JP2662015B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2662015B2 JP2662015B2 JP3076789A JP3076789A JP2662015B2 JP 2662015 B2 JP2662015 B2 JP 2662015B2 JP 3076789 A JP3076789 A JP 3076789A JP 3076789 A JP3076789 A JP 3076789A JP 2662015 B2 JP2662015 B2 JP 2662015B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- box
- resin molded
- semiconductor element
- shaped resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、さらに詳し
くは、樹脂モールド部を損傷さぜずにリードフレーム上
に発生する樹脂のフラッシュバリを防止ないし除去し
て、リードフレームと半導体素子との電気的接続を良好
にする気密封止式半導体装置の製造方法に関する。
くは、樹脂モールド部を損傷さぜずにリードフレーム上
に発生する樹脂のフラッシュバリを防止ないし除去し
て、リードフレームと半導体素子との電気的接続を良好
にする気密封止式半導体装置の製造方法に関する。
発明の技術的背景ならびにその問題点 箱型中空樹脂成形体、リードフレーム、半導体チッ
プ、ボンディングワイヤーおよび蓋材からなる気密封止
式の半導体装置の製造方法において、従来、箱型中空樹
脂成形体を成形する際には、リードフレームを金型内に
埋込んだ後、この金型内で樹脂を射出成形やトランスフ
ァー成形することにより、リードフレームと箱型中空樹
脂成形体とを一体化する、いわゆるインサート成形を行
なうのが一般的である。
プ、ボンディングワイヤーおよび蓋材からなる気密封止
式の半導体装置の製造方法において、従来、箱型中空樹
脂成形体を成形する際には、リードフレームを金型内に
埋込んだ後、この金型内で樹脂を射出成形やトランスフ
ァー成形することにより、リードフレームと箱型中空樹
脂成形体とを一体化する、いわゆるインサート成形を行
なうのが一般的である。
しかしながら、このようなインサート成形では、リー
ドフレームの表面に樹脂のフラッシュバリが発生するた
め、リードフレームと半導体素子との電気的接続が容易
に行なうことができないという問題点があった。
ドフレームの表面に樹脂のフラッシュバリが発生するた
め、リードフレームと半導体素子との電気的接続が容易
に行なうことができないという問題点があった。
この問題点を解消するために、従来、あらかじめリー
ドフレーム上に半導体素子を電気的に接続した後、樹脂
成形する方法が一般に採用されている。
ドフレーム上に半導体素子を電気的に接続した後、樹脂
成形する方法が一般に採用されている。
しかしながら、この方法では、成形時に半導体素子が
高熱および衝撃を受けるため、半導体素子の機能が損わ
れ易いという問題点があった。
高熱および衝撃を受けるため、半導体素子の機能が損わ
れ易いという問題点があった。
また、上記フラッシュバリを除去してリードフレーム
と半導体素子との電気的接続を容易にする方法が試みら
れている。たとえば砥粒を用いてフラッシュバリを除去
するブラスト方法、薬品を用いてフラシュバリを溶解剥
離する方法、液体を高圧噴射してフラッシュバリを除去
する方法（特開昭60−1502033号公報）がある。
と半導体素子との電気的接続を容易にする方法が試みら
れている。たとえば砥粒を用いてフラッシュバリを除去
するブラスト方法、薬品を用いてフラシュバリを溶解剥
離する方法、液体を高圧噴射してフラッシュバリを除去
する方法（特開昭60−1502033号公報）がある。
しかしながら、上記ブラスト方法では、樹脂モールド
部の表面が損傷するため、樹脂モールド部分の表面をマ
スキングしなければならず、製造工程が複雑になるとい
う問題点があった。また、薬品を用いる方法では、フラ
ッシュバリを剥離させることは可能であっても、完全に
フラッシュバリを取除くことができず、さらにブラッシ
ングなどを行なう必要があるため、樹脂モールド部の表
面が損傷し、上記ブラスト法と同様の問題点があった。
また、液体を高圧噴射する方法では、リードフレームの
表裏面に付着しているフラッシュバリを除去しなければ
ならないため、噴射ノズルを２個具備する複雑な構造を
有する高圧液体噴射装置を必要とするという問題点があ
った。
部の表面が損傷するため、樹脂モールド部分の表面をマ
スキングしなければならず、製造工程が複雑になるとい
う問題点があった。また、薬品を用いる方法では、フラ
ッシュバリを剥離させることは可能であっても、完全に
フラッシュバリを取除くことができず、さらにブラッシ
ングなどを行なう必要があるため、樹脂モールド部の表
面が損傷し、上記ブラスト法と同様の問題点があった。
また、液体を高圧噴射する方法では、リードフレームの
表裏面に付着しているフラッシュバリを除去しなければ
ならないため、噴射ノズルを２個具備する複雑な構造を
有する高圧液体噴射装置を必要とするという問題点があ
った。
発明の目的 本発明は、上記のような問題点を解決しようとするも
のであって、樹脂モールド部を損傷させずにリードフレ
ーム上に発生する樹脂のフラッシュバリを防止ないし除
去して、リードフレームと半導体素子との電気的接続を
良好にするとともに、多数個の半導体装置についてフラ
ッシュバリの除去処理が一度に行なえる半導体装置の製
造方法を提供することを目的としている。
のであって、樹脂モールド部を損傷させずにリードフレ
ーム上に発生する樹脂のフラッシュバリを防止ないし除
去して、リードフレームと半導体素子との電気的接続を
良好にするとともに、多数個の半導体装置についてフラ
ッシュバリの除去処理が一度に行なえる半導体装置の製
造方法を提供することを目的としている。
発明の概要 本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子、
リードフレーム、および該半導体素子の電極とリードフ
レームとを電気的に接続するボンディングワイヤーを具
備し、かつ、該半導体素子が収容される凹部を有する箱
型樹脂成形体と、該箱型樹脂成形体の凹部全体を密閉す
る蓋材とを具備する半導体装置を製造するに際して、 ロジンと不飽和カルボン酸無水物との付加物の多価ア
ルコールエステルを主成分とし、箱型樹脂成形体を溶解
することのない溶媒に可溶なコーティング剤を、リード
フレームにおける箱型樹脂成形体の成形用金型との接触
予定部分に塗布して乾燥した後、このリードフレームを
金型内に設置した状態で金型内に樹脂を射出成形して、
リードフレームと一体となった箱型樹脂成形体を得る工
程と、 前工程で得られたリードフレーム付箱型樹脂成形体
を、前記溶媒に浸してリードフレーム上のコーティング
剤を溶解除去する工程と、 リードフレームのアイランドに半導体素子をダイボン
ディングした後、該半導体素子の電極とリードフレーム
の内部リードとをワイヤーボンディングする工程と、 前記箱型樹脂成形体の凹部に蓋材を接着して箱型樹脂
成形体の凹部全体を密閉する工程とからなることを特徴
としている。
リードフレーム、および該半導体素子の電極とリードフ
レームとを電気的に接続するボンディングワイヤーを具
備し、かつ、該半導体素子が収容される凹部を有する箱
型樹脂成形体と、該箱型樹脂成形体の凹部全体を密閉す
る蓋材とを具備する半導体装置を製造するに際して、 ロジンと不飽和カルボン酸無水物との付加物の多価ア
ルコールエステルを主成分とし、箱型樹脂成形体を溶解
することのない溶媒に可溶なコーティング剤を、リード
フレームにおける箱型樹脂成形体の成形用金型との接触
予定部分に塗布して乾燥した後、このリードフレームを
金型内に設置した状態で金型内に樹脂を射出成形して、
リードフレームと一体となった箱型樹脂成形体を得る工
程と、 前工程で得られたリードフレーム付箱型樹脂成形体
を、前記溶媒に浸してリードフレーム上のコーティング
剤を溶解除去する工程と、 リードフレームのアイランドに半導体素子をダイボン
ディングした後、該半導体素子の電極とリードフレーム
の内部リードとをワイヤーボンディングする工程と、 前記箱型樹脂成形体の凹部に蓋材を接着して箱型樹脂
成形体の凹部全体を密閉する工程とからなることを特徴
としている。
発明の具体的説明 以下、本発明に係る半導体装置の製造方法を図に基づ
いて具体的に説明する。
いて具体的に説明する。
第１図は、本発明に係る半導体装置の製造方法におけ
る一工程概略図であり、第２図は、本発明に係る製造方
法により得られる半導体装置の構成を表わす概略図であ
る。
る一工程概略図であり、第２図は、本発明に係る製造方
法により得られる半導体装置の構成を表わす概略図であ
る。
まず本発明に係る半導体装置の製造方法の第１工程で
は、リードフレーム２が一体となった箱型樹脂成形体１
をインサート成形法によって得る。その際に本発明で
は、第１図に示すように、リードフレーム２を箱型樹脂
成形体１の成形用金型３内に設置する前に、ロジンと不
飽和カルボン酸無水物との付加物の多価アルコールエス
テルを主成分とし、箱型樹脂成形体１を溶解することの
ない溶媒に可溶なコーティング剤４を、リードフレーム
２における箱型樹脂成形体１の成形用金型３との接触予
定部分2a、2bおよび2cに塗布して乾燥した後、このリー
ドフレーム２を金型３内に設置して樹脂を注入し、射出
成形する。
は、リードフレーム２が一体となった箱型樹脂成形体１
をインサート成形法によって得る。その際に本発明で
は、第１図に示すように、リードフレーム２を箱型樹脂
成形体１の成形用金型３内に設置する前に、ロジンと不
飽和カルボン酸無水物との付加物の多価アルコールエス
テルを主成分とし、箱型樹脂成形体１を溶解することの
