JP2661521B2 - 半導体受光装置 - Google Patents
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Description
特に光通信や光計測に利用できる反射光防止型の半導体
受光装置に関する。
のパッケージ内にフォトダイオード等の半導体受光素子
を内装したものがある。例えば、図5に示すものはその
一例であり、ステム21の上面にキャリア22を一体的
に設け、このキャリア22の上面に受光素子チップ23
を搭載し、金属線25によりステム21に設けたリード
24と電気的な接続を行う。また、ステム21の上面に
は受光素子チップ等を封止するキャップ26が被せられ
る。このキャップ26の上面には開口26aが設けら
れ、板状の透明体、ここではガラス27を接着剤28に
より取着し、受光素子チップ23に対して光を透過させ
るととにも、キャップ内の封止を行っている。この半導
体受光装置では、入力光がガラス27を透して受光素子
チップ23で受光されることで、受光素子チップ23の
光電変換により電気信号として受光することができる。
ップ23の受光面が入力光の入射経路、即ち光軸に対し
て垂直な面に設定されており、ガラス27は平行板とし
て同様に光軸に対して垂直な面に設定されている。この
ため、ガラス27の外面や内面での反射光や受光素子チ
ップの受光面での反射光が入射経路と同一の経路をたど
って光源に戻ってしまったり、光軸内で光が多重反射を
起こして受光素子チップ23に再入射されてしまう。こ
のようなことが生じると、光源として用いるレーザダイ
オード等の発光素子の発振状態を乱し(じょう乱し)、
或いは受光素子側での受信状態を乱し、ノイズを発生さ
せてしまうことがある。
すように、ガラス27Aを光軸に対して傾斜させたも
の、或いは図7に示すようにガラス27Bをテーパ状に
形成したものが提案されている。図6のものでは、ガラ
ス27Aを傾斜させることにより、ガラス27Aの表面
や内面での反射光を光軸からずらせることができ、光源
への戻りや受光素子チップ23への再入射を防止するこ
とができる。また、図7のものは特開平3−10428
6号公報にも示されており、ガラス27Bの外面や内面
での反射を光軸とは異なる角度に向けて光源への戻りや
受光素子チップ23への再入射を防止する。
び図7のいずれのものも、受光素子チップ23の受光面
が光軸に対して垂直な面に位置しているため、次のよう
な問題が生じている。即ち、図6のものはガラス27A
に平行板を用いているため、反射光を光軸に沿ってずら
すことは可能であるが、受光素子チップ23の受光面の
一部で反射された光が、光軸とはずれた位置を通って光
源に戻り、或いは受光面の他の一部に再入射することが
あり、前記した問題を確実に解消することは困難であ
る。また、図7のものは、テーパ状のガラス27Bの一
方の面(内面)が光軸に垂直であり、かつこの内面が受
光素子チップ23の受光面に対して平行であるため、こ
の内面と受光面との間での多重反射を防止することはで
きず、前記した問題を完全に解消することは困難であ
る。本発明の目的は、このような受光素子チップの受光
面およびガラスの外面や内面での反射によるノイズの発
生を防止した半導体受光装置を提供することにある。
載した受光素子チップが、キャップに設けた開口に封着
した透明体を通して受光を行うように構成した半導体受
光装置において、受光素子チップの受光面を光軸に対し
て傾斜させるとともに、透明体はその外面を光軸に対し
て傾斜させ内面は光軸に対して垂直に配置した構成とす
る。受光素子チップの受光面の傾斜角度は、光軸方向か
ら受光素子チップの受光面に入射された光が、キャップ
の開口から外れた領域に反射される角度とする。また、
透明体の外面の傾斜方向を受光素子チップの傾斜方向と
反対方向に向けることが好ましい。
れているため、受光素子チップに対して光軸方向に入射
される光はキャップ開口から外れた領域に反射されるこ
とになり、光源方向に戻され、或いは受光素子チップに
再入射されることもない。また、透明体の外面を受光素
子チップの傾斜面と反対方向に傾斜させることで、受光
素子チップの受光面に対して入射される光を光軸方向か
ら更に離れた角度で入射させ、受光素子チップを傾斜さ
せたことによる効果を助長する。
る。図1は本発明の一実施例の半導体受光装置の断面図
である。ステム1の上面にキャリア2を一体的に設け
る。このキャリア2の上面の一部はステム1の上面に対
して所定の角度θ1で傾斜されており、かつ所要パター
ンのメタライズパターン3が形成され、そのメタライズ
パターン3の傾斜された部分にフォトダイオード等の受
光素子チップ4が搭載され、この受光素子チップ4とメ
タライズパターン3の他の部分とを金属線5で電気接続
し、前記ステム1に設けたリード6と電気的な接続を行
っている。また、前記ステム1の上面には受光素子チッ
プ等を封止するキャップ7が被せられる。このキャップ
7の上面には開口7aが設けられ、板状の透明体、ここ
では板状のガラス8を接着剤9により取着し、受光素子
チップ4に対して光を透過させるととにも、キャップ7
内の封止を行っている。また、前記ガラス8は平行板状
ではなく、内面は光軸に対して垂直な面とされている
が、その外面は光軸と垂直な面に対して所要の角度θ2
で、かつキャリア2に傾斜状態で搭載された前記受光素
子チップ4の受光面の傾斜角度と同一方向に傾斜された
テーパ状に形成されている。
ように、キャップ7の開口7aに設けたガラス8を透過
して図外の光源から入射される入力光は、ガラス8の断
面形状がテーパ状をしているために屈折されて光軸とは
異なる角度に向けられて受光素子チップ4の受光面に入
射される。このとき、光の一部はガラス8の外面や内面
で反射されるが、外面においては光軸に対して傾斜され
ているために反射光も光軸とは異なる角度に向けられ
る。また、内面では外面において屈折された光が入射さ
れるため、その反射光も光軸とは異なる角度に向けられ
る。このため、ガラス8の反射光が光源に戻されること
が防止される。
れた光は、その受光面も光軸に対して傾斜されているた
めに、光軸から大きく偏移された角度で反射されること
になる。このため、この受光面からの反射光はキャップ
7の開口7a内に向けて反射されることはなく、開口を
通して光源方向に戻されることはない。また、一部は開
口7a内に向けて反射されるが、ガラス8を透過する際
に、ガラス8のテーパ形状によって光軸とは更に大きく
偏移された方向に屈性され、光源方向に戻されることは
ない。同様にガラス8で反射された光が受光素子チップ
4の受光面に再入射されることも殆ど生じない。したが
って、光源でのじょう乱や受光素子チップでの受光の乱
れが防止でき、ノイズを有効に抑制することが可能とな
る。
面の傾斜角度θ1と、ガラス8の外面の傾斜角度θ2に
ついて検討する。先ず、ガラス8が仮に平行板である場
合について考える。図3はその模式図であり、受光素子
チップ4の受光面からガラス8の内面までの距離をlと
し、ガラス8の有効直径、即ちキャップ7の開口7aの
口径をφ、その半径をrとする。受光素子チップ4の受
光面からの反射光がガラス8の有効径内に戻らない、即
ちキャップ7の開口7aを通して外に射出されないため
の受光素子チップの傾斜角度θ1は次の式で求められ
る。 r>l・tan2θ1 …(1) したがって、 tan2θ1<r/l …(2) 本実施例ではガラス8の有効径φ=1mm(r=0.5
mm)、距離l=0.68mmとしており、この値を
(2)式に代入してθ1について解くと、θ1>18.
