JP2678528B2 - Semiconductor sensor and adjusting method thereof - Google Patents
Semiconductor sensor and adjusting method thereofInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は応力及び磁束等の検出対
象の物理量を検出する半導体センサに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor sensor for detecting physical quantities to be detected such as stress and magnetic flux.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図３は従来の半導体センサの構成を示す
模式的ブロック図である。図中１は応力及び磁束等の検
出対象の物理量を電気信号に変換する検出部であり、検
出部１の検出信号は、その増幅率を調整する増幅率調整
用可変抵抗20を備えた増幅部２に与えられる。増幅部２
に与えられた検出信号は前記増幅率分増幅されて出力端
子３から出力される。また、増幅部２には、そのオフセ
ット出力を調整するオフセット調節用可変抵抗40を備え
たオフセット印加部４から、検出部１の零点出力（検出
対象の物理量が零のときの出力）を補正するためのオフ
セット出力が印加されるようになっている。このように
構成された半導体センサにおいては、その検出出力特性
を調整する場合、オフセット調節用可変抵抗40にてオフ
セット出力を調節して零点出力を補正した後、増幅率調
整用可変抵抗20にて増幅率を調整することにより検出部
１の感度を補正していた。2. Description of the Related Art FIG. 3 is a schematic block diagram showing the structure of a conventional semiconductor sensor. In the figure, reference numeral 1 is a detection unit that converts physical quantities to be detected, such as stress and magnetic flux, into electric signals. Given to 2. Amplifier 2
The detection signal given to is amplified by the amplification factor and output from the output terminal 3. Further, to the amplifier 2, its from the offset application unit 4 provided with an offset adjusting variable resistor 40 for adjusting the offset output, the zero-point output of the detection unit 1 (physical quantity detected is output when zero) correct for An offset output for applying is applied. In such a semiconductor sensor constructed, when adjusting the detection output characteristics, after adjustment to zero point output offset output was compensation by the offset adjusting variable resistor 40, the amplification factor adjusting variable resistor 20 the sensitivity of the detection unit 1 by adjusting the amplification factor was compensation Te.
【０００３】図４は従来の半導体センサの検出出力特性
の調整方法を示すフローチャートである。まず、ステッ
プS11 で被測定物の物理量を零にする。ステップS12 で
半導体センサの出力端子３の出力レベルをモニタ計測す
る。このときの検出部１の出力レベルが零点出力であ
る。次に、ステップS13 でオフセット調節用可変抵抗40
の抵抗値を調節し、ステップS14 で出力端子３の出力レ
ベルが、予め定められた零点出力の目標値になっている
か否かを判定する。FIG. 4 is a flow chart showing a conventional method of adjusting the detection output characteristic of a semiconductor sensor. First, in step S11, the physical quantity of the measured object is set to zero. In step S12, the output level of the output terminal 3 of the semiconductor sensor is monitored and measured. The output level of the detector 1 at this time is the zero-point output. Next, in step S13, the offset adjusting variable resistor 40
Is adjusted, and it is determined in step S14 whether or not the output level of the output terminal 3 is a predetermined zero point output target value.
【０００４】ステップS14 において、出力端子３の出力
レベルが零点出力の目標値になっていないと判定された
場合は、ステップS12 に戻り、ステップS12 〜ステップ
S14の処理を繰り返す。If it is determined in step S14 that the output level of the output terminal 3 does not reach the target value of the zero point output, the process returns to step S12, and steps S12 to
The process of S14 is repeated.