ない溶媒に可溶なコーティング剤４を、リードフレーム
２における箱型樹脂成形体１の成形用金型３との接触予
定部分2a、2bおよび2cに塗布して乾燥した後、このリー
ドフレーム２を金型３内に設置して樹脂を注入し、射出
成形する。
本発明で用いられるコーティング剤４は、ロジンと下
記のような不飽和カルボン酸無水物との付加物の多価ア
ルコールエステル、たとえばグリセリン、ペンタエリス
リトールなどのエステルであり、溶剤を加えて用いる場
合と溶剤の他に添加剤を加えて用いる場合とがある。
記のような不飽和カルボン酸無水物との付加物の多価ア
ルコールエステル、たとえばグリセリン、ペンタエリス
リトールなどのエステルであり、溶剤を加えて用いる場
合と溶剤の他に添加剤を加えて用いる場合とがある。
上記不飽和カルボン酸無水物としては、具体的には、
無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸、
テトラヒドロ無水フタル酸、ビシクロ［2,2,1］ヘプト
−２−エン−5,6−ジカルボン酸無水物などが用いら
れ、中でも無水マレイン酸が好ましく用いられる。
無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸、
テトラヒドロ無水フタル酸、ビシクロ［2,2,1］ヘプト
−２−エン−5,6−ジカルボン酸無水物などが用いら
れ、中でも無水マレイン酸が好ましく用いられる。
上記のようなコーティング剤４の製法としては、たと
えばロジンを加熱溶融して不飽和カルボン酸無水物を添
加して付加物を生成し、次いで多価アルコールを添加し
てエステルを生成する方法が挙げられる。
えばロジンを加熱溶融して不飽和カルボン酸無水物を添
加して付加物を生成し、次いで多価アルコールを添加し
てエステルを生成する方法が挙げられる。
上記溶剤としては、具体的には、アセトン、メチルエ
チルケトン（MEK）、メチルイソブチルケトン（MIBK）
等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステルな
どが用いられ、中でもメチルエチルケトンやメチルイソ
ブチルケトンが好ましく用いられる。
チルケトン（MEK）、メチルイソブチルケトン（MIBK）
等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステルな
どが用いられ、中でもメチルエチルケトンやメチルイソ
ブチルケトンが好ましく用いられる。
上記添加剤としては、顔料、充填剤などが、本発明の
目的を損なわない範囲で用いられる。
目的を損なわない範囲で用いられる。
本発明では、金型３との接触予定部分2a、2bおよび2c
にあらかじめ上記コーティング剤４が塗布されているリ
ードフレーム２を用いるが、その塗布方法としては、具
体的には、スクリーン印刷法あるいはコンピュータ制御
方式のディスペンサーを用いる方法などが挙げられる。
にあらかじめ上記コーティング剤４が塗布されているリ
ードフレーム２を用いるが、その塗布方法としては、具
体的には、スクリーン印刷法あるいはコンピュータ制御
方式のディスペンサーを用いる方法などが挙げられる。
コーティング剤４を塗布した後に乾燥する方法は、通
常、常圧または減圧下に加熱する方法がとられる。
常、常圧または減圧下に加熱する方法がとられる。
本発明における箱型樹脂成形体１を構成する樹脂とし
ては、リードフレーム２との密着性の良い熱硬化性樹脂
が用いられ、具体的には、ビスフェノールＡ型、ノボラ
ック型、グリシジルアミン型などのエポキシ系樹脂、ポ
リアミノビスマレイミド、ポリピロメリットイミドなど
のイミド系樹脂が用いられ、硬化剤、硬化促進剤、充填
剤なども含む。
ては、リードフレーム２との密着性の良い熱硬化性樹脂
が用いられ、具体的には、ビスフェノールＡ型、ノボラ
ック型、グリシジルアミン型などのエポキシ系樹脂、ポ
リアミノビスマレイミド、ポリピロメリットイミドなど
のイミド系樹脂が用いられ、硬化剤、硬化促進剤、充填
剤なども含む。
本発明において、上記インサート成形の条件は、使用
する樹脂によっても異なるが、通常、圧力10〜500kg/cm
2、温度100〜250℃の条件で加圧加熱を行なう。
する樹脂によっても異なるが、通常、圧力10〜500kg/cm
2、温度100〜250℃の条件で加圧加熱を行なう。
次に、本発明に係る製造方法の第２工程では、前工程
で得られたリードフレーム付箱型樹脂成形体１を、前記
溶媒に浸してリードフレーム２上のコーティング剤４を
溶解除去する。本発明においては、インサート成形して
得られる箱型樹脂成形体１を溶解することなく、リード
フレーム２上に塗布されているコーティング剤４を溶解
する溶媒が用いられる。溶媒の具体例としては、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなど
のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステルな
どが挙げられる。実際には、これらの溶媒の中から、箱
型樹脂成形体１を構成する樹脂の種類およびコーティン
グ剤４の種類に応じて適当なものが選ばれる。たとえ
ば、箱型樹脂成形体１を構成する樹脂がポリアミノビス
マレイミドでコーティング剤４がロジンと無水マレイン
酸との付加物のグリセリンエステルの場合は、メチルエ
チルケトンなどの溶媒などが適当である。
で得られたリードフレーム付箱型樹脂成形体１を、前記
溶媒に浸してリードフレーム２上のコーティング剤４を
溶解除去する。本発明においては、インサート成形して
得られる箱型樹脂成形体１を溶解することなく、リード
フレーム２上に塗布されているコーティング剤４を溶解
する溶媒が用いられる。溶媒の具体例としては、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなど
のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステルな
どが挙げられる。実際には、これらの溶媒の中から、箱
型樹脂成形体１を構成する樹脂の種類およびコーティン
グ剤４の種類に応じて適当なものが選ばれる。たとえ
ば、箱型樹脂成形体１を構成する樹脂がポリアミノビス
マレイミドでコーティング剤４がロジンと無水マレイン
酸との付加物のグリセリンエステルの場合は、メチルエ
チルケトンなどの溶媒などが適当である。
本発明においては、インサート成形して箱型樹脂成形
体１を製造する際に発生する樹脂のフラッシュバリは、
あらかじめリードフレーム２上に塗布されているコーテ
ィング剤４の上に載ることになるか、あるいはこのコー
ティグ剤４がシール剤の役目をして、バリ発生を押える
ため、このリードフレーム２上のコーティング剤４を溶
解除去すれば、樹脂モールド部を損傷させずにフラッシ
ュバリを防止ないし除去することができる。
体１を製造する際に発生する樹脂のフラッシュバリは、
あらかじめリードフレーム２上に塗布されているコーテ
ィング剤４の上に載ることになるか、あるいはこのコー
ティグ剤４がシール剤の役目をして、バリ発生を押える
ため、このリードフレーム２上のコーティング剤４を溶
解除去すれば、樹脂モールド部を損傷させずにフラッシ
ュバリを防止ないし除去することができる。
次に、本発明に係る製造方法の第３工程では、第２図
に示すように、リードフレームのアイランド2aに半導体
素子５をダイボンディングした後、該半導体素子５の電
極とリードフレームの内部リード2bとをワイヤーボンデ
ィングする。
に示すように、リードフレームのアイランド2aに半導体
素子５をダイボンディングした後、該半導体素子５の電
極とリードフレームの内部リード2bとをワイヤーボンデ
ィングする。
上記ダイボンディングによりリードフレームのアイラ
ンド2aと半導体素子５とが電気的に接続され、また上記
ワイヤーボンディングにより半導体素子５の電極とリー
ドフレーム２とが金線、アルミニウム線などからなるボ
ンディグワイヤー６を介して電気的に接続される。
ンド2aと半導体素子５とが電気的に接続され、また上記
ワイヤーボンディングにより半導体素子５の電極とリー
ドフレーム２とが金線、アルミニウム線などからなるボ
ンディグワイヤー６を介して電気的に接続される。
本発明においては、上記電気的接続を箱型樹脂成形体
１を成形した後に行なっているため、従来のように、箱
型樹脂成形体１の成形時に半導体素子５が高熱および衝
撃を受けることはなく、したがって半導体素子５はその
本来の機能を保持することができる。
１を成形した後に行なっているため、従来のように、箱
型樹脂成形体１の成形時に半導体素子５が高熱および衝
撃を受けることはなく、したがって半導体素子５はその
本来の機能を保持することができる。
最後に、本発明に係る製造方法の第４工程では、前記
箱型樹脂成形体１の凹部に蓋材７を接着して箱型樹脂成
形体１の凹部全体を密閉する。
箱型樹脂成形体１の凹部に蓋材７を接着して箱型樹脂成
形体１の凹部全体を密閉する。
本発明で用いられる蓋材７は、特に限定されず、従来
公知の蓋材を用いることができ、具体的には、石英ガラ
ス板、サファイア板、透明アルミナ板、透明プラスチッ
ク板などの透明蓋材、着色ガラス板、アルミナ等のセラ
ミックス板、着色プラスチック板などの不透明蓋材が挙
げられる。
公知の蓋材を用いることができ、具体的には、石英ガラ
ス板、サファイア板、透明アルミナ板、透明プラスチッ
ク板などの透明蓋材、着色ガラス板、アルミナ等のセラ
ミックス板、着色プラスチック板などの不透明蓋材が挙
げられる。
本発明において、上記のような蓋材７を箱型樹脂成形
体１に接着する際に用いられる接着材としては、エポキ
シ系接着剤、イミド系接着剤、アクリル系接着剤などが
挙げられる。
体１に接着する際に用いられる接着材としては、エポキ
シ系接着剤、イミド系接着剤、アクリル系接着剤などが
挙げられる。
発明の効果 本発明に係る製造方法によれば、 ロジンと不飽和カルボン酸無水物との付加物の多価ア