3°が求められる。
いては反射光と光軸をずらし、多重反射を抑えることが
目的であるため、大きな角度をつける必要性はない。む
しろ、注意すべき点は、受光素子チップやその他の構成
部品のアセンブリ上の許容範囲内で効果をあげることで
ある。図2に示すように、ガラス8における入射光と屈
折光との間には、スネルの法則が成り立つので、次式で
求められる。 nIN・cosψIN=nOUT ・cosψOUT …(3) ここで、nIN,nOUT はそれぞれ光が入力する前後の媒
質の屈折率であり、空気の屈折率はn=1、またこ実施
例のガラス8の屈折率はn=1.5である。ψINは入射
光の入射角度であり、ψOUT は屈折後の出射角度であ
る。
傾斜角度θ2=5°とすると、光軸に沿って入射される
入射光の入射角の補角ψ1はθ2の補角となり、ψ1=
85°となる。これから、(3)式を用いると、ガラス
8の外面と内面の各入射角、屈折角の各補角は、ψ2=
86.6°,ψ4=88.4°,ψ5=87.6°とな
り、結果として光軸に対して3.4°の角度で受光素子
チップ4に入射されることが判る。したがって、この角
度と、受光素子チップ4の有効受光面積(φ80μm)
等を考慮すると、受光素子チップ4の傾斜角度θ2を、
前記した値のθ1>18.3°に対して、図2における
最悪の光の経路を考えても、θ2>20°が安全圏であ
ることが求められ、これから前記した反射光によるノイ
ズの発生を有効に防止できることが判る。
光素子チップの傾斜方向とは同一方向にガラス8の外面
の傾斜角度を設定してもよい。この場合には、ガラス8
による光の屈折方向と、受光素子チップ4の受光面の反
射方向とは反対方向となるため、反射光が光源方向に反
射されることや受光面に再入射されることの効果は若干
低下されるが、受光素子チップの受光面に対して垂直に
近い角度で光を入射させたい場合には有効である。因み
に、従来では反射量、即ち減衰量が−30dBであった
ものが、受光素子チップを傾斜させることにより−45
dB程度に改善し、かつガラスの外面を傾斜させること
で更に−50dB以上に改善することが可能となる。
チップの受光面を光軸に対して傾斜させるとともに、透
明体はその外面を光軸に対して傾斜させ内面を光軸に対
して垂直に配置しているので、受光素子チップに対して
光軸方向に入射される光が光源方向に戻されることはな
く、かつ受光素子チップに再入射されることもない。特
に、透明体の内面は受光素子チップの受光面に対しても
平行となることがないため、この内面において反射され
る光が受光面に到達されることもなく、前記した効果を
より高めることができる。これにより、ノイズの発生を
有効に防止し、性能の高い受光装置を得ることができ
る。特に、受光素子チップの受光面の傾斜角度は、光軸
方向から受光素子チップの受光面に入射された光が、キ
ャップの開口から外れた領域に反射される角度とするこ
とにより、受光面での反射光が光源方向に戻されること
を確実に防止することができる。更に、透明体の外面の
傾斜方向を受光素子チップの傾斜方向と反対方向に向け
ることで、入射される光を受光素子チップに対して光軸
方向と異なる角度で入射させ、受光素子チップの傾斜に
よる効果を助長する。
を示す断面図である。
明するための模式的な図である。
ある。
面図である。
る。
である。
Claims (3)
- 【請求項1】 ステム上に半導体の受光素子チップを搭
載し、この受光素子チップをキャップで封止し、このキ
ャップに設けた開口に板状の透明体を封着し、この透明
体を通して前記受光素子チップで受光を行うように構成
した半導体受光装置において、前記受光素子チップの受
光面を光軸に対して傾斜させるとともに、前記透明体は
その外面を光軸に対して傾斜させ内面は光軸に対して垂
直に配置したことを特徴とする半導体受光装置。 - 【請求項2】 受光素子チップの受光面の傾斜角度は、
光軸方向から受光素子チップの受光面に入射された光
が、キャップの開口から外れた領域に反射される角度で
ある請求項1の半導体受光装置。 - 【請求項3】 透明体の外面の傾斜方向を受光素子チッ
プの傾斜方向と反対方向に向けた請求項1または2の半
導体受光装置。
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Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5838495A (en) * | 1996-03-25 | 1998-11-17 | Welch Allyn, Inc. | Image sensor containment system |
JP3830583B2 (ja) * | 1996-08-15 | 2006-10-04 | 富士通株式会社 | 光半導体アセンブリ |
JP3504079B2 (ja) * | 1996-08-31 | 2004-03-08 | 株式会社東芝 | 半導体発光ダイオード素子の製造方法 |
IL122806A0 (en) * | 1997-12-30 | 1999-01-26 | Elpas Electro Optic Systems Lt | Infra red receiver having improved angle of sight |
US6054648A (en) * | 1998-01-28 | 2000-04-25 | Rohm Co., Ltd. | Shield case for a semiconductor optical device |
US6275388B1 (en) * | 1998-07-08 | 2001-08-14 | Welch Allyn Data Collection, Inc. | Image sensor mounting system |
US20030019934A1 (en) * | 1998-07-08 | 2003-01-30 | Hand Held Products, Inc. | Optical reader aiming assembly comprising aperture |
US6314117B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-11-06 | Quan Photonics, Inc | Laser diode package |
US7270274B2 (en) | 1999-10-04 | 2007-09-18 | Hand Held Products, Inc. | Imaging module comprising support post for optical reader |
WO2001026036A2 (en) * | 1999-10-04 | 2001-04-12 | Welch Allyn Data Collection, Inc. | Imaging module for optical reader |
US6832725B2 (en) | 1999-10-04 | 2004-12-21 | Hand Held Products, Inc. | Optical reader comprising multiple color illumination |
DE10107555C1 (de) * | 2001-02-17 | 2002-05-16 | Aeg Infrarot Module Gmbh | Infrarotdetektor für eine Bildaufnahmeeinrichtung und Herstellungsverfahren |
JP2003163405A (ja) * | 2001-11-26 | 2003-06-06 | Sony Corp | 2波長半導体レーザ素子およびそれに用いられる非点補正板ならびにその配置方法 |
US7061949B1 (en) * | 2002-08-16 | 2006-06-13 | Jds Uniphase Corporation | Methods, apparatus, and systems with semiconductor laser packaging for high modulation bandwidth |
JP4072443B2 (ja) * | 2003-02-05 | 2008-04-09 | シャープ株式会社 | 受光センサ |
US6903382B2 (en) * | 2003-07-07 | 2005-06-07 | Lightop Technology Co., Ltd. | Light emitting diode mounting structure |
JP2005116583A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Pentax Corp | 光半導体装置 |
JP2005140585A (ja) | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Fujitsu Ltd | 偏光状態測定装置 |
JP2007272055A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Olympus Corp | 撮像機器 |
US7869919B1 (en) * | 2006-05-24 | 2011-01-11 | Flir Systems, Inc. | Infrared camera systems and methods for vehicular applications |
JP4741017B2 (ja) * | 2008-09-22 | 2011-08-03 | 三菱電機株式会社 | 光源ユニット、及び画像表示装置 |
US8811439B2 (en) * | 2009-11-23 | 2014-08-19 | Seminex Corporation | Semiconductor laser assembly and packaging system |
JP7350646B2 (ja) * | 2019-12-17 | 2023-09-26 | CIG Photonics Japan株式会社 | 光モジュール |
US11340412B2 (en) * | 2020-02-28 | 2022-05-24 | CIG Photonics Japan Limited | Optical module |
CN113725303B (zh) * | 2021-11-04 | 2022-02-11 | 至芯半导体(杭州)有限公司 | 斜面探测器件封装结构及其制作方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL181963C (nl) * | 1979-06-26 | 1987-12-01 | Philips Nv | Halfgeleiderlaserinrichting. |
JPS5815287A (ja) * | 1981-07-21 | 1983-01-28 | Nec Home Electronics Ltd | 光半導体装置 |
JPS58190076A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
US4686678A (en) * | 1984-03-27 | 1987-08-11 | Nec Corporation | Semiconductor laser apparatus with isolator |
US4697074A (en) * | 1984-12-17 | 1987-09-29 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Thermally improved photodetector having a roughened, recessed, raised or inclined light receiving surface |
JPS6294990A (ja) * | 1985-10-21 | 1987-05-01 | Nec Corp | 受光素子 |
US4768070A (en) * | 1986-03-20 | 1988-08-30 | Hitachi, Ltd | Optoelectronics device |
JPS62224088A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-02 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
JPS6370589A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Nec Corp | 半導体レ−ザモジユ−ル |
DE68920011T2 (de) * | 1988-03-22 | 1995-06-01 | Fujitsu Ltd | Optische halbleiteranordung und deren herstellung. |
JPH03104286A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-05-01 | Fujitsu Ltd | Apd受光装置 |
JPH03188680A (ja) * | 1989-12-18 | 1991-08-16 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
US5089861A (en) * | 1990-05-09 | 1992-02-18 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser device with mounting block |
JPH0555563U (ja) * | 1991-12-24 | 1993-07-23 | 安藤電気株式会社 | 受光素子保持具 |
JPH05243587A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Toshiba Corp | 受光デバイス |
-
1993
- 1993-09-25 JP JP5261691A patent/JP2661521B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
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