JP2672408B2 - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JP2672408B2 JP3054941A JP5494191A JP2672408B2 JP 2672408 B2 JP2672408 B2 JP 2672408B2 JP 3054941 A JP3054941 A JP 3054941A JP 5494191 A JP5494191 A JP 5494191A JP 2672408 B2 JP2672408 B2 JP 2672408B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロプロセッサ、
周辺回路などそれぞれ独立した機能を持つ複数の回路ブ
ロックを1つの半導体チップ上に形成した半導体集積回
路に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の製造技術向上に
伴い、マイクロプロセッサ、周辺回路などそれぞれ独立
した論理機能を持つ回路ブロックを1つの半導体チップ
上に形成した特定用途向け集積回路(以下、ASICと
呼ぶ)などの複合集積回路が開発されている。
【0003】上述したASICの設計には、たとえばメ
ガセル方式と呼ばれる手法が用いられる。ここでいうメ
ガセルとは、基本の回路ブロックつまり基本セルを多数
組み合わせて所定の機能を持つ1個の回路ブロックに構
成したものである。このメガセル方式では、上記メガセ
ルを1個または複数個用いて所望の機能を持つLSI
(Large Scale Integrated circuit;大規模集積回路)
が設計される。
【0004】図4は、上記メガセル方式で設計されたL
SIの半導体チップ1上での構成を概略的に示すブロッ
ク図であり、ここでは3個のメガセル2a,2b,2c
でLSIが構成されている。
【0005】このようなメガセル方式で設計されたLS
Iの場合、各メガセルの機能自体が複雑であるばかりで
なく、個々のメガセル間も互いに信号線で接続されてい
るために、そのテストをチップ全体で一度に行おうとす
ると、テストが非常に困難になってくる。
【0006】そこで、従来、このようなLSIのテスト
では、個々のメガセル別にテストを行う手法が採用され
ている。そのテスト方法の1つとして、メガセルを制御
する命令を持つプログラムを用いて、テスト対象の1個
のメガセルだけを動作状態にし、他の全てのメガセルを
非動作状態にして、テストを行う方法が知られている。
【0007】図5は、そのテスト方法の説明に用いるL
SIの概略的な構成を示すブロック図であり、図6は、
そのテスト方法の手順を示すタイミングチャートであ
る。図5では、マイクロプロセッサのCPU部分のみを
メガセルにしたCPUコア3と、直接メモリアクセス機
能を持つメガセルであるDMAセル4とでLSIが構成
されている。
【0008】次に、図5および図6を参照して、上記テ
スト方法の概要を説明する。ここでは、先にCPUコア
3のテストを行い、次にDMAセル4のテストを行うも
のとする。
【0009】まず、テスト期間(t0〜t1)において、
DMAセル4を非動作状態にする。この手順は次の通り
である。テスト用アドレスバスA0〜A15から各メガ
セル3,4に命令を与えるテストプログラム中に、最初
の命令として、CPUコア3からデータバスD0〜D7
を通じてDMAセル4に対して、DMAセル4を非動作
状態にするデータを送らせる命令を用意する。この命令
をCPUコア3が実行することによって、DMAセル4
は非動作状態となる。
【0010】次のテスト期間(t1〜t2)において、C
PUコア3のテストを実施する。
【0011】テストが終了すると、次のテスト期間
(t2〜t3)において、CPUコア3を非動作状態にし、
かつDMAセル4を動作状態にする。この手順は次の通
りである。テスト用アドレスバスA0〜A15からの命
令で、CPUコア3をBUSRQイネーブル状態に設定
する。ついで、CPUコア3からデータバスD0〜D7
を通じてDMAセル4に対して、DMAセル4からバス
リクエスト通信線BUSRQを通じてBUSRQ要求を
出力させるデータを送らせる。これによって、DMAセ
ル4からのBUSRQをCPUコア3が受け付け、CP
Uコア3は非動作状態となる。
【0012】次のテスト期間(t3〜t4)において、D
MAセル4のテストを実施する。このようにして、各メ
ガセル3,4を個別にテストできる。
【0013】上記テスト方法では、テスト対象外のメガ
セルを非動作状態に設定する処理のために、テスト対象
メガセルおよびテスト対象外のメガセルのレジスタやフ
リップフロップの状態が変化してしまう。これを避ける
