JP2674421B2 - 無洗浄クリーム半田 - Google Patents
無洗浄クリーム半田Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リフロー半田付け工程
に利用し、電子部品実装後の洗浄を不要にするとともに
印刷性、リフロー性及び信頼性が向上する無洗浄クリー
ム半田に関する。
に利用し、電子部品実装後の洗浄を不要にするとともに
印刷性、リフロー性及び信頼性が向上する無洗浄クリー
ム半田に関する。
【０００２】
【従来の技術】近時、プリント配線基板などの洗浄に使
用しているフロンの全廃対策が急務である。
用しているフロンの全廃対策が急務である。
【０００３】次に、このように洗浄を必要とする従来の
リフロー半田付け工程について説明する。
リフロー半田付け工程について説明する。
【０００４】図２は従来のリフロー半田付け工程を示し
ている。図２おいて、この例は、クリーム半田印刷工程
２１、接着剤塗布工程２２、部品搭載工程２３、リフロ
ー工程２４、外観検査工程２５、洗浄工程２６、電気検
査工程２７からなる。
ている。図２おいて、この例は、クリーム半田印刷工程
２１、接着剤塗布工程２２、部品搭載工程２３、リフロ
ー工程２４、外観検査工程２５、洗浄工程２６、電気検
査工程２７からなる。
【０００５】さらに、これらの工程を詳細に説明する。
クリーム半田印刷工程２１では、クリーム半田をスクリ
ーン印刷によりプリント回路基板に供給する。続いて、
接着剤塗布工程２２では、裏面リフロー時に落下の恐れ
のある部品のマウント部に接着剤を塗布する。部品搭載
工程２３では、各部品をマウント機等により搭載する。
リフロー工程２４では、赤外線、熱風等の種々の熱源に
より加熱してクリーム半田を溶融し、硬化させて接合す
る。外観検査工程２５では、半田接合部にブリッジ、未
半田部、部品ズレ、半田ボール等の異常を目視し、又は
検査機を用いて外観検査を行う。洗浄工程２６では、フ
ラックス残渣をフロン、トリクロロエタン等の溶剤を用
いて洗浄する。続いて、電気検査工程２７では接続導
通、回路機能等の電気的検査を行う。
クリーム半田印刷工程２１では、クリーム半田をスクリ
ーン印刷によりプリント回路基板に供給する。続いて、
接着剤塗布工程２２では、裏面リフロー時に落下の恐れ
のある部品のマウント部に接着剤を塗布する。部品搭載
工程２３では、各部品をマウント機等により搭載する。
リフロー工程２４では、赤外線、熱風等の種々の熱源に
より加熱してクリーム半田を溶融し、硬化させて接合す
る。外観検査工程２５では、半田接合部にブリッジ、未
半田部、部品ズレ、半田ボール等の異常を目視し、又は
検査機を用いて外観検査を行う。洗浄工程２６では、フ
ラックス残渣をフロン、トリクロロエタン等の溶剤を用
いて洗浄する。続いて、電気検査工程２７では接続導
通、回路機能等の電気的検査を行う。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のリフロー半田付け工程では、半田付け後に半田付け
箇所及びランド等に相互の絶縁性を損なうフラックス残
渣が残留する。このため、フラックス残渣を除去する洗
浄工程２６が必要となっている。
来のリフロー半田付け工程では、半田付け後に半田付け
箇所及びランド等に相互の絶縁性を損なうフラックス残
渣が残留する。このため、フラックス残渣を除去する洗
浄工程２６が必要となっている。
【０００７】この洗浄には、（１）塩素系炭化水素（フ
ロン、トリクロロエタン等）洗浄、（２）アルコール洗
浄、（３）ケン化剤洗浄、（４）水洗浄、（５）準水系
溶剤洗浄が知られている。
ロン、トリクロロエタン等）洗浄、（２）アルコール洗
浄、（３）ケン化剤洗浄、（４）水洗浄、（５）準水系
溶剤洗浄が知られている。
【０００８】このそれぞれの洗浄にあって、（１）塩素
系炭化水素洗浄では、成層圏のオゾンを破壊するためモ
ントリオール議定書により世界的に全廃することが義務
付けられているため利用不可能である。（２）アルコー
ル洗浄では、フラックス残渣の疎水成分（ロジン等有機
成分）に対する洗浄力が弱く、又引火性を有するため防
曝対策が必要となる。（３）ケン化剤洗浄及び（５）準
水系溶剤洗浄では、フラックス残渣の親水成分（活性
剤、イオン成分）、疎水成分共に洗浄力は有しているも