【０００５】一方、ステップS14 において、出力端子３
の出力レベルが前記目標値になっていると判定された場
合は、ステップS15 に進み、検出対象の物理量を、検出
部１の感度を調整できるような所定値に設定する。次
に、ステップS16 で出力端子３の出力レベルをモニタ計
測し、ステップS17 で増幅率調整用可変抵抗20の抵抗値
を調節する。そして、ステップS18 で出力端子３の出力
レベルが予め定められた感度の目標値になっているか否
かを判定する。On the other hand, in step S14, the output terminal 3
If it is determined that the output level of 1 is the target value, the process proceeds to step S15, and the physical quantity to be detected is set to a predetermined value that allows the sensitivity of the detection unit 1 to be adjusted. Next, in step S16, the output level of the output terminal 3 is monitored and measured, and in step S17, the resistance value of the amplification factor adjusting variable resistor 20 is adjusted. Then, in step S18, it is determined whether or not the output level of the output terminal 3 has reached a predetermined target value of sensitivity.
【０００６】ステップS18 において、出力端子３の出力
レベルが感度の目標値になっていないと判定された場合
は、ステップS16 に戻り、ステップS16 〜ステップS18
の処理を繰り返す。一方、ステップS18 において、出力
端子３の出力レベルが感度の目標値になっていると判定
された場合は、半導体センサの検出出力特性の調整を終
了する。When it is determined in step S18 that the output level of the output terminal 3 does not reach the target value of sensitivity, the process returns to step S16 and steps S16 to S18.
Is repeated. On the other hand, in step S18, when it is determined that the output level of the output terminal 3 is the target value of the sensitivity, the adjustment of the detection output characteristic of the semiconductor sensor ends.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところが、前述の如き
検出出力特性の調整を行う従来の半導体センサでは、零
点出力及び感度が夫々の目標値に達するまで出力端子３
の出力のモニタ計測と、その判定とを繰り返す必要があ
るので、検出出力特性の調整に長時間を要するという問
題があった。However, in the conventional semiconductor sensor for adjusting the detection output characteristics as described above, the output terminal 3 is operated until the zero-point output and the sensitivity reach their respective target values.
Since it is necessary to repeat the monitor measurement of the output and the determination thereof, there is a problem that it takes a long time to adjust the detection output characteristic.
【０００８】本発明は、このような問題点を解消するた
めになされたもので、短時間で検出出力特性の調整をす
ることが可能となる半導体センサ及びその調整方法を提
供することを目的とする。The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor sensor capable of adjusting the detection output characteristics in a short time and an adjusting method thereof. To do.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】第１の発明に係る半導体
センサは、検出対象の物理量を検出し、これを電気信号
に変換する検出手段と、前記物理量が零の場合のオフセ
ットを補正するオフセット出力を印加するオフセット印
加手段と、前記検出手段の出力を増幅する増幅手段とを
備え、前記増幅手段の増幅率及び前記オフセット印加手
段のオフセット出力を調整することにより、その検出出
力特性を調整するようにしてある半導体センサにおい
て、前記増幅率を調整するための補正係数である第１の
ディジタルデータを記憶する第１の記憶手段と前記オフ
セット出力を調整するための補正係数である第２のディ
ジタルデータを記憶する第２の記憶手段とを備え、第１
の記憶手段に記憶された第１のディジタルデータに基づ
いて前記増幅手段の増幅率を調整し、第２の記憶手段に
記憶された第２のディジタルデータに基づいて前記オフ
セット印加手段のオフセット出力を調整するようにして
あることを特徴とする。 Means for Solving the Problems A semiconductor sensor according to the first aspect of the present invention detects the physical quantity to be detected, a detection means for converting it into electrical signals, wherein the physical quantity compensates for any offset in the case of zero An offset applying means for applying an offset output and an amplifying means for amplifying the output of the detecting means are provided.
The amplification factor of the amplification means and the offset application means
By adjusting the offset output of the stage,
For semiconductor sensors that are designed to adjust force characteristics
Te, a storing a second digital data is a correction coefficient for adjusting the offset output from the first storage means for storing the first digital data is a correction coefficient for adjusting the amplification factor 2 and a storage means, first
Adjusting the amplification factor of the amplification means based on the first digital data stored in the storage means, and adjusting the offset output of the offset application means based on the second digital data stored in the second storage means. so as to adjust
There is a feature.