のに、以下に示す別のテスト方法も従来から行われてい
る。
【0014】図7は、その別のテスト方法が採用される
LSIの構成を概略的に示すブロック図である。各メガ
セル5a,5bには、それぞれテスト用信号線6ai ,
6ao ,6bi ,6bo が接続されていて、これらのテ
スト用信号線はそれぞれ接続回路7ai,7ao ,7b
i,7bo を介してテスト共通信号線8i,8oに接続
され、そのテスト共通信号線8i,8oはそれぞれ対応
するテスト用入力端子9i,9oに接続されている。
【0015】また、上記テスト用信号線のうちメガセル
5aのテスト用信号線6ai ,6ao に対応する接続回
路7ai ,7ao にはテスト設定信号線10aを介して
テスト設定用端子11aが接続され、上記テスト用信号
線のうちメガセル5bのテスト用信号線6bi ,6bo
に対応する接続回路7bi ,7bo にはテスト設定信号
線10bを介してテスト設定用端子11bが接続されて
いる。
【0016】図7を参照して、この場合のテスト方法を
以下に説明する。ここでは、メガセル5aをテスト対象
とし、メガセル5bをテスト対象から除外する場合を示
す。各接続回路7ai ,7ao ,7bi ,7bo は、対
応するテスト設定用端子11a,11bから入力される
テスト設定信号TA,TBがハイレベルのとき対応する
テスト用信号線を対応するテスト共通信号線に接続し、
テスト設定信号TA,TBがローレベルのときテスト共
通信号線から切離す。
【0017】いま、テスト設定信号TAをハイレベルに
すると、メガセル5aに対応する接続回路7ai ,7a
o はテスト用信号線6ai ,6ao を、それぞれ対応す
るテスト共通信号線8i,8oに接続する。
【0018】このとき、テスト用入力端子9iから入力
されるテストデータは、テスト共通通信線8i、接続回
路7ai 、テスト用信号線6ai を介してメガセル5a
に入力され、またメガセル5aから出力される信号は、
テスト用信号線6ao 、接続回路7ao 、テスト共通信
号線8oを介してテスト用出力端子9oに導出される。
したがって、テストデータに応じたメガセル5aの動作
を半導体チップ外部で評価できる。
【0019】他のメガセル5bについても、同様の手順
によって単独にテストを行うことができる。
【0020】
【発明が解決しようとする課題】図7に示した従来の半
導体集積回路においては、各メガセルの内部状態を変え
ることなく、個別にメガセルのテストを行うことはでき
るものの、メガセル5a,5bの数に応じたテスト設定
端子11a,11bが必要になるので、メガセルが増大
するにつれてパッケージのピン数が増加するという問題
点を有する。
【0021】したがって、本発明の目的は、内部状態を
変えることなく、かつパッケージのピン数を増加させる
ことなく、回路ブロック別にテストすることのできる半
導体集積回路を提供することである。
【0022】
【課題を解決するための手段】本発明は、それぞれ独立
した機能を持つ複数の回路ブロックを1つの半導体チッ
プ上に形成した半導体集積回路において、前記各回路ブ
ロックと半導体チップ外部との間でテスト信号の入出力
を行う各回路ブロックに共通のテスト用信号線と、実動
作時に前記各回路ブロックの信号の入出力に使用される
通常信号線に対応付けて設けられ、通常信号線および前
記テスト用信号線を選択的に回路ブロックに接続する接
続切換え回路と、前記各回路ブロックに対応付けて設け
られ、前記テスト用信号線を介して半導体チップ外部か
ら入力される回路ブロック指定用テスト信号を受けて、
そのテスト信号が対応する回路ブロックを指定している
とき、当該回路ブロックに対応する前記接続切換え回路
を、回路ブロックに通常信号線を接続させる状態からテ
スト用信号線を接続させる状態に切換え制御し、かつ前
記回路ブロック指定用テスト信号が対応する回路ブロッ
クを指定していないとき、当該回路ブロックに対応する
前記接続切換え回路を、通常信号線およびテスト用信号
線のいずれもが回路ブロックから切離された状態に切換
え制御するテスト検出回路とを含むことを特徴とする半
導体集積回路である。
【0023】
【作用】本発明に従えば、テスト用信号線を通じて半導
体チップ外部から1つの回路ブロックを指定するテスト
信号が入力されると、指定対象の回路ブロックに対応す
るテスト検出回路はその回路ブロックに対応する接続切
換え回路を、通常信号線を回路ブロックに接続させる状
態からテスト用信号線を回路ブロックに接続させる状態
に切換えさせると共に、指定対象外の他の回路ブロック
に対応するテスト検出回路はそれらの回路ブロックに対
応する接続切換え回路を、通常信号線およびテスト用信
号線のいずれも回路ブロックから切離した状態に切換え
