JP2677281B2 - 受像管と受像管の反射及び帯電防止処理方法 - Google Patents

受像管と受像管の反射及び帯電防止処理方法

Info

Publication number
JP2677281B2
JP2677281B2 JP4298845A JP29884592A JP2677281B2 JP 2677281 B2 JP2677281 B2 JP 2677281B2 JP 4298845 A JP4298845 A JP 4298845A JP 29884592 A JP29884592 A JP 29884592A JP 2677281 B2 JP2677281 B2 JP 2677281B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
conductive film
picture tube
panel
reflection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP4298845A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH06150853A (ja
Inventor
勇治 斎藤
一人 徳留
昌由 沖山
務 伴野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP4298845A priority Critical patent/JP2677281B2/ja
Priority to KR1019930021163A priority patent/KR0141575B1/ko
Publication of JPH06150853A publication Critical patent/JPH06150853A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2677281B2 publication Critical patent/JP2677281B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
  • Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、受像管に関するもの
で、特にガラスパネルの帯電防止及び表面反射防止と反
射像の暈しを行った受像管と受像管の反射及び帯電防止
処理方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】受像管では、高電圧が陽極電極として印
加された場合に、そのガラスパネル表面が帯電される。
この帯電によりパネル面に塵埃が吸着されてパネル面が
汚れたり、或いは手を近付けると、電撃を受けたような
不快感がある。
【0003】このため、ガラスパネル表面に透明導電膜
を形成し、バルブ固定金具を通じて接地を行う帯電防止
型受像管が市販されている。この帯電防止型受像管に使
用されている透明導電膜の材料は、酸化錫(SnO3
や酸化インジウム(In23)のほかに、酸化チタン
(TiO2)等を主体としているが、その透明導電膜の
屈折率がガラス(n=1.52)に比べて約2.0と高
いため、一般的な膜厚の条件では、透明導電膜の膜厚が
増す程、ガラスパネル表面の反射像が強調される。
【0004】即ち、垂直入射の場合、フレネルの式にお
いて、入射光と反射光との間の位相角が(1)式の条件
を満たす場合は、反射光は最も強くなる。 (2m+1)π=(4π/λ)nd ……(1) λ…波長,n…屈折率,d…膜厚
【0005】先ず、標準とする光の波長λを550nm
として、ガラスパネルの表面における垂直の反射率は、
通常のガラスでは約4.3%であり、帯電防止(以下
では単に帯電膜と略称する)では図3に示すよう、70
0オングストローム付近で極大値約20%の反射率とな
る。前述の透明導電膜の材料を用いて、連続的な生産に
適した熱CVD法により帯電膜を形成する場合、その膜
厚が厚くなると、膜に亀裂が入る場合があり、数百オン
グストローム程度の膜厚が一層の場合の限界である。こ
の膜厚の範囲では、図3から明らかなように反射率を下
げるために、膜厚を薄くする必要があるが、膜の導電抵
抗は逆に増すことになってしまう。
【0006】従って、表面反射率が許容上限の範囲に設
定され、膜の導電抵抗が許容下限の1010Ω/□付近と
なる膜厚である約100〜150オングストロームをも
つ透明導電膜を用いて製品化された受像管が市販されて
いる。
【0007】次に表面反射率を改善し、反射像の輪郭を
暈して、見易さを改善している場合がある。この方法
は、帯電膜上に、アルコールを溶媒とした酸化珪素液を
スプレーして、帯電防止膜の表面を凹凸面として仕上げ
る方法であり、特開平2−72549号公報に開示され
ている。
【0008】この従来の方法によれば、凹凸面の平均膜