【００１０】第２の発明に係る半導体センサの調整方法
は、請求項１記載の半導体センサを用いてその検出出力
特性を調整する半導体センサの調整方法であって、検出
対象の物理量が零の場合の増幅手段の出力レベルと、検
出対象の物理量が零以外の所定値である場合の増幅手段
の出力レベルとを計測し、これらの計測結果に基づい
て、所定の検出感度を得るための補正係数である第１の
ディジタルデータ及び所定のオフセットを得るための補
正係数である第２のディジタルデータを求め、求めた第
１のディジタルデータを第１の記憶手段に記憶させると
共に求めた第２のディジタルデータを第２の記憶手段に
記憶させることを特徴とする。 [0010] adjustment method of a semiconductor sensor according to the second invention is a control method of a semiconductor sensor for adjusting the detection output characteristics by using a semiconductor sensor according to claim 1, wherein when the physical quantity to be detected is zero The output level of the amplification means and the output level of the amplification means when the physical quantity to be detected has a predetermined value other than zero, and based on these measurement results, a correction coefficient for obtaining the predetermined detection sensitivity complement for obtaining a first digital data and the predetermined offset is
Obtains a second digital data is positive coefficients, characterized in that to store the second digital data obtained with storing the first digital data obtained in the first storage device to the second storage means .
【００１１】[0011]
【作用】本発明に係る半導体センサでは、第１の記憶手
段に記憶された補正係数たる第１のディジタルデータに
基づいて増幅手段の増幅率が調整され、第２の記憶手段
に記憶された補正係数たる第２のディジタルデータに基
づいてオフセット印加手段のオフセット出力が調整され
るようになっているので、第１の記憶手段及び第２の記
憶手段に第１のディジタルデータ及び第２のディジタル
データの適正な値を記憶させるだけでその検出感度及び
オフセット等の検出出力特性が適正に調整される。In the semiconductor sensor according to the present invention, the amplification factor of the amplifying means based on the first digital data serving correction coefficient stored in the first storage means is adjusted, corrected, which is stored in the second storage means Since the offset output of the offset applying means is adjusted based on the second digital data which is a coefficient , the first digital data and the second digital data are stored in the first storage means and the second storage means. The detection output characteristics such as the detection sensitivity and the offset can be properly adjusted only by storing an appropriate value of.
【００１２】本発明に係る半導体センサの調整方法で
は、検出対象の物理量が零の場合の増幅手段の出力レベ
ルと、検出対象の物理量が零以外の所定値である場合の
増幅手段の出力レベルとを計測すると、調整前の検出感
度及びオフセット量が得られるので、これらの計測結果
に基づいて、増幅手段の増幅率を、所定の検出感度を得
ることができる増幅率に調整するための補正係数たる第
１のディジタルデータが、所定の演算によって求められ
ると共に、オフセット印加手段のオフセット出力を、所
定のオフセットを得ることができるオフセット出力に調
整するための補正係数たる第２のディジタルデータが、
所定の演算によって求められる。このように求められた
第１のディジタルデータ及び第２のディジタルデータを
第１の記憶手段及び第２の記憶手段に記憶させると、増
幅手段の増幅率が第１のディジタルデータに基づいて適
正な値に調整され、オフセット印加手段のオフセット出
力が第２の記憶手段に記憶された第２のディジタルデー
タに基づいて適正な値に調整される。In the method of adjusting a semiconductor sensor according to the present invention, the output level of the amplification means when the physical quantity of the detection target is zero and the output level of the amplification means when the physical quantity of the detection target is a predetermined value other than zero. Since the detection sensitivity and the offset amount before adjustment are obtained by measuring, the correction coefficient for adjusting the amplification factor of the amplification means to the amplification factor capable of obtaining the predetermined detection sensitivity based on these measurement results. The first digital data that is the barrel is obtained by a predetermined calculation, and the second digital data that is a correction coefficient for adjusting the offset output of the offset applying unit to an offset output that can obtain the predetermined offset is
It is obtained by a predetermined calculation. When the first digital data and the second digital data thus obtained are stored in the first storage means and the second storage means, the amplification factor of the amplification means is appropriate based on the first digital data. The value is adjusted to a value, and the offset output of the offset applying means is adjusted to an appropriate value based on the second digital data stored in the second storage means.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
き具体的に説明する。図１は本発明に係る半導体センサ
の構成を示す模式的ブロック図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be specifically described below with reference to the drawings showing the embodiments. FIG. 1 is a schematic block diagram showing the configuration of a semiconductor sensor according to the present invention.
