JP2671800B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置およびその製
造方法に関し、特にアイランドを備えて構成される半導
体装置およびその製造方法に関する。
造方法に関し、特にアイランドを備えて構成される半導
体装置およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の、この種の一般的な半導体装置の
例として、タブにより半導体素子の電極とリードフレー
ムとを接続して形成される半導体装置の主要部分の断面
図が、図4に示される。図4において、半導体素子1
は、ロー材層7によりリードフレームのアイランド2に
固着され、その後に、半導体素子1の電極8とタブ・イ
ンナーリード4とが接続される。タブ・インナーリード
4は、ポリイミドなどの絶縁フィルムにより支持されて
おり、電極8に接続される部分の他端がリードフレーム
のリード3に接続される。そして、最後に樹脂封止によ
り所定の半導体装置の形状に形成される。
例として、タブにより半導体素子の電極とリードフレー
ムとを接続して形成される半導体装置の主要部分の断面
図が、図4に示される。図4において、半導体素子1
は、ロー材層7によりリードフレームのアイランド2に
固着され、その後に、半導体素子1の電極8とタブ・イ
ンナーリード4とが接続される。タブ・インナーリード
4は、ポリイミドなどの絶縁フィルムにより支持されて
おり、電極8に接続される部分の他端がリードフレーム
のリード3に接続される。そして、最後に樹脂封止によ
り所定の半導体装置の形状に形成される。
【0003】この従来の半導体装置においては、タブ・
インナーリードが半導体素子の端部に接触するエッジタ
ッチが発生し易いが、このエッジタッチ防止を意図した
半導体装置が、特開平3−129869号公報により提
案されている。本提案による半導体装置においては、そ
れぞれ平面図および工程順に示される二つの断面図を示
す図5(a)、(b)および(c)に見られるように、
非導電性シート14には凸部15が設けられており、こ
の凸部15により、ボンディングワイヤ16と半導体素
子1との間のエッジタッチ防止が図られている。また、
他の改善例としての特開平2−12955号公報におい
ては、図6(a)および(b)の平面図および断面図に
示されるように、樹脂封入時におけるワイヤー・エッジ
タッチを防止するために、アイランド2の樹脂注入口に
対応する辺の近傍に、突起部9を設けたリードフレーム
を用いることが提案されている。
インナーリードが半導体素子の端部に接触するエッジタ
ッチが発生し易いが、このエッジタッチ防止を意図した
半導体装置が、特開平3−129869号公報により提
案されている。本提案による半導体装置においては、そ
れぞれ平面図および工程順に示される二つの断面図を示
す図5(a)、(b)および(c)に見られるように、
非導電性シート14には凸部15が設けられており、こ
の凸部15により、ボンディングワイヤ16と半導体素
子1との間のエッジタッチ防止が図られている。また、
他の改善例としての特開平2−12955号公報におい
ては、図6(a)および(b)の平面図および断面図に
示されるように、樹脂封入時におけるワイヤー・エッジ
タッチを防止するために、アイランド2の樹脂注入口に
対応する辺の近傍に、突起部9を設けたリードフレーム
を用いることが提案されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置においては、一般的には、半導体装置の構成が複雑
であるために、樹脂封止の際に樹脂流動のアンバランス
が生じ、これにより各部材にモーメントが負荷され易い
状態となる。特にサスペンダーにより支持されているタ
ブ・インナーリードは、強度的に弱いために、前述のモ
ーメントが負荷されると変形し易くなり、このためタブ
・インナーリードが下方に変形すると半導体素子の端部
に接触し、所謂エッジタッチが発生して短絡状態とな
り、当該半導体装置として重欠点不良になるという欠点
がある。
装置においては、一般的には、半導体装置の構成が複雑
であるために、樹脂封止の際に樹脂流動のアンバランス
が生じ、これにより各部材にモーメントが負荷され易い
状態となる。特にサスペンダーにより支持されているタ
ブ・インナーリードは、強度的に弱いために、前述のモ
ーメントが負荷されると変形し易くなり、このためタブ
・インナーリードが下方に変形すると半導体素子の端部
に接触し、所謂エッジタッチが発生して短絡状態とな
り、当該半導体装置として重欠点不良になるという欠点
がある。
【0005】また、上記の欠点を防止するものとして、
前述の特開平3−129869号公報において提案され
ている半導体装置においては、エッジタッチを防止する
方策として、非伝導性シートに凸部を設けるために、エ
ッジタッチ防止に有効な高さを持つ凸部を非伝導性シー
ト上に一体形成することとしているが、現実問題とし
て、このような一体形成方法は製造上に問題があり、実
現性に乏しいという欠点がある。また、特開平2−12
955号公報において提案されている半導体装置の場合
には、突起部が樹脂注入口に対応する辺の近傍のみに設
