JP2645701B2 - パラジウム合金めっき組成物、及びめっき方法 - Google Patents
パラジウム合金めっき組成物、及びめっき方法Info
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- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/50—Electroplating: Baths therefor from solutions of platinum group metals
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- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/567—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of platinum group metals
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、パラジウムと金とを主
要有効成分とし、錯化剤及び伝導性塩を含む2元パラジ
ウム合金めっき組成物、又は場合により他の合金成分金
属を更に含む3元パラジウム合金めっき組成物に関する
もので、具体的には半導体リードフレーム(lead
frame)、印刷回路基板(PCB:printed
circuit board)、コネクター等に使用
することができ、装飾用及び工業用として利用可能な優
れた安定性、はんだ付け性及び柔軟性を有する2元又は
3元パラジウム合金めっき組成物に関する。
要有効成分とし、錯化剤及び伝導性塩を含む2元パラジ
ウム合金めっき組成物、又は場合により他の合金成分金
属を更に含む3元パラジウム合金めっき組成物に関する
もので、具体的には半導体リードフレーム(lead
frame)、印刷回路基板(PCB:printed
circuit board)、コネクター等に使用
することができ、装飾用及び工業用として利用可能な優
れた安定性、はんだ付け性及び柔軟性を有する2元又は
3元パラジウム合金めっき組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】一般的に、パラジウム又はパラジウム合
金のめっきは、電子産業において電気スイッチの接合部
の伝導性を増加させ、一般装飾及び工業用品に優れた耐
蝕性、耐摩耗性、無多孔性等を提供するので、広く使用
されている。一方、半導体装置のリードフレームや印刷
回路基板、コネクター等は、通常、銀めっきをした後、
はんだ付けを行うが、この際に種々の問題点、例えば、
銀めっきをした部分の変色、銅の酸化膜の形成、ダイと
の接触時の樹脂ひろがり現象、成形時の密着力不良、ス
ズ−鉛(はんだ)めっきによる重金属の放出等が発生す
る。したがって、このような銀めっきを代替できるパラ
ジウム又はパラジウム合金めっき用組成物が多様に研究
開発されているが、合金めっき組成物において重要なこ
とは、パラジウム及びその他の金属を提供する化合物を
安定な状態で提供し、合金成分金属に従って適切な錯化
剤及び伝導性塩を選択し、優れた安定性と均一なめっき
状態とを提供しなければならないということである。
金のめっきは、電子産業において電気スイッチの接合部
の伝導性を増加させ、一般装飾及び工業用品に優れた耐
蝕性、耐摩耗性、無多孔性等を提供するので、広く使用
されている。一方、半導体装置のリードフレームや印刷
回路基板、コネクター等は、通常、銀めっきをした後、
はんだ付けを行うが、この際に種々の問題点、例えば、
銀めっきをした部分の変色、銅の酸化膜の形成、ダイと
の接触時の樹脂ひろがり現象、成形時の密着力不良、ス
ズ−鉛(はんだ)めっきによる重金属の放出等が発生す
る。したがって、このような銀めっきを代替できるパラ
ジウム又はパラジウム合金めっき用組成物が多様に研究
開発されているが、合金めっき組成物において重要なこ
とは、パラジウム及びその他の金属を提供する化合物を
安定な状態で提供し、合金成分金属に従って適切な錯化
剤及び伝導性塩を選択し、優れた安定性と均一なめっき
状態とを提供しなければならないということである。
【0003】具体的には、例えば、米国特許第4,74
1,818号明細書には、既存のパラジウム合金めっき
溶液(例えば、パラジウムの無機アミン錯物を含有する
めっき溶液)において発生する問題点等を解決するため
に、電解質中に溶解されるパラジウム化合物、一つ以上
の合金成分金属及び錯化剤〔ケリダミン酸(cheli
damic acid)、オロト酸又は2−ピロリドン
−5−カルボン酸等〕を含むパラジウム又はパラジウム
合金のめっき用電解質が開示されている。米国特許第
4,715,935号明細書には、パラジウム金属の供
給源、錯化剤のシュウ酸塩、及び、任意に、他の合金成
分金属を含むパラジウム合金のめっき組成物で基材をめ
っきする方法が開示されている。
1,818号明細書には、既存のパラジウム合金めっき
溶液(例えば、パラジウムの無機アミン錯物を含有する
めっき溶液)において発生する問題点等を解決するため
に、電解質中に溶解されるパラジウム化合物、一つ以上
の合金成分金属及び錯化剤〔ケリダミン酸(cheli
damic acid)、オロト酸又は2−ピロリドン
−5−カルボン酸等〕を含むパラジウム又はパラジウム
合金のめっき用電解質が開示されている。米国特許第
4,715,935号明細書には、パラジウム金属の供
給源、錯化剤のシュウ酸塩、及び、任意に、他の合金成
分金属を含むパラジウム合金のめっき組成物で基材をめ
っきする方法が開示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、既存の
パラジウム又はパラジウム合金のめっき組成物を半導体
リードフレーム及びその他電子産業部品に適用する場
合、水素脆性による内部応力が大きくなって、はんだ付
け性の不良や柔軟性がよくないといった問題点が依然発
生するので、このような性質等が更に向上した安定した
パラジウム合金のめっき組成物の開発が継続して求めら
れていた。本発明の発明者等は鋭意研究した結果、パラ
ジウムと金とを主要有効成分とし、場合により追加の合
金成分金属を含み、前記金属等にとって適切な一つ以上
の伝導性塩及び錯化剤を選択することによって、更に安
定し、優れたはんだ付け性及び柔軟性を有する2元又は
3元パラジウム合金めっき組成物を開発した。
パラジウム又はパラジウム合金のめっき組成物を半導体
リードフレーム及びその他電子産業部品に適用する場
合、水素脆性による内部応力が大きくなって、はんだ付
け性の不良や柔軟性がよくないといった問題点が依然発
生するので、このような性質等が更に向上した安定した
パラジウム合金のめっき組成物の開発が継続して求めら
れていた。本発明の発明者等は鋭意研究した結果、パラ
ジウムと金とを主要有効成分とし、場合により追加の合
金成分金属を含み、前記金属等にとって適切な一つ以上
の伝導性塩及び錯化剤を選択することによって、更に安
定し、優れたはんだ付け性及び柔軟性を有する2元又は
3元パラジウム合金めっき組成物を開発した。
【0005】したがって、本発明の目的は、パラジウム
と金とを主要有効成分とし、一つ以上の錯化剤及び伝導
性塩を含み、又は場合により追加の合金成分金属を含
む、優れた安定性、柔軟性及びはんだ付け性を有する2
元又は3元パラジウム合金めっき組成物を提供すること
にある。本発明の他の目的は、前記パラジウム合金めっ
き組成物を用いて半導体リードフレーム、印刷回路基
板、コネクター等並びに一般装飾及び工業用品をめっき
する方法、更にはこれによって製造されためっき製品を
提供することにある。
と金とを主要有効成分とし、一つ以上の錯化剤及び伝導
性塩を含み、又は場合により追加の合金成分金属を含
む、優れた安定性、柔軟性及びはんだ付け性を有する2
元又は3元パラジウム合金めっき組成物を提供すること
にある。本発明の他の目的は、前記パラジウム合金めっ
き組成物を用いて半導体リードフレーム、印刷回路基
板、コネクター等並びに一般装飾及び工業用品をめっき
する方法、更にはこれによって製造されためっき製品を
提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の2元パラジウム合金めっき組成物は、可溶
性パラジウム化合物形態のパラジウム4〜20g/リッ
トル、可溶性金化合物形態の金0.3〜2.0g/リッ
トル、一つ以上の伝導性(conductive)塩5
〜100g/リットル及び4−オキソペンタン酸、ベン
ズアルデヒドトリスチリルフェネート及びこれらの混合
物から選択された錯化剤0.5〜20g/リットルを含
有することを特徴とする。また、本発明の3元パラジウ
ム合金めっき組成物は、前記2元パラジウム合金めっき
組成物に、ニッケル化合物、スズ化合物、及びこれらの
混合物から選択された可溶性化合物形態の合金成分(a
lloying)金属0.3〜5g/リットルを更に含
有する、ことを特徴とする。
に、本発明の2元パラジウム合金めっき組成物は、可溶
性パラジウム化合物形態のパラジウム4〜20g/リッ
トル、可溶性金化合物形態の金0.3〜2.0g/リッ
トル、一つ以上の伝導性(conductive)塩5
〜100g/リットル及び4−オキソペンタン酸、ベン
ズアルデヒドトリスチリルフェネート及びこれらの混合
物から選択された錯化剤0.5〜20g/リットルを含
有することを特徴とする。また、本発明の3元パラジウ
ム合金めっき組成物は、前記2元パラジウム合金めっき
組成物に、ニッケル化合物、スズ化合物、及びこれらの
混合物から選択された可溶性化合物形態の合金成分(a
lloying)金属0.3〜5g/リットルを更に含
有する、ことを特徴とする。
【0007】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
パラジウム合金めっき組成物は、パラジウムと金とを主
要有効成分とし、場合により、ニッケル、及びスズから
なる群から選んだ合金成分金属を含む。
パラジウム合金めっき組成物は、パラジウムと金とを主
要有効成分とし、場合により、ニッケル、及びスズから
なる群から選んだ合金成分金属を含む。
【0008】パラジウムは、合金される金属に応じて適
切な塩形態の供給源から供給され、パラジウム金属基準
で4〜20g/リットル、好ましくは5g/リットルの
濃度で含まれる。本発明に使用される適切なパラジウム
供給源の例としては、二塩化ジアンミンパラジウム、二
塩化テトラアンミンパラジウム、二窒化ジアンミンパラ
ジウム、酸化パラジウム、硝酸パラジウム又はシアン化
パラジウムを挙げることができ、二塩化ジアンミンパラ
ジウムが好ましい。これらは、投入する前に予め適切な
伝導性塩、例えば、リン酸アンモニウムと反応させるこ
とが好ましい。
切な塩形態の供給源から供給され、パラジウム金属基準
で4〜20g/リットル、好ましくは5g/リットルの
濃度で含まれる。本発明に使用される適切なパラジウム
供給源の例としては、二塩化ジアンミンパラジウム、二
塩化テトラアンミンパラジウム、二窒化ジアンミンパラ
ジウム、酸化パラジウム、硝酸パラジウム又はシアン化
パラジウムを挙げることができ、二塩化ジアンミンパラ
ジウムが好ましい。これらは、投入する前に予め適切な
伝導性塩、例えば、リン酸アンモニウムと反応させるこ
とが好ましい。
【0009】金イオンの供給源としては、シアン化金
(I)カリウム、シアン化金(III)カリウム、塩化金
(III)又は酸化金(III)等を例として挙げることがで
き、シアン化金(I)カリウムが好ましい。これらは、
めっき組成物内で沈澱又は中和されないように予め伝導
性塩、例えば、ジエチルアミン塩酸塩と反応させて投入
することが好ましく、一般的に少量、例えば、金の金属
基準で0.3〜2.0g/リットル、好ましくは0.5
g/リットルの濃度で投入する。
(I)カリウム、シアン化金(III)カリウム、塩化金
(III)又は酸化金(III)等を例として挙げることがで
き、シアン化金(I)カリウムが好ましい。これらは、
めっき組成物内で沈澱又は中和されないように予め伝導
性塩、例えば、ジエチルアミン塩酸塩と反応させて投入
することが好ましく、一般的に少量、例えば、金の金属
基準で0.3〜2.0g/リットル、好ましくは0.5
g/リットルの濃度で投入する。
【0010】本発明の3元パラジウム合金めっき組成物
に投入される合金成分金属は、合金が良くできるように
適切な塩を選択して使用しなければならない。また、組
成物の安定性のために伝導性塩又は錯化剤と充分に反応
することができなければならないので、投入する前に予
め反応させることが好ましい。これらの合金成分金属
は、0.3〜6g/リットル、好ましくは3〜5g/リ
ットルの濃度で使用する。
に投入される合金成分金属は、合金が良くできるように
適切な塩を選択して使用しなければならない。また、組
成物の安定性のために伝導性塩又は錯化剤と充分に反応
することができなければならないので、投入する前に予
め反応させることが好ましい。これらの合金成分金属
は、0.3〜6g/リットル、好ましくは3〜5g/リ
ットルの濃度で使用する。
【0011】ニッケルの供給源としては、硫酸ニッケル
六水和物、塩化ニッケル六水和物、スルフアミン酸ニッ
ケル、フタロシアニンニッケル、炭酸ニッケル四水和
物、硝酸ニッケル、若しくは水酸化ニッケル又はこれら
の混合物等を挙げることができる。
六水和物、塩化ニッケル六水和物、スルフアミン酸ニッ
ケル、フタロシアニンニッケル、炭酸ニッケル四水和
物、硝酸ニッケル、若しくは水酸化ニッケル又はこれら
の混合物等を挙げることができる。
【0012】スズの供給源としては、塩化第1スズニ水
和物、シュウ酸第1スズ、スズ酸ナトリウム若しくはス
ズ酸カリウム又はこれらの混合物等を挙げることができ
る。
和物、シュウ酸第1スズ、スズ酸ナトリウム若しくはス
ズ酸カリウム又はこれらの混合物等を挙げることができ
る。
【0013】
【0014】前記合金成分金属は、単独でパラジウムと
良く結合することができるものもあるが、そうでないも
の等もあるので、合金成分金属を錯化させて安定しため
っきを施すことができる錯化剤を、合金成分金属に応じ
て種類及び量を適切に選択して使用することが重要であ
る。前記錯化剤としては、4−オキソペンタン酸、ベン
ズアルデヒドトリスチリルフェニル酸(phenat
e)又はこれらの混合物を一般的に0.5〜20g/リ
ットル、好ましくは1〜10g/リットルの濃度で使用
する。
良く結合することができるものもあるが、そうでないも
の等もあるので、合金成分金属を錯化させて安定しため
っきを施すことができる錯化剤を、合金成分金属に応じ
て種類及び量を適切に選択して使用することが重要であ
る。前記錯化剤としては、4−オキソペンタン酸、ベン
ズアルデヒドトリスチリルフェニル酸(phenat
e)又はこれらの混合物を一般的に0.5〜20g/リ
ットル、好ましくは1〜10g/リットルの濃度で使用
する。
【0015】前記伝導性塩も、前記合金成分金属にした
がって適切に選択すべきであり、例えば、リン酸塩、酸
化物、水酸化物、アンモニウム塩、アミン塩若しくはク
エン酸塩等、又は場合によってはアルカリ金属錯体を用
いることができ、5〜100g/リットル、好ましくは
20〜70g/リットルの濃度で使用する。前記伝導性
塩は金属と良く結合させるために金属と反応させた後で
投入し、これらの例としては、リン酸水素二ナトリウ
ム、リン酸水素二カリウム、リン酸二水素ナトリウム、
リン酸二水素アンモニウム、リン酸アンモニウム、硫酸
アンモニウム、シュウ酸アンモニウム水和物、クエン酸
アンモニウム、ジエチルアミン塩酸塩、水酸化カリウ
ム、水酸化ナトリウム、アミノ酢酸、エチレンジアミ
ン、酒石酸ナトリウムカリウム、シアン化カリウム若し
くはクエン酸カリウム又はこれらの混合物等を挙げるこ
とができる。
がって適切に選択すべきであり、例えば、リン酸塩、酸
化物、水酸化物、アンモニウム塩、アミン塩若しくはク
エン酸塩等、又は場合によってはアルカリ金属錯体を用
いることができ、5〜100g/リットル、好ましくは
20〜70g/リットルの濃度で使用する。前記伝導性
塩は金属と良く結合させるために金属と反応させた後で
投入し、これらの例としては、リン酸水素二ナトリウ
ム、リン酸水素二カリウム、リン酸二水素ナトリウム、
リン酸二水素アンモニウム、リン酸アンモニウム、硫酸
アンモニウム、シュウ酸アンモニウム水和物、クエン酸
アンモニウム、ジエチルアミン塩酸塩、水酸化カリウ
ム、水酸化ナトリウム、アミノ酢酸、エチレンジアミ
ン、酒石酸ナトリウムカリウム、シアン化カリウム若し
くはクエン酸カリウム又はこれらの混合物等を挙げるこ
とができる。
【0016】本発明のパラジウム合金めっき組成物は、
また、その他の添加剤、例えば、光沢剤、表面改善剤又
は応力減少剤を含むことができる。光沢剤としては、通
常アミノ基、アルコキシ基、芳香族アルデヒド基、不飽
和カルボキシル基等を有する化合物を0.005〜0.
05g/リットル、好ましくは0.01〜0.05g/
リットルの濃度で使用する。これらの例としては、ベン
ゼンスルホネート、フルアルデヒド、若しくはラウリル
メチルアニリン又はこれらの混合物等を挙げることがで
きる。表面改善剤及び応力減少剤は、それぞれ0.00
1〜0.05g/リットル、好ましくは0.01〜0.
02g/リットルの濃度で投入し、表面改善剤の例とし
ては、ポリエトキシ化脂肪モノアルカノールアミドがあ
り、応力減少剤の例としては、サッカリンを挙げること
ができる。
また、その他の添加剤、例えば、光沢剤、表面改善剤又
は応力減少剤を含むことができる。光沢剤としては、通
常アミノ基、アルコキシ基、芳香族アルデヒド基、不飽
和カルボキシル基等を有する化合物を0.005〜0.
05g/リットル、好ましくは0.01〜0.05g/
リットルの濃度で使用する。これらの例としては、ベン
ゼンスルホネート、フルアルデヒド、若しくはラウリル
メチルアニリン又はこれらの混合物等を挙げることがで
きる。表面改善剤及び応力減少剤は、それぞれ0.00
1〜0.05g/リットル、好ましくは0.01〜0.
02g/リットルの濃度で投入し、表面改善剤の例とし
ては、ポリエトキシ化脂肪モノアルカノールアミドがあ
り、応力減少剤の例としては、サッカリンを挙げること
ができる。
【0017】本発明のパラジウム合金めっき組成物は、
合金成分金属に応じて適切な伝導性塩及び錯化剤を使用
するので、安定性に優れ、不純物の影響をほとんど受け
ることがなく、長期間均一なめっきを維持することがで
きる。また、はんだ付けを必要とする全ての製品、例え
ば、リードフレーム、印刷回路基板、コネクター等を本
発明のパラジウム合金めっき組成物でめっきすることに
よって優れたはんだ付け性を得ることができる。本発明
のパラジウム合金めっき組成物は、パラジウム化合物、
金化合物、合金成分金属化合物、伝導性塩、錯化剤及び
その他添加剤等を直接水に溶解させるか、パラジウム化
合物、金化合物及び合金成分金属化合物を予め伝導性塩
又は錯化剤と反応させた後、水に溶解させることができ
る。
合金成分金属に応じて適切な伝導性塩及び錯化剤を使用
するので、安定性に優れ、不純物の影響をほとんど受け
ることがなく、長期間均一なめっきを維持することがで
きる。また、はんだ付けを必要とする全ての製品、例え
ば、リードフレーム、印刷回路基板、コネクター等を本
発明のパラジウム合金めっき組成物でめっきすることに
よって優れたはんだ付け性を得ることができる。本発明
のパラジウム合金めっき組成物は、パラジウム化合物、
金化合物、合金成分金属化合物、伝導性塩、錯化剤及び
その他添加剤等を直接水に溶解させるか、パラジウム化
合物、金化合物及び合金成分金属化合物を予め伝導性塩
又は錯化剤と反応させた後、水に溶解させることができ
る。
【0018】本発明のパラジウム合金めっき組成物を3
0〜40℃、好ましくは35℃で維持しながら、ここに
めっきすべき基材と陽極とを浸漬して、前記基材と陽極
とに0.5〜1.5ASD(Ampere per S
quare Decimeter)、好ましくは0.7
〜1.0ASDの電流をかけて基材をめっきさせるが、
この際にパラジウム合金めっき組成物と基材を撹拌する
ことが好ましい。本発明のパラジウム合金めっき組成物
の比重は、めっき方法によって異なるが、一般的に10
〜25ボーメ(Baume)であり、pHは、弱酸性〜
アルカリ性で、好ましくはpH5〜13である。
0〜40℃、好ましくは35℃で維持しながら、ここに
めっきすべき基材と陽極とを浸漬して、前記基材と陽極
とに0.5〜1.5ASD(Ampere per S
quare Decimeter)、好ましくは0.7
〜1.0ASDの電流をかけて基材をめっきさせるが、
この際にパラジウム合金めっき組成物と基材を撹拌する
ことが好ましい。本発明のパラジウム合金めっき組成物
の比重は、めっき方法によって異なるが、一般的に10
〜25ボーメ(Baume)であり、pHは、弱酸性〜
アルカリ性で、好ましくはpH5〜13である。
【0019】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説明
するが、これらは例示するものみであり、本発明の範囲
を制限するものではない。下記実施例では、はんだ付け
性及び柔軟性の試験を次のように実施した。 1.はんだ付け性 本発明のパラジウム合金めっき組成物でめっきした基材
を175℃で3分間硬化させた後、更に175℃で3時
間硬化させた。その後、145℃で96時間加熱した
後、95℃の蒸気で32時間老化(Ageing)させ
た後、フラックス(Kester)に3秒間浸漬させ、
260℃で3秒間ハンダ付けして、めっきの均一度を顕
微鏡(Nikon Measurescope UM−
2,25X)で確認した。 2.柔軟性 めっきした基材を90゜の角度に曲げた時、亀裂が発生
するか否かを肉眼で確認した。
するが、これらは例示するものみであり、本発明の範囲
を制限するものではない。下記実施例では、はんだ付け
性及び柔軟性の試験を次のように実施した。 1.はんだ付け性 本発明のパラジウム合金めっき組成物でめっきした基材
を175℃で3分間硬化させた後、更に175℃で3時
間硬化させた。その後、145℃で96時間加熱した
後、95℃の蒸気で32時間老化(Ageing)させ
た後、フラックス(Kester)に3秒間浸漬させ、
260℃で3秒間ハンダ付けして、めっきの均一度を顕
微鏡(Nikon Measurescope UM−
2,25X)で確認した。 2.柔軟性 めっきした基材を90゜の角度に曲げた時、亀裂が発生
するか否かを肉眼で確認した。
【0020】実施例1 表1に示す成分を蒸留水に入れて、パラジウムと金との
2元パラジウム合金めっき組成物(pH5,35℃)1
リットルを製造した。
2元パラジウム合金めっき組成物(pH5,35℃)1
リットルを製造した。
【0021】
【表1】
【0022】前記の方法で製造した2元パラジウム合金
めっき組成物を用いて、1.0ASDの電流密度でリー
ドフレームをめっきして、パラジウム70%、金30%
の合金比率を有し、表面が均一な薄い灰色のめっきを得
た。めっきしたリードフレームについて前記の方法では
んだ付け性を試験した結果、100%はんだ付け性が確
認され、柔軟性試験でも亀裂が全く発生しなかった。
めっき組成物を用いて、1.0ASDの電流密度でリー
ドフレームをめっきして、パラジウム70%、金30%
の合金比率を有し、表面が均一な薄い灰色のめっきを得
た。めっきしたリードフレームについて前記の方法では
んだ付け性を試験した結果、100%はんだ付け性が確
認され、柔軟性試験でも亀裂が全く発生しなかった。
【0023】実施例2 表2に示す成分を蒸留水に入れて、1リットルの3元パ
ラジウム合金めっき組成物(pH10,35℃)を製造
した。
ラジウム合金めっき組成物(pH10,35℃)を製造
した。
【0024】
【表2】
【0025】前記の方法で製造したパラジウム合金めっ
き組成物1リットルを使用して、0.7〜1.0ASD
の電流密度でリードフレーム(MOTOROLA 14
Lead SOIC)をめっきして、パラジウム75
%、ニッケル20%、金5%の合金比率を有する18〜
20K程度の光沢度のめっきを得た。めっきしたリード
フレームについて前記の方法ではんだ付け性を試験した
結果、100%はんだ付け性が確認され、柔軟性試験で
も亀裂が全く発生しなかった。
き組成物1リットルを使用して、0.7〜1.0ASD
の電流密度でリードフレーム(MOTOROLA 14
Lead SOIC)をめっきして、パラジウム75
%、ニッケル20%、金5%の合金比率を有する18〜
20K程度の光沢度のめっきを得た。めっきしたリード
フレームについて前記の方法ではんだ付け性を試験した
結果、100%はんだ付け性が確認され、柔軟性試験で
も亀裂が全く発生しなかった。
【0026】
【0027】
【0028】
【0029】
【0030】
【0031】
【0032】実施例3 表3に示す成分を蒸留水に入れて、1リットルの3元パ
ラジウム合金めっき組成物(pH10,35℃)を製造
した。この時、金供給源は、めっき液の充分な安定性の
ために、伝導性塩と反応させた後に投入した。
ラジウム合金めっき組成物(pH10,35℃)を製造
した。この時、金供給源は、めっき液の充分な安定性の
ために、伝導性塩と反応させた後に投入した。
【0033】
【表3】
【0034】前記の方法で製造したパラジウム合金めっ
き組成物1リットルを用いて、0.8〜1.5ASDの
電流密度でリードフレームをめっきして、パラジウム9
0%、スズ6%及び金4%の合金比率を有する20Kの
光沢度のめっきを得た。めっきしたリードフレームのは
んだ付け性を試験した結果、99%はんだ付け性が確認
され、柔軟性試験でも亀裂が全く発生しなかった。
き組成物1リットルを用いて、0.8〜1.5ASDの
電流密度でリードフレームをめっきして、パラジウム9
0%、スズ6%及び金4%の合金比率を有する20Kの
光沢度のめっきを得た。めっきしたリードフレームのは
んだ付け性を試験した結果、99%はんだ付け性が確認
され、柔軟性試験でも亀裂が全く発生しなかった。
【0035】実施例4 表4に示す成分を蒸留水に入れて、1リットルの3元パ
ラジウム合金めっき組成物(pH10,35℃)を製造
した。この時、タングステン供給源は伝導性塩及び錯化
剤で予め反応させてから投入した。
ラジウム合金めっき組成物(pH10,35℃)を製造
した。この時、タングステン供給源は伝導性塩及び錯化
剤で予め反応させてから投入した。
【0036】
【表4】
【0037】前記の方法で製造したパラジウム合金めっ
き組成物1リットルを使用して、0.7〜1.2ASD
の電流密度で基材をめっきして、パラジウム90%、金
5%及びタングステン5%の合金比率を有する20〜2
2Kのめっきを得た。めっきしたリードフレームのはん
だ付け性を試験した結果、100%はんだ付け性が確認
され、柔軟性試験でも亀裂が全く発生しなかった。
き組成物1リットルを使用して、0.7〜1.2ASD
の電流密度で基材をめっきして、パラジウム90%、金
5%及びタングステン5%の合金比率を有する20〜2
2Kのめっきを得た。めっきしたリードフレームのはん
だ付け性を試験した結果、100%はんだ付け性が確認
され、柔軟性試験でも亀裂が全く発生しなかった。
【0038】比較実施例 表5に示す成分を蒸留水に入れて、1リットルのめっき
組成物(35℃,pH10)を製造した。
組成物(35℃,pH10)を製造した。
【0039】
【表5】
【0040】前記の方法で製造しためっき組成物1リッ
トルを使用して、0.5〜1.0ASDの電流密度でリ
ードフレームをめっきした。めっきしたリードフレーム
について前記の方法ではんだ付け性を試験した結果、は
んだ付け性が65%の不良状態であるものと確認され、
柔軟性試験でも亀裂が発生した。
トルを使用して、0.5〜1.0ASDの電流密度でリ
ードフレームをめっきした。めっきしたリードフレーム
について前記の方法ではんだ付け性を試験した結果、は
んだ付け性が65%の不良状態であるものと確認され、
柔軟性試験でも亀裂が発生した。
【0041】
【発明の効果】本発明のパラジウム合金めっき組成物
は、合金成分金属イオンに応じて適切な伝導性塩及び錯
化剤を使用するので、安定性に優れ、不純物の影響をほ
とんど受けることがなく、長期間均一なめっきを維持す
ることができる。また、はんだ付けを必要とする全ての
製品、例えば、リードフレーム、印刷回路基板、コネク
ター等を本発明のパラジウム合金めっき組成物でめっき
することによって優れたはんだ付け性を得ることができ
る。
は、合金成分金属イオンに応じて適切な伝導性塩及び錯
化剤を使用するので、安定性に優れ、不純物の影響をほ
とんど受けることがなく、長期間均一なめっきを維持す
ることができる。また、はんだ付けを必要とする全ての
製品、例えば、リードフレーム、印刷回路基板、コネク
ター等を本発明のパラジウム合金めっき組成物でめっき
することによって優れたはんだ付け性を得ることができ
る。
Claims (11)
- 【請求項1】 可溶性パラジウム化合物形態のパラジウ
ム4〜20g/リットル、可溶性金化合物形態の金0.
3〜2.0g/リットル、一つ以上の伝導性塩5〜10
0g/リットル及び4−オキソペンタン酸、ベンズアル
デヒドトリスチリルフェネート及びこれらの混合物から
選択された錯化剤0.5〜20g/リットルを含有する
ことを特徴とするパラジウム−金合金めっき組成物。 - 【請求項2】 前記パラジウム化合物が、二塩化ジアン
ミンパラジウム、二塩化テトラアンミンパラジウム、二
窒化ジアンミンパラジウム、酸化パラジウム、硝酸パラ
ジウム及びシアン化パラジウムからなる群から選択され
た化合物である請求項1記載の組成物。 - 【請求項3】 前記金化合物が、シアン化金(I)カリ
ウム、シアン化金(III)カリウム、塩化金(II
I)及び酸化金(III)からなる群から選択された化
合物である請求項1記載の組成物。 - 【請求項4】 ニッケル化合物、スズ化合物及びこれら
の混合物から選択された可溶性化合物形態の合金成分金
属0.3〜5g/リットルを更に含有する請求項1記載
の組成物。 - 【請求項5】 前記ニッケル化合物が、硫酸ニッケル六
水和物、塩化ニッケル六水和物、スルファミン酸ニッケ
ル、フタロシアニンニッケル、炭酸ニッケル四水和物、
硝酸ニッケル、水酸化ニッケル又はこれらの混合物であ
る請求項4記載の組成物。 - 【請求項6】 前記スズ化合物が、塩化第一スズ二水和
物、シュウ酸第一スズ、スズ酸ナトリウム、スズ酸カリ
ウム又はこれらの混合物である請求項4記載の組成物。 - 【請求項7】 光沢剤0.005〜0.05g/リット
ル、表面改善剤0.001〜0.05g/リットル、応
力減少剤0.001〜0.05g/リットル、又はこれ
らの混合物を更に含有する請求項1又は4に記載の組成
物。 - 【請求項8】 前記光沢剤が、ベンゼンスルホネート、
フルアルデヒド、ラウリルメチルアニリン及びこれらの
混合物からなる群から選択された化合物である請求項7
記載の組成物。 - 【請求項9】 前記表面改善剤が、ポリエトキシ化脂肪
モノアルカノールアミドである請求項7記載の組成物。 - 【請求項10】 前記応力減少剤が、サッカリンである
請求項7記載の組成物。 - 【請求項11】 請求項1に記載のめっき組成物に、リ
ードフレーム、印刷回路基板及びコネクターから選択さ
れためっきすべき基材と陽極とを浸漬させ、前記組成物
を30〜40℃に維持しながら、0.5〜1.5ASD
の電流密度を前記基材と前記陽極とにかけて、前記基材
をめっきすることを含む、パラジウム合金組成物を基材
の上にめっきする方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1994/3550 | 1994-02-26 | ||
KR19940003550 | 1994-02-26 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0853791A JPH0853791A (ja) | 1996-02-27 |
JP2645701B2 true JP2645701B2 (ja) | 1997-08-25 |
Family
ID=19377854
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7062011A Expired - Fee Related JP2645701B2 (ja) | 1994-02-26 | 1995-02-25 | パラジウム合金めっき組成物、及びめっき方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5552031A (ja) |
JP (1) | JP2645701B2 (ja) |
KR (1) | KR0171685B1 (ja) |
GB (1) | GB2287717B (ja) |
TW (1) | TW379259B (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997017482A1 (en) * | 1995-11-03 | 1997-05-15 | Enthone-Omi Inc. | Electroplating processes compositions and deposits |
JPH09232493A (ja) * | 1995-12-20 | 1997-09-05 | Seiichi Serizawa | リードフレーム |
US5976344A (en) * | 1996-05-10 | 1999-11-02 | Lucent Technologies Inc. | Composition for electroplating palladium alloys and electroplating process using that composition |
JP3685276B2 (ja) * | 1996-07-01 | 2005-08-17 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | パラジウム・銀合金めっき浴 |
US6534192B1 (en) * | 1999-09-24 | 2003-03-18 | Lucent Technologies Inc. | Multi-purpose finish for printed wiring boards and method of manufacture of such boards |
CN1113981C (zh) * | 1999-09-30 | 2003-07-09 | 上海交通大学 | 用于微特电机换向器的电刷镀钯工艺 |
FR2807450B1 (fr) * | 2000-04-06 | 2002-07-05 | Engelhard Clal Sas | Bain electrolytique destine au depot electrochimique du palladium ou de ses alliages |
GB0500898D0 (en) * | 2005-01-18 | 2005-02-23 | Smith & Nephew | Gold-protein coagulation |
US20080173470A1 (en) * | 2005-10-03 | 2008-07-24 | Michael Barbetta | Combined Solderable Multi-Purpose Surface Finishes on Circuit Boards and Method of Manufacture of Such Boards |
JP4945193B2 (ja) * | 2006-08-21 | 2012-06-06 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | 硬質金合金めっき液 |
JP2008081765A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | パラジウム合金めっき液及びそのめっき液を用いためっき方法。 |
