JP2633572B2 - 光磁気記録体 - Google Patents
光磁気記録体Info
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- JP2633572B2 JP2633572B2 JP62198713A JP19871387A JP2633572B2 JP 2633572 B2 JP2633572 B2 JP 2633572B2 JP 62198713 A JP62198713 A JP 62198713A JP 19871387 A JP19871387 A JP 19871387A JP 2633572 B2 JP2633572 B2 JP 2633572B2
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- Japan
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- magneto
- optical recording
- protective layer
- substrate
- recording medium
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気記録特性を長期間に亘って安定に保
持し続けることのできるプラスチック基板製の光磁気記
録体に関する。
持し続けることのできるプラスチック基板製の光磁気記
録体に関する。
基板上に保護層を介して光磁気記録層を設けた光磁気
記録体は公知である。すなわち、特開昭60−201546号公
報には、基板上に硫化カドミウム（CdS）からなる保護
層を介して記録層を設けた光磁気記録体が記載されてい
る。また、特開昭61−202351号公報には、基板上にセレ
ン化亜鉛（ZnSe）等のセレン化合物からなる保護層を介
して記録層を設けた光磁気記録体が記載されている。
記録体は公知である。すなわち、特開昭60−201546号公
報には、基板上に硫化カドミウム（CdS）からなる保護
層を介して記録層を設けた光磁気記録体が記載されてい
る。また、特開昭61−202351号公報には、基板上にセレ
ン化亜鉛（ZnSe）等のセレン化合物からなる保護層を介
して記録層を設けた光磁気記録体が記載されている。
これらの公知文献に代表される保護層を有する光磁気
記録体のうち、基板として透明プラスチックを使用した
従来のものは、保護層を有しない光磁気記録体に比べれ
ば、記録層の酸化劣化が押さえられて比較的長期間に亘
り光磁気記録特性が保持できる。しかし、光磁気記録体
の目的からいって、その記録特性の保持期間は出来る限
り長いほうがよく、この点からいってガラス基板や金属
基板に比べて光磁気記録特性保持性能の劣るプラスチッ
ク基板は、まだ改善の余地がある。
記録体のうち、基板として透明プラスチックを使用した
従来のものは、保護層を有しない光磁気記録体に比べれ
ば、記録層の酸化劣化が押さえられて比較的長期間に亘
り光磁気記録特性が保持できる。しかし、光磁気記録体
の目的からいって、その記録特性の保持期間は出来る限
り長いほうがよく、この点からいってガラス基板や金属
基板に比べて光磁気記録特性保持性能の劣るプラスチッ
ク基板は、まだ改善の余地がある。
事実、特開昭60−201546号公報には、磁性層の酸化劣
化をCdS層が防止し、長期に亘って安定した光磁気記録
性を維持できると一般記載があるものの、プラスチック
基板を使用したものの光磁気記録体特性の経時データは
ない。特開昭61−202351号公報にも、ガラス基板を使用
した光磁気特性の経時データがあるものの、プラスチッ
ク基板を使用したものについてはない。
化をCdS層が防止し、長期に亘って安定した光磁気記録
性を維持できると一般記載があるものの、プラスチック
基板を使用したものの光磁気記録体特性の経時データは
ない。特開昭61−202351号公報にも、ガラス基板を使用
した光磁気特性の経時データがあるものの、プラスチッ
ク基板を使用したものについてはない。
このように、従来のプラスチック基板製の光磁気特性
が長期間に亘って安定に維持できないのは、従来使用さ
れているプラスチック基板が、ポリメチルメタクリレー
ト（PMMA）やポリカーボネート（PC）であるため、プラ
スチック自体の吸水性が高く、記録層の酸化速度を進め
ているためと考えられる。
が長期間に亘って安定に維持できないのは、従来使用さ
れているプラスチック基板が、ポリメチルメタクリレー
ト（PMMA）やポリカーボネート（PC）であるため、プラ
スチック自体の吸水性が高く、記録層の酸化速度を進め