厚を1000オングストロームとし、凹凸の高さ、即ち
面の粗さを0.5μmRz必要としている。このため、
面の凸部の頂上から少なくとも深さが60%の部分は膜
厚2000オングストローム以上となっており、図4に
示すように従来の帯電膜では、波長450〜680nm
の視感度領域で反射防止効果は殆ど生じない。従って、
凹部の谷間の部分の1000オングストローム前後の膜
厚の部分のみに反射防止効果が得られるというものであ
る。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】従来、反射防止膜に帯
電防止特性を持たせた多層膜方式は、高真空中にて蒸着
又はスパッタによる多層膜を形成して各層間の光の入射
と反射との位相差によって反射率を極めて効果的に低減
させたものである。多層膜方式の反射防止特性を図5に
示す。
【0010】この多層膜は、受像管のような大型の製品
を真空容器に入れて、ガラスパネルに積層形成されるも
のである。この多層膜は、高屈折率層と低屈折率層とを
交互に積層したものであり、各層に必要とされる材料を
10オングストローム単位の精度で膜を蒸着又はスパッ
タの繰返しによって形成するものである。
【0011】この方法によれば、連続的に大量生産する
場合には、極めて大規模な装置を必要とし、作業性,製
品歩留りの向上についても困難な問題が多い。
【0012】また、帯電膜を熱CVD法により形成する
方法がある。この方法は、高真空の雰囲気が必要でな
く、膜厚が精度よく形成できるため、大量生産に適して
おり、実用化されている。
【0013】そこで、熱CVD法を用いて、帯電膜の第
1層を形成し、第2層をスプレー方式(特開平2−72
549号公報)によって反射防止と散乱の機能を持たせ
た薄膜として形成した場合には、散乱面の凹部では、反
射防止の効果があるものの、凸部については、膜が厚く
(1)式の条件が成立しないため、反射防止効果はな
い。前述した方法を総合的に評価した場合、反射防止効
果が少ないという問題点と、更にスプレーによる膜形成
では、均一の膜厚を形成することが難しく、数百オング
ストロームの膜厚差が生じた部分に反射色のムラが発生
するという問題点があった。
【0014】更に特開昭60−39744号公報の例で
は、研摩ペース上でもろい粒子を使用して、ガラスパネ
ル表面に機械的な凹凸を形成し、更に反射防止膜は、真
空系のなかで、気相成長又はスパッタリングにより製作
されるものであった。
【0015】特開昭60−39744号公報に開示され
た方法は、機械的な凹凸付けを行った後に、塩溶液によ
る化学的処理によってガラスの補強を行う工程が必要で
ある。更に引例では、真空容器の中で15分間のグロー
放電による化学的活性化を行う必要があることは、前述
の多層の反射防止膜形成と同様であり、大量生産に必要
な作業性を得るには、非常に大規模な装置が必要とな
る。更に反射防止膜を真空中で気相成長又はスパッタリ
ングで製作する工程が必要であり、複雑な真空装置を追
加するため、簡便な方法で、反射防止膜を形成すること
ができず、製造コストの上昇を招来するという問題点が
あった。
【0016】更に特開昭59−98442号公報に開示
された粗面化加工されたガラスパネル表面に透明導電膜
を付設した受像管については、公報の記載から明らかな
ように、導電層を真空蒸着によって形成する方法で実現
しており、前述の通り製造コスト高を招く方法であっ
た。そこでコストを改善するため、導電膜を熱CVD法
によって実現した場合には、従来の技術の項で説明した
ように、膜厚が厚くなると、反射率が増加するという問
題が生じてしまう。すなわち、例え粗面加工されたガラ
スパネル表面であっても、約100〜150オングスト
ロームの膜厚の反射防止膜を形成すると、グロス値(6
0度鏡面光沢度法による)が、従来約60である粗面の
場合には約10増加して、目視感覚として鏡面に近づ
き、粗面による散乱効果が感じられなくなる限界に到す
る。
【0017】従って、帯電防止膜の膜厚が前述した範囲
に固定されるため、反射率と導電抵抗を低下させるには
限界があり、更に改善が必要となっていた。
【0018】本発明の目的は、CVD法及び回転塗布方
法によって形成される多層積層構造の帯電防止膜を有す
る受像管及び受像管の反射及び帯電防止処理方法を提供
することにある。
【0019】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る受像管は、散乱面と、透明導電膜と、
透明薄膜とを有し、パネル内面の蛍光体に電子ビームを
照射して該蛍光体を発光させる構造の受像管であって、
散乱面は、凹凸模様が付されたパネル外面であって、
記凹凸の高さが0.6μmRz乃至0.8μmRzの範
囲内である均質な表面粗さを有するものであり、透明
電膜は、散乱面上に積層形成され、その表面に凹凸模様