【００１４】図中１は応力及び磁束等の検出対象の物理
量を電気信号に変換する検出部であり、検出部１の検出
信号は、その増幅率を後述するディジタルデータに基づ
いて調整する増幅部２に与えられる。増幅部２に与えら
れた検出信号は前記増幅率分増幅されて出力端子３から
出力される。また、増幅部２には、そのオフセット出力
を後述するディジタルデータに基づいて調整するオフセ
ット印加部４から、検出部１の零点出力（検出対象の物
理量が零のときの出力）を補整するためのオフセット出
力が印加されるようになっている。前記増幅部２の増幅
率の適正な調整量を表す増幅率調整ディジタルデータは
不揮発性メモリよりなる記憶部５の第１記憶領域51に記
憶されるようになっており、オフセット印加部４のオフ
セット出力の適正な調整量を表すオフセット調整ディジ
タルデータは、前記記憶部５の第２記憶領域52に記憶さ
れるようになっている。記憶部５の第１記憶領域51に記
憶された増幅率調整ディジタルデータ及び記憶部５の第
２記憶領域52に記憶されたオフセット調整ディジタルデ
ータは、夫々、データバス61，62を介して増幅部２及び
オフセット印加部４に与えられるようになっている。In the figure, reference numeral 1 is a detection unit for converting physical quantities to be detected such as stress and magnetic flux into electric signals. The detection signal of the detection unit 1 is an amplification unit for adjusting its amplification factor based on digital data described later. Given to 2. The detection signal provided to the amplifier 2 is amplified by the amplification factor and output from the output terminal 3. Further, the amplifying unit 2 is provided for compensating the zero-point output (output when the physical quantity of the detection target is zero) of the detecting unit 1 from the offset applying unit 4 which adjusts the offset output based on digital data described later. Offset output is applied. The amplification factor adjustment digital data indicating the appropriate adjustment amount of the amplification factor of the amplification unit 2 is stored in the first storage area 51 of the storage unit 5 which is a non-volatile memory. Offset adjustment digital data representing an appropriate output adjustment amount is stored in the second storage area 52 of the storage unit 5. The amplification factor adjustment digital data stored in the first storage area 51 of the storage unit 5 and the offset adjustment digital data stored in the second storage area 52 of the storage unit 5 are respectively amplified via the data buses 61 and 62. 2 and the offset applying section 4.
【００１５】このように構成された半導体センサにおい
ては、その検出出力特性を調整する場合、検出対象の物
理量が零の場合の出力端子３の出力及び検出対象の物理
量が零以外の所定値の場合の出力端子３の出力をモニタ
計測し、これらの値に基づいて増幅率調整ディジタルデ
ータ及びオフセット調整ディジタルデータを求め、その
求めた結果を記憶部５に記憶させる。そして、増幅部２
は、記憶部５の第１記憶領域51に記憶された増幅率調整
ディジタルデータに従ってその増幅率が調整され、オフ
セット印加部４は、記憶部５の第２記憶領域52に記憶さ
れたオフセット調整ディジタルデータに従ってその増幅
率が調整される。In the semiconductor sensor configured as described above, when adjusting the detection output characteristics, when the output of the output terminal 3 when the physical quantity of the detection target is zero and the physical quantity of the detection target is a predetermined value other than zero The output of the output terminal 3 is monitored and measured, amplification factor adjustment digital data and offset adjustment digital data are obtained based on these values, and the obtained results are stored in the storage unit 5. And the amplification unit 2
The amplification factor is adjusted according to the amplification factor adjustment digital data stored in the first storage area 51 of the storage unit 5, and the offset application unit 4 uses the offset adjustment digital data stored in the second storage region 52 of the storage unit 5. The amplification factor is adjusted according to the data.