けられるために、それ以外の残りの部分においては、エ
ッジタッチ防止効果が得られないという欠点がある。
前述の特開平3−129869号公報において提案され
ている半導体装置においては、エッジタッチを防止する
方策として、非伝導性シートに凸部を設けるために、エ
ッジタッチ防止に有効な高さを持つ凸部を非伝導性シー
ト上に一体形成することとしているが、現実問題とし
て、このような一体形成方法は製造上に問題があり、実
現性に乏しいという欠点がある。また、特開平2−12
955号公報において提案されている半導体装置の場合
には、突起部が樹脂注入口に対応する辺の近傍のみに設
けられるために、それ以外の残りの部分においては、エ
ッジタッチ防止効果が得られないという欠点がある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体素子の電極とタブ・インナーリードとが接続され
て、前記タブ・インナーリードの他端がリードフレーム
に接続され、樹脂封止されて形成される半導体装置にお
いて、前記半導体素子を装着するアイランドの周辺に、
当該アイランド上の少なくともその一部を塑性変形して
形成される突起部を設け、当該突起部のアイランド上に
おける高さを、前記タブ・インナーリードを支持するサ
スペンダー下面の高さ近傍に設定することを特徴として
いる。
半導体素子の電極とタブ・インナーリードとが接続され
て、前記タブ・インナーリードの他端がリードフレーム
に接続され、樹脂封止されて形成される半導体装置にお
いて、前記半導体素子を装着するアイランドの周辺に、
当該アイランド上の少なくともその一部を塑性変形して
形成される突起部を設け、当該突起部のアイランド上に
おける高さを、前記タブ・インナーリードを支持するサ
スペンダー下面の高さ近傍に設定することを特徴として
いる。
【0007】
【0008】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
半導体素子の電極とタブ・インナーリードとが接続さ
れ、前記タブ・インナーリードの他端がリードフレーム
に接続された後に、樹脂封止されて形成される半導体装
置の製造方法において、アイランドおよびリード等より
成るリードフレームを、エッチングまたはスタンピング
により形成する第1の工程と、前記アイランドを前記リ
ードの平面より押し下げるとともに、当該アイランドの
少なくとも一部を塑性変形して所定の突起部を形成する
第2の工程と、前記半導体素子をロー材層により前記ア
イランドに固着する第3の工程と、前記タブ・インナー
リードを支持しているサスペンダーの底面の高さが、前
記突起部上面の高さと同等程度になるように、当該タブ
・インナーリードと前記半導体素子の電極およびリード
とを接続する第4の工程と、を少なくとも有することを
特徴としている。
半導体素子の電極とタブ・インナーリードとが接続さ
れ、前記タブ・インナーリードの他端がリードフレーム
に接続された後に、樹脂封止されて形成される半導体装
置の製造方法において、アイランドおよびリード等より
成るリードフレームを、エッチングまたはスタンピング
により形成する第1の工程と、前記アイランドを前記リ
ードの平面より押し下げるとともに、当該アイランドの
少なくとも一部を塑性変形して所定の突起部を形成する
第2の工程と、前記半導体素子をロー材層により前記ア
イランドに固着する第3の工程と、前記タブ・インナー
リードを支持しているサスペンダーの底面の高さが、前
記突起部上面の高さと同等程度になるように、当該タブ
・インナーリードと前記半導体素子の電極およびリード
とを接続する第4の工程と、を少なくとも有することを
特徴としている。
【0009】なお、前記第2の工程において、前記アイ
ランド上の突起部の設定位置に相対向する一対のスリッ
トを設け、前記スリット間に形成されるバーを塑性変形
することにより前記突起部を形成してもよく、または、
前記アイランドの端部に、中央部に片持バーが位置する
ように形成される切欠部を設け、前記片持バーをを塑性
変形することにより前記突起部を形成してもよい。
ランド上の突起部の設定位置に相対向する一対のスリッ
トを設け、前記スリット間に形成されるバーを塑性変形
することにより前記突起部を形成してもよく、または、
前記アイランドの端部に、中央部に片持バーが位置する
ように形成される切欠部を設け、前記片持バーをを塑性
変形することにより前記突起部を形成してもよい。
【0010】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【0011】図1(a)、(b)、(c)、(d)およ
び(e)は、本発明の第1の実施例の製造工程順断面図
であり、また図2(a)および(b)は、それぞれ本実
施例のアイランドの詳細を示す斜視図ならびに突起部を
示す平面図である。
び(e)は、本発明の第1の実施例の製造工程順断面図
であり、また図2(a)および(b)は、それぞれ本実
施例のアイランドの詳細を示す斜視図ならびに突起部を
示す平面図である。
【0012】本実施例の製造工程の手順としては、まず
アイランド2およびリード3などより成るリードフレー
ムを、エッチングまたはスタンピングにより形成し(図