のの水処理装置が必要となる。（４）水洗浄ではクリー
ム半田剤を水溶性に変えなければならず、また水処理装
置が必要となる。このように洗浄はいずれも問題があっ
た。
系炭化水素洗浄では、成層圏のオゾンを破壊するためモ
ントリオール議定書により世界的に全廃することが義務
付けられているため利用不可能である。（２）アルコー
ル洗浄では、フラックス残渣の疎水成分（ロジン等有機
成分）に対する洗浄力が弱く、又引火性を有するため防
曝対策が必要となる。（３）ケン化剤洗浄及び（５）準
水系溶剤洗浄では、フラックス残渣の親水成分（活性
剤、イオン成分）、疎水成分共に洗浄力は有しているも
のの水処理装置が必要となる。（４）水洗浄ではクリー
ム半田剤を水溶性に変えなければならず、また水処理装
置が必要となる。このように洗浄はいずれも問題があっ
た。
【０００９】本発明は、このような従来の技術における
問題を解決するものであり、洗浄を不要にしてリフロー
半田付けを実現し、かつ、印刷性、リフロー性及び信頼
性を向上できる優れた無洗浄クリーム半田の提供を目的
とする。
問題を解決するものであり、洗浄を不要にしてリフロー
半田付けを実現し、かつ、印刷性、リフロー性及び信頼
性を向上できる優れた無洗浄クリーム半田の提供を目的
とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の無洗浄クリーム半田は、金属成分としてＳ
ｎ、Ｐｂ、Ａｇを６２：３６：２で含有する粒径３０μ
ｍ以上のＳｎ／Ｐｂ／Ａｇ合金をクリーム半田全重量の
８８〜９２重量％含有し、活性剤としてエチルアミン塩
酸塩、ジエチルアミン塩酸塩、ジメチルアミン塩酸塩、
トリメチルアミン塩酸塩、ジクロヘキシルアミン塩酸
塩、ジエチルアミン臭化水素酸塩、ジクロヘキシルアミ
ン臭化水素酸塩、ｎ−プロピルアミン塩酸塩、ジ−ｎ−
プロピルアミン塩酸塩、トリ−ｎ−プロピルアミン塩酸
塩のうち単体あるいは複数を、フラックス全重量１００
％に対して、０．０１重量％以上、０．０６重量％未満
含有し、かつ、フマル酸、酒石酸、ステアリン酸、タル
トロン酸、グルタミン酸、イソリンゴ酸、フタル酸、ク
エン酸のうち単体あるいは複数を、フラックス全重量を
１００％に対して０．１０重量％以上、０．６０重量％
未満含有し、ロジンを５０重量％以上含有し、金属成分
とフラックスとでクリーム半田が構成され、この両者を
合わせて１００重量％となる。
に、本発明の無洗浄クリーム半田は、金属成分としてＳ
ｎ、Ｐｂ、Ａｇを６２：３６：２で含有する粒径３０μ
ｍ以上のＳｎ／Ｐｂ／Ａｇ合金をクリーム半田全重量の
８８〜９２重量％含有し、活性剤としてエチルアミン塩
酸塩、ジエチルアミン塩酸塩、ジメチルアミン塩酸塩、
トリメチルアミン塩酸塩、ジクロヘキシルアミン塩酸
塩、ジエチルアミン臭化水素酸塩、ジクロヘキシルアミ
ン臭化水素酸塩、ｎ−プロピルアミン塩酸塩、ジ−ｎ−
プロピルアミン塩酸塩、トリ−ｎ−プロピルアミン塩酸
塩のうち単体あるいは複数を、フラックス全重量１００
％に対して、０．０１重量％以上、０．０６重量％未満
含有し、かつ、フマル酸、酒石酸、ステアリン酸、タル
トロン酸、グルタミン酸、イソリンゴ酸、フタル酸、ク
エン酸のうち単体あるいは複数を、フラックス全重量を
１００％に対して０．１０重量％以上、０．６０重量％
未満含有し、ロジンを５０重量％以上含有し、金属成分
とフラックスとでクリーム半田が構成され、この両者を
合わせて１００重量％となる。
【００１１】
【作用】このような構成により、本発明の無洗浄クリー
ム半田は、洗浄を不要にしてリフロー半田付けを実現
し、かつ、印刷性にダレ及びにじみが発生せず高印刷性
と、半田ボールを阻止して良好なリフロー性及びリフロ
ー時の高信頼性が得られる。
ム半田は、洗浄を不要にしてリフロー半田付けを実現
し、かつ、印刷性にダレ及びにじみが発生せず高印刷性
と、半田ボールを阻止して良好なリフロー性及びリフロ
ー時の高信頼性が得られる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の無洗浄クリーム半田の実施例
を図面に基づいて詳細に説明する。図１は実施例に係る
リフロー半田付け工程を示している。図１において、こ
の例はクリーム半田印刷工程１１、接着剤塗布工程１
２、部品搭載工程１３、リフロー工程１４、外観検査工
