JP2619856B2 - 光学材料 - Google Patents
光学材料Info
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- JP2619856B2 JP2619856B2 JP60134292A JP13429285A JP2619856B2 JP 2619856 B2 JP2619856 B2 JP 2619856B2 JP 60134292 A JP60134292 A JP 60134292A JP 13429285 A JP13429285 A JP 13429285A JP 2619856 B2 JP2619856 B2 JP 2619856B2
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/04—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of organic materials, e.g. plastics
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はとくに透明性、高屈折率を利用した光学材料
に関する。
に関する。
ポリスチレン、ポリメチルメタクリレートおよびポリ
カーボネートは、透明性、高屈折率のプラスチツクスと
して光デイスク基板や光フアイバーあるいはプラスチツ
クレンズとして検討され、一部では実用化がなされてい
る。しかし、ポリスチレンは熱変形温度が90℃程度と耐
熱性が悪いうえ屈折率も大きく、酢酸エチルや四塩化炭
素などに溶解し易くて耐溶剤性に劣り、これがために前
述したプラスチックスの中では光学材料分野への進出が
大幅に遅れ、実質的に行き詰まり状態である。ポリメチ
ルメタクリレートは成形が良好で透明性が大幅に優れ、
耐熱性もポリスチレンに比べれば優れるので、現在最も
光学材料分野への進出をはたしたプラスチツクである。
しかし、アセトンや酢酸エチルなどによりソルベントク
ラツクが発生し易く、また吸湿性が大きいので吸湿変形
が生じ易いなどの問題があり、さらに強酸に浸されて耐
薬品性に劣るし、耐熱性が優れるといつても熱変形温度
は110℃程度であつて実使用範囲が制限される。ポリカ
ーボネートの耐溶剤性は溶解し難いという面で得ると一
見良好であるかの如く思えるが、多くは白化現象を起こ
して、光学材料用途として見れば事実上耐溶剤性は不充
分である。しかも強アルカリに浸され易く耐薬品性に劣
るし、耐水性も不充分であるという問題もある。また、
複屈折率と収縮率が前２者に比べて大きいという問題も
ある。
カーボネートは、透明性、高屈折率のプラスチツクスと
して光デイスク基板や光フアイバーあるいはプラスチツ
クレンズとして検討され、一部では実用化がなされてい
る。しかし、ポリスチレンは熱変形温度が90℃程度と耐
熱性が悪いうえ屈折率も大きく、酢酸エチルや四塩化炭
素などに溶解し易くて耐溶剤性に劣り、これがために前
述したプラスチックスの中では光学材料分野への進出が
大幅に遅れ、実質的に行き詰まり状態である。ポリメチ
ルメタクリレートは成形が良好で透明性が大幅に優れ、
耐熱性もポリスチレンに比べれば優れるので、現在最も
光学材料分野への進出をはたしたプラスチツクである。
しかし、アセトンや酢酸エチルなどによりソルベントク
ラツクが発生し易く、また吸湿性が大きいので吸湿変形
が生じ易いなどの問題があり、さらに強酸に浸されて耐
薬品性に劣るし、耐熱性が優れるといつても熱変形温度
は110℃程度であつて実使用範囲が制限される。ポリカ
ーボネートの耐溶剤性は溶解し難いという面で得ると一
見良好であるかの如く思えるが、多くは白化現象を起こ
して、光学材料用途として見れば事実上耐溶剤性は不充
分である。しかも強アルカリに浸され易く耐薬品性に劣
るし、耐水性も不充分であるという問題もある。また、
複屈折率と収縮率が前２者に比べて大きいという問題も
ある。
以上説明したように、現在検討または使用されている
プラスチツクス系光学材料の原料として用いられている
前記の各種プラスチツクスは各長所および短所を有して
おり、その結果当然ながらこれらの原料から製造される
光学材料も従来の無機ガラス系に比べて長所を有するけ
れども短所も有してる。すなわち、光デイスクの用基板
の一例であるコンパクト・デイスク（CD）を例にとる
と、カーオーデイオ用CDは、真夏の車内温度が非常に高
い温度になるため、耐熱性が要求され、この点でポリス
チレンは使用できず、ポリメチルメタクリレートも使用
に際しての懸念がある。ポリカーボネートは耐熱性の面
では心配ないが、成形後の収縮あるいは複屈折の面で良
好なるデイスク基板が成形でき難いという問題がある。
そして以上述べてきたことは、追記型デイスクや書換型
デイスク用途ではもつと深刻な問題となる。さらに各耐
溶剤性、耐薬品性、耐水性に問題があり、使用場所や取
扱い方法に制限を受ける。そして、このような諸問題は
他の光学材料たとえば光フアイバーやプラスチツクレン
ズといつた透明性を利用した材料においても同様に発生
する。
プラスチツクス系光学材料の原料として用いられている
前記の各種プラスチツクスは各長所および短所を有して
おり、その結果当然ながらこれらの原料から製造される
光学材料も従来の無機ガラス系に比べて長所を有するけ
れども短所も有してる。すなわち、光デイスクの用基板
の一例であるコンパクト・デイスク（CD）を例にとる
と、カーオーデイオ用CDは、真夏の車内温度が非常に高
い温度になるため、耐熱性が要求され、この点でポリス
チレンは使用できず、ポリメチルメタクリレートも使用
に際しての懸念がある。ポリカーボネートは耐熱性の面
では心配ないが、成形後の収縮あるいは複屈折の面で良
好なるデイスク基板が成形でき難いという問題がある。
