JP2670453B2 - 結晶の形成方法 - Google Patents

結晶の形成方法

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は結晶の形成方法、特に核形成密度の差（ΔN
D）を利用して結晶を形成する方法に関するものであ
る。
本発明は、例えば半導体集積回路，光集積回路，磁気
回路等の電子素子，光素子，磁気素子，圧電素子あるい
は表面音響素子等の機能素子に使用される単結晶や多結
晶等の結晶の形成に好適に用いられる。
〔従来の技術〕
従来、例えば、半導体材料を用いた電子素子や光素子
等の機能素子に用いられる単結晶薄膜は、単結晶基体上
にエピタキシヤル成長させることで形成されていた。例
えば、Si単結晶基体（シリコンウエハ）上には、Si,Ge,
GaAs等を液相，気相または固相からエピタキシヤル成長
することが知られている。またGaAs単結晶基体上にはGa
As,GaAlAs等の単結晶がエピタキシヤル成長することが
知られている。このようにして形成された結晶性半導体
薄膜を用いて、半導体素子や集積回路等、或いは半導体
レーザやLED等の発光素子等が作製される。
また、最近、二次元電子ガスを用いた超高速トランジ
スタや、量子井戸を利用した超格子素子等の研究開発が
盛んであるが、これらを可能にしたのは、例えば超高真
空を用いたMBE（分子線エピタキシー）やMOCVD（有機金
属化学気相法）等の高精度エピタキシヤル技術である。
このような単結晶基体上のエピタキシヤル成長では、
基体の単結晶材料とエピタキシヤル成長層との間に、格
子定数と熱膨張係数とを整合する必要がある。この整合
が不充分であると格子欠陥がエピタキシヤル層に発達す
る。また基体を構成する元素がエピタキシヤル層に拡散
することもある。
このように、エピタキシヤル成長による従来の単結晶
半導体薄膜の形成方法は、その基体材料に大きく依存す
ることがわかる。Mathews等は、基体材料とエピタキシ
ヤル成長層との組合わせを調べている（EPITAXIAL GROW
TH.Academic Press,New York,1975 ed.by J.W.Mathew
s）。
ところで、基体の大きさは、量産性と低コストを考慮
すると現在Siウエハで６インチ程度であり、GaAs,サフ
アイア基体の大型化は更に遅れている。しかも、単結晶
基体は製造コストが高いために、１チップ当りのコスト
が高くなる。
このように、従来の方法によって、特性に優れた機能
素子が作製可能の良質の単結晶層を形成するには、基体
材料の種類が極めて狭い範囲に限定されるという問題点
を有していた。
一方、半導体素子を基体の法線方向に積層形成し、高
集積化および多機能化を達成する三次元集積回路の研究
開発が近年盛んに行われている。また安価なガラス上に
素子をアレー状に配列する太陽電池やスイツチングトラ
ンジシスタが設けられた液晶表示装置等の大面積半導体
装置の研究開発も年々盛んになりつつある。
これら両者に共通することは、半導体薄膜を非晶質絶
縁物上に形成し、そこにトランジスタ等の電子素子を形
成する技術を必要とすることである。その中でも特に、
非晶質絶縁物上に高品質の単結晶半導体を形成する技術
が望まれている。
一般的に、SiO2等の非晶質絶縁物基体上に薄膜を堆積
させると、基体材料の長距離秩序の欠如によって、堆積
膜の結晶構造は非晶質またはコントロール下にない多結
晶質となる。ここで非晶質膜とは、最近接原子程度の近
距離秩序は保存されているが、それ以上の長距離秩序は
ない状態のものであり、多結晶膜とは、特定の結晶方位
を持たない単結晶粒が粒界で隔離されて集合したもので
ある。
例えば、SiO2上にSi膜をCVD法によって形成する場
合、堆積温度が約600℃以下であれば非晶質シリコン膜
となり、それ以上の温度であれば粒径が数百〜数千Åの
間で分布した多結晶シリコン膜となる。ただし、多結晶
シリコン膜の粒径およびその分布は形成方法によって大
きく変化する。
更に非晶質膜又は多結晶膜をレーザや棒状ヒータ等の
エネルギービームによって溶融固化させる事によって、
ミクロン或はミリメートル程度の大粒径の多結晶薄膜が
得られている（Single−Crystal silicon o n non−sin
gle−crystal insulators,Journal of crystal Growth
vol.63,No.3,October,1983 edited bY G.W.Cullen）。
このようにして形成された各結晶構造の薄膜にトラン