【００１６】図２は本発明に係る半導体センサの検出出
力特性の調整方法を示すフローチャートである。まず、
ステップS1で検出対象の物理量を零にする。ステップS2
で半導体センサの出力端子３の出力レベルをモニタ計測
する。このときの検出部１の出力が零点出力である。次
に、ステップS3で出力端子３の出力レベルの計測値(以
下、零出力計測値という) を、所定の検出特性調整値演
算装置に記憶させる。FIG. 2 is a flowchart showing a method of adjusting the detection output characteristic of the semiconductor sensor according to the present invention. First,
In step S1, the physical quantity to be detected is set to zero. Step S2
The monitor measures the output level of the output terminal 3 of the semiconductor sensor. The output of the detection unit 1 at this time is a zero-point output. Next, in step S3, the measured value of the output level of the output terminal 3 (hereinafter referred to as the zero output measured value) is stored in a predetermined detection characteristic adjustment value calculation device.
【００１７】次いで、ステップS4で検出対象の物理量
を、検出部１の感度調整用に定めた所定値にする。そし
て、ステップS5で、出力端子３の出力レベルをモニタ計
測し、ステップS6で、出力端子３の出力レベルの計測値
( 以下、所定出力計測値という) を前記検出特性調整値
演算装置に記憶させる。Then, in step S4, the physical quantity to be detected is set to a predetermined value set for the sensitivity adjustment of the detector 1. Then, in step S5, the output level of the output terminal 3 is monitored and measured, and in step S6, the output level of the output terminal 3 is measured.
(Hereinafter, referred to as a predetermined output measurement value) is stored in the detection characteristic adjustment value calculation device.
【００１８】次に、ステップS7で、前述の如き方法で検
出特性調整値演算装置に記憶させた零出力計測値及び所
定出力計測値を用いて以下に示す如き演算を行い、増幅
率調整ディジタルデータ及びオフセット調整ディジタル
データを算出する。増幅率調整ディジタルデータは、次
のように求める。所定出力計測値をＶS , 零出力計測値
をＶ0 , 物理量の既定値をＰとすれば、半導体センサの
調整前の感度Ｓ1 は下記(1) 式に示す如く求められる。Then, in step S7, the following calculation is performed using the zero output measurement value and the predetermined output measurement value stored in the detection characteristic adjustment value calculation device by the above-described method, and the amplification factor adjustment digital data is calculated. And offset adjustment digital data are calculated. The amplification factor adjustment digital data is obtained as follows. Assuming that the predetermined output measurement value is V S , the zero output measurement value is V 0 , and the default value of the physical quantity is P, the sensitivity S 1 of the semiconductor sensor before adjustment is obtained as shown in the following equation (1).
【００１９】Ｓ1 ＝（ＶS −Ｖ0 ）／Ｐ …(1)S 1 = (V S -V 0 ) / P (1)
【００２０】そして、増幅率調整ディジタルデータは、
このように求められる半導体センサの調整前の感度Ｓ1
と、予め定められた半導体センサの目標感度Ｓ2 との比
Ｓ2／Ｓ1 、即ち補正係数として与えられる。また、オ
フセット調整ディジタルデータは、零出力計測値Ｖ
0 と、半導体センサの調整前の感度Ｓ1 との比Ｖ0 ／Ｓ
1 、即ち補正係数として与えられる。 Then, the amplification factor adjustment digital data is
Sensitivity S 1 before adjustment of the semiconductor sensor required in this way
And a ratio S 2 / S 1 to a predetermined target sensitivity S 2 of the semiconductor sensor , that is, a correction coefficient. The offset adjustment digital data is the zero output measurement value V
0, the ratio V 0 / S between the sensitivity S 1 before adjustment of the semiconductor sensor
1 , which is given as a correction coefficient.