そして以上述べてきたことは、追記型デイスクや書換型
デイスク用途ではもつと深刻な問題となる。さらに各耐
溶剤性、耐薬品性、耐水性に問題があり、使用場所や取
扱い方法に制限を受ける。そして、このような諸問題は
他の光学材料たとえば光フアイバーやプラスチツクレン
ズといつた透明性を利用した材料においても同様に発生
する。
本発明者らは、かかる状況に鑑みて、耐熱性、耐薬品
性、耐溶剤性、耐水性に優れ、収縮が実質的に無くて寸
法安定性、成形性に優れ、また複屈折も実質的に無い光
学材料を提供するため研究を重ね、本発明に到達した。
性、耐溶剤性、耐水性に優れ、収縮が実質的に無くて寸
法安定性、成形性に優れ、また複屈折も実質的に無い光
学材料を提供するため研究を重ね、本発明に到達した。
すなわち本発明は、 （Ａ）炭素原子数が２ないし10のα−オレフィン成分
と、 （Ｂ）式（１）で示されるモノマー成分 とを含む共重合体であって、該共重合体中において前記
（Ｂ）モノマー成分が式（２）で示される構造をとる共
重合体からなることを特徴とする光学材料である。
と、 （Ｂ）式（１）で示されるモノマー成分 とを含む共重合体であって、該共重合体中において前記
（Ｂ）モノマー成分が式（２）で示される構造をとる共
重合体からなることを特徴とする光学材料である。
（式中RR1〜R12は水素、炭素原子数が１ないし４のアル
キル基又はハロゲンであつて各同一又は異なつていても
よく、更にR9又はR10とR11又はR12は互に環を形成して
いてもよい。ｎは０、１、２又は３であつて、R5〜R8が
複数回繰り返される場合にはこれらは各同一又は異なつ
ていてもよい。） 〔作用および効果〕 本発明の光学材料を構成する共重合体は、前述した式
（１）で示されるモノマー成分が主として式（２）で示
される構造をとつている。かかる共重合体として好まし
い態様は、式（１）のモノマー成分と共にα−オレフイ
ン及び／又は式（１）以外の環状オレフインとからなる
共重合体が例示でき、取り分けて好適なものとして共重
合体の必須成分として式（１）のモノマー及びエチレン
を含むものを挙げることができる。
キル基又はハロゲンであつて各同一又は異なつていても
よく、更にR9又はR10とR11又はR12は互に環を形成して
いてもよい。ｎは０、１、２又は３であつて、R5〜R8が
複数回繰り返される場合にはこれらは各同一又は異なつ
ていてもよい。） 〔作用および効果〕 本発明の光学材料を構成する共重合体は、前述した式
（１）で示されるモノマー成分が主として式（２）で示
される構造をとつている。かかる共重合体として好まし
い態様は、式（１）のモノマー成分と共にα−オレフイ
ン及び／又は式（１）以外の環状オレフインとからなる
共重合体が例示でき、取り分けて好適なものとして共重
合体の必須成分として式（１）のモノマー及びエチレン
を含むものを挙げることができる。
共重合体中、式（１）のモノマー成分は少なくとも２
モル％以上含むべきであるが、エチレンを共存させる場
合にはエチレン／式（１）のモノマー成分のモル比が5/
95〜95/5、とくに40/60〜90/10の範囲が好ましく、更に
エチレン以外のα−オレフインや鎖状ジエンあるいは式
（１）以外の環状オレフイン等を共存させる場合にはこ
れらのモノマー合計量／式（１）のモノマー成分のモル
比が5/95〜95/5、とくに30/70〜90/10の範囲が好まし
い。また本発明においては式（１）のモノマー成分は単
品のみならず、式（１）で示される複数の成分が混合し
ていてもよいことは勿論である。
モル％以上含むべきであるが、エチレンを共存させる場
合にはエチレン／式（１）のモノマー成分のモル比が5/
95〜95/5、とくに40/60〜90/10の範囲が好ましく、更に
エチレン以外のα−オレフインや鎖状ジエンあるいは式
（１）以外の環状オレフイン等を共存させる場合にはこ
れらのモノマー合計量／式（１）のモノマー成分のモル
比が5/95〜95/5、とくに30/70〜90/10の範囲が好まし
い。また本発明においては式（１）のモノマー成分は単
品のみならず、式（１）で示される複数の成分が混合し
ていてもよいことは勿論である。
式（１）で示されるモノマー成分の具体例を示すと以
下のものを挙げることができるが、ここで示される例は
極めて限定されたものであつて、式（１）でしめされる
ものであれば如何なるものも本発明のモノマー成分にな
り得る。
下のものを挙げることができるが、ここで示される例は
極めて限定されたものであつて、式（１）でしめされる
ものであれば如何なるものも本発明のモノマー成分にな
り得る。
これらの中では式（１）においてｎ＝１のもの、すな
わち式（３）、 で示されるモノマー成分が、モノマーの入手し易さある
いはモノマー合成のし易い面で好ましい。
わち式（３）、 で示されるモノマー成分が、モノマーの入手し易さある
いはモノマー合成のし易い面で好ましい。
上述のモノマー成分を製造するには、たとえば米国特
許3557072号公報（特公昭46−14910号公報）や特開昭57
−154133号公報の方法を適用することができる。たとえ
ば式（３）のモノマー成分を製造するには、下記式にあ
るようにノルボルネンに対してシクロペンタジエンを縮
合する。
許3557072号公報（特公昭46−14910号公報）や特開昭57
−154133号公報の方法を適用することができる。たとえ
ば式（３）のモノマー成分を製造するには、下記式にあ
るようにノルボルネンに対してシクロペンタジエンを縮
合する。
式（３）以外の式（１）で示されるモノマー成分も基本
的には上記の縮合反応の応用であり、ただ出発原料の違
いだけである。
的には上記の縮合反応の応用であり、ただ出発原料の違
いだけである。
式（１）のモノマー成分と共重合され得るα−オレフ
インとしては、炭素原子数２〜20、好適には２〜10のα
−オレフインであつて、たとえばエチレン、プロピレ
ン、１−ブテン、３−メチル−１−ブテン、１−ペンテ
ン、３−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ペン
テン、１−ヘキサン、１−オクタン、１−デセン、１−
ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデカン、１−
イコセンなどを例示できる。これらの中ではとくにエチ
レンが共重合性の面から好ましく、他のα−オレフイン
（炭素原子数３以上）あるいは後述する環状オレフイン
を式（１）のモノマー成分と共重合させる場合にも、エ
チレンが存在したほうが共重合性は良好である。
インとしては、炭素原子数２〜20、好適には２〜10のα
−オレフインであつて、たとえばエチレン、プロピレ
ン、１−ブテン、３−メチル−１−ブテン、１−ペンテ
ン、３−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ペン
テン、１−ヘキサン、１−オクタン、１−デセン、１−
ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデカン、１−
イコセンなどを例示できる。これらの中ではとくにエチ
レンが共重合性の面から好ましく、他のα−オレフイン
（炭素原子数３以上）あるいは後述する環状オレフイン
を式（１）のモノマー成分と共重合させる場合にも、エ
チレンが存在したほうが共重合性は良好である。
式（１）のモノマー成分と共重合することのできる別
の成分である式（１）以外の環状オレフインは、架橋の
ないシクロオレフインやスチレン類があり、たとえばシ
クロペンテン、シクロヘキセン、3,4−ジメチルシクレ
ペンテン、３−メチルシクロヘキセン、２−（２−メチ
ルブチル）−１−シクロヘキセン、スチレン、α−メチ
ルスチレン、2,3,3a,7a−テトラヒドロ−4,7−メタノ−
1H−インデン、3a,5,6,7a−テトラヒドロ−4,7−メタノ
−1H−インデンなどを例示できる。ジシクロペンタジエ
ン、エチリデンノルボルネン、ビニルノルボルネンとい
ったポリエンも同様に共重合可能である。
の成分である式（１）以外の環状オレフインは、架橋の
ないシクロオレフインやスチレン類があり、たとえばシ
クロペンテン、シクロヘキセン、3,4−ジメチルシクレ
ペンテン、３−メチルシクロヘキセン、２−（２−メチ
ルブチル）−１−シクロヘキセン、スチレン、α−メチ
ルスチレン、2,3,3a,7a−テトラヒドロ−4,7−メタノ−
1H−インデン、3a,5,6,7a−テトラヒドロ−4,7−メタノ
−1H−インデンなどを例示できる。ジシクロペンタジエ
ン、エチリデンノルボルネン、ビニルノルボルネンとい
ったポリエンも同様に共重合可能である。
更に以上述べてきたモノマー成分のほかに、他の共重
合可能なモノマー成分を本発明の目的を損わない範囲内
で、共重合体中に少量含んでいてもよい。
合可能なモノマー成分を本発明の目的を損わない範囲内
で、共重合体中に少量含んでいてもよい。
共重合体は、以上詳説してきた式（１）のモノマー成
分あるいは式（１）のモノマー成分及びα−オレフイン
及び／又は環状オレフインを、周知のチーグラー触媒と
にバナジウム系のチーグラー触媒を使用して重合するこ
とにより製造される。より詳しくは、出願人による先行
特許出願（たとえば特願昭59−16995号）に開示されて
いる。共重合体の特徴は、式（１）のモノマー成分が共
重合体中において主として式（２）で示される構造をと
つていることであり、これにより共重合体中の沃素価は
通常５以下、多くが１以下である。またこの構造をとる
ことは13C−NMRによつても裏付けられる。
分あるいは式（１）のモノマー成分及びα−オレフイン
及び／又は環状オレフインを、周知のチーグラー触媒と
にバナジウム系のチーグラー触媒を使用して重合するこ
とにより製造される。より詳しくは、出願人による先行
特許出願（たとえば特願昭59−16995号）に開示されて
いる。共重合体の特徴は、式（１）のモノマー成分が共
重合体中において主として式（２）で示される構造をと
つていることであり、これにより共重合体中の沃素価は
通常５以下、多くが１以下である。またこの構造をとる
ことは13C−NMRによつても裏付けられる。
そして本構造をとることにより、共重合体は化学的に
安定であつて、耐水性及びアルカリや酸などの耐薬品性
に優れ、更に耐溶剤性、耐熱性、耐候性にも優れる。ま
た極めて低含率である。
安定であつて、耐水性及びアルカリや酸などの耐薬品性
に優れ、更に耐溶剤性、耐熱性、耐候性にも優れる。ま
た極めて低含率である。
本発明において最も好適な共重合体の態様は、式
（１）のモノマー成分と少なくともエチレンを含み、必
要に応じて他のα−オレフインや環状オレフインを含む
ものである。この場合、式（１）のモノマー成分／エチ
レンとのモル比は5/95〜95/5、とくには40/60〜90/10の
範囲にあるのが好ましく、第３成分すなわち炭素原子数
３以上のα−オレフイン及び環状オレフインが存在する
場合には、式（１）のモノマー成分／第３成分とのモル
比が5/95〜95/5、とくには30/70〜90/10の範囲にあるの
が好ましい。
（１）のモノマー成分と少なくともエチレンを含み、必
要に応じて他のα−オレフインや環状オレフインを含む
ものである。この場合、式（１）のモノマー成分／エチ
レンとのモル比は5/95〜95/5、とくには40/60〜90/10の
範囲にあるのが好ましく、第３成分すなわち炭素原子数
３以上のα−オレフイン及び環状オレフインが存在する
場合には、式（１）のモノマー成分／第３成分とのモル
比が5/95〜95/5、とくには30/70〜90/10の範囲にあるの
が好ましい。
本発明の光学材料に用いる場合、共重合体の分子量で
は135℃デカリン中で測定した固有粘度〔η〕で0.1〜20
dl/gとくに0.3〜10dl/gの範囲のものがよく、また結晶
化温度（Ｘ線回折法）が５％以下とくに０％のものが好
適である。以上の構成の共重合体は、実質的に非晶性な
ので透明性が良好であり、成形収縮がなくて寸法安定性
に優れている。しかも耐熱性にも優れている。すなわ
ち、ガラス転移温度（Tg）が通常10〜220℃、多くが60
〜200℃の範囲にあり、熱変形温度が通常０〜210℃、多
くが50〜200℃の範囲にある。また屈折率▲（ｎ20 D）▼
が通常1.47〜1.58多くが1.50〜1.56の範囲内にあり、プ
ラスチツクスの中では高屈折率である。
は135℃デカリン中で測定した固有粘度〔η〕で0.1〜20
dl/gとくに0.3〜10dl/gの範囲のものがよく、また結晶
化温度（Ｘ線回折法）が５％以下とくに０％のものが好
適である。以上の構成の共重合体は、実質的に非晶性な
ので透明性が良好であり、成形収縮がなくて寸法安定性
に優れている。しかも耐熱性にも優れている。すなわ
ち、ガラス転移温度（Tg）が通常10〜220℃、多くが60
〜200℃の範囲にあり、熱変形温度が通常０〜210℃、多
くが50〜200℃の範囲にある。また屈折率▲（ｎ20 D）▼
が通常1.47〜1.58多くが1.50〜1.56の範囲内にあり、プ
ラスチツクスの中では高屈折率である。
また共重合体の改良方法として、第３モノマー成分と
して、前記したポリエン系モノマーを使用し共重合体の
側鎖中に不飽和結合を導入したりして架橋させたもので
もよい。
して、前記したポリエン系モノマーを使用し共重合体の
側鎖中に不飽和結合を導入したりして架橋させたもので
もよい。
このような共重合体を光学材料として用いると、 寸法精度が優れるので所期の目的寸法に沿つた製品
となり、 歪みによる光学特性の変調がなく、 耐熱性に優れるので、高温部ないしその付近での使
用が可能であり、 耐薬品性、耐溶剤性に優れるので取扱い性に優れ、 耐水性の優れるので防水処理を施こす必要がなく、 熱可塑性であるので通常のプラスチックス溶融成形
方法が適用できる といつた特徴を示す。
となり、 歪みによる光学特性の変調がなく、 耐熱性に優れるので、高温部ないしその付近での使
用が可能であり、 耐薬品性、耐溶剤性に優れるので取扱い性に優れ、 耐水性の優れるので防水処理を施こす必要がなく、 熱可塑性であるので通常のプラスチックス溶融成形
方法が適用できる といつた特徴を示す。
たとえば、光デイスク用基板に用いると従来のポリメ
チルメタクリレート系の耐熱性や耐水性の問題、ホリカ
ーボネート系の複屈折性、寸法安定性、耐水性の問題を
一気に解決するディスク用基板を提供することになる。
したがつて、本発明のデイスク用基板に公知の種々の方
法で記録層を積層したものはコンパクトデイスク、ビデ
オデイスク、追記型光デイスク、書換型光デイスク、光
磁気デイスクとして利用できる。また同様な記録方法を
用いる光カードとしても利用できる。
チルメタクリレート系の耐熱性や耐水性の問題、ホリカ
ーボネート系の複屈折性、寸法安定性、耐水性の問題を
一気に解決するディスク用基板を提供することになる。
したがつて、本発明のデイスク用基板に公知の種々の方
法で記録層を積層したものはコンパクトデイスク、ビデ
オデイスク、追記型光デイスク、書換型光デイスク、光
磁気デイスクとして利用できる。また同様な記録方法を
用いる光カードとしても利用できる。
より具体的に本発明の光デイスクについて説明する
と、前述の共重合体を情報ビツトに対応する凹凸を有し
たスタンパーをセツトした金型内に射出成形して得られ
た基板に、反射率の高い物質たとえばNi、Al、Au等をコ
ートして、レーザー光の反射を利用して情報を読み出す
再生専用のディスク、あるいは情報記録層として通常の
レコード板と同じように溝を用い、溝と接触して走査す
るヘツドと溝低部に設けられた情報ビツトとの間の静電
容量変化を利用して読み出す再生専用デイスク、さらに
光によつて変化する記録層を設けた光デイスクがある。
光変化型の記録層としては、As−Te−Ge系のようにレー
ザー光照射による非晶−結晶の相変化からくる光反射
率、光透過率の変化を利用するもの、同じく相変化を利
用するかTeOx（０＜Ｘ＜２）、あるいはGdCo、TbFe、Gd
TbFe、ThdyFeのように磁化反転を利用したもの、また別
には有機色素なども利用できる。
と、前述の共重合体を情報ビツトに対応する凹凸を有し
たスタンパーをセツトした金型内に射出成形して得られ
た基板に、反射率の高い物質たとえばNi、Al、Au等をコ
ートして、レーザー光の反射を利用して情報を読み出す
再生専用のディスク、あるいは情報記録層として通常の
レコード板と同じように溝を用い、溝と接触して走査す
るヘツドと溝低部に設けられた情報ビツトとの間の静電
容量変化を利用して読み出す再生専用デイスク、さらに
光によつて変化する記録層を設けた光デイスクがある。
光変化型の記録層としては、As−Te−Ge系のようにレー
ザー光照射による非晶−結晶の相変化からくる光反射
率、光透過率の変化を利用するもの、同じく相変化を利
用するかTeOx（０＜Ｘ＜２）、あるいはGdCo、TbFe、Gd
TbFe、ThdyFeのように磁化反転を利用したもの、また別
には有機色素なども利用できる。
また、たとえば共重合体をコア層またはクラツド層と
し、公知の種々の光フアイバー材料と組合せ光フアイバ
ー、光フアイバー用コネクターア、アレイ状光フアイバ
ーとして利用してもよい。とくにクラツド層として用い
ると耐水性、耐熱性、耐薬品性、耐溶剤性に優れるので
コア層を充分に保護し、従来のポリメチルメタクリレー
ト系では到達不可能だつた高温部での使用が可能にな
る。光フアイバーを構成するときコア層またはクラツド
層となる他のプラスチツクスとしては、、ポリメチルメ
タクリレートおよびその誘導体、フツ沿系重合体、ポリ
４−メチルペンテン−１およびそのコポリマー、ポリア
リレーンなどがあり、接着性改良のため添加剤を配合し
たり、これらを変性したり、変性物を配合したりしても
よい。
し、公知の種々の光フアイバー材料と組合せ光フアイバ
ー、光フアイバー用コネクターア、アレイ状光フアイバ
ーとして利用してもよい。とくにクラツド層として用い
ると耐水性、耐熱性、耐薬品性、耐溶剤性に優れるので
コア層を充分に保護し、従来のポリメチルメタクリレー
ト系では到達不可能だつた高温部での使用が可能にな
る。光フアイバーを構成するときコア層またはクラツド
層となる他のプラスチツクスとしては、、ポリメチルメ
タクリレートおよびその誘導体、フツ沿系重合体、ポリ
４−メチルペンテン−１およびそのコポリマー、ポリア
リレーンなどがあり、接着性改良のため添加剤を配合し
たり、これらを変性したり、変性物を配合したりしても
よい。
その他の利用例としてプラスチツクレンズがある。こ
れは球面レンズ、平面レンズなど色々な形状が考えられ
る。このレンズは眼鏡用のほか天眼鏡、ルーペ、自動車
や自転車のライトまたはランプに使用するフルネルレン
ズなど各種の分野で利用される。
れは球面レンズ、平面レンズなど色々な形状が考えられ
る。このレンズは眼鏡用のほか天眼鏡、ルーペ、自動車
や自転車のライトまたはランプに使用するフルネルレン
ズなど各種の分野で利用される。
また光の分波器、光導波路、OEIC用基板、光フイルタ
ーなどのオプトエレクトロニクス用の光学材料として利
用してもよい。さらには建築物の窓ガラス、自動車ガラ
ス、鉄道あるいは飛行機、船舶の窓ガラスといつた分野
へも利用できる。
ーなどのオプトエレクトロニクス用の光学材料として利
用してもよい。さらには建築物の窓ガラス、自動車ガラ
ス、鉄道あるいは飛行機、船舶の窓ガラスといつた分野
へも利用できる。
以下本発明の内容を好適例でもつて詳説するが、本発
明はとくに断わりの無い限りこれらの例に制限されるも
のではない。
明はとくに断わりの無い限りこれらの例に制限されるも
のではない。
実施例 １ 〔共重合体の製造〕 撹拌翼を備えた２ガラス製重合器を用いて、連続的
にエチレンと２−メチル−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,3,
4,4a,5,8,8a−オクタヒドロナフタレン 以下Ｍ−DMONと略称）との共重合反応を以下の如く行つ
た。
にエチレンと２−メチル−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,3,
4,4a,5,8,8a−オクタヒドロナフタレン 以下Ｍ−DMONと略称）との共重合反応を以下の如く行つ
た。
すなわち、重合器内でのＭ−DMON濃度が60g/となる
ように重合器内上部からＭ−DMONのトルエン溶液を0.9
/hr、触媒として重合器内でのＶ濃度が0.5mmol/と
なるように VO（OC2H5）Cl2のトルエン溶液を0.7/hr、重合器内で
のAl濃度が2mmol/となるようにAl（C2H5）1.5Cl1.5の
トルエン溶液を0.4/hrの速度でそれぞれ重合器中に連
続的に供給し、一方重合器下部から重合器中に重合液が
常に１になるように連続的に抜き出す。また重合器上
部か５エチレンを25/hr、N280/hr、H2を２/hrの
速度で供給する。共重合反応は冷媒を用いることにより
10℃にコントロールして行つた。重合器下部か５連続的
に抜き出されたポリマー重合液にはメタノールを少量添
加して重合反応を停止させ、次いで大量のイソプロピル
アルコール中に投入して生成共重合体を析出させ、さら
にイソプロピルアルコールで洗浄した。この時共重合体
は30g/hrの速度で得られた。洗浄後の共重合体は100℃
で一昼夜減圧乾燥した。
ように重合器内上部からＭ−DMONのトルエン溶液を0.9
/hr、触媒として重合器内でのＶ濃度が0.5mmol/と
なるように VO（OC2H5）Cl2のトルエン溶液を0.7/hr、重合器内で
のAl濃度が2mmol/となるようにAl（C2H5）1.5Cl1.5の
トルエン溶液を0.4/hrの速度でそれぞれ重合器中に連
続的に供給し、一方重合器下部から重合器中に重合液が
常に１になるように連続的に抜き出す。また重合器上
部か５エチレンを25/hr、N280/hr、H2を２/hrの
速度で供給する。共重合反応は冷媒を用いることにより
10℃にコントロールして行つた。重合器下部か５連続的
に抜き出されたポリマー重合液にはメタノールを少量添
加して重合反応を停止させ、次いで大量のイソプロピル
アルコール中に投入して生成共重合体を析出させ、さら
にイソプロピルアルコールで洗浄した。この時共重合体
は30g/hrの速度で得られた。洗浄後の共重合体は100℃
で一昼夜減圧乾燥した。
尚、この重合に際し利用した装置、器具類はダストフ
リーのアセトンで洗浄し、利用した溶媒ははフイルター
処理後蒸溜精製したものを利用するなどダスト対策を行
つている。
リーのアセトンで洗浄し、利用した溶媒ははフイルター
処理後蒸溜精製したものを利用するなどダスト対策を行
つている。
このようにして得られた共重合体は、13C−NMR分析に
よるとエチレンが55モル％含まれており、135℃デカリ
ン中で測定した〔η〕は0.64dl/g、デユポン社製DMAに
より損失弾性率（Ｅ″）を５℃/minの昇温速度で測定
し、そのピーク温度から求めたTgが139℃、アツベの屈
折率計で測定した▲ｎ20 D▼が1.537であつた。
よるとエチレンが55モル％含まれており、135℃デカリ
ン中で測定した〔η〕は0.64dl/g、デユポン社製DMAに
より損失弾性率（Ｅ″）を５℃/minの昇温速度で測定
し、そのピーク温度から求めたTgが139℃、アツベの屈
折率計で測定した▲ｎ20 D▼が1.537であつた。
２層押出機により、前記共重合体をコア層、ポリメタ
クリル酸トリフルオロエチレ（▲ｎ20 D▼＝1.420、以下
PTFMMAをクラツド層としたフアイバーを製造した。得ら
れたフアイバーは、コアが1mmφ、クラツド厚さが0.2mm
であり、安立電気製光損失測定器により測定した伝送損
失は400dB/km（λ＝780nm）であつた。
クリル酸トリフルオロエチレ（▲ｎ20 D▼＝1.420、以下
PTFMMAをクラツド層としたフアイバーを製造した。得ら
れたフアイバーは、コアが1mmφ、クラツド厚さが0.2mm
であり、安立電気製光損失測定器により測定した伝送損
失は400dB/km（λ＝780nm）であつた。
実施例 ２ 実施例１の共重合体を280℃で直径0.6mmに紡糸し、ポ
リフツ化ビニリデン（PFVD）のメチルエチルケトン溶液
を被膜塗装して乾燥した。結果を表１に示す。
リフツ化ビニリデン（PFVD）のメチルエチルケトン溶液
を被膜塗装して乾燥した。結果を表１に示す。
実施例 ３ 実施例１の重合におけるＭ−DMONと代わりに、1,4,5,
8−ジメタノ−1,2,3,4,4a,5,8,8a−オクタヒドロナフタ
レン を用いる他には同様にした。結果を表１に示す。
8−ジメタノ−1,2,3,4,4a,5,8,8a−オクタヒドロナフタ
レン を用いる他には同様にした。結果を表１に示す。
実施例 ４ 実施例１の重合におけるＭ−DMONの代わりに、６−エ
チルビシクロ〔2,2,1〕ヘプト−２−エン を用いる他には同様にした。
チルビシクロ〔2,2,1〕ヘプト−２−エン を用いる他には同様にした。
結果を表１に示す。
実施例 ５ 実施例１におけるポリメタクリル酸トリフルオロエチ
ルの代わりに、ポリ４−メチルペンテン−１（▲ｎ20 D
▼＝1.46、TPX）を用いる他には同様にした。結果を表
１に示す。
ルの代わりに、ポリ４−メチルペンテン−１（▲ｎ20 D
▼＝1.46、TPX）を用いる他には同様にした。結果を表
１に示す。
実施例 ６ 実施例１の環状オレフインモノマー成分とエチレンと
を共重合して得られた共重合体に、イルガツクス 1010
を0.1wt％、ステアリン酸亜鉛を0.07wt％配合し、260
℃、30mmφ押出機で造粒した。
を共重合して得られた共重合体に、イルガツクス 1010
を0.1wt％、ステアリン酸亜鉛を0.07wt％配合し、260
℃、30mmφ押出機で造粒した。
予め用意されたCD（コンパクトデイスク）のためのビ
ツト形成用スタンパーを金型に装着し、樹脂温度300℃
金型温度90℃射出圧力680kg/cm2で射出成形し、厚み1.2
mmの12cmφデイスク基板を得た。
ツト形成用スタンパーを金型に装着し、樹脂温度300℃
金型温度90℃射出圧力680kg/cm2で射出成形し、厚み1.2
mmの12cmφデイスク基板を得た。
この基板のビツト形成面上に、真空蒸着装置（日本真
空技術社製）を用いて真空度２×10-6Torrの条件下Alを
１μ厚に蒸着した。次いでAl面上に紫外線硬化型のメチ
ルメタクリレート系モノマーを塗布し10μの硬化膜を形
成した。
空技術社製）を用いて真空度２×10-6Torrの条件下Alを
１μ厚に蒸着した。次いでAl面上に紫外線硬化型のメチ
ルメタクリレート系モノマーを塗布し10μの硬化膜を形
成した。
上述のようにして得られた基板の複屈折、吸水率、光
線透過率を測定した結果を表２に示す。尚、ここで複屈
折率はHe−Neレーザーによりレーザー光源→偏光子→1/
4λ→試料→偏光子→ホトセンサーの測定系で測定し、
レターゼーシヨンＲ（ダブルパス値）で表現し表２に示
した。数値が小さい程複屈折が小さい良好な性質を示
す。また吸水率は30℃、飽和蒸気圧下で１ヶ月放置後の
重量変化による。光線透過率は自己分光光度計UV365
（島津製作所製）により700〜850nmの波長で測定した。
線透過率を測定した結果を表２に示す。尚、ここで複屈
折率はHe−Neレーザーによりレーザー光源→偏光子→1/
4λ→試料→偏光子→ホトセンサーの測定系で測定し、
レターゼーシヨンＲ（ダブルパス値）で表現し表２に示
した。数値が小さい程複屈折が小さい良好な性質を示
す。また吸水率は30℃、飽和蒸気圧下で１ヶ月放置後の
重量変化による。光線透過率は自己分光光度計UV365
（島津製作所製）により700〜850nmの波長で測定した。
またこのようにして得られたCDをパイオニア製デイス
クプレイヤーにかけたところ極めて良好な音質が得られ
た。
クプレイヤーにかけたところ極めて良好な音質が得られ
た。
実施例 ７ 実施例６と同様にして、レーザービジヨン用スタンパ
ーを用いて、1.2mm厚の30cmφデイスク板を成形した。
結果を表２に示す。
ーを用いて、1.2mm厚の30cmφデイスク板を成形した。
結果を表２に示す。
実施例 ８ エチレンとDMONの共重合体を使用する以外は実施例６
と同様に行つた。結果を表２に示す。
と同様に行つた。結果を表２に示す。
実施例 ９ エチレンとEBHの共重合体を使用する以外は実施例６
と同様に行つた。結果を表２に示す。
と同様に行つた。結果を表２に示す。
実施例 10 実施例６において、スパイラル状の溝（0.8μ幅、0.0
7μ深さ）付きスタンパーを用い厚さ1.2mm、20cmφのデ
イスクを成形した。このデイスクに日電アネルバ社製の
スパツター装置によりTeを100Å厚で形成した。結果を
表２に示す。
7μ深さ）付きスタンパーを用い厚さ1.2mm、20cmφのデ
イスクを成形した。このデイスクに日電アネルバ社製の
スパツター装置によりTeを100Å厚で形成した。結果を
表２に示す。
実施例 11 実施例10のデイスク基板に、Tb、Fe、Coのモザイクタ
ーゲツトを用いてスパツター装置にてアモルフアス磁化
膜を形成した。膜組成はTb30（Co17Fe83）70 atm％の
ものであつた。またHe−Neレーザーで測定したカー回転
角は0.3度であつた。
ーゲツトを用いてスパツター装置にてアモルフアス磁化
膜を形成した。膜組成はTb30（Co17Fe83）70 atm％の
ものであつた。またHe−Neレーザーで測定したカー回転
角は0.3度であつた。
実施例 12 エチレンと２−エチル−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,3,
4,4a,5,8,8a−オクタヒドロナフタレン の共重合体を原料に直径10mm、中心部厚3mmのレンズ金
型を用い、280℃で精密射出成形（金型温度80℃）を行
つた。中心部の複屈折（レターゼーシーヨン：シングル
パス）は小さく、光線透過率も極めて良好であつた。結
果を表３に示す。
4,4a,5,8,8a−オクタヒドロナフタレン の共重合体を原料に直径10mm、中心部厚3mmのレンズ金
型を用い、280℃で精密射出成形（金型温度80℃）を行
つた。中心部の複屈折（レターゼーシーヨン：シングル
パス）は小さく、光線透過率も極めて良好であつた。結
果を表３に示す。
実施例 13 エチレンと2,3−ジメチル−1,4,5,8−イメタノ−1,2,
3,4,4a5,8,8a−オクタヒドロナフタレン の共重合体を用いて実施例12と同様に行つた。結果を表
３に示す。
3,4,4a5,8,8a−オクタヒドロナフタレン の共重合体を用いて実施例12と同様に行つた。結果を表
３に示す。
実施例 14 エチレンと12−メチルヘキサシクロ〔6,6,1,13,6１
10,13０2,7０9,14〕−４−ヘプタデセン の共重合体を用いて実施例12と同様に行つた。結果を表
３に示す。
10,13０2,7０9,14〕−４−ヘプタデセン の共重合体を用いて実施例12と同様に行つた。結果を表
３に示す。
Claims (9)
- 【請求項１】（Ａ）炭素原子数が２ないし10のα−オレ
フィン成分と、 （Ｂ）式（１）で示されるモノマー成分 とを含む共重合体であって、該共重合体中において前記
（Ｂ）モノマー成分が式（２）で示される構造をとる共
重合体からなることを特徴とする光学材料。 （式中R1〜R12は水素、炭素原子数が１ないし４のアル
キル基又はハロゲンであって各同一又は異なっていても
よく、更にR9又はR10とR11又はR12は互いに環を形成し
ていてもよい。ｎは０、１、２又は３であって、R5〜R8
が複数回繰り返される場合にはこれらは各同一又は異な
っていてもよい。） - 【請求項２】（Ａ）炭素原子数が２ないし10のα−オレ
フィン成分と、 （Ｂ）式（１）で示されるモノマー成分と、 （Ｃ）炭素原子数が５ないし11の前記式（１）以外の環
状オレフィン成分 とを含む共重合体からなる請求項１に記載の光学材料。 - 【請求項３】前記式（１）及び式（２）において、R1〜
R12は水素、メチル基又はエチル基であり、ｎは０、１
又は２である特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の
光学材料。 - 【請求項４】前記α−オレフィン成分がエチレン成分で
ある特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記
載の光学材料。 - 【請求項５】前記式（１）で示されるモノマー成分にお
いてｎ＝１である特許請求の範囲第１項ないし第４項の
いずれかに記載の光学材料。 - 【請求項６】光ファイバー用途である特許請求の範囲第
１項ないし第５項のいずれかに記載の光学材料。 - 【請求項７】ディスク基板用途である特許請求の範囲第
１項ないし第５項のいずれかに記載の光学材料。 - 【請求項８】プラスチックレンズ用途である特許請求の
範囲第１項ないし第５項のいずれかに記載の光学材料。 - 【請求項９】窓ガラス用途である特許請求の範囲第１項
ないし第５項のいずれかに記載の光学材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60134292A JP2619856B2 (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | 光学材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60134292A JP2619856B2 (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | 光学材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61292601A JPS61292601A (ja) | 1986-12-23 |
| JP2619856B2 true JP2619856B2 (ja) | 1997-06-11 |
Family
ID=15124871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60134292A Expired - Lifetime JP2619856B2 (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | 光学材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2619856B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7662445B2 (en) | 2007-09-25 | 2010-02-16 | Fujifilm Corporation | Cyclic olefin-based copolymer, film, and polarizing plate and liquid crystal display device including the same |
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| JPS6431844A (en) * | 1987-07-27 | 1989-02-02 | Mitsui Petrochemical Ind | Polymer composition for spacer of information recording base plate |
| JP2633572B2 (ja) * | 1987-08-08 | 1997-07-23 | 三井石油化学工業株式会社 | 光磁気記録体 |
| WO1989003413A1 (en) * | 1987-10-08 | 1989-04-20 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Random cycloolefin copolymer composition |
| JPH0816129B2 (ja) * | 1988-11-14 | 1996-02-21 | 日本ゼオン株式会社 | ノルボルネン系開環重合体の製造方法 |
| KR100235089B1 (en) * | 1992-05-14 | 1999-12-15 | Mitsui Chemicals Inc | Ptp or blister packaging articles and packaging material therefor |
| JPH08306069A (ja) * | 1995-05-11 | 1996-11-22 | Seiko Epson Corp | 光ディスクおよび光ディスクの製造方法 |
| JP2003535418A (ja) * | 1999-08-27 | 2003-11-25 | ザ ダウ ケミカル カンパニー | 高データ密度光媒体ディスク |
| KR100789247B1 (ko) * | 2005-01-05 | 2008-01-02 | 주식회사 엘지화학 | 광반응성 중합체 및 이의 제조 방법 |
| KR101150218B1 (ko) | 2005-05-24 | 2012-06-12 | 도소 가부시키가이샤 | 황함유 환상 올레핀 수지 및 그 제조방법 |
| JP2007131704A (ja) | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Fujifilm Corp | 環状オレフィン系重合体、およびそれを用いた光学材料、偏光板および液晶表示装置 |
| JP2007147884A (ja) | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Nitto Denko Corp | 液晶表示装置 |
| US8084563B2 (en) | 2006-07-07 | 2011-12-27 | Jsr Corporation | Cyclic olefin addition copolymer, process for production thereof, and retardation film obtained from the copolymer |
| JP2008197536A (ja) | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Nitto Denko Corp | 液晶パネルおよび液晶表示装置 |
| JP2009025780A (ja) | 2007-06-18 | 2009-02-05 | Nitto Denko Corp | 液晶パネルおよび液晶表示装置 |
| JP2009092847A (ja) | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Nitto Denko Corp | 液晶パネル及び液晶表示装置 |
| EP2051251A1 (en) | 2007-10-19 | 2009-04-22 | Bayer MaterialScience AG | Disc shaped high density recording medium |
| KR20110113620A (ko) | 2008-12-25 | 2011-10-17 | 바이엘 머티리얼사이언스 아게 | 디스크 형상의 고밀도 기록 매체 |
| JP2010243858A (ja) | 2009-04-07 | 2010-10-28 | Nitto Denko Corp | 偏光板、液晶パネルおよび液晶表示装置 |
| TWI719148B (zh) | 2016-03-25 | 2021-02-21 | 日商日本瑞翁股份有限公司 | 熱可塑性樹脂組成物 |
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| US2883372A (en) * | 1957-03-14 | 1959-04-21 | Du Pont | Copolymers of ethylene and dihydrodicyclopentadiene |
| JPS6026024A (ja) * | 1983-07-21 | 1985-02-08 | Nippon Zeon Co Ltd | 光学材料 |
-
1985
- 1985-06-21 JP JP60134292A patent/JP2619856B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61292601A (ja) | 1986-12-23 |
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