ルコールエステルを主成分とし、箱型樹脂成形体を溶解
することのない溶媒に可溶なコーティング剤を、リード
フレームにおける箱型樹脂成形体の成形用金型との接触
予定部分に塗布して乾燥した後、このリードフレームを
金型内に設置した状態で金型内に樹脂を射出成形して、
リードフレームと一体となった箱型樹脂成形体を得る工
程と、 前工程で得られたリードフレーム付箱型樹脂成形体
を、前記溶媒に浸してリードフレーム上のコーティング
剤を溶解除去する工程とを経て、半導体素子とリードフ
レームのアイランドとの間および半導体素子の電極とリ
ードフレームとの間を電気的に接続して半導体装置を製
造するので、樹脂モールド部を損傷させることなくリー
ドフレーム上に発生する樹脂のフラッシュバリを容易に
除去するか発生を押えるかして、リードフレームと半導
体素子との電気的接続を良好にすることができるという
効果がある。
ルコールエステルを主成分とし、箱型樹脂成形体を溶解
することのない溶媒に可溶なコーティング剤を、リード
フレームにおける箱型樹脂成形体の成形用金型との接触
予定部分に塗布して乾燥した後、このリードフレームを
金型内に設置した状態で金型内に樹脂を射出成形して、
リードフレームと一体となった箱型樹脂成形体を得る工
程と、 前工程で得られたリードフレーム付箱型樹脂成形体
を、前記溶媒に浸してリードフレーム上のコーティング
剤を溶解除去する工程とを経て、半導体素子とリードフ
レームのアイランドとの間および半導体素子の電極とリ
ードフレームとの間を電気的に接続して半導体装置を製
造するので、樹脂モールド部を損傷させることなくリー
ドフレーム上に発生する樹脂のフラッシュバリを容易に
除去するか発生を押えるかして、リードフレームと半導
体素子との電気的接続を良好にすることができるという
効果がある。
また、本発明における樹脂のフラッシュバリの除去処
理方法は、複雑な工程を採らないため、多数個の半導体
装置について一度に樹脂のフラッシュバリを除去するこ
とができるという効果がある。
理方法は、複雑な工程を採らないため、多数個の半導体
装置について一度に樹脂のフラッシュバリを除去するこ
とができるという効果がある。
第１図は、本発明に係る半導体装置の製造方法における
一工程概略図であり、第２図は、本発明に係る製造方法
により得られる半導体装置の構成を表わす概略図であ
る。 １……箱型樹脂成形体 ２……リードフレーム 2a……接触予定部分（リードフレームのアイランド） 2b……接触予定部分（リードフレームの内部リード） 2c……接触予定部分（リードフレームの外部リード） ３……金型 ４……コーティング剤 ５……半導体素子 ６……ボンディングワイヤー ７……蓋材
一工程概略図であり、第２図は、本発明に係る製造方法
により得られる半導体装置の構成を表わす概略図であ
る。 １……箱型樹脂成形体 ２……リードフレーム 2a……接触予定部分（リードフレームのアイランド） 2b……接触予定部分（リードフレームの内部リード） 2c……接触予定部分（リードフレームの外部リード） ３……金型 ４……コーティング剤 ５……半導体素子 ６……ボンディングワイヤー ７……蓋材
Claims (1)
- 【請求項１】半導体素子、リードフレーム、および該半
導体素子の電極とリードフレームとを電気的に接続する
ボンディングワイヤーを具備し、かつ、該半導体素子が
収容される凹部を有する箱型樹脂成形体と、該箱型樹脂
成形体の凹部全体を密閉する蓋材とを具備する半導体装
置を製造するに際して、 ロジンと不飽和カルボン酸無水物との付加物の多価アル
コールエステルを主成分とし、箱型樹脂成形体を溶解す
ることのない溶媒に可溶なコーティング剤を、リードフ
レームにおける箱型樹脂成形体の成形用金型との接触予
定部分に塗布して乾燥した後、このリードフレームを金
型内に設置した状態で金型内に樹脂を射出成形して、リ
ードフレームと一体となった箱型樹脂成形体を得る工程
と、 前工程で得られたリードフレーム付箱型樹脂成形体を、
前記溶媒に浸してリードフレーム上のコーティング剤を
溶解除去する工程と、 リードフレームのアイランドに半導体素子をダイボンデ
ィングした後、該半導体素子の電極とリードフレームの
内部リードとをワイヤーボンディングする工程と、 前記箱型樹脂成形体の凹部に蓋材を接着して箱型樹脂成
形体の凹部全体を密閉する工程とからなることを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3076789A JP2662015B2 (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3076789A JP2662015B2 (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02209740A JPH02209740A (ja) | 1990-08-21 |
| JP2662015B2 true JP2662015B2 (ja) | 1997-10-08 |
Family
ID=12312837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3076789A Expired - Lifetime JP2662015B2 (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2662015B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220408176A1 (en) * | 2021-06-17 | 2022-12-22 | Bujeon Co., Ltd. | Ear tip including flange made of silicone foam material |
-
1989
- 1989-02-09 JP JP3076789A patent/JP2662015B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220408176A1 (en) * | 2021-06-17 | 2022-12-22 | Bujeon Co., Ltd. | Ear tip including flange made of silicone foam material |
| US11601745B2 (en) * | 2021-06-17 | 2023-03-07 | Bujeon Co., Ltd. | Ear tip including flange made of silicone foam material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02209740A (ja) | 1990-08-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR920008249B1 (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| US5366933A (en) | Method for constructing a dual sided, wire bonded integrated circuit chip package | |
| US6083775A (en) | Method of encapsulating a chip | |
| KR900007230B1 (ko) | 반도체 장치용 리드프레임 | |
| JPH01157610A (ja) | 振動発生素子を有する封止部品の製造方法 | |
| JP2662015B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02209739A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3112022B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0251260A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2810309B2 (ja) | 半導体装置用箱型樹脂成形体の製造方法 | |
| JPH04199661A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2668727B2 (ja) | 箱型樹脂成形体成形用金型およびこの金型を用いた半導体装置の製造方法 | |
| KR100439188B1 (ko) | 반도체 패키지 몰딩장치 | |
| JPH04286355A (ja) | リードフレーム | |
| KR100406499B1 (ko) | 반도체패키지의 몰딩장비 및 이를 이용한 몰딩방법 | |
| JPH02222551A (ja) | 箱型樹脂成形体成形用金型およびこの金型を用いた半導体装置の製造方法 | |
| JPS61150343A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH0660146U (ja) | 半導体チップの樹脂封止装置 | |
| JPS61113242A (ja) | 電子部品の封止方法 | |
| JPS6214698Y2 (ja) | ||
| KR100214553B1 (ko) | 버텀 리드 패키지의 제조 방법 | |
| JPH0256958A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH06275667A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH0425052A (ja) | 樹脂封止型半導体集積回路装置 | |
| JPH04324941A (ja) | 半導体装置の製造方法 |