を有し、接地されるものであって、屈折率が約2であ
り、かつ膜厚がほぼ均一で約300オングストロームに
設定されたものであり、透明薄膜は、透明導電膜上に積
層形成され、その表面に凹凸模様を有し、屈折率が約
1.5であり、かつ平均膜厚が1100乃至1500オ
ングストロームに設定されたものである。
【0020】
【0021】
【0022】また、本発明に係る受像管の反射及び帯電
防止処理方法は、物理的処理工程と、化学的処理工程
と、透明導電膜形成工程と、透明薄膜形成工程とを有
し、受像管のパネル外面に反射及び帯電防止処理を施す
上記受像管の反射及び帯電防止処理方法であって、物理
的処理工程は、受像管のパネル外表面に超硬微粒子を吹
き付けることにより、パネル外表面に凹凸を付す前処理
を行うものであり、化学的処理工程は、物理的処理がさ
れたパネル外表面に、さらに化学的なエッチング処理に
より凹凸模様を付して、散乱面として仕上げるものであ
り、透明導電膜形成工程は、散乱面上にCVD法によ
り、表面に凹凸模様を有する透明な導電膜を形成するも
のであり、透明薄膜形成工程は、アルコール系溶液を
記導電膜に滴下しつつ、パネルを回転させることによ
り、前記導電膜上に表面に凹凸模様を有する透明な薄膜
を塗布,形成するものである。
【0023】
【作用】受像管のガラスパネルの表面に超硬微粒子を吹
き付ける物理的前処理を施した後、高圧の酸及びアルカ
リによる化学的なエッチングにより表面粗さ0.6μm
Rz乃至0.8μmRzの凹凸面を作り、その表面にア
ンチモンをドープした酸化錫又は錫をドープした酸化イ
ンジウム等をCVD法によって凹凸の表面形状に沿わせ
て精度良く約300オングストロームの厚さの帯電膜の
第1層を形成する。更にその上に酸化珪素を含んだ、極
めて希釈なアルコール系溶液を滴下し、回転塗布方式に
よって、凹凸面上に薄膜の第2層を形成する。以上の構
成によって散乱面上に2層の膜を積層して帯電防止及び
反射光量の低減及び反射像の輪郭を暈した効果を得る。
【0024】
【実施例】以下に図面を参照しながら本発明について詳
細に説明する。図1(a)は、本発明の実施例に係る受
像管を示す断面図、(b)はガラスパネルを示す拡大断
面図である。
【0025】図1において、受像管のガラスパネルの内
面には、蛍光体層2とアルミ膜層3とが積層形成されて
いる。そして、高電圧の印加により電子銃から放出され
た電子ビーム4が蛍光体層2及びアルミ膜層3に照射さ
れ、蛍光体が発光する構造となっている。この高電圧印
加の過渡において、蛍光体層2及びアルミ膜層3の積層
体と対向するガラスパネル面1は帯電する。
【0026】そこで、図2に示すように従来のガラスパ
ネルの表面には、帯電を防止する帯電膜5を形成し、こ
の膜5を接地しており、更に帯電膜5上に反射像の輪郭
を暈すために散乱薄膜(又は反射防止膜)6を形成した
ものがあった。
【0027】図2に示す下層の透明の帯電膜5は、図3
に示すように、その屈折率と膜厚の積(n×d)が光の
主波長の1/4に等しくなるまでは、反射率が増加傾向
を示す。例えば、屈折率2.0で、光の主波長550n
mの場合、膜厚が約700オングストロームに至るま
で、反射率は増加するため、膜厚を抑える必要がある。
【0028】一方、帯電防止効果を向上させるには、膜
厚を厚くして導電抵抗を下げる必要があり、実用的には
膜厚範囲で妥協点を見出さざるを得なかった。例えば、
帯電膜としてアンチモンをドープした酸化錫は、前述と
同様に屈折率(n)2.0であるから、上記の条件から
膜厚を100〜150オングストロームとして、反射率
を実用的な範囲の下限に抑えた結果、導電抵抗値は10
9〜1010Ω/□となり、帯電防止効果の限界付近に極
限されてはいるが、製品として実用化されている。これ
を更に導電抵抗を下げても、反射率の増加を抑えるに
は、多層膜を形成させれば良いが、前述の通り製造上難
しい面が多く、代りに2層膜による生産性の良い方法が
特開平2−72549号公報に開示されている。
【0029】この方法によれば、導電抵抗を下げる場合
に起こる反射率増加に対する抑制と、反射像の暈し効果
とを同時に得ようとするものであり、先ず導電抵抗を下
げる実用的な方法については、本発明も同様の製造方式
を採用しているので、本発明で実施した例をもとに説明
する。
【0030】帯電膜は、膜厚が厚い程、導電抵抗が低く
なるため、所望の抵抗値が得られる膜厚まで厚さを増す
必要がある。一般には、106Ω/□以下の抵抗値があ
れば、理想的である。
【0031】一方、熱CVD法によって、例えば、アン
チモンドープ酸化錫又は錫をドープした酸化インジウム
が経済的な面を考慮して1回の成膜よって形成できる実
用的な膜厚の限界は、ほぼ300オングストロームであ
り、この膜厚における導電抵抗は、105〜106Ω/□
である。
【0032】従って、上記の条件により平滑なガラスパ
ネル面へ屈折率(n)2.0,膜厚300オングストロ