【００２１】このようにして、増幅率調整ディジタルデ
ータ及びオフセット調整ディジタルデータが求められる
と、ステップS8で、前述の如く求めた増幅率調整ディジ
タルデータ及びオフセット調整ディジタルデータを記憶
部５にインプットし、ステップS8でこれらのデータを記
憶部５の第１記憶領域51及び第２記憶領域52に焼き付け
て記憶させて検出出力特性の調整を終了する。In this way, when the amplification factor adjusting digital data and the offset adjusting digital data are obtained, in step S8, the amplification factor adjusting digital data and the offset adjusting digital data obtained as described above are input to the storage unit 5, In step S8, these data are printed and stored in the first storage area 51 and the second storage area 52 of the storage unit 5, and the adjustment of the detection output characteristic is completed.
【００２２】このように記憶部５第１記憶領域51及び第
２記憶領域52に増幅率調整ディジタルデータ及びオフセ
ット調整ディジタルデータが記憶させられると、増幅率
調整ディジタルデータはデータバス61を介して増幅部２
に与えられ、増幅部２の増幅率は増幅率調整ディジタル
データに基づいて適正な値に調整される。また、オフセ
ット調整ディジタルデータはデータバス62を介してオフ
セット印加部４に与えられ、オフセット印加部４のオフ
セット出力はオフセット調整ディジタルデータに基づい
て適正な値に調整される。このようにして、検出出力特
性は適正な値に調整される。When the amplification rate adjusting digital data and the offset adjusting digital data are stored in the first storage area 51 and the second storage area 52 of the storage section 5 in this way, the amplification rate adjusting digital data is amplified via the data bus 61. Part 2
The amplification factor of the amplification unit 2 is adjusted to an appropriate value based on the amplification factor adjustment digital data. Further, the offset adjusting digital data is given to the offset applying section 4 via the data bus 62, and the offset output of the offset applying section 4 is adjusted to an appropriate value based on the offset adjusting digital data. In this way, the detection output characteristic is adjusted to an appropriate value.
【００２３】本発明にあっては、前述した如き調整方法
によって半導体センサの検出出力特性は、ステップS1〜
ステップS9の処理を１回実行するだけで、適正な値に調
整されることになる。According to the present invention, the detection output characteristics of the semiconductor sensor are determined by the adjustment method as described above from step S1.
The value is adjusted to an appropriate value by executing the process of step S9 only once.