程１５、電気検査工程１６からなる。
を図面に基づいて詳細に説明する。図１は実施例に係る
リフロー半田付け工程を示している。図１において、こ
の例はクリーム半田印刷工程１１、接着剤塗布工程１
２、部品搭載工程１３、リフロー工程１４、外観検査工
程１５、電気検査工程１６からなる。
【００１３】さらに、これらの工程及びクリーム半田を
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１４】
【表１】
【００１５】
【表２】
【００１６】この（表１）及び（表２）は、クリーム半
田の実施例及び比較例１、２、３、４、５、６、７にお
けるそれぞれのクリーム半田成分と、この実施例及び比
較例１〜７に対する印刷性、リフロー性、信頼性の結果
を示している。
田の実施例及び比較例１、２、３、４、５、６、７にお
けるそれぞれのクリーム半田成分と、この実施例及び比
較例１〜７に対する印刷性、リフロー性、信頼性の結果
を示している。
【００１７】（表１）及び（表２）において、クリーム
半田は、実施例の項目に示すようにＳｎ、Ｐｂ、Ａｇを
重量比６２：３６：２で含有する粒径３７〜６３μｍの
Ｓｎ／Ｐｂ／Ａｇ合金をクリーム半田全重量の９０重量
％含有し、また、フラックス全重量１００％に対して活
性剤として、ジエチルアミン塩酸塩単体を０．０３重量
％及びフタル酸を０．３０重量％含有し、ロジンを６０
重量％含有した成分としている。
半田は、実施例の項目に示すようにＳｎ、Ｐｂ、Ａｇを
重量比６２：３６：２で含有する粒径３７〜６３μｍの
Ｓｎ／Ｐｂ／Ａｇ合金をクリーム半田全重量の９０重量
％含有し、また、フラックス全重量１００％に対して活
性剤として、ジエチルアミン塩酸塩単体を０．０３重量
％及びフタル酸を０．３０重量％含有し、ロジンを６０
重量％含有した成分としている。
【００１８】また、同金属成分、同ロジンを含有する比
較例１〜７における活性剤、活性剤量は（表１）及び
（表２）に示す通りである。
較例１〜７における活性剤、活性剤量は（表１）及び
（表２）に示す通りである。
【００１９】次に、この成分のクリーム半田をリフロー
半田付け工程及び比較例１〜７ともに説明する。
半田付け工程及び比較例１〜７ともに説明する。
【００２０】クリーム半田印刷工程１１では、（表１）
及び（表２）の実施例の成分のクリーム半田を、スクリ
ーン印刷により部品実装用プリント回路基板及び櫛形電
極基板（ＪＩＳ２型）にそれぞれ供給する。この際、印
刷直後のクリーム半田状態を観察し、印刷用のスクリー
ン版であるメタルマスクの開口面積に対し、印刷された
クリーム半田面積が２０％以上広がっているパターン、
及び２０％欠けているパターンの発生率をそれぞれ求め
た。
及び（表２）の実施例の成分のクリーム半田を、スクリ
ーン印刷により部品実装用プリント回路基板及び櫛形電
極基板（ＪＩＳ２型）にそれぞれ供給する。この際、印
刷直後のクリーム半田状態を観察し、印刷用のスクリー
ン版であるメタルマスクの開口面積に対し、印刷された
クリーム半田面積が２０％以上広がっているパターン、
及び２０％欠けているパターンの発生率をそれぞれ求め
た。
【００２１】接着剤塗布工程１２では、裏面リフロー時
に落下の恐れのある部品のマウント部に接着剤を塗布し
た。
に落下の恐れのある部品のマウント部に接着剤を塗布し
た。
【００２２】続いて 部品搭載工程１３では、０．６５
ｍｍピッチ１００ピンＱＦＰ（フラットパッケージ）１
０個などの各部品をマウント機により搭載した。
ｍｍピッチ１００ピンＱＦＰ（フラットパッケージ）１
０個などの各部品をマウント機により搭載した。
【００２３】さらにリフロー工程１４では、熱風式のリ
フロー炉により加熱して半田を溶融し、硬化させて接合
した。
フロー炉により加熱して半田を溶融し、硬化させて接合
した。
【００２４】その後、外観検査工程１５では、０．６５
ｍｍピッチＱＦＰのリード線の半田接合部にブリッジ、
未半田部及び半田ボール等の発生を観察した。この際、
半田ブリッジは全リード間に対する発生率をカウント
し、未半田部は全リード接合部に対する発生率をカウン
トした。さらに半田ボールは任意１０箇所のリード間に
発生する半田ボール数をカウントし、その平均値をそれ
ぞれ求めた。
ｍｍピッチＱＦＰのリード線の半田接合部にブリッジ、
未半田部及び半田ボール等の発生を観察した。この際、