ームの帯電膜5を第1層として形成し、次に酸化珪素
(SiO2)を主体とした透明薄膜を回転塗布方法によ
り各種の膜厚に形成し、光の波長に対する反射率を実測
した結果を図4に示してある。
【0033】図4に示すように視感度が最も高い波長5
50nm付近で極小となる透明薄膜の膜厚は、1100
オングストロームである。この波長領域(500〜55
0オングストローム)の反射率が極小であるため、反射
像は一層暗く感じられ、更に反射色は青紫色であり、視
覚上感じの良い色と受け止められていた。
【0034】しかし反射像は、図5に示す平滑なガラス
パネル面へ形成した多層反射防止膜の反射率特性のよう
に、可視領域ではガラスの表面反射率4.3%に比べて
0.4%以下となっており著しい反射防止効果がある
が、これを2層膜とした場合は図6に示す反射率の特性
図からわかるように、視感度領域での反射率は、0.8
%である。これは、ガラス表面反射に比べ、反射防止効
果は現われているが、散乱面により輪郭をぼかした反射
像を見なれた目には、反射像の輪郭が明瞭であるため、
改善する必要がある。
【0035】そこで、例えば特開平2−72549号公
報において、帯電膜5上に酸化珪素をスプレーにより吹
き付けて、散乱薄膜6の平均膜厚を反射率の極小となる
1000オングストロームにすることが提案されてい
る。しかし、散乱薄膜6の表面粗さは、0.5μmRz
が必要であることから、凹凸の面の凸部は、反射防止効
果が少なく、凹面部分の反射防止効果により、総合的に
は、帯電防止膜5の膜厚を上げた場合の反射率の増加を
抑制して、反射率を5.3%とすることができたが、ガ
ラスの反射率4.3%を大幅に下回る程の効果は得られ
なかった。
【0036】そこで、本発明では、先ず帯電膜7の第1
層を形成する前に、ガラスパネル面1の表面に高圧ノズ
ルから超高微粒子を吹き付けて物理的な前処理を行い、
次いで酸性液及びアルカリ性液を高圧乃至低圧で交互に
吹き付ける化学的なエッチングにより、均質な凹凸のガ
ラス散乱面9を形成している。
【0037】本発明によれば、ガラスパネル面1に吹き
付ける粒子の形状と粒径及び吹き付け条件を整えて前処
理を行うと、その後の酸性とアルカリ性液の吹き付けの
条件を整えることによって、ガラスパネル全体で均一な
散乱面を形成することができる。
【0038】実施例において、表面の粗さを、0.4μ
mRzから1.0μmRzまでの範囲までに変更して試
作を行い、この散乱面に、400℃を超える高温でアン
チモンをドープした酸化錫を霧状に拡散吹き付けを行
う、いわゆる熱CVD法によって微細な凹凸面へほぼ均
一に膜厚300オングストロームの帯電膜7すなわち帯
電防止膜としての透明導電膜を形成する。この状態で表
面抵抗は106 Ω/□であるから、充分な導電抵抗であ
る。さらに帯電膜7上に粘度が極めて低粘度(2〜4C
PS)の酸化珪素を主体としたアルコール希釈溶液を滴
下しながら、膜厚が均一になるような回転数の組合せに
よって、ガラスパネルを回転させ、凹凸の面に1100
オングストローム程度の透明薄膜8を形成する。
【0039】本発明の反射防止膜の反射率測定結果を図
7に示す。図7から明らかなように、反射率は図6のも
のに比べて、その極小値が0.8%まで上昇したが、光
の波長変化に対する反射率の変化が略4%以下に抑えら
れて少ないため、反射色の青紫色は多少薄らいでいる。
さらに、視感度領域での反射率は1.3%であり、前述
の平滑なガラスパネル面へ塗布した場合の反射特性(図
6)の視感度領域の反射率に比べて若干反射率が上がる
ものの、ぼかし効果により同等以上の効果が得られた。
この条件の試作品の表面粗さについては、OA作業にお
いて、OA作業が行われる室内の天井灯の映り込みによ
る反射像の輪郭の暈し具合と、今回評価に使用した高密
度表示画像は、1024ドット(水平方向)×768ラ
イン(走査線数)によって形成された英字であるが、こ
の表示した文字は、最近増々増加している反転表示(白
地に黒抜き文字)法により評価したところ、白地の部分
の走査線と、表面粗さとの干渉により発生するいわゆる
ギラツキ現象が見られた。従って、前記暈し具合と、上
記ギラツキ現象については、相対する特性であり、これ
については、適当な値を求める。そこで、ガラスパネル
面1の表面粗さを0.4μmRzから1.0μmRzま
での試作品を作成し、これに2層の膜を積層して、評価
を行った結果を図8に示す。
【0040】図8の評価結果によれば、0.6μmRz
から0.8μmRzの表面粗さのガラスパネルの使用が
適当であるという結果が得られた。
【0041】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、2層の透
明帯電膜と透明薄膜との膜厚の相互調整によって反射防
止効果を向上させることにより、視感度領域における反
射率を1.3%としてパネル表面での反射を約1/3程
度に抑制できる。しかも、ガラス散乱面により反射像の
暈し効果を向上させることにより、反射色はやや薄い青
紫色であり、視覚上感じの良い色調とすることができ
る。従って、青紫色の反射像の光量は抑えられ、その輪
郭は暈せることができ、周囲光による反射像が表面画像
の観測の妨げとならず、見易い画面を実現できる。さら
に導電膜による導電抵抗は106Ω/□となっており、
帯電防止特性を向上できるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の一実施例に係る受像管を示す
断面図、(b)は拡大断面図である。
【図2】(a)は従来の受像管を示す断面図、(b)は
拡大断面図である。
【図3】帯電防止膜の膜厚と反射率を示す図である。
【図4】透明膜の膜厚変化に対する波長と反射率を示す
図である。
【図5】多層反射防止膜の波長と反射率を示す図であ
る。
【図6】2層反射防止膜の波長と反射率を示す図であ
る。
【図7】散乱面に2層反射防止膜を形成した場合の波長
と反射率を示す図である。
【図8】表面粗さによる反射像の暈し具合と画像のギラ
ツキの関係を示す図である。
【符号の説明】
1 ガラスパネル面 5,7 帯電膜 6 散乱薄膜 8 透明薄膜 9 ガラス散乱面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 沖山 昌由 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 伴野 務 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気 株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−34840(JP,A) 特開 平4−74568(JP,A) 実開 昭63−133049(JP,U)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 散乱面と、透明導電膜と、透明薄膜とを
    有し、パネル内面の蛍光体に電子ビームを照射して該蛍
    光体を発光させる構造の受像管であって、 散乱面は、凹凸模様が付されたパネル外面であって、
    記凹凸の高さが0.6μmRz乃至0.8μmRzの範
    囲内である均質な表面粗さを有するものであり、 透明導電膜は、散乱面上に積層形成され、その表面に凹
    凸模様を有し、接地されるものであって、屈折率が約2
    であり、かつ膜厚がほぼ均一で約300オングストロー
    ムに設定されたものであり、 透明薄膜は、透明導電膜上に積層形成され、その表面に
    凹凸模様を有し、屈折率が約1.5であり、かつ平均
    厚が1100乃至1500オングストロームに設定され
    たものであることを特徴とする受像管。
  2. 【請求項2】 物理的処理工程と、化学的処理工程と、
    透明導電膜形成工程と、透明薄膜形成工程とを有し、受
    像管のパネル外面に反射及び帯電防止処理を施す請求項
    1記載の受像管の反射及び帯電防止処理方法であって、 物理的処理工程は、受像管のパネル外表面に超硬微粒子
    を吹き付けることにより、パネル外表面に凹凸を付す前
    処理を行うものであり、 化学的処理工程は、物理的処理がされたパネル外表面
    に、さらに化学的なエッチング処理により凹凸模様を付
    して、散乱面として仕上げるものであり、 透明導電膜形成工程は、散乱面上にCVD法により、表
    面に凹凸模様を有する透明な導電膜を形成するものであ
    り、 透明薄膜形成工程は、アルコール系溶液を前記導電膜
    滴下しつつ、パネルを回転させることにより、前記導電
    上に表面に凹凸模様を有する透明な薄膜を塗布,形成
    するものであることを特徴とする受像管の反射及び帯電
    防止処理方法。
JP4298845A 1992-11-09 1992-11-09 受像管と受像管の反射及び帯電防止処理方法 Expired - Lifetime JP2677281B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4298845A JP2677281B2 (ja) 1992-11-09 1992-11-09 受像管と受像管の反射及び帯電防止処理方法
KR1019930021163A KR0141575B1 (ko) 1992-11-09 1993-10-13 수상관과 수상관의 반사 및 대전방지 처리방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4298845A JP2677281B2 (ja) 1992-11-09 1992-11-09 受像管と受像管の反射及び帯電防止処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06150853A JPH06150853A (ja) 1994-05-31