【００２４】また、温度特性について調整する必要があ
る場合は、温度特性を補正する回路を半導体センサに設
け、温度特性補正用のディジタルデータを記憶部５に記
憶させ、記憶させた温度特性補正用のディジタルデータ
に基づいて温度特性を補正するようにしても良い。When it is necessary to adjust the temperature characteristic, a circuit for correcting the temperature characteristic is provided in the semiconductor sensor, digital data for temperature characteristic correction is stored in the storage unit 5, and the stored temperature characteristic correction is performed. The temperature characteristics may be corrected based on the digital data of.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上述べたように、本発明に係る半導体
センサでは、第１の記憶手段に記憶された補正係数であ
る第１のディジタルデータに基づいて増幅手段の増幅率
が調整され、第２の記憶手段に記憶された補正係数であ
る第２のディジタルデータに基づいてオフセット印加手
段のオフセット出力が調整されるようになっているの
で、第１の記憶手段及び第２の記憶手段に第１のディジ
タルデータ及び第２のディジタルデータの適正な値を記
憶させるだけでその検出感度及びオフセット等の検出出
力特性が適正に調整できる。また、本発明に係る半導体
センサの調整方法では、検出物の物理量が零の場合の増
幅手段の出力レベルと、被測定物の物理量が零以外の既
定値である場合の増幅手段の出力レベルとの計測結果に
基づいて、増幅手段の増幅率を、所定の検出感度を得る
ことができる増幅率に調整するための補正係数である第
１のディジタルデータが、所定の演算によって求められ
ると共に、オフセット印加手段のオフセット出力を、所
定のオフセットを得ることができるオフセット出力に調
整するための補正係数である第２のディジタルデータ
が、所定の演算によって求められる。このように求めら
れた第１のディジタルデータ及び第２のディジタルデー
タを第１の記憶手段及び第２の記憶手段に記憶させる
と、増幅手段の増幅率が第１のディジタルデータに基づ
いて適正な値に調整され、オフセット印加手段のオフセ
ット出力が第２の記憶手段に記憶された第２のディジタ
ルデータに基づいて適正な値に調整され、その検出感度
及びオフセット等の検出出力特性が適正に調整できる。
このように本発明においては、増幅手段の適正な増幅率
を得るための補正係数及びオフセット印加手段の適正な
オフセット出力値を得るための補正係数を夫々第１の記
憶手段及び第２の記憶手段に記憶させるだけで検出出力
特性が調整できるので、短時間で検出出力特性の調整を
することが可能となる等、優れた効果を奏する。As described above, in the semiconductor sensor according to the present invention, the correction coefficient stored in the first storage means is used.
That the amplification factor of the amplification means based on the first digital data is adjusted, correction factors der stored in the second storage means
Since the offset output of the offset applying means is adjusted based on the second digital data, the first storage means and the second storage means store the first digital data and the second digital data. detection output characteristics of such detection sensitivity and offset by only storing the appropriate values Ru can properly adjusted. Further, in the method for adjusting a semiconductor sensor according to the present invention, the output level of the amplification means when the physical quantity of the detected object is zero, and the output level of the amplification means when the physical quantity of the measured object is a predetermined value other than zero. Based on the measurement result of, the first digital data, which is a correction coefficient for adjusting the amplification factor of the amplification means to an amplification factor with which a predetermined detection sensitivity can be obtained , is obtained by a predetermined calculation and the offset is obtained. Second digital data, which is a correction coefficient for adjusting the offset output of the applying means to an offset output capable of obtaining a predetermined offset, is obtained by a predetermined calculation. When the first digital data and the second digital data thus obtained are stored in the first storage means and the second storage means, the amplification factor of the amplification means is appropriate based on the first digital data. Value, the offset output of the offset applying means is adjusted to an appropriate value based on the second digital data stored in the second storage means, and the detection output characteristics such as the detection sensitivity and the offset are appropriately adjusted. it can.
Thus, in the present invention, the proper amplification factor of the amplification means
Since the detection output characteristics can be adjusted by simply storing the correction coefficient for obtaining the value and the correction coefficient for obtaining the appropriate offset output value of the offset applying means in the first storage means and the second storage means, respectively, the detection output characteristic can be adjusted in a short time. With this, it is possible to adjust the detection output characteristic, and other excellent effects are obtained.
【図１】本発明に係る半導体センサの構成を示す模式的
ブロック図である。FIG. 1 is a schematic block diagram showing a configuration of a semiconductor sensor according to the present invention.
【図２】本発明に係る半導体センサの検出出力特性の調
整方法を示すフローチャートである。FIG. 2 is a flowchart showing a method for adjusting the detection output characteristic of the semiconductor sensor according to the present invention.
【図３】従来の半導体センサの構成を示す模式的ブロッ
ク図である。FIG. 3 is a schematic block diagram showing a configuration of a conventional semiconductor sensor.