ているためと考えられる。
本発明は、プラスチック基板を使用した光磁気記録体
の長期光磁気特性維持の改良を目的としたものであり、
しかも基板と保護層との密着性も良好なプラスチック製
光磁気記録体に関する。
の長期光磁気特性維持の改良を目的としたものであり、
しかも基板と保護層との密着性も良好なプラスチック製
光磁気記録体に関する。
（問題点を解決するための手段） すなわち、本発明は、透明プラスチック基板上に少な
くとも保護層を介して光磁気記録層とが積層されてなる
光磁気記録体において、基板を構成する透明プラスチッ
クは構成モノマーが少なくともエチレンと式（１）で示
される環状オレフインとからなる共重合体であり、か
つ、共重合体中で式（１）のモノマー単位は式（２）で
示される構造を採る実質的に非晶質の共重合体であっ
て、保護層はSi3N4、AIN、ZnSe、ZnS、SiまたはCdSから
なることを特徴とする光磁気記録体である。
くとも保護層を介して光磁気記録層とが積層されてなる
光磁気記録体において、基板を構成する透明プラスチッ
クは構成モノマーが少なくともエチレンと式（１）で示
される環状オレフインとからなる共重合体であり、か
つ、共重合体中で式（１）のモノマー単位は式（２）で
示される構造を採る実質的に非晶質の共重合体であっ
て、保護層はSi3N4、AIN、ZnSe、ZnS、SiまたはCdSから
なることを特徴とする光磁気記録体である。
（式中、R1〜R12は水素、アルキル基又はハロゲンであ
って各同一又は異なっていてもよく、更にR9又はR10とR
11又はR12は互いに環を形成していてもよい。ｎは０又
は１以上の正数であって、R5〜R8が複数回繰り返される
場合にはこれらは各同一又は異なっていてもよい。） 〔作用〕 基板を構成する透明プラスチックは、前記に示したよ
うに、少なくともエチレンと式（１）のモノマーとの共
重合体である。式（１）で示されるモノマーとしては種
々存在するが、光磁気記録時におけるレーザー光加熱に
対する耐熱性、モノマー成分の合成のし易さ、入手のし
易さ、あるいは経済性等の面から、式（１）においてｎ
＝１のモノマーが好ましく、さらには、R1〜R12が水素
であるものが好ましい。
って各同一又は異なっていてもよく、更にR9又はR10とR
11又はR12は互いに環を形成していてもよい。ｎは０又
は１以上の正数であって、R5〜R8が複数回繰り返される
場合にはこれらは各同一又は異なっていてもよい。） 〔作用〕 基板を構成する透明プラスチックは、前記に示したよ
うに、少なくともエチレンと式（１）のモノマーとの共
重合体である。式（１）で示されるモノマーとしては種
々存在するが、光磁気記録時におけるレーザー光加熱に
対する耐熱性、モノマー成分の合成のし易さ、入手のし
易さ、あるいは経済性等の面から、式（１）においてｎ
＝１のモノマーが好ましく、さらには、R1〜R12が水素
であるものが好ましい。
また、エチレン含量としては、エチレンと式（１）の
モノマーとの合計モル数を100としたときに、約50〜80
モル％とくに55〜70モル％のエチレン含量のものが好ま
しく使用される。
モノマーとの合計モル数を100としたときに、約50〜80
モル％とくに55〜70モル％のエチレン含量のものが好ま
しく使用される。
上述のモノマー成分を製造するには、たとえば米国特
許3557072号公報（特公昭46−14910号公報）や特開昭57
−154133号公報の方法を適用することができる。
許3557072号公報（特公昭46−14910号公報）や特開昭57
−154133号公報の方法を適用することができる。
前記式（１）のモノマー成分とエチレンとの共重合体
には、その性質を損なわない範囲で他のモノマー成分を
共重合させてもかまわない。具体的にはα−オレフィン
や環状オレフィンなどがあり、その具体的には炭素原子
数３〜20、好適には３〜10のα−オレフィンであって、
たとえばプロピレン、１−ブテン、３−メチル−１−ブ
テン、１−ペンテン、３−メチル−１−ペンテン、４−
メチル−１−ペンテン、１−ヘキサン、１−オクタン、
１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘ
キサデカン、１−エイコセン、などを例示できる。環状
オレフィンは、架橋のないシクロオレフィンやスチレン
類があり、たとえばシクロペンテン、シクロヘキセン、
3,4−ジメチルシクロペンテン、３−メチルシクロヘキ
セン、２−（２−メチルブチル）−１−シクロヘキセ
ン、スチレン、α−メチルスチレンなどを例示できる。