1(a)を参照)、次に、金型によりアイランド2をリ
ード3の平面より押し下げるとともに、突起部9も同時
に金型により形成する(図(b)参照)。図2(a)に
示されるように、突起部9はアイランド2の各辺中央に
1個づつ設けられており、図2(b)のアイランド2上
における突起部9の部分のみを示す図に示されるよう
に、金型による突起部9の形成を容易にするために、ア
イランド2におけるその部位に、相対応する二つのスリ
ット10を設け、この二つのスリット10の間に形成さ
れるバー11より、前述の金型により突起部9を形成す
るようにしている。半導体素子1は、ロー材層7により
アイランド2に固着された後に(図1(c)参照)、タ
ブ・インナーリード4と半導体素子1の電極およびリー
ド3とが接続される。この際に、突起部9の高さは、上
面がタブ・インナーリード4を支持している絶縁フィル
ム等により形成されるサスペンダー5の底面と同等程度
の高さとなるように設定される(図1(d)参照)。そ
の後において、樹脂6により所定の形状の外形に封止さ
れ(図1(e)参照)、メッキおよびリード加工等の仕
上げ処理が行われて、最終的に半導体装置が形成され
る。
アイランド2およびリード3などより成るリードフレー
ムを、エッチングまたはスタンピングにより形成し(図
1(a)を参照)、次に、金型によりアイランド2をリ
ード3の平面より押し下げるとともに、突起部9も同時
に金型により形成する(図(b)参照)。図2(a)に
示されるように、突起部9はアイランド2の各辺中央に
1個づつ設けられており、図2(b)のアイランド2上
における突起部9の部分のみを示す図に示されるよう
に、金型による突起部9の形成を容易にするために、ア
イランド2におけるその部位に、相対応する二つのスリ
ット10を設け、この二つのスリット10の間に形成さ
れるバー11より、前述の金型により突起部9を形成す
るようにしている。半導体素子1は、ロー材層7により
アイランド2に固着された後に(図1(c)参照)、タ
ブ・インナーリード4と半導体素子1の電極およびリー
ド3とが接続される。この際に、突起部9の高さは、上
面がタブ・インナーリード4を支持している絶縁フィル
ム等により形成されるサスペンダー5の底面と同等程度
の高さとなるように設定される(図1(d)参照)。そ
の後において、樹脂6により所定の形状の外形に封止さ
れ(図1(e)参照)、メッキおよびリード加工等の仕
上げ処理が行われて、最終的に半導体装置が形成され
る。
【0013】次に、図3は、本発明の第2の実施例にお
ける突起部9付近の部分のみを示す斜視図である。本実
施例と前述の第1の実施例との異なる点は、突起部9を
形成する方法ならびにその形状の差異にある。図2に示
されるように、本実施例においては、アイランド2の端
部に切欠部12を設定して、当該切欠部12の中央に片
持ちバー13を設ける。そして、金型等により、この片
持バー13を折曲げることにより突起部9を形成する。
本実施例の場合には、片持ちバー13より突起部9を形
成する塑性変形の工程が極めて容易であり、第1の実施
例に比較して、突起部9の形成が容易になるという利点
がある。
ける突起部9付近の部分のみを示す斜視図である。本実
施例と前述の第1の実施例との異なる点は、突起部9を
形成する方法ならびにその形状の差異にある。図2に示
されるように、本実施例においては、アイランド2の端
部に切欠部12を設定して、当該切欠部12の中央に片
持ちバー13を設ける。そして、金型等により、この片
持バー13を折曲げることにより突起部9を形成する。
本実施例の場合には、片持ちバー13より突起部9を形
成する塑性変形の工程が極めて容易であり、第1の実施
例に比較して、突起部9の形成が容易になるという利点
がある。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、タブに
より半導体素子の電極とリードフレームとを接続して形
成される半導体装置において、当該半導体素子を固着す
るアイランド上に、少なくとも前記アイランドの一部に
対する塑性変形処理によりエッジタッチを防止するため
の突起部を形成することにより、エッジタッチ防止機能
を有する半導体装置をより簡易の製造工程により形成す
ることができるという効果がある。
より半導体素子の電極とリードフレームとを接続して形
成される半導体装置において、当該半導体素子を固着す
るアイランド上に、少なくとも前記アイランドの一部に
対する塑性変形処理によりエッジタッチを防止するため
の突起部を形成することにより、エッジタッチ防止機能
を有する半導体装置をより簡易の製造工程により形成す
ることができるという効果がある。
【図1】本発明の第1の実施例の製造工程順に示した断
面図である。
面図である。
【図2】前記第1の実施例におけるアイランドの斜視図
および突起部の平面図である。
および突起部の平面図である。
【図3】本発明の第2の実施例におけるアイランド上突
起部近傍の斜視図である。
起部近傍の斜視図である。
【図4】従来例の部分を示す断面図である。
【図5】従来例(特開平3−129869号公報)の平
面図および側面図である。
面図および側面図である。
【図6】従来例(特開平2−12955号公報)の平面