ジスタを形成し、該トランジスタの動作特性から電子易
動度を測定すると、非晶質シリコン膜では〜0.1cm2/V.s
ec、数百Åの平均粒径を有する多結晶シリコン膜では１
〜10cm2/V.sec、溶融固化により大粒径化された多結晶
シリコン膜では単結晶シリコン膜の場合と同程度の値が
得られている。
この結果から、結晶粒内の単結晶領域に形成された素
子と、粒界にまたがって形成された素子とは、その電気
的特性に大きな差異のあることが分る。すなわち、従来
法で得られていた非晶質上の堆積膜は非晶質または粒径
分布をもった多結晶質構造となり、斯かる堆積膜中に作
製された半導体素子は、単結晶膜に作製された半導体素
子に比べて、その性能が大きく劣るものとなる。そのた
めに、用途としては高特性を要求されない簡単なスイツ
チング素子，変換効率の程度をそれ程求められない太陽
電池や光電変換素子等に限られる。
また、溶融固化によって大粒径の多結晶薄膜を形成す
る方法は、ウエハごとに非晶質膜または多結晶薄膜をエ
ネルギービームで走査するために、大粒径化に多大な時
間を要し、量産性に乏しく、また大面積化に向かないと
いう問題点を有していた。
また、このようにして形成された多結晶膜内には多く
の粒界がランダムに存在し、該多結晶膜を用いて半導体
デバイスを作成した場合には、特性の良いデバイスが得
られない要因となる。従って、非晶質膜上であっても単
結晶性の高い単結晶あるいは粒界の位置が制御された多
結晶が容易にかつ低コストで形成できる方法が強く望ま
れている。
そこで、上記従来の問題点を解決するとともに、結晶
を形成する下地の材料に制約されることなく、例えば基
体の材料，化学組成，大きさ等に制約されることなく、
粒界を含まない単結晶膜および粒径や粒界の位置が制御
された多結晶膜を提供する方法を本出願人はヨーロツパ
出願公開公報第244081号として提案している。
〔発明が解決しようとしている課題〕
前記ヨーロツパ出願公開公報第244081号は、ある堆積
物（例えばSi）に対する被堆積面の場所的核形成密度
（ND）の異なる２種類の材料間に於ける核形成密度の差
（ΔND）を利用して選択核形成をするものである。従っ
て２種類の材料の核形成密度差（ΔND）が大きければ大
きい程良好な選択性が得られるので選択核形成にとって
都合が良い。
前述の出願公報及び本願でいう「核」、「核形成
面」、「非核形成面」の言葉の技術的意味は、次の通り
である。
核とは、臨界核（自由エネルギーが極大になる大きさ
の核）よりも大きなサイズの安定核のことを云う。特に
ことわらない限り本願では「安定核」のことを「核」と
称する。
核形成面とは、結晶成長処理を施す基体が有してお
り、安定核を形成せしめ、単一の核より単結晶を成長さ
せる核形成密度の大きな材料で形成される微小領域の表
面のことをいう。
非核形成面とは結晶成長処理を施す基体が有してお
り、前記基体表面の少なくとも１面をほぼ全面にわたっ
て覆い、この表面で核が発生しても結晶体には成長しな
い核形成密度の小さな材料で形成される領域の表面のこ
とをいう。
例えば第１図で説明するならば、非核形成面を形成す
る材料にSiO2、核形成面を形成する材料にSi3N4を用い
た場合、グラフから両者の核形成密度の差（ΔND）がSi
に対しては約102倍程度であることがわかる。この程度
の核形成密度の差（ΔND）がある材料を用いればほぼ良
好な選択核形成が可能であるが、稀に、基体上の所望の
位置に配した核形成面上のみならず非核形成面上にも核
が形成（Error Nucleatin）されてしまうことがあっ
た。このError核を抑制するために、例えばHCl添加ガス
量を多くして全体の核形成密度（ND）を下げすぎてしま
うと、核形成面であるSi3N4面上に核が発生しないとい
った現象が起こり歩留りの低下を生じさせている。
そこで、今度は非核形成面にSiO2を、核形成面にSiイ
オンをドープしたSIO2を夫々利用した場合について述べ
ると、第１図に示す様に、SiO2上にSiイオンを２×1016
cm2のドーズ量で打ちこんだものは、SiO2そのものとの
核形成密度の差（ΔND）が約103倍であり、それ以上の
ドーズ量では極めて大きな核形成密度の差（ΔND）を生
じさせることができる。従ってHCl添加ガス量をコント
ロールして、全体の核形成密度（ND）を下げても、核形
成面では歩留まり良く核が発生し、単一の核より成長し
た単結晶を形成し、且つ非核形成面でのError核の発生
が充分に抑制でき、非核形成面上に結晶体が形成される
のを防ぐことができるので、上記「イオンインプランテ
