JP2645716B2 - 光ファィバ線引き装置及び線引き方法 - Google Patents

光ファィバ線引き装置及び線引き方法

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JP2645716B2 JP63006963A JP696388A JP2645716B2 JP 2645716 B2 JP2645716 B2 JP 2645716B2 JP 63006963 A JP63006963 A JP 63006963A JP 696388 A JP696388 A JP 696388A JP 2645716 B2 JP2645716 B2 JP 2645716B2
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Description

【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本発明は、線引き直後の高温状態にある光ファイバを
効率良く冷却して樹脂の被覆装置へ送り出すようにした
光ファイバ線引き装置及び線引き方法に関する。
<従来の技術> 透明ガラス化した棒状をなす光ファイバ母材を所定の
径に加熱線引きする場合、一般には樹脂の一次被覆や二
次被覆の作業もこれと同時に連続して行われる。
このような従来の線引き装置の主要部の概念を表す第
4図に示すように、光ファイバ母材101が送り込まれる
炉心管102は、これを囲むカーボンヒータ103と共に炉体
104に保持されている。この炉体104の上端部には、炉心
管102やカーボンヒータ103等の酸化消耗を防止するた
め、窒素等の不活性ガスを線引炉105内に供給するため
のパージガス導入管106が接続し、これに伴って炉体104
の上端には光ファイバ母材101の外周面に摺接するシー
ルリング107が取付けられると共に炉体104の下端部には
シャッタ108が設けられ、線引炉105内を不活性ガスの雰
囲気に保持している。この線引炉105内で線引きされた
光ファイバ109は、冷却筒110内を通ってコーティングダ
イス111に達し、例えば紫外線硬化樹脂の一次被覆が施
される。前記冷却筒110の下端部には、冷却用ガスをこ
の冷却筒110内へ導く冷却用ガス導入管112が接続してお
り、これによって線引き直後の高温状態にある光ファイ
バ109が冷却されるようになっている。光ファイバ109と
共にコーティングダイス111を通過した紫外線硬化樹脂
は、紫外線硬化装置113内で紫外線を照射されて硬化
し、光ファイバ109と一体化する。
この紫外線硬化装置113の下端には、紫外線硬化樹脂
の硬化の妨げとなる酸素の存在を除去するため、窒素ガ
ス等のパージガスの導入管114が接続しており、これに
伴って紫外線硬化装置113の上端にはパージガスの流出
を少なくするシャッタ115が設けられている。更に、こ
の紫外線硬化装置113の下流には二次被覆用のコーティ
ングダイス116とこれによる樹脂の硬化装置117とが順に
配設され、二次被覆を施された光ファイバ素線118は光
ファイバ心線119となって方向変換ローラ120を介し図示
しない巻取装置に巻き取られて行くようになっている。
<発明が解決しようとする課題> 通常、光ファイバの線引き速度は被覆樹脂の硬化速度
に左右される。つまり、現在の技術では被覆樹脂の硬化
速度よりも光ファイバの線引き速度の方をより早くする
ことが可能なため、光ファイバの高速線引きによる製造
コストの低減等を企図した場合、被覆樹脂の硬化速度を
高めることが最も重要となる。ところで、紫外線硬化樹
脂は従来の熱可塑性樹脂等の被覆材料に対し、硬化速度
や取り扱い性の面で格段に優れていることから、極めて
優秀な被覆材料として期待されている。この紫外線硬化
樹脂の採用による線引き速度の上昇に伴い、第4図に示
すように線引き直後の高温状態にある光ファイバ109を
急速に冷却してコーティングダイス111に送り込む必要
がある。
そこで、従来では熱伝導率の良いヘリウムガスを冷却
用ガス導入管112から冷却筒110内に連続的に供給するよ
うにしているが、高価なヘリウムガスを大量に消費する
結果、光ファイバの製造コストが高くなってしまう欠点
があった。冷却筒110の上端開口部を絞ることでヘリウ
ムガスの消費を抑えるようにしたものも知られている
が、程度の差こそあれヘリウムガスを消費してしまうこ
とに変わりはなく、何らかの改善が望まれていた。
<課題を解決するための手段> 本発明の光ファイバ線引き装置の構成は、光ファイバ
母材を加熱する線引き炉と、この線引き炉の下方に設け
られて当該線引き炉から引き出される光ファイバの外周
面に樹脂を被覆する被覆装置とを有する光ファイバ線引
き装置において、前記線引き炉の上端開口部に設けられ
て前記光ファイバ母材が摺接するシールリングと、前記
線引き炉と前記被覆装置との間に設けられて上端が前記
線引き炉の下端開口部に気密に接続する冷却筒と、この
冷却筒及び前記線引き炉のうち少なくとも一つに連通し
てこれらの内部にヘリウムガスを充満させるヘリウムガ
ス供給手段と、前記冷却筒の周囲に配設されてこの冷却
筒及び前記ヘリウムガスを介し前記光ファイバを冷却す
る冷却手段とを具え、かつ前記線引き炉には、上記冷却
筒に向う以外にヘリウムガスの排出口を実質的に有して
おらず、前記冷却筒の下方には大気中に開放されている
ファイバの引き出し口を有しておい、該ファイバの引き
出し口には空気の該引き出し口からの混入を検知する手
段を有しており、前記ヘリウムガス供給手段にはヘリウ
ムの流量を制限する制御手段を有していることを特徴と
する。
一方、本発明の光ファイバ線引き方法は、光ファイバ
母材を線引き炉で加熱線引きし該線引き炉の下方に引き
出し被覆装置を用いて該線引きされた光ファイバの外周
面に樹脂を被覆し巻き取り装置で巻き取る光ファイバの
線引き方法において、上記線引き炉と該線引き炉の下端
開口部に気密に接続する冷却筒とを用い不活性雰囲気下
で該線引き炉の上端開口部を開放し、光ファイバ母材を
線引き炉にセットし、該上端開口部で光ファイバ母材を
シールリングに摺接させて上端開口部を封止し、該線引
き炉と冷却筒の少なくとも一箇所よりヘリウムガスを供
給してこの全体をヘリウムガスで充満させ、冷却筒の下
方で空気の混入を検知し、この情報をもとに供給するヘ
リウムの流量を最小限に制限しながら光ファイバ母材を
該線引き炉部分で内部に充満するヘリウムガスとともに
加熱し線引きし、該冷却筒部分では線引きされた光ファ
イバおよび内部に充満するヘリウムガスを冷却筒を介し
その周囲に配設された冷却手段によって冷却した後、下
方に引き出し被覆装置を用いて該線引きされた光ファイ
バの外周面に樹脂を被覆し巻き取り装置で巻き取ること
を特徴とする。
<作用> 線引き炉内に供給される光ファイバ母材は、加熱線引
きされて被覆装置側へ送り出される。一方、ヘリウムガ
ス供給手段により線引き炉内及びこれと一体の冷却筒内
はヘリウムガスが充満しており、光ファイバ母材に摺接
するシールリングによって、線引き炉上端の開口部から
ヘリウムガスが漏出するのを防止し、ヘリウムガスの補
給を特に行わなくても線引き炉内及び冷却筒内ではヘリ
ウムガスの雰囲気が確保される。冷却筒内を通過する光
ファイバは、冷却手段により冷却筒及び熱伝導率の良好
なヘリウムガスを介して効率良く冷却され、被覆装置に
よって樹脂の被覆が施される。
一方の本発明による光ファイバ線引き方法は、光ファ
イバ母材を線引炉で加熱線引し該線引炉の下方に引き出
し被覆装置を用いて該線引された光ファイバの外周面に
樹脂を被覆し巻き取り装置で巻き取る光ファイバの線引
方法において、上記線引炉と該線引炉の下端開口部に気
密に接続する冷却塔とを用い不活性雰囲気下で該線引炉
の上端開口部を開放し、光ファイバ母材を線引炉にセッ
トし、該上端開口部で光ファイバ母材をシールリングに
摺接させて上端開口部を封止し該線引炉と冷却塔の少な
くとも一箇所よりヘリウムガスを供給してこの全体をヘ
リウムで充満させ、光ファイバ母材を該線引炉部分で内
部に充満するヘリウムガスとともに加熱し線引し、該冷
却塔部分では線引された光ファイバおよび内部に充満す
るヘリウムを冷却塔を介しその周囲に配設された冷却手
段によって冷却した後、下方に引き出し被覆装置を用い
て該線引された光ファイバの外周面に樹脂を被覆し巻き
取り装置で巻き取ることを特徴とする。
<実 施 例> 本発明による光ファイバ線引き装置の一実施例の概略
構造を表す第1図に示すように、光ファイバ母材11が送
り込まれる炉心管12は、これを囲むカーボンヒータ13と
共に炉体14に保持されている。この炉体14の上端には、
光ファイバ母材11の外周面に摺接して線引き炉15内をシ
ールするシールリング16が取付けられており、下端がコ
ーティングダイス17を有する被覆装置18に気密に接続す
る冷却筒19の上端は、前記炉体14の下端に気密に接続し
ている。この冷却筒19の外周面には、図示しない冷却液
供給装置に接続する冷却液通液管20が螺旋状に巻回さ
れ、線引き炉15にて加熱線引きされた高温の光ファイバ
21が冷却筒19内を通過する間に、被覆装置18による樹脂
の被覆が可能な温度にまでこの光ファイバ21を冷却する
ようになっている。このため、炉体14の下端部には線引
き炉15内の輻射熱による影響が冷却筒19側に及ばないよ
うにするシャッタ22を設けている。本実施例では冷却液
通液管20を冷却筒19の外周面に螺旋状に巻回している
が、冷却筒19の壁内部を中空に形成し、ここに冷却液を
通すようにしても良く、要するにヘリウムガスを介して
光ファイバ21を効率良く冷却できるような構造であれば
良い。
前記一次被覆用の被覆装置18には、その硬化装置23が
接続筒24を介して気密に連結されており、本実施例では
更に二次被覆用の被覆装置25とその硬化装置26とが直列
に接続している。そして、一次被覆用の硬化装置23と二
次被覆用の被覆装置25とは、前述した冷却液通液管20と
同一構成の冷却液通液管27を螺旋状に巻回した冷却筒28
を介して気密に連結され、同様にこの二次被覆用の被覆
装置25と硬化装置26とは接続筒30を介して気密に連結さ
れている。なお、硬化装置26には下端にシャッタ29を有
する延長筒31の上端が気密に連結されており、本実施例
では被覆樹脂として紫外線硬化樹脂を用いているため、
冷却筒28の下端に二次被覆用のコーティングダイス32に
一次被覆用の硬化装置23からの紫外光が入射するのを防
止する必要上、迷光防止用の遮光環33を取付けている。
前記冷却筒19の下端部には、図示しないヘリウムガス
供給源に接続するヘリウムガス供給管34が連通し、線引
き炉15から延長筒31に至る光ファイバ母材11,光ファイ
バ21,光ファイバ素線35,光ファイバ心線36の搬送経路を
ヘリウムガスで充満させるようにしている。このため、
本実施例では延長筒31内に吸引管37を介して連通する酸
素検出装置38を設け、この酸素検出装置38からの検出信
号に基づいてヘリウムガス供給管34に介装された開閉弁
39の開閉動作を制御装置40によって調整するようにして
いる。
従って、延長筒31内でのヘリウムガスの充満状態を表
す第2図及び第3図に示すように、吸引管37の位置より
もヘリウムガス41が多めに延長筒31内に存在する場合
(第2図参照)には、酸素検出装置38を介して制御装置
40は酸素が延長筒31内に無いと判断し、開閉弁39を閉じ
てヘリウムガス41の供給を停止する。一方、吸引管37の
位置よりもヘリウムガス41が少なめに延長筒31内に存在
する場合(第3図参照)には、酸素検出器38を介して制
御装置40は酸素が延長筒31内に存在すると判断し、開閉
弁39を用いてヘリウムガス41を冷却筒19内に供給する。
これにより、ヘリウムガス41の消費を最小限に抑えて
少なくとも線引き炉15から硬化装置26に至る経路を常に
ヘリウムガス雰囲気に保持できる。このため、本実施例
では硬化装置23,26による樹脂の硬化作業雰囲気に酸素
が存在せず、紫外線樹脂の硬化速度が遅くなるような不
都合は発生しない。又、光ファイバ21が空気と接触する
前に樹脂の被覆がなされるため、光ファイバ21の伝送損
失を大きく左右する水分による影響を少なくすることが
可能である。又、周知のようにヘリウムガス41は熱伝導
率が他の気体と比較して著しく高いため、冷却筒19を通
過する間に光ファイバ21は効率良く冷却される。
なお、光ファイバ母材11の交換中はシールリング16に
よる線引き炉15内の気密保持が不可能となるため、炉体
14の上端部に図示しない窒素等の不活性ガス供給源に接
続する不活性ガス導入通路42を接続し、光ファイバ母材
11の交換中にはこの不活性導入通路42から線引き炉15内
に外気との比重の差がほとんどない窒素等の不活性ガス
を供給し、ヘリウムガス供給管34からのヘリウムガス41
の供給を一時停止して高価なヘリウムガス41の無駄な消
費を防いでいる。
被覆装置25及びその硬化装置26によって二次被覆が施
された光ファイバ心線36は、方向変換ローラ43を介し図
示しない巻取装置に巻き取られて行くようになってい
る。本実施例では延長筒31内でのヘリウムガス41の充填
量に応じて開閉弁39を開閉制御するようにしたが、予め