ジシクロペンタジエン、エチリデンノルボルネン、ビニ
ルノルボルネン、といったポリエンも同様に共重合可能
である。また、（無水）マレイン酸等の不飽和カルボン
酸類も共重合可能である。
には、その性質を損なわない範囲で他のモノマー成分を
共重合させてもかまわない。具体的にはα−オレフィン
や環状オレフィンなどがあり、その具体的には炭素原子
数３〜20、好適には３〜10のα−オレフィンであって、
たとえばプロピレン、１−ブテン、３−メチル−１−ブ
テン、１−ペンテン、３−メチル−１−ペンテン、４−
メチル−１−ペンテン、１−ヘキサン、１−オクタン、
１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘ
キサデカン、１−エイコセン、などを例示できる。環状
オレフィンは、架橋のないシクロオレフィンやスチレン
類があり、たとえばシクロペンテン、シクロヘキセン、
3,4−ジメチルシクロペンテン、３−メチルシクロヘキ
セン、２−（２−メチルブチル）−１−シクロヘキセ
ン、スチレン、α−メチルスチレンなどを例示できる。
ジシクロペンタジエン、エチリデンノルボルネン、ビニ
ルノルボルネン、といったポリエンも同様に共重合可能
である。また、（無水）マレイン酸等の不飽和カルボン
酸類も共重合可能である。
共重合体は、周知のチーグラー触媒とくにバナジウム
系のチーグラー触媒を使用して重合することにより製造
される。より詳しくは、出願人による先行特許出願（た
とえば特開昭60−168708号）に開示されている。共重合
体の特徴は、式（１）のモノマー成分が共重合体中にお
いて主として式（２）で示される構造をとっていること
であり、これにより共重合体の沃素価は通常５以下、多
くが１以下である。また、この構成をとることは13C−N
MRによっても裏付けられる。
系のチーグラー触媒を使用して重合することにより製造
される。より詳しくは、出願人による先行特許出願（た
とえば特開昭60−168708号）に開示されている。共重合
体の特徴は、式（１）のモノマー成分が共重合体中にお
いて主として式（２）で示される構造をとっていること
であり、これにより共重合体の沃素価は通常５以下、多
くが１以下である。また、この構成をとることは13C−N
MRによっても裏付けられる。
そして本構成をとることにより、共重合体は化学的に
安定であって、耐水性及びアルカリや酸などの耐薬品性
に優れ、更に耐溶剤性、耐熱性、耐候性にも優れてい
る。また極めて低含水率である。
安定であって、耐水性及びアルカリや酸などの耐薬品性
に優れ、更に耐溶剤性、耐熱性、耐候性にも優れてい
る。また極めて低含水率である。
また、別には共重合体は実質的に非晶質であって、よ
って透明性や寸法安定性にも優れる。さらに、複屈折も
プラスチック中では、PMMAなみに小さいうえ、光線の入
射角度の変化による複屈折値の変化はほとんどなく、ほ
ぼ一定であるという従来のプラスチックにはない特性を
も示す。
って透明性や寸法安定性にも優れる。さらに、複屈折も
プラスチック中では、PMMAなみに小さいうえ、光線の入
射角度の変化による複屈折値の変化はほとんどなく、ほ
ぼ一定であるという従来のプラスチックにはない特性を
も示す。
保護層として使用される化合物は、Si3N4、AIN、ZnS
e、ZnS、SiおよびCdSから選ばれる化合物であり、これ
らは前述した特開昭60−201546号公報や特開昭61−2023
51号公報に示されているように、スパッタリングや蒸着
等の公知手段で基板上に形成可能である。
e、ZnS、SiおよびCdSから選ばれる化合物であり、これ
らは前述した特開昭60−201546号公報や特開昭61−2023
51号公報に示されているように、スパッタリングや蒸着
等の公知手段で基板上に形成可能である。
本発明のように基板として前記の如き特定の共重合体
を使用し、保護層としてこれらの化合物を基板上に形成
すると、従来のPMMAやPCの基板上に形成する場合に比べ
て、非常に高い密着性を示し、高温高湿下に長時間に亘
って放置されたとしても基板と保護層とが部分的に剥離
したりすることがない。
を使用し、保護層としてこれらの化合物を基板上に形成
すると、従来のPMMAやPCの基板上に形成する場合に比べ
て、非常に高い密着性を示し、高温高湿下に長時間に亘
って放置されたとしても基板と保護層とが部分的に剥離
したりすることがない。
また、屈折率ｎの保護層の形成にあたって、その膜厚
ｄを再生に使用するレーザー光波長λ（nm）に対してｄ
＝λ/4nの関係を満たすように形成すると、エンハンス
効果が生じてカー回転角が大きくなり、読取り信号強度
が大きくなりS/N比を大幅に向上させることができる。
ｄを再生に使用するレーザー光波長λ（nm）に対してｄ
＝λ/4nの関係を満たすように形成すると、エンハンス
効果が生じてカー回転角が大きくなり、読取り信号強度
が大きくなりS/N比を大幅に向上させることができる。
通常保護層の膜厚は、均一平滑性の面から100Å以上
の厚みで形成される。
の厚みで形成される。
保護層上に形成される光磁気記録層は、光磁気効果を
生じる磁性層であればよく、たとえばFe,Co等の遷移金
属とGd、Tb、Dy等の希土元素とからなる、膜面に垂直な
磁化容易軸を有した非晶質垂直磁化膜が例示できる。ま
た、PtやPdといった貴金属成分、Tiといった難腐食性成
分を遷移金属や希土類元素の一部と置換したものでもよ
い。これら光磁気記録層の形成も公知の方法で達成で
き、たとえばスパッタリング等で形成される。
生じる磁性層であればよく、たとえばFe,Co等の遷移金
属とGd、Tb、Dy等の希土元素とからなる、膜面に垂直な
磁化容易軸を有した非晶質垂直磁化膜が例示できる。ま
た、PtやPdといった貴金属成分、Tiといった難腐食性成
分を遷移金属や希土類元素の一部と置換したものでもよ
い。これら光磁気記録層の形成も公知の方法で達成で
き、たとえばスパッタリング等で形成される。
本発明においては、そのほか光磁気記録層上にさらに
保護層を形成してもよい。
保護層を形成してもよい。
本発明は、基板を構成するプラスチックとして上記の
ような特定の共重合体を選択すると共に、保護層も上記
のような特定の６種類の化合物を選び、両者を組み合わ
せることによって、プラスチック基板製の光磁気記録体
として飛躍的な磁気記録特性の長期安定性を達成するこ
とができる。
ような特定の共重合体を選択すると共に、保護層も上記
のような特定の６種類の化合物を選び、両者を組み合わ
せることによって、プラスチック基板製の光磁気記録体
として飛躍的な磁気記録特性の長期安定性を達成するこ
とができる。
以下、本発明の内容を好適な例でもって説明するが、
本発明は特にことわりのない限り何らこれらの実施例に
制限されるものではない。
本発明は特にことわりのない限り何らこれらの実施例に
制限されるものではない。
また、以下の実施例で行った試験方法は次のとおりで
ある。
ある。
（１）光弾性定数の測定 プレス成形によって成形した10×10×0.5mmの大きさ
の試験片に対して、無荷重時あるいは50g、100g、200g
の分銅をそれぞれつり下げて応力のかかった状態時での
試験片の複屈折度を、波長632.8mmのヘリウム−ネオン
レーザー光源の透過型エリプソメータを用いて測定し、
複屈折度と応力の関係から光弾性定数を求めた。
の試験片に対して、無荷重時あるいは50g、100g、200g
の分銅をそれぞれつり下げて応力のかかった状態時での
試験片の複屈折度を、波長632.8mmのヘリウム−ネオン
レーザー光源の透過型エリプソメータを用いて測定し、
複屈折度と応力の関係から光弾性定数を求めた。
（２）レターゼーション（ダブルパス） （無荷重時の複屈折度×試験片の厚み）×２で求めた。
＜参考実施例１＞ エチレン含有率60モル％のエチレンとテトラシクロド
デゼン の共重合体（13C−NMRによって共重合体中においてテト
ラシクロドデセンは の構造を採っていることが確認された）と、従来の光デ
ィスクの原料ポリマーであるポリメチルメタクリレート
（協和ガス化学工業、T10−10）、ポリカーボネート
（帝人化成、AD−5503）の光弾性定数を測定した。
デゼン の共重合体（13C−NMRによって共重合体中においてテト
ラシクロドデセンは の構造を採っていることが確認された）と、従来の光デ
ィスクの原料ポリマーであるポリメチルメタクリレート
（協和ガス化学工業、T10−10）、ポリカーボネート
（帝人化成、AD−5503）の光弾性定数を測定した。
また、レーザーの照射角度を鉛直方向を０度とし、斜
めに10度ずつ変化させていった時のレターゼーション
（ダブルパス）を円形に成形された試験片の中心から半
径r mmの距離において測定した。結果を第１表に示す。
めに10度ずつ変化させていった時のレターゼーション
（ダブルパス）を円形に成形された試験片の中心から半
径r mmの距離において測定した。結果を第１表に示す。
この結果を見ても判るとおり、本発明に使用する共重
合体は光弾性定数が小さいので、射出成形のように残留
応力が発生するような成形条件で基板を成形しても光学
的影響をほとんど示さないことが予測できる。一方、ポ
リカーボネートは光弾性定数が大きいので射出成形で大
直径の基板成形を行うと残留応力により光学的歪が生
じ、光ディスクとして使用できないことが判る。さら
に、光弾性定数がほぼ同一のポリメチルメタクリレート
は、レーザの入射角度の変化による複屈折の変化がある
ことも判る。一方、本発明で使用する共重合体は入射角
度が変化しても複屈折が一定である。故にレーザで書き
込みや読み出しを行うためにディスク中でレーザを絞り
込む光ディスク用途においてポリメチルメタクリレート
は本願発明で使用するポリマーよりも性能が劣ることが
判る。
合体は光弾性定数が小さいので、射出成形のように残留
応力が発生するような成形条件で基板を成形しても光学
的影響をほとんど示さないことが予測できる。一方、ポ
リカーボネートは光弾性定数が大きいので射出成形で大
直径の基板成形を行うと残留応力により光学的歪が生
じ、光ディスクとして使用できないことが判る。さら
に、光弾性定数がほぼ同一のポリメチルメタクリレート
は、レーザの入射角度の変化による複屈折の変化がある
ことも判る。一方、本発明で使用する共重合体は入射角
度が変化しても複屈折が一定である。故にレーザで書き
込みや読み出しを行うためにディスク中でレーザを絞り
込む光ディスク用途においてポリメチルメタクリレート
は本願発明で使用するポリマーよりも性能が劣ることが
判る。
＜参考実施例２＞ 参考実施例１のエチレン・テトラシクロドデセン共重
合体上に本発明の保護層として使用する化合物を含む種
々の化合物の膜をスパッタリング（50W,1分）で形成
し、その製膜速度を第２表に示した。
合体上に本発明の保護層として使用する化合物を含む種
々の化合物の膜をスパッタリング（50W,1分）で形成
し、その製膜速度を第２表に示した。
この結果を見ても判るとおり、ZnSeとCdSの製膜速度
が著しく大きくて、生産性の面からは両化合物がとくに
優れることが判る。
が著しく大きくて、生産性の面からは両化合物がとくに
優れることが判る。
この結果を見ても判るとおり、ZnSeとCdSの製膜速度
が著しく大きくて、生産性の面からは両化合物がとくに
優れることが判る。
が著しく大きくて、生産性の面からは両化合物がとくに
優れることが判る。
＜実施例１〜６および比較例１〜10＞ 参考実施例１で使用したエチレン・テトラシクロドデ
セン共重合体（PO）、PMMA、PCを用いて直径130mmのデ
ィスク基板を成形し、この基板上に第３表に示すような
化合物を保護層（中間層）として500Åの厚みでスパッ
タリングで形成、さらにその上にTbFeからなる光磁気記
録層をスパッタリングで1000Åの厚みで形成し、さらに
その上に500Åの厚みの保護層をスパッタリングで形成
した。
セン共重合体（PO）、PMMA、PCを用いて直径130mmのデ
ィスク基板を成形し、この基板上に第３表に示すような
化合物を保護層（中間層）として500Åの厚みでスパッ
タリングで形成、さらにその上にTbFeからなる光磁気記
録層をスパッタリングで1000Åの厚みで形成し、さらに
その上に500Åの厚みの保護層をスパッタリングで形成
した。
このようにして得られた光磁気記録体を、70℃、85％
RHの条件下に７日間放置および−20℃を２時間、＋60℃
を２時間交互に放置するヒートサイクルテストを７日間
続けた後のそれぞれの保磁力（Hc）を測定した。結果を
３表に示す。
RHの条件下に７日間放置および−20℃を２時間、＋60℃
を２時間交互に放置するヒートサイクルテストを７日間
続けた後のそれぞれの保磁力（Hc）を測定した。結果を
３表に示す。
この結果を見ても判るとおり、本発明の光磁気記録体
は初期保磁力を極めて安定に維持しているのに対し、た
とえ基板が本発明と同一であっても保護層が異なるもの
は保磁力が大幅に低下する。また、保護層が本発明と同
一であっても、基板がPMMAやPCでは保磁力が低下するこ
とも判る。
は初期保磁力を極めて安定に維持しているのに対し、た
とえ基板が本発明と同一であっても保護層が異なるもの
は保磁力が大幅に低下する。また、保護層が本発明と同
一であっても、基板がPMMAやPCでは保磁力が低下するこ