図および側面図である。
図および側面図である。
1 半導体素子 2 アイランド 3 リード 4 タブ・インナーリード 5 サスペンダー 6 樹脂 7 ロー材層 8 電極 9 突起部 10 スリット 11 バー 12 切欠部 13 片持ちバー 14 非導電性シート 15 凸部 16 ボンディングワイヤ
Claims (4)
- 【請求項1】 半導体素子の電極とタブ・インナーリー
ドとが接続されて、前記タブ・インナーリードの他端が
リードフレームに接続され、樹脂封止されて形成される
半導体装置において、前記半導体素子を装着するアイランドの周辺に、当該ア
イランド上の少なくともその一部を塑性変形して形成さ
れる突起部を設け、当該突起部のアイランド上における
高さを、前記タブ・インナーリードを支持するサスペン
ダー下面の高さ近傍に設定する ことを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項2】 半導体素子の電極とタブ・インナーリー
ドとが接続され、前記タブ・インナーリードの他端がリ
ードフレームに接続された後に、樹脂封止されて形成さ
れる半導体装置の製造方法において、 アイランドおよびリード等より成るリードフレームを、
エッチングまたはスタンピングにより形成する第1の工
程と、 前記アイランドを前記リードの平面より押し下げるとと
もに、当該アイランドの少なくとも一部を塑性変形して
所定の突起部を形成する第2の工程と、 前記半導体素子をロー材層により前記アイランドに固着
する第3の工程と、 前記タブ・インナーリードを支持しているサスペンダー
の底面の高さが、前記突起部上面の高さと同等程度にな
るように、当該タブ・インナーリードと前記半導体素子
の電極およびリードとを接続する第4の工程と、 を少なくとも有することを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項3】 前記第2の工程において、前記アイラン
ド上の突起部の設定位置に相対向する一対のスリットを
設け、前記スリット間に形成されるバーを塑性変形する
ことにより前記突起部を形成することを特徴とする請求
項3記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項4】 前記第2の工程において、前記アイラン
ドの端部に、中央部に片持バーが位置するように形成さ
れる切欠部を設け、前記片持バーをを塑性変形すること
により前記突起部を形成することを特徴とする請求項3
記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6024593A JP2671800B2 (ja) | 1994-02-23 | 1994-02-23 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6024593A JP2671800B2 (ja) | 1994-02-23 | 1994-02-23 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07235629A JPH07235629A (ja) | 1995-09-05 |
JP2671800B2 true JP2671800B2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=12142461
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6024593A Expired - Lifetime JP2671800B2 (ja) | 1994-02-23 | 1994-02-23 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2671800B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100235308B1 (ko) * | 1997-06-30 | 1999-12-15 | 윤종용 | 2중 굴곡된 타이바와 소형 다이패드를 갖는 반도체 칩 패키지 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62268151A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Hitachi Ltd | 集積回路用リ−ドフレ−ム |
JP2527503B2 (ja) * | 1991-04-24 | 1996-08-28 | 株式会社三井ハイテック | リ―ドフレ―ムおよびその製造方法 |
-
1994
- 1994-02-23 JP JP6024593A patent/JP2671800B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07235629A (ja) | 1995-09-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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