ヘリウムガス41の単位時間当りの漏洩量を調べておき、
これに応じて開閉弁39の開度を一定に保持しておくよう
にしても良い。
<発明の効果> 本発明の光ファイバ線引き装置によると、線引き炉の
下端に冷却手段を有する冷却筒を気密に接合すると共に
線引き炉上端と光ファイバ母材との隙間をシールリング
にてシールし、この線引き炉及び冷却筒内をヘリウムガ
ス供給手段により熱伝導率の高いヘリウムガス雰囲気に
保持するようにしたので、冷却筒内での冷却媒体となる
ヘリウムガスの消費がほとんどなく、このヘリウムガス
を介して冷却手段により光ファイバを効率良く冷却する
ことができると共に、光ファイバ母材に対する加熱の効
率が上昇するため、ヒータの熱源を小型化することが可
能である。又、線引き炉内でのガスの流れがほとんどな
くなるため、光ファイバの線径変動を少なくすることが
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による光ファイバ線引き装置の一実施例
の概略構造を表す概念図、第2図及び第3図はそれぞれ
その延長筒の下端部におけるヘリウムガスの状態を表す
拡大図、第4図は従来の光ファイバ線引き装置の一例を
表す概念図である。 又、図中の符号で11は光ファイバ母材、12は炉心管、13
はカーボンヒータ、14は炉体、15は線引き炉、16はシー
ルリング、19は冷却筒、20は冷却液通液管、21は光ファ
イバ、22,29はシャッタ、34はヘリウムガス供給管、37
は吸引管、38は酸素検出器、39は開閉弁、40は制御装
置、41はヘリウムガスである。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】光ファイバ母材を加熱する線引き炉と、こ
    の線引き炉の下方に設けられて当該線引き炉から引き出
    される光ファイバの外周面に樹脂を被覆する被覆装置と
    を有する光ファイバ線引き装置において、 前記線引き炉の上端開口部に設けられて前記光ファイバ
    母材が摺接するシールリングと、 前記線引き炉と前記被覆装置との間に設けられて上端が
    前記線引き炉の下端開口部に気密に接続する冷却筒と、 この冷却筒及び前記線引き炉のうち少なくとも一つに連
    通してこれらの内部にヘリウムガスを充満させるヘリウ
    ムガス供給手段と、 前記冷却筒の周囲に配設されてこの冷却筒及び前記ヘリ
    ウムガスを介し前記光ファイバを冷却する冷却手段とを
    具え、 かつ前記線引き炉には、上記冷却筒に向う以外にヘリウ
    ムガスの排出口を実質的に有しておらず、前記冷却筒の
    下方には大気中に開放されているファイバの引き出し口
    を有しており、該ファイバの引き出し口には空気の該引
    き出し口からの混入を検知する手段を有しており、前記
    ヘリウムガス供給手段にはヘリウムの流量を制限する制
    御手段を有していることを特徴とする線条体の光ファイ
    バ線引き装置。
  2. 【請求項2】光ファイバ母材を線引き炉で加熱線引きし
    該線引き炉の下方に引き出し被覆装置を用いて該線引き
    された光ファイバの外周面に樹脂を被覆し巻き取り装置
    で巻き取る光ファイバの線引き方法において、 上記線引き炉と該線引き炉の下端開口部に気密に接続す
    る冷却筒とを用い不活性雰囲気下で該線引き炉の上端開
    口部を開放し、光ファイバ母材を線引き炉にセットし、
    該上端開口部で光ファイバ母材をシールリングに摺接さ
    せて上端開口部を封止し、該線引き炉と冷却筒の少なく
    とも一箇所よりヘリウムガスを供給してこの全体をヘリ
    ウムガスで充満させ、冷却筒の下方で空気の混入を検知
    し、この情報をもとに供給するヘリウムの流量を最小限
    に制限しながら光ファイバ母材を該線引き炉部分で内部
    に充満するヘリウムガスとともに加熱し線引きし、該冷
    却筒部分では線引きされた光ファイバおよび内部に充満
    するヘリウムガスを冷却筒を介しその周囲に配設された
    冷却手段によって冷却した後、下方に引き出し被覆装置
    を用いて該線引きされた光ファイバの外周面に樹脂を被
    覆し巻き取り装置で巻き取ることを特徴とする光ファイ
    バの線引き方法。
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