JP2651187B2 - 充電レベル検出回路 - Google Patents
充電レベル検出回路Info
- Publication number
- JP2651187B2 JP2651187B2 JP8231788A JP8231788A JP2651187B2 JP 2651187 B2 JP2651187 B2 JP 2651187B2 JP 8231788 A JP8231788 A JP 8231788A JP 8231788 A JP8231788 A JP 8231788A JP 2651187 B2 JP2651187 B2 JP 2651187B2
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- detection circuit
- external terminal
- circuit
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- Expired - Lifetime
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- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Analogue/Digital Conversion (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、容量性素子の充放電時に保護回路の持つイ
ンピーダンスによる電圧降下の影響を受けること無く容
量性素子の充電電圧レベルを検出する事を可能とする充
電レベル検出回路に関する。
ンピーダンスによる電圧降下の影響を受けること無く容
量性素子の充電電圧レベルを検出する事を可能とする充
電レベル検出回路に関する。
従来の充電レベル検出回路は第2図に示される様な構
成となっている。
成となっている。
即ち、1の抵抗素子、2の容量性素子、そして半導体
集積回路10内に形成された3の第1外部端子、4の第2
外部端子、5の第1保護回路、7の第2保護回路、8の
演算増幅器及び9のレベル検出回路により構成される。
集積回路10内に形成された3の第1外部端子、4の第2
外部端子、5の第1保護回路、7の第2保護回路、8の
演算増幅器及び9のレベル検出回路により構成される。
ここで、前記抵抗素子1の抵抗値をR、該抵抗素子1
に入力される電圧をVin、前記容量性素子2の容量値を
C、前記第2外部端子4での充電電圧をVc、前記演算増
幅器8の出力電圧をVoutとすると、 Vc=−Vin/R・C×t (t:演算時間) となり、充電電圧Vcは第3図に示す時間に比例した波形
となる。そして前記レベル検出回路9により検出電圧Vk
を識別し、任意の動作を行う。この時、充電電圧Vcが検
出電圧Vkに達するまでの検出時間tkをカウントすること
により、検出電圧Vkをデジタル値に置き換えるA/D変換
として応用できる。
に入力される電圧をVin、前記容量性素子2の容量値を
C、前記第2外部端子4での充電電圧をVc、前記演算増
幅器8の出力電圧をVoutとすると、 Vc=−Vin/R・C×t (t:演算時間) となり、充電電圧Vcは第3図に示す時間に比例した波形
となる。そして前記レベル検出回路9により検出電圧Vk
を識別し、任意の動作を行う。この時、充電電圧Vcが検
出電圧Vkに達するまでの検出時間tkをカウントすること
により、検出電圧Vkをデジタル値に置き換えるA/D変換
として応用できる。
しかしながら、従来の充電レベル検出回路では前記第
2保護回路7の持つ抵抗成分により該第2保護回路の両
端に電位差が生じてしまう。このため、前記演算増幅器
8の出力電圧Voutと容量性素子2の充電電圧Vcとは第3
図に示す様に|Vc|<|Vout|という差異が生じてしまう。
この時、前記レベル検出回路9の入力側は演算増幅器8
の出力電圧Voutを検出しているため前記出力電圧Voutが
検出電圧Vkに達した時点で、前記充電電圧Vcが検出電圧
Vkに達していないにも関わらず検出電圧Vkを検出したも
のと判断し、誤検出時間tkをカウントしてしまってい
た。しかも第2保護回路7の持つ成功成分は半導体物質
で形成されており、熱・光等の影響により大きく抵抗値
が変化し、前記出力電圧Voutと充電電圧Vcとの差異は一
定でなく常に不安定であり、信頼性に欠けるという問題
があった。
2保護回路7の持つ抵抗成分により該第2保護回路の両
端に電位差が生じてしまう。このため、前記演算増幅器
8の出力電圧Voutと容量性素子2の充電電圧Vcとは第3
図に示す様に|Vc|<|Vout|という差異が生じてしまう。
この時、前記レベル検出回路9の入力側は演算増幅器8
の出力電圧Voutを検出しているため前記出力電圧Voutが
検出電圧Vkに達した時点で、前記充電電圧Vcが検出電圧
Vkに達していないにも関わらず検出電圧Vkを検出したも
のと判断し、誤検出時間tkをカウントしてしまってい
た。しかも第2保護回路7の持つ成功成分は半導体物質
で形成されており、熱・光等の影響により大きく抵抗値
が変化し、前記出力電圧Voutと充電電圧Vcとの差異は一
定でなく常に不安定であり、信頼性に欠けるという問題
があった。
本発明の目的は、充電電圧の誤検出を無くし、検出精
度に優れた充電レベル検出回路を提供するものである。
度に優れた充電レベル検出回路を提供するものである。
上記目的を達成するための本発明の構成は、第1及び
第2外部端子と、前記第1外部端子に入力側を接続し第
2外部端子に出力側を接続してなる演算増幅器と、前記
第2外部端子に入力側を接続してなるレベル検出回路と
を有する半導体集積回路と、前記第1及び第2外部端子
間に接続された容量性素子と、前記第1外部端子に接続
された抵抗素子よりなる信号入力部とにより構成された
充電レベル検出回路に於いて、前記第1外部端子と演算
増幅器の入力側との間に第1保護回路を、又前記第2外
部端子とレベル検出回路の入力側との間に第2保護回路
をそれぞれ接続すると共に、前記第2外部端子と演算増
幅器の出力側との間には前記第2保護回路を経由しない
接続回路が形成されている。
第2外部端子と、前記第1外部端子に入力側を接続し第
2外部端子に出力側を接続してなる演算増幅器と、前記
第2外部端子に入力側を接続してなるレベル検出回路と
を有する半導体集積回路と、前記第1及び第2外部端子
間に接続された容量性素子と、前記第1外部端子に接続
された抵抗素子よりなる信号入力部とにより構成された
充電レベル検出回路に於いて、前記第1外部端子と演算
増幅器の入力側との間に第1保護回路を、又前記第2外
部端子とレベル検出回路の入力側との間に第2保護回路
をそれぞれ接続すると共に、前記第2外部端子と演算増
幅器の出力側との間には前記第2保護回路を経由しない
接続回路が形成されている。
さらに、前記第2外部端子と演算増幅器の出力側との
間の接続回路に第3保護回路を接続したことを特徴とす
る。
間の接続回路に第3保護回路を接続したことを特徴とす
る。
以下本発明の実施例を図面に基づいて詳述する。
第1図は本発明による充電レベル検出回路の構成図で
あり、第1図の構成図に於いて第2図の構成図との共通
部分には同一番号を付し、説明を省略する。第1図に於
いて第2図と異なった部分について説明すると、6は第
3保護回路であり、第2外部端子4と演算増幅器8の出
力側との間に形成されている。これにより、前記演算増
幅器8の出力側及びレベル検出回路9の入力側は第2外
部端子4との間に互いに独立した接続経路を設けたこと
になる。
あり、第1図の構成図に於いて第2図の構成図との共通
部分には同一番号を付し、説明を省略する。第1図に於
いて第2図と異なった部分について説明すると、6は第
3保護回路であり、第2外部端子4と演算増幅器8の出
力側との間に形成されている。これにより、前記演算増
幅器8の出力側及びレベル検出回路9の入力側は第2外
部端子4との間に互いに独立した接続経路を設けたこと
になる。
次に、上記構成を有する充電レベル検出回路の動作を
説明する。但し、第1図の構成図に於ける第2図の構成
図との共通部分についての動作説明は省略する。
説明する。但し、第1図の構成図に於ける第2図の構成
図との共通部分についての動作説明は省略する。
前記外部端子4の充電電圧Vc及び演算増幅器8の出力
電圧Voutは第3図に示す波形となり、第2図に示す従来
の構成図の場合と同じである。しかし、前記レベル検出
回路9の入力側は第2外部端子4との間に電流の流れの
無い独立した接続経路を持っており、従って前記第2保
護回路7の両端間に電位差は生じない。即ち前記レベル
検出回路9は充電電圧Vcの真値を判別することにより、
検出電圧Vkを高精度で検出可能となる。
電圧Voutは第3図に示す波形となり、第2図に示す従来
の構成図の場合と同じである。しかし、前記レベル検出
回路9の入力側は第2外部端子4との間に電流の流れの
無い独立した接続経路を持っており、従って前記第2保
護回路7の両端間に電位差は生じない。即ち前記レベル
検出回路9は充電電圧Vcの真値を判別することにより、
検出電圧Vkを高精度で検出可能となる。
以上の説明で明らかなように、本発明によれば容量性
素子からレベル検出回路までの接続経路に電圧降下を生
じさせないことにより、誤まった電圧検出を防ぎ高精度
な充電レベル検出回路の実現を可能としている。
素子からレベル検出回路までの接続経路に電圧降下を生
じさせないことにより、誤まった電圧検出を防ぎ高精度
な充電レベル検出回路の実現を可能としている。
第1図は本発明による充電レベル検出回路の構成図、第
2図は従来技術による充電レベル検出回路の構成図、第
3図は第2外部端子での充電電圧Vc及び演算増幅器8の
出力電圧Voutの積分時間tに対する充電波形の関係を示
す特性図である。 1……抵抗素子、 2……容量性素子、 5……第1保護回路、 6……第3保護回路、 7……第2保護回路、 8……演算増幅器、 9……レベル検出回路、 10……半導体集積回路。
2図は従来技術による充電レベル検出回路の構成図、第
3図は第2外部端子での充電電圧Vc及び演算増幅器8の
出力電圧Voutの積分時間tに対する充電波形の関係を示
す特性図である。 1……抵抗素子、 2……容量性素子、 5……第1保護回路、 6……第3保護回路、 7……第2保護回路、 8……演算増幅器、 9……レベル検出回路、 10……半導体集積回路。
Claims (1)
- 【請求項1】第1及び第2外部端子と、前記第1外部端
子に入力側を接続し前記第2外部端子に出力側を接続し
てなる演算増幅器と、前記第2外部端子に入力側を接続
してなるレベル検出回路とを有する半導体集積回路と、
前記第1及び第2外部端子間に接続された容量性素子
と、前記第1外部端子に接続された抵抗素子よりなる信
号入力部とにより構成された充電レベル検出回路に於い
て、前記第2外部端子と前記演算増幅器の出力側との間
に保護回路を設け、前記第2の外部端子と前記レベル検
出回路との間には前記保護回路を経由しない接続回路が
形成されていることを特徴とする充電レベル検出回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8231788A JP2651187B2 (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 充電レベル検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8231788A JP2651187B2 (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 充電レベル検出回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01254874A JPH01254874A (ja) | 1989-10-11 |
JP2651187B2 true JP2651187B2 (ja) | 1997-09-10 |
Family
ID=13771189
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8231788A Expired - Lifetime JP2651187B2 (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 充電レベル検出回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2651187B2 (ja) |
-
1988
- 1988-04-05 JP JP8231788A patent/JP2651187B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01254874A (ja) | 1989-10-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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EXPY | Cancellation because of completion of term |