JP2677281B2 true JP2677281B2 (ja) 1997-11-17

Family

ID=17864957

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4298845A Expired - Lifetime JP2677281B2 (ja) 1992-11-09 1992-11-09 受像管と受像管の反射及び帯電防止処理方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2677281B2 (ja)
KR (1) KR0141575B1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970012944A (ko) * 1995-08-10 1997-03-29 윤종용 음극선관 및 그 제조방법
KR101972738B1 (ko) 2017-09-16 2019-04-29 황윤국 애자 어셈블리

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6224663A (ja) * 1985-07-24 1987-02-02 Hitachi Vlsi Eng Corp 半導体記憶装置
JPH0722001B2 (ja) * 1986-07-29 1995-03-08 株式会社東芝 陰極線管
JPH0474568A (ja) * 1990-07-17 1992-03-09 Asahi Glass Co Ltd 低反射帯電防止膜及びその製造方法、及びその用途

Also Published As

Publication number Publication date
KR0141575B1 (ko) 1998-06-01
JPH06150853A (ja) 1994-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5858519A (en) Absorbing anti-reflection coatings for computer displays
US6784608B2 (en) Light-absorptive antireflection filter, with pigment containing light-absorptive film and electroconducting thin film, and device using same
US5552178A (en) Method for preparing anti-reflective coating for display devices
JPH09156964A (ja) 光吸収性反射防止体
JP2677281B2 (ja) 受像管と受像管の反射及び帯電防止処理方法
JP3223261B2 (ja) 陰極線管およびその製造方法
EP0552796A1 (en) Conductive film and low reflection conductive film and processes for their production
JP3569538B2 (ja) 画像表示装置
WO2000044029A1 (fr) Verre d'ecran cathodique et procede de production de ce dernier, et ecran cathodique
JP4834939B2 (ja) 反射防止フィルム
JPH11236247A (ja) 導電性反射防止膜が被覆されたガラス物品
CN1307354A (zh) 彩色显像管
KR970000382B1 (ko) 저반사 코팅유리 및 그 제조방법
KR101771069B1 (ko) 방오 성능을 갖는 반사방지막 및 그 제조방법
JP2000507041A (ja) 陰極線管の製造方法と陰極線管
JP2000162405A (ja) 光学物品およびそれを用いた陰極線管
KR970000902B1 (ko) 저반사 코팅유리 및 그 제조방법
KR100259236B1 (ko) 저반사 코팅 기판 및 이의 제조 방법
JP3292338B2 (ja) 陰極線管用パネル
JPH08304602A (ja) 反射防止コーティング
JPH08250044A (ja) 画像表示装置
JPH0611602A (ja) 低屈折率膜、低反射膜、低反射導電膜及び低反射防眩導電膜
JPH07312186A (ja) 反射帯電防止型陰極線管およびその製造方法
JP2002071906A (ja) 導電性反射防止膜およびそれが被覆形成された陰極線管用ガラスパネル
JPH087796A (ja) 陰極線管用パネル