させる。その結果、指定された回路ブロックだけにテス
ト用信号線が接続された状態となり、そのテスト用信号
線を通じて指定された回路ブロックの単独テストを行う
ことができる。
【0024】
【実施例】図1は、本発明の一実施例である半導体集積
回路の要部の概略的な構成を示すブロック図である。こ
の半導体集積回路は、複数のメガセルを1つの半導体チ
ップ12上に形成して構成したLSIであって、図1で
はそのうちの1つのメガセル13だけが示されている。
【0025】メガセルテスト用回路30は、任意の1つ
のメガセル13だけをテスト可能な接続状態に設定する
ための回路であり、各メガセル13に1対1に対応付け
て設けられている。
【0026】上記メガセルテスト用回路30は、メガセ
ル13の各入出力部I/O−1,I/O−2,…,I/
O−Nを、実動作時に使用される通常ライン14および
テスト用データバスライン15D0,15D1,…,15D7
(以下、テスト用データバスライン一般を表すときには
符号15で示す)のいずれかに択一的に接続する接続切
換え回路16−1,16−2,…16−N(以下、接続
切換え回路一般を表すときには符号16で示す)と、上
記テスト用データバス15を通じて半導体チップ12外
部から与えられるメガセル指定用テスト信号に基づき、
接続切換え回路16の切換え状態を制御するテスト検出
回路17とで構成されている。
【0027】上記テスト検出回路17には、テストモー
ド信号線18が接続されている。このテストモード信号
線18および上記テスト用データバス15は、それぞれ
半導体チップ12外部の端子19,20に接続されてい
る。
【0028】図2は、上記接続切換え回路16およびテ
スト検出回路17の具体的な構成を示す回路図である。
テスト検出回路17は、メガセル番号一致判断回路21
と、NORゲート22と、ANDゲート23とで構成さ
れている。
【0029】メガセル番号一致判断回路21は、上記テ
スト用データバスライン15を通じて半導体チップ12
外部から与えられるメガセル指定用テスト信号に含まれ
るメガセル番号が、対応するメガセル13に予め割付け
られているメガセル番号と一致するか否かを判断するた
めの回路である。
【0030】このメガセル番号一致判断回路21の出力
と、上記テストモード信号線18を通じて半導体チップ
12外部からテスト検出回路17に入力されてくるモー
ド指定信号とがNORゲート22の2入力として与えら
れ、その出力は第1の接続切換え信号S1として接続切
換え回路16に送られる。
【0031】また、ANDゲート23にも、メガセル番
号一致判断回路21の出力とモード指定信号とが2入力
として与えられ、そのANDゲート23の出力は第2の
接続切換え信号S2として接続切換え回路16に送られ
る。
【0032】各接続切換え回路16は、2つの入力用3
ステートゲート24a,24bと、2つの出力用3ステ
ートゲート25a,25bとで構成されている。1つの
入力用3ステートゲート24aはメガセル13の1つの
入力部と通常ライン14の1本との間に介挿され、他の
1つの入力用3ステートゲート24bはメガセル13の
同じ入力部とテスト用データバスライン19の1本との
間に介挿されている。
【0033】また、1つの出力用3ステートゲート25
aはメガセル13の1つの出力部と通常ライン14の1
本との間に介挿され、他の1つの出力用3ステートゲー
ト25bはメガセル13の同じ出力部とテスト用データ
バスライン19の1本との間に介挿されている。
【0034】テスト検出回路17におけるNORゲート
22からの接続切換え信号S1は、上記入力用3ステー
トゲート24aおよび出力用3ステートゲート25aの
制御信号として与えられる。また、テスト検出回路17
におけるANDゲート23からの接続切換え信号S2
は、上記入力用3ステートゲート24bおよび出力用3
ステートゲート25bの制御信号として与えられる。
【0035】図3は、上記メガセル番号一致判断回路2
1の具体的な構成を示す回路図である。ここでは、テス
ト用データバス15の本数に対応させた個数のEX−N
ORゲート260〜267(以下、EX−NORゲート一
般を表すときには符号26で示す)と、ANDゲート2
7と、フリップフロップ28とで構成されている。
【0036】各EX−NORゲート26は、テスト用デ
ータバスライン15の1本からのテスト信号と、ハイレ
ベル(2値のうちの「1」に相当。以下、同じ)または
ローレベル(2値のうちの「0」に相当。以下、同じ)
に予め設定されるメガセル番号参照用の信号とをそれぞ
れ2入力として与えられる。各EX−NORゲート26
に対応する上記メガセル番号参照用信号は、対応する回
路ブロック13に割付けられたメガセル番号を示す2値
データとなるように設定される。すなわち、メガセル番
号一致判断回路21には、対応する回路ブロック13に
割付けられたメガセル番号が、EX−NORゲート26
の各1入力として予め設定されている。
【0037】各EX−NORゲート26の出力は、次段
のANDゲート27の入力として与えられ、ANDゲー
ト27の出力は次段のフリップフロップ28のデータ入
力として与えられる。また、テストモード信号線18を
介して入力されるテスト信号は、フリップフロップ28
のクロック信号およびリセット信号として与えられ、フ
リップフロップ28のデータ出力がメガセル一致判断回
路21の出力とされる。
【0038】次に、上記LSIの各メガセル13を単独
テストする場合の動作について説明する。テスト時に
は、まず半導体チップ12外部の端子20からテストモ
ードを指定するハイレベルのテスト信号が入力されると
共に、端子19からはテスト対象の回路ブロック13を
指定するメガセル指定用テスト信号つまり1つのメガセ
ル番号を表す2値データが入力される。
【0039】これらのテスト信号は、テスト用データバ
スライン15およびテストモード信号線18を通じて各
回路ブロック13に対応付けられているメガセルテスト
用回路14のテスト検出回路17にそれぞれ与えられ
る。
【0040】すなわち、テスト検出回路17のメガセル
番号一致判断回路21では、上記メガセル指定用テスト
信号が各EX−NORゲート26の1入力として与えら
れる。そのメガセル指定用テスト信号つまりメガセル番
号が、EX−NORゲート26の他の1入力として設定
されているメガセル番号と一致する場合には、そのメガ
セル番号一致判断回路21における全EX−NORゲー
ト26の出力はハイレベルとなり、これらの出力を入力
とするANDゲート27の出力はローレベルからハイレ
ベルに反転する。この出力は、フリップフロップ28に
与えられる。
【0041】また、テストモードを指定するテストモー
ド信号線18へのテスト信号はフリップフロップ28に
クロック信号として入力され、そのテスト信号の立ち上
がりによって、ANDゲート27からのハイレベルの出
力がフリップフロップ28にラッチされ、フリップフロ
ップ28からはメガセル番号一致判断回路21の出力と
してハイレベルの出力が取り出される。
【0042】このとき、テスト検出回路17におけるN
ORゲート22およびANDゲート23の2入力は共に
ハイレベルとなるので、NORゲート22の出力つまり
接続切換え信号S1はローレベル、ANDゲート23の
出力つまり接続切換え信号S2はローレベルとなる。
【0043】したがって、メガセル番号が一致した回路
ブロック13に対応付けられる接続切換え回路16で
は、入力用3ステートゲート24aおよび出力用3ステ
ートゲート25aに対して、これらをオフにするローレ
ベルの接続切換え信号S1が与えられ、また入力用3ス
テートゲート24bおよび出力用3ステートゲート25
bに対して、これらをオンにするハイレベルの接続切換
え信号S2が与えられる。
【0044】その結果、その回路ブロック13では、入
出力部I/O−1,I/O−2,…,I/O−Nが対応
する通常ライン14から切離され、テスト用データバス
ライン15D0,15D1,…,15D7に接続される。
【0045】一方、メガセル番号が一致しない場合に
は、メガセル番号一致判断回路21におけるANDゲー
ト27の出力がローレベルとなるので、メガセル番号一
致判断回路21の出力もローレベルとなる。また、テス
トモード信号線18に導入されるテスト信号がテストモ
ードを指定するハイレベルであるから、テスト検出回路
17におけるNORゲート22の出力である接続切換え
信号S1がローレベル、ANDゲート23の出力である
接続切換え信号S2もローレベルとなる。
【0046】すなわち、メガセル番号が一致しない残り
の全回路ブロック13では、その入出力部I/O−1,
I/O−2,…,I/O−Nは対応する通常ライン14
からも、テスト用データバスライン15D0,15D1,
…,15D7からも切離された状態に保たれる。
【0047】メガセル一致判断回路21の出力はテスト
モード信号線18から導入するテスト信号をローレベル
に復帰させない限り、フリップフロップ28でラッチさ
れ続けるので、上記状態はメガセル指定用テスト信号の
入力を止めても維持される。
【0048】この状態のもとで、半導体チップ12外部
の端子19のいずれかからテストデータを入力し、他の
端子19からテスト応答データを取出すことによって、
回路ブロック13の単独テストが行われる。
【0049】すなわち、入力されたテストデータは、テ
スト用データバスライン15および接続切換え回路16
を介して、メガセル番号の一致によって指定された1つ
の回路ブロック13にのみ入力され、それに応答する回
路ブロック13からの出力データが接続切換え回路16
およびテスト用データバスライン15を介して半導体チ
ップ12外部に取り出される。
【0050】上記状態のもとで、テストモード信号線1
8へのテスト信号の導入を停止すると、つまりテスト信
号をハイレベルからローレベルに切換えると、その信号
がメガセル番号一致判断回路21におけるフリップフロ
ップ28にリセット信号として入力され、メガセル番号
一致判断回路21の出力は元のローレベルに復帰する。
【0051】したがって、すべての回路ブロック13に
対応付けられるテスト検出回路17では、NORゲート
22の出力である接続切換え信号S1がハイレベル、ま
たANDゲート23の出力である接続切換え信号S2が
ローレベルとなる。
【0052】その結果、すべての回路ブロック13で
は、入出力部I/O−1,I/O−2,…,I/O−N
がテスト用データバスライン15D0,15D1,…,15
D7から切離され、対応する通常ライン14に接続された
通常の接続状態に復帰する。
【0053】上記動作におけるメガセル番号一致判断回
路21の判断出力とテストモード設定用テスト信号と組
み合わせと、接続切換え信号S1,S2との対応関係を
表1に示す。
【0054】
【表1】
【0055】
【発明の効果】以上のように本発明の半導体集積回路に
よれば、テスト用信号線を通じて半導体チップ外部から
1つの回路ブロックを指定するテスト信号を入力し、指
定対象の回路ブロックに対応する接続切換え回路を、同
じ回路ブロックに対応するテスト検出回路によって、回
路ブロックに通常信号線を接続させる状態からテスト用
信号線を接続させる状態に切換えるとともに、指定対象
外の他の回路ブロックに対応するテスト検出回路によっ
て、それらの回路ブロックに対応する接続切換え回路
を、通常信号線およびテスト用信号線のいずれも回路ブ
ロックから切離した状態に切換えるようにしているの
で、回路ブロック数の増加に応じて半導体チップ外部の
ピン数を増加させることなく、指定された回路ブロック
だけにテスト用信号線を接続した状態のもとで、回路ブ
ロックの単独テストを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例である半導体集積回路の概略
的な構成を示すブロック図である。
【図2】実施例におけるテスト検出回路および接続切換
え回路の具体的な構成を示す回路図である。
【図3】実施例におけるメガセル番号一致判断回路の具
体的な構成を示す回路図である。
【図4】メガセル方式によるASICの一例を示すブロ
ック図である。
【図5】従来のテスト方法が適用される半導体集積回路
の一例を示すブロック図である。
【図6】テスト方法の手順を示すタイミングチャートで
ある。
【図7】従来の別のテスト方法が適用される半導体集積
回路の一例を示すブロック図である。
【符号の説明】
12 半導体チップ 13 回路ブロック 14 通常ライン 15 テスト用データバスライン 16 接続切換え回路 17 テスト検出回路 18 テストモード信号線

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 それぞれ独立した機能を持つ複数の回路
    ブロックを1つの半導体チップ上に形成した半導体集積
    回路において、前記各回路ブロックと半導体チップ外部
    との間でテスト信号の入出力を行う各回路ブロックに共
    通のテスト用信号線と、実動作時に前記各回路ブロック
    の信号の入出力に使用される通常信号線に対応付けて設
    けられ、通常信号線および前記テスト用信号線を選択的
    に回路ブロックに接続する接続切換え回路と、前記各回
    路ブロックに対応付けて設けられ、前記テスト用信号線
    を介して半導体チップ外部から入力される回路ブロック
    指定用テスト信号を受けて、そのテスト信号が対応する
    回路ブロックを指定しているとき、当該回路ブロックに
    対応する前記接続切換え回路を、回路ブロックに通常信
    号線を接続させる状態からテスト用信号線を接続させる
    状態に切換え制御し、かつ前記回路ブロック指定用テス
    ト信号が対応する回路ブロックを指定していないとき、
    当該回路ブロックに対応する前記接続切換え回路を、通
    常信号線およびテスト用信号線のいずれもが回路ブロッ
    クから切離された状態に切換え制御するテスト検出回路
    とを含むことを特徴とする半導体集積回路。
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