半田ブリッジは全リード間に対する発生率をカウント
し、未半田部は全リード接合部に対する発生率をカウン
トした。さらに半田ボールは任意１０箇所のリード間に
発生する半田ボール数をカウントし、その平均値をそれ
ぞれ求めた。
【００２５】ここで比較例１のみ従来方法である洗浄を
行う。この洗浄工程では、５％エタノールを含むフロン
１１３により煮沸してベイパー洗浄を行う。
行う。この洗浄工程では、５％エタノールを含むフロン
１１３により煮沸してベイパー洗浄を行う。
【００２６】最後に電気検査工程１６では、上記実装基
板についてヒートサイクル試験を行う。条件は−４０℃
で３０分間放置後、１分以内に＋８５℃へ昇温し、３０
分間放置し、再び−４０℃へ降温する。このサイクルを
１０００回繰り返す。試験後ＱＦＰリード剥離強度をボ
ンドテスターにより測定する。
板についてヒートサイクル試験を行う。条件は−４０℃
で３０分間放置後、１分以内に＋８５℃へ昇温し、３０
分間放置し、再び−４０℃へ降温する。このサイクルを
１０００回繰り返す。試験後ＱＦＰリード剥離強度をボ
ンドテスターにより測定する。
【００２７】櫛形電極基板については電圧印加耐湿性試
験を行った。この条件は６０℃、９０％ＲＨ、ＤＣ１６
Ｖを印加して１０００時間放置を行うものである。試験
後対抗電極間の絶縁抵抗を測定する。
験を行った。この条件は６０℃、９０％ＲＨ、ＤＣ１６
Ｖを印加して１０００時間放置を行うものである。試験
後対抗電極間の絶縁抵抗を測定する。
【００２８】印刷性、リフロー性、信頼性の結果は、
（表１）及び（表２）中の項目に示すように優れた効果
が得られている。
（表１）及び（表２）中の項目に示すように優れた効果
が得られている。
【００２９】以上のように本実施例によれば、クリーム
半田金属成分の微粒径をカットし、３７μｍ以上にし、
かつ、含有率を適量であるクリーム半田全重量の９０重
量％にすることにより印刷時のダレが抑制できる。すな
わち、（表１）及び（表２）に示すようにメタルマスク
の開口面積に対し、印刷されたクリーム半田面積が２０
％以上広がっているパターンの発生率が０％であった。
半田金属成分の微粒径をカットし、３７μｍ以上にし、
かつ、含有率を適量であるクリーム半田全重量の９０重
量％にすることにより印刷時のダレが抑制できる。すな
わち、（表１）及び（表２）に示すようにメタルマスク
の開口面積に対し、印刷されたクリーム半田面積が２０
％以上広がっているパターンの発生率が０％であった。
【００３０】さらに、リフロー時の半田ボールの発生が
抑制される。すなわち、ＩＣリード間平均発生数が１０
個以下であった。
抑制される。すなわち、ＩＣリード間平均発生数が１０
個以下であった。
【００３１】また、活性剤にハロゲン化物（ジエチルア
ミン塩酸塩等）を適量（０．０１重量％以上、０．０６
重量％未満）と、有機酸（フタル酸等）を適量（０．１
０重量％以上、０．６０重量％未満）含有し、さらにロ
ジンを一定量（５０重量％以上）含有することにより、
加熱時の金属成分及び基板ランド酸化を加え、半田ボー
ルの発生を抑制し、かつ、絶縁性を保持している。すな
わち、櫛形電極基板による電圧印加耐湿性試験、すなわ
ち、６０℃、９０％ＲＨ、ＤＣ１６Ｖ印加、１０００時
間放置試験後対抗電極間の絶縁抵抗が１×１０12Ω以上
であった。
ミン塩酸塩等）を適量（０．０１重量％以上、０．０６
重量％未満）と、有機酸（フタル酸等）を適量（０．１
０重量％以上、０．６０重量％未満）含有し、さらにロ
ジンを一定量（５０重量％以上）含有することにより、
加熱時の金属成分及び基板ランド酸化を加え、半田ボー
ルの発生を抑制し、かつ、絶縁性を保持している。すな
わち、櫛形電極基板による電圧印加耐湿性試験、すなわ
ち、６０℃、９０％ＲＨ、ＤＣ１６Ｖ印加、１０００時
間放置試験後対抗電極間の絶縁抵抗が１×１０12Ω以上
であった。
【００３２】濡れ性・半田接合強度を保持している。す
なわち、ヒートサイクル試験における−４０℃で３０分
間放置、＋８５℃で３０分間放置のサイクルを１０００
回繰り返した後のＱＦＰリード線の剥離強度が０．７ｋ
ｇ以上であった。
なわち、ヒートサイクル試験における−４０℃で３０分
間放置、＋８５℃で３０分間放置のサイクルを１０００
回繰り返した後のＱＦＰリード線の剥離強度が０．７ｋ
ｇ以上であった。