ーシヨン法」（以下I/I法と記す）は、選択核形成法に
とって極めて有効な手段であることがわかる。
しかし、実際にこのI/I法を実施してみると、次に述
べるような不都合が生じる場合があることがわかった。
それを第２図を用いて説明する。まず微細な核形成領域
にイオンを打ち込むため、非核形成面全体を、前記微細
な核形成領域に窓を開けたレジストで覆う必要があり、
核形成面と非核形成面（レジスト面）とを含めた全領域
にSiイオンを打ち込むことになる（第２図（ａ））。次
に有機溶剤等を用いてレジストを除去する（第２図
（ｂ））。ところがこの時に、単にSiを打ち込むだけで
はSiイオンを打ち込んだ際のレジスト変質物と思われる
ものが残ってしまう場合がある。上記変質物は、本筆者
らの実験によると３×1016cm-2以上のドーズ量でSiイオ
ンを打ち込んだ時に発生することがあった。またこの変
質物は表面分析の結果より、炭素を含んだものであり、
SiCのような形で残っているものと推測される。上記変
質物は核形成密度が非常に高い物質であり、選択核形成
を行った場合、変質物を中心にError核が発生し、結晶
体に成長してしまう場合があることもわかった（第２図
（ｃ））。
〔目的〕
本発明の目的は基体上の所望の位置に結晶を形成する
方法を提供することである。
本発明の他の目的は堆積面材料の組成の違いによる堆
積面材料の核形成密度の差を利用して形成した単結晶な
いしは粒径が制御された多結晶の形成方法を提供するこ
とである。
本発明の他の目的は基体表面を形成する材料に制約さ
れることなく非晶質絶縁物上にも高品質の単結晶ないし
は粒径及び粒界の位置が制御された多結晶を容易に且つ
低コストで形成する方法を提供することである。
本発明の他の目的は基体表面にイオン打ち込みをする
際にレジストを用いることなくイオン打ち込みエネルギ
ーによるレジストの変性物、付着物を残すことがない結
晶形成方法を提供するものである。
本発明の他の目的は選択核形成に非常に有効であるI/
I法において、打ち込みイオンの深さ方向に対する面
（実際には露出処理することによって得る）が、イオン
の濃度分布のために表面の核形成密度（ND）が変化する
ことに注目し、ドライエツチングやウエツトエツチング
等の露出処理により露出した微少な核形成面及び露出処
理を受けずに残っている基体表面を非核形成面として用
いた選択核形成法を提供するものである。
［課題を解決するための手段及び効果］ 本願の第一発明の結晶の形成方法は、基体の表面にイ
オンを打ち込み、前記イオン打ち込みによる前記基体表
面の深さ方向のイオン濃度を変化させ、前記基体の表面
の所望の位置を前記基体の表面の核形成密度よりも大き
な核形成密度を有する露出面が露出する深さまで、単一
核から結晶成長するに充分小さい面積を露出処理し、前
記露出処理により露出した前記露出面からなる核形成面
と前記露出処理を受けずに残っている基体の表面からな
る非核形成面とを形成し、前記基体に単一核により結晶
成長するための結晶成長処理を施して、前記単一核よ
り、単結晶を成長させること、あるいは前記単一核より
成長した単結晶の集合した多結晶を形成することを特徴
とする。
本願の第二発明の結晶の形成方法は、基体の表面にイ
オンを打ち込み、前記基体の表面の所望の位置を前記基
体表面よりも大きな核形成密度を有する表面が露出する
深さまで単一核から結晶成長するに充分小さい面積を露
出処理し、前記露出処理により露出した面からなる核形
成面と前記露出処理を受けず残っている基体表面からな
る非核形成面とを有する基体を形成し、該基体に単一核
により結晶成長するための結晶成長処理を施して、前記
単一核より単結晶を成長させること、あるいは前記単一
核より成長した単結晶の集合した多結晶を形成すること
を特徴とする。
本願の第三発明の結晶の形成方法は、核形成密度の小
さい非核形成面を有する基体の前記非核形成面全面にド
ープする事によって核形成密度を前記非核形成面の核形
成密度より大きくすることのできるイオンをイオン打込
みし、次いで非核形成面の所望位置であって単一核のみ
より結晶成長するに充分小さい面積をイオン打込みされ
たイオンの投影飛程の深さ近くまでエツチングし、露出
した微小面の核形成密度が前記非核形成面の核形成密度
よりも大きくなるような核形成面を形成し、次いで前記
基体に結晶形成処理を施して単一核を前記核形成面に形
成し、該単一核より単結晶を成長させること、あるいは
前記単一核より成長した単結晶の集合した多結晶を形成
することを特徴とする。
本願の第四発明の結晶の形成方法は、核形成密度の大
きい核形成面を有する基体の前記核形成面全面にドープ
する事によって核形成密度を前記核形成面の核形成密度
より小さくすることのできるイオンをイオン打込みし、
前記基体表面に核形成密度の小さい非核形成密度を形成
し、次いで非核形成面の所望位置であって単一核のみよ
り結晶成長するに充分小さい面積をイオン打込みされた
イオンの投影飛程の深さを越えてエツチングし、露出し
た微小面の核形成密度が前記非核形成面の核形成密度よ
りも大きくなるような核形成面を形成し、次いで前記基
体に結晶形成処理を施して単一核を前記核形成面に形成
し、該単一核より単結晶を成長させること、あるいは前
記単一核より成長した単結晶の集合した多結晶を形成す
ることを特徴とする。
以下本願発明について図面を用いて、その実施態様に
ついて説明する。
まず第３図（ａ）には、例えば非晶質SiO2表面を有す
る基体のSiO2表面全面に、Siイオンをイオンインプラン
ターでドーピングした例を示す。
前記基体に打ち込まれたSiイオンは、打ち込み時のイ
オンの加速電圧によって深さ方向に特有の（打ち込み原
子の）濃度分布を示す。この時、分布内で打込み原子濃
度が極大になる深さを投影飛程（Projected Renge）：
以後「P.R.」と称す。
次に第３図（ｂ）には、十分に微細な領域をP.R.の深
さ付近まで、ドライエツチングやウエツトエツチング等
の露出処理し、基体表面よりも核形成密度の大きな面を
露出させる例を示す。この露出処理の深さについては、
後に示す計算式に基づいて決めることができる。このと
き前記露出処理によって露出した面が核形成面、前記露
出処理を施さないSiO2表面が非核形成面となる。
次に第３図（ｃ）では選択核形成条件を用いてデポジ
シヨンを行ない、核形成面内に１つのみの核を形成した
例を示す。
上記第３図（ａ）〜第３図（ｃ）に示した非晶質SiO2
表面を有する基体へSiイオン打込みを行う例は、イオン
打込みにより核形成密度を増大させるイオンの例であ
る。他の例として、イオン打込みにより核形成密度を減
少させるイオンの例を以下に述べる。
例えば、非晶質シリコンナイトライド表面を有する基
体の全面に低い加速電圧によって酸素イオンを浅く打ち
込む。
これにより前記基体表面の核形成密度を減少させ前記
基体表面に非核形成面を形成する。
続いて、前記非核形成面上の所望の位置であり、十分
微細な領域をP.R.の深さを越えて、ウエツトエツチング
やドライエツチング等の露出処理し基体表面よりも核形
成密度の大きな面を露出させ、前記非核形成面と核形成
面とを有する基体を形成する。
続いて前記基体に結晶成長処理を施し、前記核形成面
に単結晶を成長させる。
さらにイオンの打ち込み条件等を以下詳しく説明す
る。
先にも述べたように、非核形成面となる基体表面にイ
オンを打ち込んで核形成密度を変化させる手法は、核形
成密度の差（ΔND）が非常に大きくとれることと、打ち
込みイオンのドーズ量をコントロールすることで核形成
密度の差（ΔND）をコントロールできる、といったメリ
ツトがある。ここで、選択核形成を行うには、核形成面
と非核形成面との核形成密度の差（ΔND）は102倍以上
あることが望ましい。
選択核形成を選択性よく行なう場合、核形成密度の差
（ΔND）は103〜106倍程度がより好ましい。ND（Si
3N4）/ND（SiO2）の場合、核形成密度の差（ΔND）は約
102倍以上であり、これでも十分に選択核成長できるの
だが、ある条件の下では前述した様にError核の発生が
完全に抑制できない場合があった。
選択核形成を行う際に、広い条件範囲においても、Er
ror核の発生を減らし、非核形成面に結晶体を形成する
のを防ぐためには、核形成密度の差（ΔND）は103倍以
上が好ましいが、逆に核形成密度の差（ΔND）が大きす
ぎると、核形成面上に１つのみの核より単結晶を成長さ
せるために、核形成密度を抑制するためHCl添加ガスを
多量に流して全体の核形成密度（ND）を下げてやる等の
操作が必要となる。すると、核の成長速度が極めて遅く
なり、所望の大きさの結晶を得るまでに長時間を要す
る、またガスの消費量も大きくなるので、核形成密度の
差（ΔND）の実用的な上限は106倍程度が適当である。
本願発明の実施態様例においてイオンを打ち込まれる
基体表面の材料としては、例えば非晶質シリコンオキシ
ド、非晶質シリコンナイトライド、非晶質シリコンオキ
シナイトライド等の絶縁性非晶質材料が挙げられる。
また、本願発明において基体の表面に打ち込むイオン
の種類としては、形成される結晶の種類によっても異な
