JP2643673B2 - 大電力マイクロストリップ電力合成器 - Google Patents
大電力マイクロストリップ電力合成器Info
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- JP2643673B2 JP2643673B2 JP3203701A JP20370191A JP2643673B2 JP 2643673 B2 JP2643673 B2 JP 2643673B2 JP 3203701 A JP3203701 A JP 3203701A JP 20370191 A JP20370191 A JP 20370191A JP 2643673 B2 JP2643673 B2 JP 2643673B2
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- Japan
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- plate
- transmission line
- power
- conductor
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- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＶＨＦ帯以上の周波数帯
で使用される大電力マイクロストリップ型電力合成器の
構造に関する。
で使用される大電力マイクロストリップ型電力合成器の
構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、大電力合成器として、同軸型合成
器が提案されている。この同軸型合成器は、同軸配置さ
れた内導体の外径及び外導体の内径の間の誘電率により
インピーダンス変成器を構成する。この同軸型電力合成
器は伝送電力に合わせて外導体と内導体を選定できるた
め、容易に大電力合成器を制作することができ、インピ
ーダンス変成器型（トランスフォーマ型）合成器として
一般的に使用されている。しかしながら、この電力合成
器では、ＶＨＦ４０〜６０ＭＨZ の周波数ではインピー
ダンス変成部の長さが３ｍにもおよび、装置内に電力合
成器を実装することが困難である。そのため、近年では
小型化が容易なマイクロストリップ型の電力合成器が実
用に供されている。
器が提案されている。この同軸型合成器は、同軸配置さ
れた内導体の外径及び外導体の内径の間の誘電率により
インピーダンス変成器を構成する。この同軸型電力合成
器は伝送電力に合わせて外導体と内導体を選定できるた
め、容易に大電力合成器を制作することができ、インピ
ーダンス変成器型（トランスフォーマ型）合成器として
一般的に使用されている。しかしながら、この電力合成
器では、ＶＨＦ４０〜６０ＭＨZ の周波数ではインピー
ダンス変成部の長さが３ｍにもおよび、装置内に電力合
成器を実装することが困難である。そのため、近年では
小型化が容易なマイクロストリップ型の電力合成器が実
用に供されている。
【０００３】図３はその一例の部分分解斜視、図４はそ
の組立状態の断面図である。この合成器は外部導体シャ
ーシ１内に両面銅箔基板２０を固定し、この基板２０の
片面の銅箔をフォトエッチングするとともに、他の面の
銅箔を接地部とすることでマイクロストリップ線路２１
を構成し、この線路で伝送線路やインピーダンス変成部
を形成してマイクロストリップ型電力合成器を構成して
いる。この両面銅箔基板２０の材料としては、ＶＨＦ帯
では誘電体損失の低減化、誘電率が安定であることか
ら、一般にテフロン基板が用いられている。テフロン基
板はガラス繊維にテフロンをしみ込ませて固め、表と裏
の両面に厚さ３０μｍの銅箔を貼り付けたものである。
尚、２は入力端子であり、その内部導体４を接続片２２
により前記マイクロストリップ線路に接続している。
又、１４はカバーである。
の組立状態の断面図である。この合成器は外部導体シャ
ーシ１内に両面銅箔基板２０を固定し、この基板２０の
片面の銅箔をフォトエッチングするとともに、他の面の
銅箔を接地部とすることでマイクロストリップ線路２１
を構成し、この線路で伝送線路やインピーダンス変成部
を形成してマイクロストリップ型電力合成器を構成して
いる。この両面銅箔基板２０の材料としては、ＶＨＦ帯
では誘電体損失の低減化、誘電率が安定であることか
ら、一般にテフロン基板が用いられている。テフロン基
板はガラス繊維にテフロンをしみ込ませて固め、表と裏
の両面に厚さ３０μｍの銅箔を貼り付けたものである。
尚、２は入力端子であり、その内部導体４を接続片２２
により前記マイクロストリップ線路に接続している。
又、１４はカバーである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の銅箔基板に
よるマイクロストリップ型電力合成器は、平面回路で構
成されるため、小型化が容易であり、又、入出力端子の
配置はマイクロストリップ線路を引き回すことにより自
由に選べるという利点がある。しかしながら、銅箔によ
る伝送線路は３０μｍと極めて薄く、抵抗損失による発
熱を軽減するためにはマイクロストリップ線路幅が広く
なり、平面回路を構成するスペースが限定される場合に
は大電力化が困難になるという問題がある。又、銅箔と
誘電体基板の接着には、エポキシ系の接着剤が使用され
るが、発熱によって接着強度が劣化し、信頼性が劣化さ
れるという問題がある。本発明の目的は、大電力化を可
能とし、かつ信頼性を改善した小型のマイクロストリッ
プ型の大電力合成器を提供することにある。
よるマイクロストリップ型電力合成器は、平面回路で構
成されるため、小型化が容易であり、又、入出力端子の
配置はマイクロストリップ線路を引き回すことにより自