【図４】従来の半導体センサの検出出力特性の調整方法
を示すフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart showing a conventional method for adjusting the detection output characteristic of a semiconductor sensor.
１ 検出部 ２ 増幅部 ３ 出力端子 ４ オフセット印加部 ５ 記憶部61,62 データバス 51 第１記憶領域 52 第２記憶領域1 Detection Section 2 Amplification Section 3 Output Terminal 4 Offset Application Section 5 Storage Section 61,62 Data Bus 51 First Storage Area 52 Second Storage Area
Claims (2)
信号に変換する検出手段と、前記物理量が零の場合のオ
フセットを補正するオフセット出力を印加するオフセッ
ト印加手段と、前記検出手段の出力を増幅する増幅手段
とを備え、前記増幅手段の増幅率及び前記オフセット印
加手段のオフセット出力を調整することにより、その検
出出力特性を調整するようにしてある半導体センサにお
いて、 前記増幅率を調整するための補正係数である第１のディ
ジタルデータを記憶する第１の記憶手段と前記オフセッ
ト出力を調整するための補正係数である第２のディジタ
ルデータを記憶する第２の記憶手段とを備え、第１の記
憶手段に記憶された第１のディジタルデータに基づいて
前記増幅手段の増幅率を調整し、第２の記憶手段に記憶
された第２のディジタルデータに基づいて前記オフセッ
ト印加手段のオフセット出力を調整するようにしてある
ことを特徴とする半導体センサ。1. A detects the physical quantity to be detected, a detection means for converting it into electrical signals, an offset applying means for applying an offset output the physical amount compensates for any offset in the case of zero, of the detection means A semiconductor sensor, comprising: an amplifying unit that amplifies an output, wherein the detection output characteristic is adjusted by adjusting the amplification factor of the amplifying unit and the offset output of the offset applying unit. and a second storage means for storing the second digital data is a correction coefficient for adjusting the first storage means for storing the first digital data is a correction coefficient the offset output for, The amplification factor of the amplification unit is adjusted based on the first digital data stored in the first storage unit, and the second storage unit is stored in the second storage unit. Semiconductor sensor, characterized in that on the basis of the digital data are to adjust the offset output of the offset applying means.
の検出出力特性を調整する半導体センサの調整方法であ
って、 検出対象の物理量が零の場合の増幅手段の出力レベル
と、検出対象の物理量が零以外の所定値である場合の増
幅手段の出力レベルとを計測し、これらの計測結果に基
づいて、所定の検出感度を得るための補正係数である第
１のディジタルデータ及び所定のオフセットを得るため
の補正係数である第２のディジタルデータを求め、求め
た第１のディジタルデータを第１の記憶手段に記憶させ
ると共に求めた第２のディジタルデータを第２の記憶手
段に記憶させることを特徴とする半導体センサの調整方
法。2. A method of adjusting a detection output characteristic of the semiconductor sensor according to claim 1, wherein the output level of the amplification means when the physical quantity of the detection target is zero, and the detection target. physical quantity measures the output level of the amplifying means when it is a predetermined value other than zero, on the basis of these measurement results, the first digital data and the predetermined correction coefficients of order to obtain a predetermined detection sensitivity order to obtain the offset
The second digital data which is the correction coefficient of is obtained, the obtained first digital data is stored in the first storage means, and the obtained second digital data is stored in the second storage means. Adjusting method for semiconductor sensor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3064640A JP2678528B2 (en) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | Semiconductor sensor and adjusting method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP3064640A JP2678528B2 (en) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | Semiconductor sensor and adjusting method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04313020A JPH04313020A (en) | 1992-11-05 |
| JP2678528B2 true JP2678528B2 (en) | 1997-11-17 |
Family
ID=13264072
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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-
1991
- 1991-03-28 JP JP3064640A patent/JP2678528B2/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
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| JPH04313020A (en) | 1992-11-05 |
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