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US8257720B2 (en) * | 2009-04-20 | 2012-09-04 | Conopco, Inc. | Stabilized cationic ammonium compounds and compositions comprising the same |
CA2759813A1 (en) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Rmit University | Electrodeposited gold nanostructures |
US8324255B2 (en) | 2009-09-15 | 2012-12-04 | Conopco, Inc. | Chelator stabilized cationic ammonium compounds and compositions comprising the same |
US9004960B2 (en) * | 2012-08-10 | 2015-04-14 | Apple Inc. | Connector with gold-palladium plated contacts |
JP5758361B2 (ja) * | 2012-08-31 | 2015-08-05 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | ノンシアン系金‐パラジウム合金めっき液及びめっき方法 |
DE102013110263A1 (de) * | 2013-09-18 | 2015-03-19 | Harting Kgaa | Galvanisches Bad |
US20160145756A1 (en) * | 2014-11-21 | 2016-05-26 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Environmentally friendly gold electroplating compositions and methods |
CN109477233B (zh) * | 2016-06-06 | 2022-07-08 | 联邦科学和工业研究组织 | 在基材上形成Pd-Au合金层的方法 |
WO2018004201A1 (ko) * | 2016-06-29 | 2018-01-04 | 동국대학교 경주캠퍼스 산학협력단 | 미세분무용 다공성 필터의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 다공성 필터 |
CN107937944A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-04-20 | 江苏澳光电子有限公司 | 一种金‑钼合金表面镀钯的渡液及其应用 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5123112B2 (ja) * | 1972-06-05 | 1976-07-14 | ||
JPS5435866A (en) * | 1977-08-25 | 1979-03-16 | Nippon Koki Kk | Method of making dressed metal sheet |
JPS5536717A (en) * | 1978-09-06 | 1980-03-14 | Hitachi Ltd | Time display unit |
JPS5747892A (en) * | 1980-09-03 | 1982-03-18 | Nippon Dento Kogyo Kk | Gold-palladium alloy plating solution |
JPS5760438A (en) * | 1980-09-30 | 1982-04-12 | Fujitsu Ltd | File acess system |
JPS609116A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-18 | Hitachi Ltd | 半導体製造方法 |
JPS608315A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-17 | Toshiba Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
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JPS62139893A (ja) * | 1985-12-12 | 1987-06-23 | リ−ロ−ナル インコ−ポレ−テツド | パラジウムまたはパラジウム合金の電着用アルカリ性めつき浴および電着方法 |
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JPH0219197A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 洗濯機の制御装置 |
US4911798A (en) * | 1988-12-20 | 1990-03-27 | At&T Bell Laboratories | Palladium alloy plating process |
JP2793864B2 (ja) * | 1989-12-02 | 1998-09-03 | エヌ・イーケムキヤツト株式会社 | 金めつき液およびめつき方法 |
-
1995
- 1995-01-17 KR KR1019950000653A patent/KR0171685B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-01-18 GB GB9500884A patent/GB2287717B/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-01-18 TW TW084100423A patent/TW379259B/zh not_active IP Right Cessation
- 1995-02-21 US US08/391,978 patent/US5552031A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-02-25 JP JP7062011A patent/JP2645701B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB9500884D0 (en) | 1995-03-08 |
KR950025119A (ko) | 1995-09-15 |
TW379259B (en) | 2000-01-11 |
GB2287717A (en) | 1995-09-27 |
KR0171685B1 (ko) | 1999-02-18 |
GB2287717B (en) | 1997-09-24 |
JPH0853791A (ja) | 1996-02-27 |
US5552031A (en) | 1996-09-03 |
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