由に選べるという利点がある。しかしながら、銅箔によ
る伝送線路は３０μｍと極めて薄く、抵抗損失による発
熱を軽減するためにはマイクロストリップ線路幅が広く
なり、平面回路を構成するスペースが限定される場合に
は大電力化が困難になるという問題がある。又、銅箔と
誘電体基板の接着には、エポキシ系の接着剤が使用され
るが、発熱によって接着強度が劣化し、信頼性が劣化さ
れるという問題がある。本発明の目的は、大電力化を可
能とし、かつ信頼性を改善した小型のマイクロストリッ
プ型の大電力合成器を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の大電力マイクロ
ストリップ型電力合成器は、外部導体シャーシ内に設け
られる板状誘電体を切削加工が容易なセラミック板で構
成し、かつこの板状誘電体の表面に形成される伝送線路
導体を所要形状に加工された銅板で構成する。又、伝送
線路導体をネジにより板状誘電体に一体的に固定し、板
状誘電体をネジにより外部導体シャーシに固定して合成
器を構成する。
ストリップ型電力合成器は、外部導体シャーシ内に設け
られる板状誘電体を切削加工が容易なセラミック板で構
成し、かつこの板状誘電体の表面に形成される伝送線路
導体を所要形状に加工された銅板で構成する。又、伝送
線路導体をネジにより板状誘電体に一体的に固定し、板
状誘電体をネジにより外部導体シャーシに固定して合成
器を構成する。
【０００６】
【作用】本発明によれば、銅板の板厚によって熱を放散
させて温度上昇を軽減し、かつ接着剤を用いることなく
構成でき、電力合成器の大電力化を実現する。
させて温度上昇を軽減し、かつ接着剤を用いることなく
構成でき、電力合成器の大電力化を実現する。
【０００７】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の大電力マイクロストリップ電力合成
器の一実施例の部分分解斜視図、図２はその組立状態の
断面図である。金属材料で上部が開口した箱状に形成さ
れた外部導体シャーシ１はマイクロストリップ線路の接
地部を構成するとともに、一側面には一対の入力端子２
が並んで配設され、他側面には１つの出力端子３が配設
される。これらの端子２，３は夫々外導体が前記外部導
体シャーシ１に接続され、内導体４が外部導体シャーシ
１の内部に突出される。
る。図１は本発明の大電力マイクロストリップ電力合成
器の一実施例の部分分解斜視図、図２はその組立状態の
断面図である。金属材料で上部が開口した箱状に形成さ
れた外部導体シャーシ１はマイクロストリップ線路の接
地部を構成するとともに、一側面には一対の入力端子２
が並んで配設され、他側面には１つの出力端子３が配設
される。これらの端子２，３は夫々外導体が前記外部導
体シャーシ１に接続され、内導体４が外部導体シャーシ
１の内部に突出される。
【０００８】前記外部導体シャーシ１の内底面には誘電
体として厚さ５〜１０mmのセラミック板５がネジ６で固
定される。このセラミック板５には加工性に優れた切削
性のあるマシナブルセラミック材料が用いられる。この
ようなセラミック材料には、例えば“マセライト”の商
品名で市販されているものが採用できる。前記ネジ６は
セラミック板５に切削加工された挿通穴７を通して外部
導体シャーシ１に螺合される。
体として厚さ５〜１０mmのセラミック板５がネジ６で固
定される。このセラミック板５には加工性に優れた切削
性のあるマシナブルセラミック材料が用いられる。この
ようなセラミック材料には、例えば“マセライト”の商
品名で市販されているものが採用できる。前記ネジ６は
セラミック板５に切削加工された挿通穴７を通して外部
導体シャーシ１に螺合される。
【０００９】前記セラミック板５の上面には厚さ２mmの
銅板で構成された伝送線路導体８がネジ９により固定さ
れる。このネジ９は伝送線路導体８に開設された挿通穴
１３を通してセラミック板５に切削加工したネジ穴１０
に螺合される。前記伝送線路導体８は、前記出力端子３
側に配置された１本のインピーダンス変成部１１と、二
股状に形成された伝送線路１２とで構成される。又、こ
れらインピーダンス変成部１１と伝送線路１２の各端部
１１ａ，１２ａはＬ字型に折り起こされて前記各端子
２，３の内導体４に図外のネジ等によって接続される。
１４はカバーである。
銅板で構成された伝送線路導体８がネジ９により固定さ
れる。このネジ９は伝送線路導体８に開設された挿通穴
１３を通してセラミック板５に切削加工したネジ穴１０
に螺合される。前記伝送線路導体８は、前記出力端子３
側に配置された１本のインピーダンス変成部１１と、二
股状に形成された伝送線路１２とで構成される。又、こ
れらインピーダンス変成部１１と伝送線路１２の各端部
１１ａ，１２ａはＬ字型に折り起こされて前記各端子
２，３の内導体４に図外のネジ等によって接続される。
１４はカバーである。
【００１０】この構成によれば、マイクロストリップ線
路は、外部導体シャー１と、所要の厚さの銅板からなる
伝送線路導体８と、セラミック板５とで構成されるた
め、伝送線路導体８の抵抗損失によって発生される熱を
銅板によって分散させるとともに、セラミック板５の放
熱効果によって伝送線路導体８の温度上昇を軽減するこ
とが可能となる。又、セラミック板５に、高耐電圧、高
誘電率の材料を使用することで、セラミック板５を薄く
でき、かつ波長短縮効果による小型化が可能となる。更
に、セラミック板５は切削加工が容易であるため、セラ
ミック板５を外部導体シャーシ１に固定する際、及びセ
ラミック板５上に伝送線路導体８を固定する際に夫々ネ
ジ６，９を用いた固定構造が採用でき、製造及び組立て
を容易に行うことができる。
路は、外部導体シャー１と、所要の厚さの銅板からなる
伝送線路導体８と、セラミック板５とで構成されるた