とも判る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−292601（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−243977（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−243976（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−237243（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−169996（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−201546（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】透明プラスチック基板上に少なくとも保護
層を介して光磁気記録体層が積層されて成る光磁気記録
体において、基板を構成する透明プラスチックは構成モ
ノマーが少なくともエチレンと式（１）で示される環状
オレフィンとからなる共重合体であり、かつ、共重合体
中で式（１）のモノマー単位は式（２）で示される構造
を採る実質的に非晶質の共重合体であって、保護層はSi
3N4、AIN、ZnSe、ZnS、SiまたはCdSからなることを特徴
とする光磁気記録体。 （式中、R1〜R12は水素、アルキル基又はハロゲンであ
って各同一又は異なっていてもよく、更にR9又はR10とR
11又はR12は互いに環を形成していてもよい。ｎは０又
は１以上の正数であって、R5〜R8が複数回繰り返される
場合にはこれらは各同一又は異なっていてもよい。）
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62198713A JP2633572B2 (ja) | 1987-08-08 | 1987-08-08 | 光磁気記録体 |
| EP88906911A EP0331737B1 (en) | 1987-08-08 | 1988-08-08 | Photomagnetic recording medium |
| PCT/JP1988/000785 WO1989001687A1 (en) | 1987-08-08 | 1988-08-08 | Photomagnetic recording medium |
| AT88906911T ATE139052T1 (de) | 1987-08-08 | 1988-08-08 | Photomagnetisches speichermedium |
| DE3855347T DE3855347T2 (de) | 1987-08-08 | 1988-08-08 | Photomagnetisches speichermedium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62198713A JP2633572B2 (ja) | 1987-08-08 | 1987-08-08 | 光磁気記録体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6442043A JPS6442043A (en) | 1989-02-14 |
| JP2633572B2 true JP2633572B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=16395773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62198713A Expired - Lifetime JP2633572B2 (ja) | 1987-08-08 | 1987-08-08 | 光磁気記録体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2633572B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0790567A (ja) * | 1993-07-30 | 1995-04-04 | Hitachi Metals Ltd | 光磁気記録媒体用ターゲット材およびその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2619856B2 (ja) * | 1985-06-21 | 1997-06-11 | 三井石油化学工業株式会社 | 光学材料 |
-
1987
- 1987-08-08 JP JP62198713A patent/JP2633572B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6442043A (en) | 1989-02-14 |
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