JP2664548B2 - 半導体製造装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は半導体製造装置に関
し、特に研削等で薄く仕上げられたＧａＡｓウエハを補
強板から剥す、ウエハ剥し装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図２は、従来のＧａＡｓウエハ剥し装置
を示す断面図であり、図３は被剥し物の貼付け状態を示
す断面図である。図において、１は下部吸着加熱部、２
は下部ヒータ、３は下部真空吸着口、４は上部吸着加熱
部、５は上部ヒータ、６は上部真空吸着口、７は被剥し
物で、ＧａＡｓウエハ８に貼付材９を介して補強板１０
が貼り付けられている。

【０００３】次に動作について説明する。まず図３にお
いて被剥し物７は、ＧａＡｓウエハ８に貼付材９が塗布
され、次に加熱圧着によって補強板１０が貼付けられ、
研削等の手段でＧａＡｓウエハ８の厚みが所定の厚さに
仕上げられたものである。

【０００４】一方、図２において、ＧａＡｓウエハ剥し
装置側では、下部吸着加熱部１及び上部吸着加熱部２は
予め加熱を行っておく。加熱温度は貼付材９の特性によ
るが１００〜１５０℃程度である。この状態で上記被剥
し物７は、ＧａＡｓウエハ８を下にして下部吸着加熱部
１の上に搭載され、下部真空口で吸着される。

【０００５】次に上部吸着加熱部４を被剥し物７の上に
載せ、上部真空口６で補強板１０を吸着する。この状態
で所定の時間（例えば３〜５分）加熱し貼付材９を軟化
させた後、上部吸着加熱部４を横移動させて補強板１０
を剥し取る。

【０００６】剥しが終了したら、上，下真空口３，６の
真空引きを止め、ＧａＡｓウエハ８と補強板１０を取出
し、室温まで冷却する。この後ウエハ８上に残存した貼
付材９は有機溶剤等を用いて洗浄除去される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体製造装置
（ウエハ剥し装置）は以上のように構成されているの
で、被剥し物を加熱してウエハと補強板を剥した後冷却
する工程において、急激な加熱サイクルと冷却サイクル
が加わるために、製品となるＧａＡｓウエハが熱応力に
よって割れてしまうという問題点があった。

【０００８】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、被剥し物を加熱してウエハと補
強板を剥した後冷却しても、ウエハが熱応力で破損する
ことがない半導体製造装置を得ることを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体製
造装置（ウエハ剥し装置）は、移送された被剥し物を漸
次所定の高温度まで加熱する昇温手段と、補強板の剥が
された被剥し物の半導体ウエハを所定の低温度まで漸次
冷却する降温手段を具備したものである。

【００１０】

【作用】この発明における昇温手段は昇温速度をコント
ロールして、被剥し物を室温から所定温度まで徐々に加
熱し、また降温手段は冷却速度をコントロールして補強
板が剥がされた被剥し物を所定温度から室温まで徐々に
降温するため、ウエハに急激な熱変化が生じない。

【００１１】

【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１において、図２及び図３と同一符号は同一ま
たは相当部分を示し、１１は被剥し物７を吸着式回転台
１４に供給する供給用ローダーカセット、１２は剥し取
られた補強板１０を回収するアンローダカセット、１３
は剥し取られたＧａＡｓウエハ８を回収する回収用アン
ローダカセットである。また１５は昇温用トンネル炉で
１５Ａ部は室温であり、１５Ｂ部は所定の加熱温度にな
るように制御されている。さらに１６は冷却用トンネル
炉で、１６Ｃ部は所定加熱温度に、１６Ｄ部は室温にな
るように制御されている。

【００１２】次に動作について説明する。まず被剥し物
７は供給用ローダカセット１１から吸着式回転台１４に
搬送され、従来例と同様に図示しない下部真空吸着口で
吸引されＧａＡｓウエハ８は吸着固定される。次に吸着
式回転台１４が回転し、被剥し物７を昇温用トンネル炉
１５に移送し、１５Ａ部の室温から１５Ｂ部の所定温度
（１００〜１５０℃）まで徐々に昇温され、貼付材９の
軟化を行う。

【００１３】被剥し物７が上部吸着加熱部４の位置まで
回転移動したら吸着回転台１４を停止させ、上部吸着加
熱部４を下降させて被剥し物７上面の補強板１０を吸着
し従来例同様に剥しを行い、該剥された補強板１０は回
収用アンローダカセット１２で回収される。次いで補強
板１０が剥されたウエハ８は冷却用トンネル炉１６に移
送され１６Ｃ部の所定温度（１００〜１５０℃）から１
６Ｄ部の室温まで徐々に冷却が行なわれ、最後に吸着回
転台１４からＧａＡｓウエハ８が回収用アンローダカセ
ット１３で回収される。

【００１４】このように本実施例によれば、ＧａＡｓウ
エハ８に貼付材９を介して補強板１０を貼り付けた被剥
し物７を吸着式回転台１４に搭載し、これを昇温用トン
ネル炉１５に移送し、徐々に所定温度まで昇温して貼付
材９を軟化させて補強板１０を剥がし、続いて冷却用ト
ンネル炉に移送して徐々に室温まで降温するようにした
から、ウエハ８に急激な温度変化が生じることがなく、
熱ストレスによる破損が生じることがない。

【００１５】なお上記実施例では回転台１４を用いて被
剥し物７を移送するようにしたが、コンベアのような直
線的な移送台を用いてもよい。

【００１６】さらに被剥し物７を吸着する機構は必ずし
も回転台に設ける必要はなく、被剥し物７が所定の温度
に加熱された後、補強板１０を剥がす時に被剥し物７を
固定することができればよく、回転台と独立して設けら
れていてもよい。

【００１７】

【発明の効果】以上のように、この発明に係る半導体製
造装置によれば、昇温手段で昇温速度をコントロールし
て被剥し物を室温から所定温度まで徐々に加熱し、また
降温手段で冷却速度をコントロールして補強板が剥がさ
れた被剥し物を所定温度から室温まで徐々に降温するよ
うにしたから、半導体ウエハへの急激な熱ストレスが加
えられることがなく、熱ストレスによる割れが生じるこ
となくＧａＡｓウエハの剥しが行え、その結果、歩留り
が向上し半導体装置の製造コストが低減でき、ひいては
安価な半導体装置を供給することができるという効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例による半導体製造装置（ウ
エハ剥し装置）を示す平面構成図である。

【図２】従来の半導体製造装置（ウエハ剥し装置）を示
す断面図である。

【図３】従来及び本発明の被剥し物の構成を示す断面図
である。

【符号の説明】

１ 下部吸着加熱部 ２ 下部ヒータ ３ 下部吸着口 ４ 上部吸着加熱部（上側吸着手段） ５ 上部ヒータ ６ 上部吸着口 ７ 被剥し物 ８ ＧａＡｓウエハ ９ 貼付材 １０ 補強板 １１ 被剥し物供給ローダーカセット １２ 補強板回収用アンローダーカセット １３ ＧａＡｓウエハ回収用アンローダーカセット １４ 吸着回転台（移送手段） １５ 昇温用トンネル炉（昇温手段） １６ 冷却用トンネル炉（降温手段）

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウエハが貼付材を介して補強板に
   貼り付けられた被剥し物を、所定の温度に昇温して貼付
   材を軟化させて補強板を剥し取る半導体製造装置におい
   て、上記被剥し物を載置して移送する移送手段と、該移
   送された被剥し物を所定の高温度まで漸次加熱するため
   の昇温手段と、該加熱された被剥し物を吸着固定する下
   側吸着手段と、上記吸着固定された被剥し物の補強板を
   剥し取る上側吸着手段と、該補強板を剥がされた被剥し
   物を所定の低温度まで漸次降下させる降温手段とを備え
   たことを特徴とする半導体製造装置。
2. 【請求項２】 上記昇温手段及び降温手段はその入口部
   と出口部との間で温度が徐々に変化するようにコントロ
   ールされたトンネル炉であることを特徴とする請求項１
   記載の半導体製造装置。