め、伝送線路導体８の抵抗損失によって発生される熱を
銅板によって分散させるとともに、セラミック板５の放
熱効果によって伝送線路導体８の温度上昇を軽減するこ
とが可能となる。又、セラミック板５に、高耐電圧、高
誘電率の材料を使用することで、セラミック板５を薄く
でき、かつ波長短縮効果による小型化が可能となる。更
に、セラミック板５は切削加工が容易であるため、セラ
ミック板５を外部導体シャーシ１に固定する際、及びセ
ラミック板５上に伝送線路導体８を固定する際に夫々ネ
ジ６，９を用いた固定構造が採用でき、製造及び組立て
を容易に行うことができる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、板状誘電
体を切削加工が容易なセラミック板で構成し、かつ伝送
線路導体を銅板で構成することにより、発生された熱を
伝送線路導体及びセラミック板を通して効果的に放散
し、電力合成器の温度上昇を軽減することができる。
又、セラミック板の高耐圧電圧及び高誘電率を利用して
セラミック板を薄型化し、波長短縮効果による小型化を
図ることができる。更に、伝送線路導体及び板状誘電体
の組み付けに接着剤を用いずにネジを用いているので、
温度による信頼性の低下が生じることもない。
体を切削加工が容易なセラミック板で構成し、かつ伝送
線路導体を銅板で構成することにより、発生された熱を
伝送線路導体及びセラミック板を通して効果的に放散
し、電力合成器の温度上昇を軽減することができる。
又、セラミック板の高耐圧電圧及び高誘電率を利用して
セラミック板を薄型化し、波長短縮効果による小型化を
図ることができる。更に、伝送線路導体及び板状誘電体
の組み付けに接着剤を用いずにネジを用いているので、
温度による信頼性の低下が生じることもない。
【図１】本発明の電力合成器の一実施例の部分分解斜視
図である。
図である。
【図２】図１の組立状態の断面図である。
【図３】従来の電力合成器の一例の部分分解斜視図であ
る。
る。
【図４】図３の組立状態の断面図である。
１ 外部導体シャーシ ２ 入力端子 ３ 出力端子 ５ セラミック板 ６ ネジ ８ 伝送線路導体 ９ ネジ １１ インピーダンス変成器 １２ 伝送線路
Claims (1)
- 【請求項１】 外部導体シャーシと、この外部導体シャ
ーシ内に固定された板状誘電体と、この板状誘電体の表
面に形成された伝送線路導体とでマイクロストリップ伝
送線路を構成してなる電力合成器において、前記板状誘
電体は切削加工が容易なセラミック板で構成し、前記伝
送線路導体は所要形状に加工された銅板で構成し、かつ
前記伝送線路導体をネジにより前記板状誘電体に一体的
に固定し、前記板状誘電体をネジにより外部導体シャー
シに固定したことを特徴とする大電力マイクロストリッ
プ電力合成器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3203701A JP2643673B2 (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 大電力マイクロストリップ電力合成器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3203701A JP2643673B2 (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 大電力マイクロストリップ電力合成器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529812A JPH0529812A (ja) | 1993-02-05 |
| JP2643673B2 true JP2643673B2 (ja) | 1997-08-20 |
Family
ID=16478421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3203701A Expired - Fee Related JP2643673B2 (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 大電力マイクロストリップ電力合成器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2643673B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002353726A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 小型アンテナ |
| CN109524751B (zh) * | 2017-09-20 | 2021-10-12 | 株式会社东芝 | 高频电力合成器 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6261402A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | マイクロ波電力分配器 |
-
1991
- 1991-07-19 JP JP3203701A patent/JP2643673B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0529812A (ja) | 1993-02-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090502 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100502 Year of fee payment: 13 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |