミリモル、塩化アルミニウムの代わりに二塩化銅１ミル
モルを用い、反応を25℃で36時間、次いで還流下に11時
間実施する以外は実施例１に準拠して実施した。
ミリモル、塩化アルミニウムの代わりに二塩化銅１ミル
モルを用い、反応を25℃で36時間、次いで還流下に11時
間実施する以外は実施例１に準拠して実施した。
反応率77.2％、生成物中のアミン体100％、であり、
アミン体のエナンチオマー比はＲ体67.3％、Ｓ体32.7％
であった。
アミン体のエナンチオマー比はＲ体67.3％、Ｓ体32.7％
であった。
実施例11 実施例１において、（＋）−ノルエフェドリンを0.6
ミリモル、塩化アルミニウムの代わりに二塩化コバルト
１ミルモルを用い、反応を25℃で76時間実施する以外は
実施例１に準拠して実施した。
ミリモル、塩化アルミニウムの代わりに二塩化コバルト
１ミルモルを用い、反応を25℃で76時間実施する以外は
実施例１に準拠して実施した。
反応率63.1％、生成物中のアミン体100％、であり、
アミン体のエナンチオマー比はＲ体65.1％、Ｓ体34.9％
であった。
アミン体のエナンチオマー比はＲ体65.1％、Ｓ体34.9％
であった。
実施例12 実施例１において、（＋）−ノルエフェドリンを0.6
ミリモル、塩化アルミニウムの代わりに二塩化スズ１ミ
ルモルを用い、反応を25℃で92時間、次いで還流下に５
時間実施する以外は実施例１に準拠して実施した。
ミリモル、塩化アルミニウムの代わりに二塩化スズ１ミ
ルモルを用い、反応を25℃で92時間、次いで還流下に５
時間実施する以外は実施例１に準拠して実施した。
反応率55.2％、生成物中のアミン体55.4％、Ｎ−メト
キシ体44.6％であり、アミン体のエナンチオマー比はＲ
体70.5％、Ｓ体29.5％であった。
キシ体44.6％であり、アミン体のエナンチオマー比はＲ
体70.5％、Ｓ体29.5％であった。
実施例13〜21 実施例１において、アンチ−フェニル（ｐ−トリルメ
チル）ケトン（ｏ−メチルオキシムの）代わりに、シン
−フェニル（ｐ−トリルメチル）ケトン（ｏ−メチルオ
キシム）、アンチ−フェニル（ｐ−トリルメチル）ケト
ン（ｏ−ブチルオキシム）、アンチ−２−オキタノン
（ｏ−ベンジルオキシム）、シン−２−オクタノン（ｏ
−ベンジルオキシム）、アンチ−アセトフェノン（ｏ−
メチルオキシム）、アンチ−２−アセトナフトン（ｏ−
メチルオキシム）、アンチ−４′−ブロモアセトフェノ
ン（ｏ−メチルオキシム）、アンチ−２′,4′−ジクロ
ロアセトフェノン（ｏ−メチルオキシム）、アンチ−２
−クロロアセトフェノン（ｏ−メチルオキシム）をそれ
ぞれ１ミルモルを用いる以外は実施例１に準拠して実施
し、それぞれ１−フェニル−２−（ｐ−トリル）エチル
アミン、１−フェニル−２−（ｐ−トリル）エチルアミ
ン、２−オクチルアミン、２−オクチルアミン、１−フ
ェニルエチルアミン、１−（２−ナフチル）エチルアミ
ン、１−（４−ブロモフェニル）エチルアミン、１−
（2,4−ジクロロフェニル）エチルアミン、１−フェニ
ル−２−クロロエチルアミンを得た。結果を表１に示し
た。
チル）ケトン（ｏ−メチルオキシムの）代わりに、シン
−フェニル（ｐ−トリルメチル）ケトン（ｏ−メチルオ
キシム）、アンチ−フェニル（ｐ−トリルメチル）ケト
ン（ｏ−ブチルオキシム）、アンチ−２−オキタノン
（ｏ−ベンジルオキシム）、シン−２−オクタノン（ｏ
−ベンジルオキシム）、アンチ−アセトフェノン（ｏ−
メチルオキシム）、アンチ−２−アセトナフトン（ｏ−
メチルオキシム）、アンチ−４′−ブロモアセトフェノ
ン（ｏ−メチルオキシム）、アンチ−２′,4′−ジクロ
ロアセトフェノン（ｏ−メチルオキシム）、アンチ−２
−クロロアセトフェノン（ｏ−メチルオキシム）をそれ
ぞれ１ミルモルを用いる以外は実施例１に準拠して実施
し、それぞれ１−フェニル−２−（ｐ−トリル）エチル
アミン、１−フェニル−２−（ｐ−トリル）エチルアミ
ン、２−オクチルアミン、２−オクチルアミン、１−フ
ェニルエチルアミン、１−（２−ナフチル）エチルアミ
ン、１−（４−ブロモフェニル）エチルアミン、１−
（2,4−ジクロロフェニル）エチルアミン、１−フェニ
ル−２−クロロエチルアミンを得た。結果を表１に示し
た。
実施例22 実施例１において、（＋）−ノルエフェドリンの代わ
りに（−）−エリスロ−２−アミノ−１−（2,5−ジメ
トキシフェニル）−１−プロパノールを３ミリモル用い
る以外は、実施例１に準拠して実施した。
りに（−）−エリスロ−２−アミノ−１−（2,5−ジメ
トキシフェニル）−１−プロパノールを３ミリモル用い
る以外は、実施例１に準拠して実施した。
反応率99.3％、生成物組成アミン体99.8％、Ｎ−メト
キシ体0.2％であり、アミン体のエナンチオマー比Ｒ体
4.2％、Ｓ体95.8％であった。
キシ体0.2％であり、アミン体のエナンチオマー比Ｒ体
4.2％、Ｓ体95.8％であった。
実施例23 実施例１において、（＋）−ノルエフェドリンの代わ
りに（−）−エフェドリン３ミリモルを用い、25℃で72
時間反応させる以外は、実施例１に準拠して実施した。
りに（−）−エフェドリン３ミリモルを用い、25℃で72
時間反応させる以外は、実施例１に準拠して実施した。
反応率69.8％、生成物組成アミン体43.8％、Ｎ−メト
キシ体56.2％であり、アミン体のエナンチオマー比Ｒ体
12.7％、Ｓ体87.3％であった。
キシ体56.2％であり、アミン体のエナンチオマー比Ｒ体
12.7％、Ｓ体87.3％であった。
実施例24 実施例２において、（＋）−ノルエフェドリンの代わ
りに（＋）−エリスロ−２−アミノ−１−（2,5−ジメ
トキシフェニル）−１−プロパノールを用い、アンチ−
フェニル（ｐ−トリルメチル）ケトン（ｏ−メチルオキ
シム）の代わりにアンチ−３−スルファモイル−４−メ
トキシベンジルメチルケトン（ｏ−メチルオキシム）を
用い、実施例２に準拠して反応を実施した。
りに（＋）−エリスロ−２−アミノ−１−（2,5−ジメ
トキシフェニル）−１−プロパノールを用い、アンチ−
フェニル（ｐ−トリルメチル）ケトン（ｏ−メチルオキ
シム）の代わりにアンチ−３−スルファモイル−４−メ
トキシベンジルメチルケトン（ｏ−メチルオキシム）を
用い、実施例２に準拠して反応を実施した。
反応液に10％塩酸10gを加えた後、苛性ソーダ水溶液
を加えてクロロホルムで抽出し、カラムクロマトグラフ
ィーにより単離精製することにより、（Ｒ）−（−）−
１−（３−スルファモイル−４−メトキシフェニル）−
２−アミノプロパン0.178gを得た。
を加えてクロロホルムで抽出し、カラムクロマトグラフ
ィーにより単離精製することにより、（Ｒ）−（−）−
１−（３−スルファモイル−４−メトキシフェニル）−
２−アミノプロパン0.178gを得た。
〔α〕25−12.4゜（C1.0,MeOH）、光学純度71％ 実施例25 窒素雰囲気下、室温で水素化ホウ素ナトリウム３ミリ
モルとTHF3.5mlの混合物に（−）−１−（２−ヒドロキ
シフェニル）エチルアミン３ミリモル（0.142g）と塩化
アルミニウム４ミリモルとTHF5mlからなる混合物を加
え、2.5時間撹拌した。次いで、これにアンチ−フェニ
ル（ｐ−トリルメチル）ケトン（ｏ−メチルオキシム）
１ミリモルとTHF2.5mlからなる溶液を加えた後、25℃で
24時間撹拌した。
モルとTHF3.5mlの混合物に（−）−１−（２−ヒドロキ
シフェニル）エチルアミン３ミリモル（0.142g）と塩化
アルミニウム４ミリモルとTHF5mlからなる混合物を加
え、2.5時間撹拌した。次いで、これにアンチ−フェニ
ル（ｐ−トリルメチル）ケトン（ｏ−メチルオキシム）
１ミリモルとTHF2.5mlからなる溶液を加えた後、25℃で
24時間撹拌した。
次いで、反応液に10％塩酸10gを加え40℃で１時間撹
拌した後、室温まで冷却して25％苛性ソーダ水溶液約6g
を加えて塩基性にし、クロロホルムで抽出した。有機層
を濃縮することにより、１−フェニル−２−（ｐ−トリ
ル）エチルアミン0.223gを得た。
拌した後、室温まで冷却して25％苛性ソーダ水溶液約6g
を加えて塩基性にし、クロロホルムで抽出した。有機層
を濃縮することにより、１−フェニル−２−（ｐ−トリ
ル）エチルアミン0.223gを得た。
ガスクロマトグラフィーにより分析したところ反応率
は100％であり、生成物の組成はアミン体80.3％であ
り、Ｎ−メトキシ体（Ｃ＝Ｎ二重結合のみが還元された
もの）19.7％であった。
は100％であり、生成物の組成はアミン体80.3％であ
り、Ｎ−メトキシ体（Ｃ＝Ｎ二重結合のみが還元された
もの）19.7％であった。
光学活性カラム用いた高速液体クロマトグラフィーに
より、アミン体のエナンチオマー比を求めたところＲ体
80.9％、Ｓ体19.1％であった。
より、アミン体のエナンチオマー比を求めたところＲ体
80.9％、Ｓ体19.1％であった。
実施例26 実施例25において、（−）−１−（２−ヒドロキシフ
ェニル）エチルアミンの代わりに（＋）−（２−ヒドロ
キシ−５−メトキシフェニル）エチルアミンを用い、反
応を25℃で15時間、還流下に６時間実施する以外は実施
例25に準拠して実施した。
ェニル）エチルアミンの代わりに（＋）−（２−ヒドロ
キシ−５−メトキシフェニル）エチルアミンを用い、反
応を25℃で15時間、還流下に６時間実施する以外は実施
例25に準拠して実施した。
反応率95.8％、生成物組成アミン体86.8％、Ｎ−メト
キシ体13.2％であり、アミン体のエナンチオマー比Ｒ体
76.5％、Ｓ体23.5％であった。
キシ体13.2％であり、アミン体のエナンチオマー比Ｒ体
76.5％、Ｓ体23.5％であった。
実施例27 実施例25において、（−）−１−（２−ヒドロキシフ
ェニル）エチルアミンの代わりに（＋）−（２−ヒドロ
キシ−３−メチルフェニル）エチルアミンを用い、反応
を25℃で15時間、還流下に６時間実施する以外は実施例
25に準拠して実施した。
ェニル）エチルアミンの代わりに（＋）−（２−ヒドロ
キシ−３−メチルフェニル）エチルアミンを用い、反応
を25℃で15時間、還流下に６時間実施する以外は実施例
25に準拠して実施した。
反応率100％、生成物組成アミン体89.8％、Ｎ−メト
キシ体10.2％であり、アミン体のエナンチオマー比Ｒ体
81.6％、Ｓ体18.4％であった。
キシ体10.2％であり、アミン体のエナンチオマー比Ｒ体
81.6％、Ｓ体18.4％であった。
実施例28〜30 実施例25において、アンチ−フェニル（ｐ−トリルメ
チル）ケトン（ｏ−メチルオキシム）の代わりに、アン
チ−４−ブロモアセトフェノン（ｏ−メチルオキシ
ム）、アンチ−２−オクタノン（ｏ−ベンジルオキシ
ム）、アンチ−シクロヘキシルベンジルケトン（ｏ−メ
チルオキシム）を用い、反応を25℃で15時間、次いで還
流下で６時間実施する以外は実施例25に準拠して行なっ
た。結果を表２に示した。
チル）ケトン（ｏ−メチルオキシム）の代わりに、アン
チ−４−ブロモアセトフェノン（ｏ−メチルオキシ
ム）、アンチ−２−オクタノン（ｏ−ベンジルオキシ
ム）、アンチ−シクロヘキシルベンジルケトン（ｏ−メ
チルオキシム）を用い、反応を25℃で15時間、次いで還
流下で６時間実施する以外は実施例25に準拠して行なっ
た。結果を表２に示した。
実施例31 実施例26において、アンチ−フェニル（ｐ−トリルメ
チル）ケトン（ｏ−メチルオキシム）の代わりに、アン
チ−アセトフェノン（ｏ−メチルオキシム）を用いる以
外は実施例26に準拠して行なった。結果を表２に示し
た。
チル）ケトン（ｏ−メチルオキシム）の代わりに、アン
チ−アセトフェノン（ｏ−メチルオキシム）を用いる以
外は実施例26に準拠して行なった。結果を表２に示し
た。
比較例１ 実施例１において、塩化アルミニウムの代わりに三フ
ッ化ホウ素・ジエチルエーテル錯体を用いる以外は、実
施例１に準拠して実施した。
ッ化ホウ素・ジエチルエーテル錯体を用いる以外は、実
施例１に準拠して実施した。
反応率3.4％、生成物組成アミン体33.3％、Ｎ−メト
キシ体66.7％であり、アミン体のエナンチオマー比Ｒ体
85.5％、Ｓ体14.5％であった。
キシ体66.7％であり、アミン体のエナンチオマー比Ｒ体
85.5％、Ｓ体14.5％であった。
比較例２ 実施例25において、塩化アルミニウムの代わりに三フ
ッ化ホウ素・ジエチルエーテル錯体を用いる以外は、実
施例24に準拠して実施した。
ッ化ホウ素・ジエチルエーテル錯体を用いる以外は、実
施例24に準拠して実施した。
反応率81.6％、生成物組成アミン体66.1％、Ｎ−メト
キシ体33.9％であり、アミン体のエナンチオマー比Ｒ体
23.7％、Ｓ体76.3％であった。
キシ体33.9％であり、アミン体のエナンチオマー比Ｒ体
23.7％、Ｓ体76.3％であった。
Claims (1)
- 【請求項１】一般式（Ｉ） （式中、R1,R2は水素原子、アルキル基またはアルコキ
シ基を、R3は水素原子またはアルキル基を、R4はアルキ
ル基を表し、＊は不斉炭素を表す。） または一般式（II） （式中、R5は水素原子、アルキル基またはアルコキシ基
を、R6はアルキル基を表わす。＊は不斉炭素を表す。） で示される光学活性アミン誘導体と水素化ホウ素金属と
ハロゲン化アルミニウム、ハロゲン化チタン、ハロゲン
化スズ、ハロゲン化銅、ハロゲン化コバルトから選ばれ
る少なくとも一種のルイス酸とから得られる不斉還元剤
を、一般式（III） （式中、R7はアルキル基、アラルキル基またはアルキル
置換シリル基を表す。R8,R9はアルキル基、アリール基
またはアラルキル基を表し、同一であることはない。） で示されるオキシム誘導体のシン体またはアンチ体の一
方、もしくはそれらのいずれかに富んだ混合物に反応さ
せることを特徴とする一般式（IV） （式中、R8,R9,＊は前記と同じ意味を表す。）で示され
る光学活性アミン類の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13401889A JP2679248B2 (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 光学活性アミン類の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13401889A JP2679248B2 (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 光学活性アミン類の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02311446A JPH02311446A (ja) | 1990-12-27 |
| JP2679248B2 true JP2679248B2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=15118453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13401889A Expired - Fee Related JP2679248B2 (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 光学活性アミン類の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2679248B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19706396A1 (de) * | 1996-12-09 | 1998-06-10 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von 3-(l-Hydroxiphenyl-l-alkoximinomethyl)dioxazinen |
| WO2008027740A2 (en) * | 2006-08-29 | 2008-03-06 | Office Of Intellectual Property And Technology | Catalytic asymmetric synthesis of primary amines via borane reduction of oxime ethers using spiroborate esters |
-
1989
- 1989-05-26 JP JP13401889A patent/JP2679248B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02311446A (ja) | 1990-12-27 |
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