【００３３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の無洗浄クリーム半田は、金属成分としてＳｎ、Ｐｂ、
Ａｇを６２：３６：２で含有する粒径３０μｍ以上のＳ
ｎ／Ｐｂ／Ａｇ合金をクリーム半田全重量の８８〜９２
重量％含有し、活性剤としてエチルアミン塩酸塩、ジエ
チルアミン塩酸塩、ジメチルアミン塩酸塩、トリメチル
アミン塩酸塩、ジクロヘキシルアミン塩酸塩、ジエチル
アミン臭化水素酸塩、ジクロヘキシルアミン臭化水素酸
塩、ｎ−プロピルアミン塩酸塩、ジ−ｎ−プロピルアミ
ン塩酸塩、トリ−ｎ−プロピルアミン塩酸塩のうち単体
あるいは複数を、フラックス全重量１００％に対して、
０．０１重量％以上、０．０６重量％未満含有し、か
つ、フマル酸、酒石酸、ステアリン酸、タルトロン酸、
グルタミン酸、イソリンゴ酸、フタル酸、クエン酸のう
ち単体あるいは複数を、フラックス全重量を１００％に
対して０．１０重量％以上、０．６０重量％未満含有
し、ロジンを５０重量％以上含有するようにしているた
め、洗浄を不要にしてリフロー半田付けを実現し、か
つ、クリーム半田の印刷時にダレ及びにじみが発生せず
高印刷性を確保できるとともに、リフロー半田付け時に
半田ボールの発生を阻止して良好なリフロー性及びリフ
ロー時の高信頼性が得られるという効果を有する。
の無洗浄クリーム半田は、金属成分としてＳｎ、Ｐｂ、
Ａｇを６２：３６：２で含有する粒径３０μｍ以上のＳ
ｎ／Ｐｂ／Ａｇ合金をクリーム半田全重量の８８〜９２
重量％含有し、活性剤としてエチルアミン塩酸塩、ジエ
チルアミン塩酸塩、ジメチルアミン塩酸塩、トリメチル
アミン塩酸塩、ジクロヘキシルアミン塩酸塩、ジエチル
アミン臭化水素酸塩、ジクロヘキシルアミン臭化水素酸
塩、ｎ−プロピルアミン塩酸塩、ジ−ｎ−プロピルアミ
ン塩酸塩、トリ−ｎ−プロピルアミン塩酸塩のうち単体
あるいは複数を、フラックス全重量１００％に対して、
０．０１重量％以上、０．０６重量％未満含有し、か
つ、フマル酸、酒石酸、ステアリン酸、タルトロン酸、
グルタミン酸、イソリンゴ酸、フタル酸、クエン酸のう
ち単体あるいは複数を、フラックス全重量を１００％に
対して０．１０重量％以上、０．６０重量％未満含有
し、ロジンを５０重量％以上含有するようにしているた
め、洗浄を不要にしてリフロー半田付けを実現し、か
つ、クリーム半田の印刷時にダレ及びにじみが発生せず
高印刷性を確保できるとともに、リフロー半田付け時に
半田ボールの発生を阻止して良好なリフロー性及びリフ
ロー時の高信頼性が得られるという効果を有する。
【図１】本発明の無洗浄クリーム半田の実施例に係るリ
フロー半田付け工程を示す流れ図
フロー半田付け工程を示す流れ図
【図２】従来のリフロー半田付け工程を示す流れ図
１１ クリーム半田印刷工程 １２ 接着剤塗布工程 １３ 部品搭載工程 １４ リフロー工程 １５ 外観検査工程 １６ 電気検査工程
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−290693（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−66291（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−94891（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−100692（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−81097（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−170581（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−262386（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−54298（ＪＰ，Ａ) 特公 平６−75796（ＪＰ，Ｂ２) 特公 平３−67795（ＪＰ，Ｂ２) 竹本正ら監訳 「ソルダリング イン エレクトロニクス」 （昭61−８− 30）、日刊工業新聞社、第160−164頁
Claims (1)
- 【請求項１】 金属成分としてＳｎ、Ｐｂ、Ａｇを６