るが、例えばSi,Ga,Asあるいは、Ｏ等の形成する結晶に
対して基体表面の核形成密度を変化させるイオンが挙げ
られる。
次にイオンの打ち込み深さについて述べる。使用して
いるイオン打ち込み装置で安定的に打ち込める深さを決
めればよい。ちなみに打ち込みイオンのP.R.はドーズ量
によっては決まらず、イオンの加速電圧のみによって決
まる。
ここで、イオン打ち込みの深さはP.R.が100Å以上110
0Å以下が望ましい。P.R.の深さが100Å未満ではσの値
が小さくなるので、核形成密度を増加させるイオンを打
ち込んだ場合、基体表面の非核形成面と露出処理によっ
て露出した核形成面との核形成密度の差（ΔND）を十分
にとることができなくなる傾向がある。
また、100Å未満のイオン打ち込みの深さにP.R.をす
る場合、イオンの加速電圧が低くなり、安定してイオン
を打ち込めなくなる傾向がある。
また、P.R.が1100Åを超える場合、露出処理に長時間
を要するようになると共に、打ち込まれるイオンが大き
なエネルギーを持つため基体表面にダメージを与える傾
向がある。
続いて基体表面にイオン打ち込みするイオンのドーズ
量は核形成面を非核形成面との核形成密度の差（ΔND）
を前記した範囲にとり、より選択性よく選択核形成を行
うには１×1016m-2以上１×1017cm-2以下が好ましい。
より好ましくは1.5×1016cm-2以上８×1016cm-2以
下、最適には２×1016cm-2以上、４×1016cm-2以下が好
ましい。
次に本発明を適用する上で最も重要なポイントでもあ
る核形成密度の差（ΔND）のコントロールについて説明
する。まず第５図には、本願発明者が測定したSiO2にSi
+を打ち込んだ際の表面のSi原子密度と核形成密度（N
D）の関係を示す。Si原子の表面密度は打ち込みイオン
のドーズ量等から計算した値であり、核形成密度（ND）
の値は以下の結晶成長処理条件で測定したものである。
導入ガス流量比:SiH2Cl2/HCl/H2 ＝0.53/1.8/100 基体温度 :950℃ 圧 力 :150Torr 処理時間 :8分間 ガス流量比はSiH2Cl2/HCl/H2＝0.53/1.8/100となって
いるが、HCl流量比を変化させた場合、核形成密度（N
D）全体が平行移動するだけなので、HClガスの流量比に
よらず核形成密度の差（ΔND）は一定であると考えてよ
い。
ここで、SiO2に打ち込んだSi原子の表面密度が例えば
7.95×1014（cm-2）と8.15×1014（cm-2）になるよう
に、イオンの打ち込みとウエツトエツチングやドライエ
ツチング等の露出処理を行えば、核形成密度の差（ΔN
D）が〜103倍になることがわかる。それでは表面密度Ｄ
（ｘ）と、深さ方向Ｘの関係について詳述する。打ち込
みイオンの濃度分布は、第４図に示すようにある深さに
ピークを持つガウシアン分布に近似される。基体深さ方
向をＸとし、R.P.の位置をX0とすると、その濃度関数Ｆ
（Ｘ）は で表すことが出来る。
従って、基体表面の打ち込みイオンの濃度Ｆ（０）は
Ｘ＝０より となる。ここではN0はイオンのドーズ量、σは標準偏差
である。これにより、表面とある深さでの濃度の比は となる。一方打ち込みイオンの表面密度の比は次のよう
に与えられる。
これらの式を用いて打ち込みの加速電圧により決定さ
れるP.R.の深さとドーズ量から、表面密度Ｄ（０）を算
出し、第５図のグラフから得ようとする核形成密度の差
（ΔND）に対して、どれだけの深さを表面から露出処理
すればよいかを上記式より求めることが出来る。
前記（４）式をＸについて整理すると、 となる。
前記（５）式はＸについての２次関数であるので、通
常２つの解が得られる。ここで、露出処理により形成さ
れた凹部の底面から単一の核より成長した結晶を形成す
るためには、成長させる結晶に対して核形成密度を増大
させるイオンを打ち込んだ場合には、小さい方の解を選
ぶ方が好ましく、また成長させる結晶に対して核形成密
度を減少させるイオンを打ち込んだ場合には、大きい方
の解を選ぶ方が好ましい。
前記露出処理は、例えばHF等を含有するエツチング液
を用いたウエツトエツチングやCHF3/C2F6ガス、GF4/H2
ガス等を用いたドライエツチング等が挙げられる。
こうして得られた非核形成面と単一核より単結晶を形
成するに充分微小な面積の核形成面とを有する基体に結
晶成長処理を行う。
前記結晶成長処理としては、例えばプラズマCVD法、
光CVD法、MOCVD法等の化学気相堆積（CVD）法等の気相
法あるいは除冷法、温度勾配法等の液相法等が好まし
い。
導入ガスとしては、形成する結晶の構成元素を含有し
ガス状で供給し得る原料物質及び前記基体表面上での好
ましくない核形成発生を抑制するためのHCl等のガス及
びH2等のガスが用いられる。
また、ドープされた結晶を形成する場合には、ドープ
する元素を含有するガスを前記導入ガスに加えてもよ
い。
導入ガスの具体的な例として例えば、 （（CH3）3Ga/AsH3/HCl/H2）， （（CH3）3Ga/C4H9AsH2/H2）， （SiH2Cl/HCl/H2）， （SiHCl3/HCl/H2）， （SiCl4/H2）， （SiCl4/HCl/H2）， （SiH4/HCl/H2） 等が挙げられる。
又、所望の位置に選択性よく選択核形成するためには
結晶成長処理中の圧力が250Torr以下であることが好ま
しい。ここで、結晶の成長速度を下げることなく高い選
択性を得るには、80Torr以上170Torr以下がより好まし
く、最適には100Torr以上150Torr以下が望ましい。
また、選択性よく、所望の特性を有する結晶を形成す
るためには、結晶成長処理中の基体温度は熱CVD法の場
合には、800℃以上1200℃以下が好ましく、より好まし
くは900℃以上1100℃以下が望ましい。他の気相法の場
合には、基体温度は500℃以上、800℃以下が好ましく、
より好ましくは600℃以上700℃以下が望ましい。
上記した例は基体表面へのイオン打ち込みを一定の加
速電圧で行う例であるが、イオン打ち込みを行う他の条
件の例として、第６図に示すような多段打ち込みにより
イオン打ち込みする例を以下に述べる。
同じドーズ量で加速電圧を変えて、イオンを打ち込む
とそれぞれのP.R.の位置がX1,X2,X3と変化するが、それ
ぞれの深さでの打ち込まれた原子濃度は大略Ｆ（X1）＝
Ｆ（X2）＝Ｆ（X3）となる。
したがって、露出処理を行う際にX1乃至X3のどの深さ
までを露出させたとしても同様の核形成密度（ND）が得
られるので、露出処理の深さを極めて正確に制御するこ
となく、より容易に基体間でも安定し、再現性よく非核
形成面と核形成面とを有する基体を形成することができ
る。
実施例１ 本発明の実施例１を第３図に基づいて説明する。ま
ず、４インチSiウエハーの表面を熱酸化し厚さ2000Åの
非晶質のSiO2層を非核形成面の材料として形成した。そ
こにSiイオンをイオンインプランターで加速電圧20Ke
V、ドース量１×1016cm-2で打ち込んだ。前記SiO2上にS
iを20KeVで打ち込んだ場合のP.R.（X0）は211Å、標準
偏差σは91Åである。（４）式から上記打ち込み条件の
時の表面Si原子密度（以下S.D.と記す）が7.934×1014c
m-2であることがわかる。第５図のグラフによると、S.
D.＝7.934×1014のとき核形成密度ND３×103であるの
で、核形成密度の差（ΔND）を103倍程度得るために、
S.D.＝8.10×1014cm-2になる深さ（Ｘ）までエツチング
すればよいことがわかる。
Siイオンを打ち込む前のSiO2表面におけるSi原子密度
は7.863×1014cm-2であるので、SiO2表面に打つ込まれ
たSi原子密度D(0)は D(0)＝7.934×1014−7.863×1014 ＝7.1×1012 深さ（Ｘ）においての打ち込まれたSi原子密度D(x)は D(x)＝8.10×1014−7.863×1014 ＝2.37×1013 そこで（５）式から となり、 Ｘ＝326Å,96Å の２つの解が得られた。解が２つ得られるのは（５）式
がＸの２次関数になるためである。
本実施例においては、露出処理としてHFを水で稀釈し
た溶液のウエツトエツチングでSiO2表面の２μｍ角の微
細領域を深さ96Åまでエツチングし、核形成面を縦横50
μｍ間隔で形成した。
以上の様にして第３図（ｂ）で示すような基体を得
た。
次にSi核の形成及び波長は、次の条件で行った。
ガス導入量:SiH2Cl2/HCl/H2 ＝0.53/2.0/100（/min） 基体温度 :950℃ 圧 力 :150Torr 成長時間 :30min,growth 基体上には前記核形成面上より成長した単結晶同志が
核形成面と核形成面とのほぼ中点付近で接し、粒界を形
成した粒径約50μｍに粒径制御された多結晶膜が形成さ
れた。
この多結晶膜が形成された基体表面の任意の約1mm×1
mmの領域の10点をSEM写真撮影し、核形成面における結
晶体の形成及び非核形成面におけるErorr核の成長した
結晶体の形成を観察し、核形成面上の核発生率及びEror
r核の成長密度を算出した。核形成面上の核成長率は99.
9％であり、非核形成面上のErorr核成長密度は０個/cm2
であり、極めて高い選択性を得ることができた。
実施例２ 基体表面上の核形成面同志の間隔を200μｍとした以
外は実施例１と同様に結晶成長処理を行った。
基体上には約60μｍの粒径の単結晶が選択性よく形成
された。
実施例３ タングステン製の下地材料上に通常のプラズマCVD法
により非晶質酸化ケイ素膜を１μｍの層厚に堆積させた
基体を複数形成した。前記非晶質酸化ケイ素膜表面にSi
イオンをイオンインプランターにてドーズ量1.3×1016c
m-2で加速電圧20KeV、30KeV、40KeVの三段で打ち込ん
だ。
この時のP.R.（X1）は211Å、P.R.（X2）は312Å、Ｐ
・R.（X3）は417Åであった。
Siイオンを打ち込んだ前記基体の非晶質酸化ケイ素膜
表面を100μｍ間隔で４μｍ四方の微細な面積の領域を
深さ300Åエツチングした。以下のエツチング条件で反
応性イオンエツチングを行い非核形成面と核形成面とを
有する基体を複数形成した。
導入ガス流量比:CHF3/C2F6:18/42 放電電力:2.1KW 圧 力:70Pa こうして得られた前記基体それぞれに以下の結晶成長
処理条件でSi結晶を形成した。
導入ガス流量比:SiH2Cl2/HCl/H2 ＝0.53/2.0/100 基体温度:1030℃ 圧 力:150Torr 成長時間:25分間 この結果同一基体上においても各基体上においても核
形成面を配した所望の位置に選択性よく、非核形成面上
にErorr核の成長した結晶体もない粒径約50μｍの単結
晶が各基体間でのバラツキもなく容易に形成できた。
実施例４ 実施例１の４インチSiウエハー上のプラズマCVD法に
より、非晶質窒化ケイ素を5000Åの層厚に堆積させた以
外は実施例１と同様に結晶成長処理を行った。基体上に
は粒径約50μｍに粒径制御された多結晶膜が形成され
た。
実施例５ 酸化アルミニウム製の下地材料上に1.2μｍの層厚の
窒化ケイ素を形成した。
前記窒化ケイ素表面に酸素イオンをP.R.120Å、ドー
ズ量２×1016cm-2でイオン打ち込みした。
酸素イオンを打ち込んだ前記窒化ケイ素表面に80μｍ
間隔、1.8μｍφ、深さ400Åの開口部を反応性イオンエ
ツチング（RIE）法を用いて形成し非核形成面と核形成
面を有する基体を形成した。
この基体に以下の条件で結晶成長処理を行った。
導入ガス流量比:SiH2Cl2/HCl/H2 ＝0.53/1.6/100 基体温度:990℃ 圧 力:120Torr 成長時間:1時間 この結果前記基体上に粒径約80μｍに粒径制御された
Si多結晶膜が選択性よく形成された。
実施例６ 厚さ3mmの石英ガラス表面にAsイオンをP.R.450Åドー
ズ量３×1016cm-2打ち込んだ。
Gaイオンを打ち込んだ前記石英ガラス表面に10μｍ間
隔、２μｍ四方の微細な領域をP.R.の深さ（450μｍ）
まで緩衝フツ酸によるウエツトエツチングを行い、非核
形成面と核形成面とを有する基体を形成した。
この基体に以下の条件で結晶成長処理を行った。
導入ガス流量比：（CH3）3Ga/t−C4H9AsH2/H2 ＝1/35/8000 基体温度:670℃ 圧 力:80Torr 成長時間:100分間 この結果、前記基体上に選択性よく粒径10μｍのGaAs
多結晶を形成できた。
【図面の簡単な説明】
第１図は各材料表面におけるSi核形成密度の違いを示す
図。 第２図はレジスト上からイオン打ち込みした際のレジス
ト変性物残りの問題点を図化した図。 第３図は本願発明の実施形態を模式的に示す図。 第４図は基体にイオン打ち込みした際の打ち込みイオン
濃度のDepth profileを示す図。 第５図は酸化ケイ素（SiOx）表面におけるSi原子密度と
Si核形成密度との関係を示す図。 第６図は基体にイオンを多段打ち込みした際の打ち込み
イオン濃度のDepth profileを示す図。

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基体の表面にイオンを打ち込み、前記イオ
    ン打ち込みによる前記基体表面の深さ方向のイオン濃度
    を変化させ、前記基体の表面の所望の位置を前記基体の
    表面の核形成密度よりも大きな核形成密度を有する露出
    面が露出する深さまで、単一核から結晶成長するに充分
    小さい面積を露出処理し、前記露出処理により露出した
    前記露出面からなる核形成面と前記露出処理を受けずに
    残っている基体の表面からなる非核形成面とを形成し、
    前記基体に単一核により結晶成長するための結晶成長処
    理を施して、前記単一核より、単結晶を成長させるこ
    と、あるいは前記単一核より成長した単結晶の集合した
    多結晶を形成することを特徴とする結晶の形成方法。
  2. 【請求項２】基体の表面にイオンを打ち込み、前記基体
    の表面の所望の位置を前記基体表面よりも大きな核形成
    密度を有する表面が露出する深さまで単一核から結晶成
    長するに充分小さい面積を露出処理し、前記露出処理に
    より露出した面からなる核形成面と前記露出処理を受け
    ず残っている基体表面からなる非核形成面とを有する基
    体を形成し、該基体に単一核により結晶成長するための
    結晶成長処理を施して、前記単一核より単結晶を成長さ
    せること、あるいは前記単一核より成長した単結晶の集
    合した多結晶を形成することを特徴とする結晶の形成方
    法。
  3. 【請求項３】核形成密度の小さい非核形成面を有する基
    体の前記非核形成面全面にドープする事によって核形成
    密度を前記非核形成面の核形成密度より大きくすること
    のできるイオンをイオン打込みし、次いで非核形成面の
    所望位置であって、単一核のみより結晶成長するに充分
    小さい面積を、前記イオン打込みされたイオンの投影飛
    程の深さ近くまでエッチングし、露出した微小面の核形
    成密度が前記非核形成面の核形成密度よりも大きくなる
    ような核形成面を形成し、次いで前記基体に結晶形成処
    理を施して単一核を前記核形成面に形成し、該単一核よ
    り単結晶を成長させること、あるいは前記単一核より成
    長した単結晶の集合した多結晶を形成することを特徴と
    する結晶の形成方法。
  4. 【請求項４】核形成密度の大きい核形成面を有する基体
    の前記核形成面全面にドープする事によって核形成密度
    を前記核形成面の核形成密度より小さくすることのでき
    るイオンをイオン打込みし、前記基体表面に核形成密度
    の小さい非核形成面を形成し、次いで前記非核形成面の
    所望位置であって、単一核のみより結晶成長するに充分
    小さい面積を、前記イオン打込みされたイオンの投影飛
    程の深さを越えてエッチングし、露出した微小面の核形
    成密度が前記非核形成面の核形成密度よりも大きくなる
    ような核形成面を形成し、次いで前記基体に結晶形成処
    理を施して単一核を前記核形成面に形成し、該単一核よ
    り単結晶を成長させること、あるいは前記単一核より成
    長した単結晶の集合した多結晶を形成することを特徴と
    する結晶の形成方法。
  5. 【請求項５】前記基体の表面は非晶質材料からなること
    を特徴とする前記請求項（１）項〜（４）項に記載の結
    晶の形成方法。
  6. 【請求項６】前記基体の表面は電気的絶縁性の材料から
    なることを特徴とする前記請求項（１）項〜（４）項に
    記載の結晶の形成方法。
  7. 【請求項７】前記打ち込みをするイオンは基体の表面を
    形成する材料の核形成密度を変化させるイオンであるこ
    とを特徴とする前記請求項（１）項〜（４）項に記載の
    結晶の形成方法。
  8. 【請求項８】前記打ち込みをするイオンのドーズ量は１
    ×1016cm-2以上１×1017cm-2以下であることを特徴とす
    る前記請求項（１）項〜（４）項に記載の結晶の形成方
    法。
  9. 【請求項９】前記イオン打込みされたイオンの濃度の分
    布が極大となる深さが100Å以上1100Å以下であること
    を特徴とする前記請求項（１）〜（４）項に記載の結晶
    の形成方法。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5363793A (en) * 1990-04-06 1994-11-15 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming crystals
JP2825676B2 (ja) * 1990-04-06 1998-11-18 キヤノン株式会社 結晶の形成方法
JP2900588B2 (ja) * 1990-11-16 1999-06-02 キヤノン株式会社 結晶物品の形成方法
JP2753153B2 (ja) * 1991-04-15 1998-05-18 キヤノン株式会社 発光素子
JPH05121317A (ja) * 1991-10-24 1993-05-18 Rohm Co Ltd Ｓｏｉ構造形成方法
US5792270A (en) * 1993-10-21 1998-08-11 Saxena; Arjun Apparatus for forming a pattern of nucleation sites
US6110278A (en) * 1998-08-10 2000-08-29 Saxena; Arjun N. Methods for and products of growth of single-crystal on arrayed nucleation sites (SCANS) defined in nucleation unfriendly substrates
JP4310076B2 (ja) * 2001-05-31 2009-08-05 キヤノン株式会社 結晶性薄膜の製造方法
US7989325B2 (en) * 2009-01-13 2011-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing crystalline semiconductor film and method for manufacturing thin film transistor

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3620833A (en) * 1966-12-23 1971-11-16 Texas Instruments Inc Integrated circuit fabrication
US4021675A (en) * 1973-02-20 1977-05-03 Hughes Aircraft Company System for controlling ion implantation dosage in electronic materials
JPS5550636A (en) * 1978-10-09 1980-04-12 Hitachi Ltd Preparation of semiconductor device
JPS5624925A (en) * 1979-08-08 1981-03-10 Hitachi Ltd Selective growth of silicon
US4249962A (en) * 1979-09-11 1981-02-10 Western Electric Company, Inc. Method of removing contaminating impurities from device areas in a semiconductor wafer
GB2183090B (en) * 1985-10-07 1989-09-13 Canon Kk Method for selective formation of deposited film
JPH0782996B2 (ja) * 1986-03-28 1995-09-06 キヤノン株式会社 結晶の形成方法
CA1330191C (en) * 1986-03-31 1994-06-14 Jinsho Matsuyama Method for forming crystal and crystal article obtained by said method
JPH0828470B2 (ja) * 1986-11-07 1996-03-21 キヤノン株式会社 半導体メモリ装置

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