JP2647982B2 - 光記憶体 - Google Patents
光記憶体Info
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- JP2647982B2 JP2647982B2 JP1318799A JP31879989A JP2647982B2 JP 2647982 B2 JP2647982 B2 JP 2647982B2 JP 1318799 A JP1318799 A JP 1318799A JP 31879989 A JP31879989 A JP 31879989A JP 2647982 B2 JP2647982 B2 JP 2647982B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は音響機器または情報機器などに用いられる光
記憶体に関する。
記憶体に関する。
［従来の技術］ 従来、光記憶体の一つであるコンパクトディスク（以
下、CDと略す。）の反射膜の材料としては、アルミニウ
ムや金が使用されている。しかし、近年、CDにコンピュ
ータデータを記録したCD−ROMが普及し、従来にも増し
て、高温・高湿下での保存性の高いものが望まれてい
る。
下、CDと略す。）の反射膜の材料としては、アルミニウ
ムや金が使用されている。しかし、近年、CDにコンピュ
ータデータを記録したCD−ROMが普及し、従来にも増し
て、高温・高湿下での保存性の高いものが望まれてい
る。
［発明が解決しようとする課題］ 従来の金あるいはアルミニウムの反射膜を使用した光
記憶体は、かかる過酷な環境下において、蒸着された反
射膜がアルミニウムの場合は腐食、また金の場合は下地
体から剥離し、信号読み取りの指標とされるエラーレー
トが増加し、上記したようなニーズに適応できないとい
う問題があった。またアルミニウムや金以外の反射膜材
料は、反射率が不足するため使用できない状態にあっ
た。
記憶体は、かかる過酷な環境下において、蒸着された反
射膜がアルミニウムの場合は腐食、また金の場合は下地
体から剥離し、信号読み取りの指標とされるエラーレー
トが増加し、上記したようなニーズに適応できないとい
う問題があった。またアルミニウムや金以外の反射膜材
料は、反射率が不足するため使用できない状態にあっ
た。
本発明は、以上述べたような従来の課題を解決するた
めになされたもので、耐候性、特に優れた耐食性と付着
性を有し、かつ高反射率の反射膜を具備する光記憶体を
提供することにある。
めになされたもので、耐候性、特に優れた耐食性と付着
性を有し、かつ高反射率の反射膜を具備する光記憶体を
提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、透明基板と、該透明基板の記録ビット形成
面に被覆されるシリコン，ゲルマニウムのいずれかから
なる高屈折率層と、酸化珪素，ふっ化カルシウム，また
はふっ化マグネシウムのいずれかからなる低屈折率層
と、クロム，タンタル，または窒化チタンのいずれかか
らなる反射層とをこの順に備えてなることを特徴とする
光記憶体である。
面に被覆されるシリコン，ゲルマニウムのいずれかから
なる高屈折率層と、酸化珪素，ふっ化カルシウム，また
はふっ化マグネシウムのいずれかからなる低屈折率層
と、クロム，タンタル，または窒化チタンのいずれかか
らなる反射層とをこの順に備えてなることを特徴とする
光記憶体である。
本発明で用いられる高屈折率層はシリコン，ゲルマニ
ウムを使用することができる。
ウムを使用することができる。
また本発明で用いられる低屈折層は酸化珪素，ふっ化
カルシウム，またはふっ化マグネシウムを使用すること
ができる。
カルシウム，またはふっ化マグネシウムを使用すること
ができる。
本発明で用いられる反射層はクロム，モリブデン，タ
ングステン，バナジウム，ニオブ，タンタル，チタン，
ジルコニウム，ハフニウム，マンガン，レニウム，ルテ
ニウム，鉄，オスミウム，コバルト，ロジウム，イリジ
ウム，ニッケル，パラジウム，白金，亜鉛，カドミウ
ム，錫，鉛，タリウム，アンチモン，ビスマス，インジ
ウム，ガリウムなどの金属またはそれらの合金または窒
化チタン，窒化ジルコニウム，窒化ハフニウムなどの金
属窒化物を使用することができる。また、金または銀の
単体を反射層として用いることは付着性の面で、さらに
銅，アルミニウムの場合は腐食性の点で望ましくないた
め、これらの金属を用いる場合には、前記反射層として
使われる金属との合金として使用することが望ましい。
ングステン，バナジウム，ニオブ，タンタル，チタン，
ジルコニウム，ハフニウム，マンガン，レニウム，ルテ
ニウム，鉄，オスミウム，コバルト，ロジウム，イリジ
ウム，ニッケル，パラジウム，白金，亜鉛，カドミウ
ム，錫，鉛，タリウム，アンチモン，ビスマス，インジ
ウム，ガリウムなどの金属またはそれらの合金または窒
化チタン，窒化ジルコニウム，窒化ハフニウムなどの金
属窒化物を使用することができる。また、金または銀の
単体を反射層として用いることは付着性の面で、さらに
銅，アルミニウムの場合は腐食性の点で望ましくないた
め、これらの金属を用いる場合には、前記反射層として
使われる金属との合金として使用することが望ましい。
本発明で用いられる透明基板は、アクリル樹脂，ポリ
カーボネート樹脂，ポリオレフィン樹脂，エポキシ樹
脂，フッ素樹脂，ガラス，ゾルゲルガラスなどを用いる
ことができる。
カーボネート樹脂，ポリオレフィン樹脂，エポキシ樹
脂，フッ素樹脂，ガラス，ゾルゲルガラスなどを用いる
ことができる。
本発明の光記憶体は、射出成形あるいはスタンパから
の密着転写などにより記録ピットを形成した透明基板の
上に、高屈折率層および低屈折率層を交互にスパッタ
法、イオンプレーティング法、クラスターイオンビーム
法、プラズマCVD法あるいは蒸着法等により被覆し、さ
らに必要に応じて反射層を上記と同様に組み合わせ層上
に被覆して形成する。
の密着転写などにより記録ピットを形成した透明基板の
上に、高屈折率層および低屈折率層を交互にスパッタ
法、イオンプレーティング法、クラスターイオンビーム
法、プラズマCVD法あるいは蒸着法等により被覆し、さ
らに必要に応じて反射層を上記と同様に組み合わせ層上
に被覆して形成する。
透明基板は、例えば、ガラス基板の上に珪酸重合物を
スピン塗布し、スタンパを密着させてピットを転写さ
せ、ピット付きの透明基板を形成する。またスタンパの
型の中に樹脂を射出し、型から取り出してピット付きの
透明基板を形成してもよい。
スピン塗布し、スタンパを密着させてピットを転写さ
せ、ピット付きの透明基板を形成する。またスタンパの
型の中に樹脂を射出し、型から取り出してピット付きの
透明基板を形成してもよい。
このように作製した本発明の光記憶体は、高反射率と
高耐候性（高付着および高耐食性）を併せ持ち、従来の
金またはアルミニウム反射膜を直接透明基板に被覆した
ものよりはるかに優れた長期のデータ保存に関する信頼
性を有する。
高耐候性（高付着および高耐食性）を併せ持ち、従来の
金またはアルミニウム反射膜を直接透明基板に被覆した
ものよりはるかに優れた長期のデータ保存に関する信頼
性を有する。
［作用］ 本発明の光記憶体は、透明基板上に高屈折率層と低屈
折率層よりなる組み合わせ層を形成する。この組み合わ
せ層によって、各層からの反射光が多重干渉を起こし、
この時、各層の膜厚を適切な値に選択すると位相が一致
し、反射率を100％近くにまで高めることができる。従
って、従来のように透明基板上に直接AlやAu等よりなる
反射膜を形成しなくともよく、信頼性の高い光記憶体が
提供される。
折率層よりなる組み合わせ層を形成する。この組み合わ
せ層によって、各層からの反射光が多重干渉を起こし、
この時、各層の膜厚を適切な値に選択すると位相が一致
し、反射率を100％近くにまで高めることができる。従
って、従来のように透明基板上に直接AlやAu等よりなる
反射膜を形成しなくともよく、信頼性の高い光記憶体が
提供される。
高屈折率層と低屈折率層の組み合わせ層のみでも反射
率を100％近くにすることができるが、多層の組み合わ
せが必要となる。そこで低屈折率層と高屈折率層の組み
合わせ層上に反射層を設けること、少ない組み合わせ層
数で高反射率を得ることができる。また高屈折率層と低
屈折率層の屈折率の差が大きいほど該２層の膜厚を薄く
することができ、ピットの形状（深さ，巾，長さ）を損
ねることが少ない。
率を100％近くにすることができるが、多層の組み合わ
せが必要となる。そこで低屈折率層と高屈折率層の組み
合わせ層上に反射層を設けること、少ない組み合わせ層
数で高反射率を得ることができる。また高屈折率層と低
屈折率層の屈折率の差が大きいほど該２層の膜厚を薄く
することができ、ピットの形状（深さ，巾，長さ）を損
ねることが少ない。
［実施例］ 以下に、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明
する。
する。
第１図は光記憶体の比較例を示したもので、第１図
（ａ）はその部分断面図、第１図（ｂ）は（ａ）におけ
るＡ部の拡大断面図である。ここで、透明基板１、高屈
折率層２、低屈折率層３がそれぞれ第１表のＩおよびII
に示す材質，構成および膜厚で被覆された２個の試料を
作製した。
（ａ）はその部分断面図、第１図（ｂ）は（ａ）におけ
るＡ部の拡大断面図である。ここで、透明基板１、高屈
折率層２、低屈折率層３がそれぞれ第１表のＩおよびII
に示す材質，構成および膜厚で被覆された２個の試料を
作製した。
第２図は光記憶体の比較例を示したもので、第２図
（ａ）はその部分断面図、第２図（ｂ）は（ａ）におけ
るＢ部の拡大断面図である。ここで、透明基板１、低屈
折率層３、高屈折率層２がそれぞれ第１表のIIIおよびI
Vに示す材質，構成および膜厚で被覆された２個の試料
を作製した。
（ａ）はその部分断面図、第２図（ｂ）は（ａ）におけ
るＢ部の拡大断面図である。ここで、透明基板１、低屈
折率層３、高屈折率層２がそれぞれ第１表のIIIおよびI
Vに示す材質，構成および膜厚で被覆された２個の試料
を作製した。
第３図は本発明の光記憶体の一実施例を示す部分断面
図である。ここで、透明基板１、高屈折率層２、低屈折
率層３、反射層４がそれぞれ第１表のV,VI,VIIに示す材
質，構成および膜厚で被覆された３個の試料を作製し
た。
図である。ここで、透明基板１、高屈折率層２、低屈折
率層３、反射層４がそれぞれ第１表のV,VI,VIIに示す材
質，構成および膜厚で被覆された３個の試料を作製し
た。
第４図は本発明を再生専用光記憶体に適用した一実施
例の部分断面図である。ここで１はゾルゲル法により記
録ピットを設けた強化ガラス基板、高屈折率層２、低屈
折率層３、反射層４がそれぞれ第１表のVIIIに示す材
料、構成および膜厚で被覆した１個の試料を作製した。
反射層４の上には試料を操作する際に反射層等に傷が発
生することを防止する意味でシリコン系の樹脂膜５が10
μｍ被覆されている。また、強化ガラスの基板面側には
ガラスの腐食を防止するための保護膜６として10％の酸
化ジルコニウムを含む酸化珪素を100nm被覆した。
例の部分断面図である。ここで１はゾルゲル法により記
録ピットを設けた強化ガラス基板、高屈折率層２、低屈
折率層３、反射層４がそれぞれ第１表のVIIIに示す材
料、構成および膜厚で被覆した１個の試料を作製した。
反射層４の上には試料を操作する際に反射層等に傷が発
生することを防止する意味でシリコン系の樹脂膜５が10
μｍ被覆されている。また、強化ガラスの基板面側には
ガラスの腐食を防止するための保護膜６として10％の酸
化ジルコニウムを含む酸化珪素を100nm被覆した。
得られた各試料の反射率を併せて第１表に示す。
次に、これらの試料とポリカーボネート樹脂からなる
透明基板の上にアルミニウムおよび金を反射膜として形
成した比較試料について、温度70℃、相対湿度95％の耐
候性試験を６ヶ月間行い、信号の良否の指標となるエラ
ー数を測定した。６ヶ月の耐候性試験後、本発明の試料
のエラー数は全く劣化がみられなかったが、アルミニウ
ム反射膜を用いた比較試料は腐食により、また金反射膜
を用いた比較試料は剥離によりエラーの測定が不能にな
るほど劣化した。
透明基板の上にアルミニウムおよび金を反射膜として形
成した比較試料について、温度70℃、相対湿度95％の耐
候性試験を６ヶ月間行い、信号の良否の指標となるエラ
ー数を測定した。６ヶ月の耐候性試験後、本発明の試料
のエラー数は全く劣化がみられなかったが、アルミニウ
ム反射膜を用いた比較試料は腐食により、また金反射膜
を用いた比較試料は剥離によりエラーの測定が不能にな
るほど劣化した。
［発明の効果］ 以上、詳細に述べたように、本発明の光記憶体は透明
基板との密着性に優れ、かつ耐食性および高反射率を有
しており、アルミニウムや金の反射膜を使用した光記憶
体に比べてはるかに信頼性を向上させることができる。
基板との密着性に優れ、かつ耐食性および高反射率を有
しており、アルミニウムや金の反射膜を使用した光記憶
体に比べてはるかに信頼性を向上させることができる。
第１図から第２図はそれぞれ光記憶体の比較例の部分断
面図である。第３図から第４図はそれぞれ本発明の光記
憶体の一実施例の部分断面図である。 １……透明基板 ２……高屈折率層、３……低屈折率層、４……反射層、
５……樹脂膜、６……保護膜
面図である。第３図から第４図はそれぞれ本発明の光記
憶体の一実施例の部分断面図である。 １……透明基板 ２……高屈折率層、３……低屈折率層、４……反射層、
５……樹脂膜、６……保護膜
Claims (1)
- 【請求項１】透明基板と、該透明基板の記録ビット形成
面に被覆されるシリコン，ゲルマニウムのいずれかから
なる高屈折率層と、酸化珪素，ふっ化カルシウム，また
はふっ化マグネシウムのいずれかからなる低屈折率層
と、クロム，タンタル，または窒化チタンのいずれかか
らなる反射層とをこの順に備えてなることを特徴とする
光記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1318799A JP2647982B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 光記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1318799A JP2647982B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 光記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03183037A JPH03183037A (ja) | 1991-08-09 |
| JP2647982B2 true JP2647982B2 (ja) | 1997-08-27 |
Family
ID=18103075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1318799A Expired - Fee Related JP2647982B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 光記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2647982B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2737664B2 (ja) * | 1994-09-30 | 1998-04-08 | 日本電気株式会社 | 情報記録媒体 |
| US7442629B2 (en) | 2004-09-24 | 2008-10-28 | President & Fellows Of Harvard College | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate |
| US7057256B2 (en) | 2001-05-25 | 2006-06-06 | President & Fellows Of Harvard College | Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices |
| CN101055738B (zh) * | 2002-01-18 | 2011-04-06 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于一次性写入记录的光学数据存储媒质 |
| US9911781B2 (en) | 2009-09-17 | 2018-03-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US9673243B2 (en) | 2009-09-17 | 2017-06-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US8692198B2 (en) | 2010-04-21 | 2014-04-08 | Sionyx, Inc. | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| WO2011160130A2 (en) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Sionyx, Inc | High speed photosensitive devices and associated methods |
| US9496308B2 (en) | 2011-06-09 | 2016-11-15 | Sionyx, Llc | Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods |
| EP2732402A2 (en) | 2011-07-13 | 2014-05-21 | Sionyx, Inc. | Biometric imaging devices and associated methods |
| US9064764B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-06-23 | Sionyx, Inc. | Pixel isolation elements, devices, and associated methods |
| KR20150130303A (ko) | 2013-02-15 | 2015-11-23 | 사이오닉스, 아이엔씨. | 안티 블루밍 특성 및 관련 방법을 가지는 높은 동적 범위의 cmos 이미지 센서 |
| US9939251B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-04-10 | Sionyx, Llc | Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods |
| US9209345B2 (en) | 2013-06-29 | 2015-12-08 | Sionyx, Inc. | Shallow trench textured regions and associated methods |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2639907B2 (ja) * | 1985-09-10 | 1997-08-13 | 三洋電機株式会社 | 光学式情報記録デイスク |
| JPH067980B2 (ja) * | 1987-05-28 | 1994-02-02 | 東芝機械株式会社 | 定湯面保温炉における給排湯装置 |
| JPH0784993B2 (ja) * | 1987-12-03 | 1995-09-13 | 三菱電機株式会社 | 航空機搭載用の火器管制システム |
| JPH07109670B2 (ja) * | 1988-11-22 | 1995-11-22 | セキノス株式会社 | 光ディスク基材に対する多層膜コーティング方法 |
| JP2729317B2 (ja) * | 1989-06-10 | 1998-03-18 | 日本ゼオン株式会社 | 光ディスク |
-
1989
- 1989-12-11 JP JP1318799A patent/JP2647982B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03183037A (ja) | 1991-08-09 |
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Legal Events
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