２：３６：２で含有する粒径３０μｍ以上のＳｎ／Ｐｂ
／Ａｇ合金をクリーム半田全重量の８８〜９２重量％含
有し、活性剤としてエチルアミン塩酸塩、ジエチルアミ
ン塩酸塩、ジメチルアミン塩酸塩、トリメチルアミン塩
酸塩、ジクロヘキシルアミン塩酸塩、ジエチルアミン臭
化水素酸塩、ジクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、ｎ−
プロピルアミン塩酸塩、ジ−ｎ−プロピルアミン塩酸
塩、トリ−ｎ−プロピルアミン塩酸塩のうち単体あるい
は複数を、フラックス全重量１００％に対して、０．０
１重量％以上、０．０６重量％未満含有し、かつ、フマ
ル酸、酒石酸、ステアリン酸、タルトロン酸、グルタミ
ン酸、イソリンゴ酸、フタル酸、クエン酸のうち単体あ
るいは複数を、フラックス全重量１００％に対して０．
１０重量％以上、０．６０重量％未満含有し、ロジンを
５０重量％以上含有することを特徴とする無洗浄クリー
ム半田。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13323792A JP2674421B2 (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 無洗浄クリーム半田 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13323792A JP2674421B2 (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 無洗浄クリーム半田 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05318170A JPH05318170A (ja) | 1993-12-03 |
| JP2674421B2 true JP2674421B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=15099919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13323792A Expired - Fee Related JP2674421B2 (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 無洗浄クリーム半田 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2674421B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997003788A1 (fr) * | 1995-07-20 | 1997-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Metal d'apport de brasage en creme |
| JPH0929481A (ja) * | 1995-07-20 | 1997-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | クリームはんだ |
| JPH0929486A (ja) * | 1995-07-24 | 1997-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | クリームはんだ |
| CN104646863A (zh) * | 2014-06-14 | 2015-05-27 | 柳州市奥凯工程机械有限公司 | 助焊剂 |
-
1992
- 1992-05-26 JP JP13323792A patent/JP2674421B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 竹本正ら監訳 「ソルダリング イン エレクトロニクス」 （昭６１−８−３０）、日刊工業新聞社、第１６０−１６４頁 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05318170A (ja) | 1993-12-03 |
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