JP2633432B2 - 加熱処理装置 - Google Patents
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Description
板等の被処理物表面に塗布した膜のキュアリング等に用
いる加熱処理装置に関する。
ケートガラス(PSG)、ボロンシリケートガラス(B
PSG)、チッ化膜、有機膜等を、又ガラス基板表面に
SiO2膜を形成する方法として、これら基板表面に上記
被膜の形成用塗布液を塗布した後、加熱装置でキュアリ
ングする方法が従来から行なわれている。
ースプレート上に反応チャンバーを固定し、この反応チ
ャンバーの外周にヒータを配置し、更に反応チャンバー
内には下方から多数の被処理物を収納した保持具を挿入
可能とし、反応チャンバー内を減圧することで、被処理
物表面に形成された塗膜中の溶剤を蒸発せしめて除去
し、この後加熱してキュアリングを行なうようにしてい
る。しかし従来の加熱装置の構造では、真空引き装置に
つながる開口部も昇降させる必要があるため、十分な安
定を得ることができない。
理装置にあっては、被処理物を収納した保持具を昇降動
させて反応チャンバー内にセットしたり、反応チャンバ
ー内から取り出すため、昇降のスピードをゆっくりしな
ければならず処理時間がかかっている。
チャンバーとヒータとの位置関係が一定のため、一旦チ
ャンバー内の温度が加熱処理を行なった結果上昇すると
なかなかチャンバー内の温度が低下せず、次に被処理物
をチャンバー内にセットし溶剤を減圧して除去する際
に、縮合反応が同時に生じ、膜にクラックが発生するこ
とがある。
発明は、真空引き装置につながる開口を形成したベース
プレートと、ベースプレートの開口上に設けられる被処
理物保持具と、ベースプレートに対して昇降動自在とさ
れ下降位置で被処理物保持具を収納する密閉空間を形成
し上昇位置で被処理物保持具を外部に露出せしめる反応
チャンバーと、ベースプレートに対して昇降動自在とさ
れ下降位置で反応チャンバーを囲み上昇位置で反応チャ
ンバーを外部に露出せしめる加熱装置とによって加熱処
理装置を構成した。
でキュアリングを行ない、反応チャンバー及び加熱装置
を上昇させた状態で被処理物の取り出しとセットを行な
い、反応チャンバーを下降させ加熱装置を上昇させた状
態で真空引きして溶剤の蒸発を行なう。
説明する。ここで、図1は本発明に係る加熱処理装置の
加熱装置を下げた状態の縦断面図、図2は図1のA−A
方向矢視図である。
を形成し、この開口2に真空引き装置につながる配管3
を取り付け、また開口2を跨ぐように合成石英或いはア
ルミニウムからなる載置台4をベースプレート1上に固
定し、この載置台4上に同じく合成石英或いはアルミニ
ウムからなる被処理物保持具5を着脱自在にセットして
いる。
下方向に離間した多数の水平板4bを取り付けて構成さ
れ、上部における水平板4b同士の間隔を下部における
間隔よりも大きくすることで、温度分布がより均等にな
るようにしている。また載置台4の上面には3本の位置
決め突部4cが設けられ、この位置決め突部4cに保持
具5の下面に設けたカラー5cを填め込むことで保持具
5の位置決めとセットを行なうようにしている。また、
3本の位置決め突部4cが全てカラー5cに填め込まれ
ない場合でも、載置台4はベースプレート1上に固定さ
れているので、保持具5は十分に安定を得ることができ
る。尚、3本の位置決め突部4cのうちの1本の長さを
他のものと異ならせたり径を異ならせることで特定のカ
ラー5cとのみ嵌合するようにしてセットの際の向きを
定めるようにしてもよい。
4本の上下方向の支柱5aに上下方向に離間して多数の
溝5bを形成しこの溝5bに半導体ウェハやガラス基板
等の被処理物Wの周縁を挿入して保持する構造になって
いる。
示すように昇降装置6,7が設けられ、昇降装置6のア
ーム8にて合成石英等からなるベルジャー型の反応チャ
ンバー9が支持されている。この反応チャンバー9の下
端はアーム8の下面に取り付けた円環状のシール部材1
0上面に載置され、アーム8と一体的に昇降動する。即
ち、下降位置ではシール部材10がベースプレート1上
面に圧接して載置台4及び保持具5を収納する密閉空間
を形成し、上昇位置では保持具5を外部に露出せしめ
る。
はベースプレート1に基端部を取り付けた温度測定用の
熱電対11を臨ませ、反応チャンバー9の外周には高周
波電源に接続される電極12を配置し、チャンバー9内
にプラズマを発生させるようにしている。
14の下面を支持している。加熱装置14はステンレス
からなるアウタケース15と合成石英からなるインナケ
ース16間の空間に断熱ボード17を設け、この断熱ボ
ード17内側空間と外部とを冷却ダクト18で連通する
とともに断熱ボード17内周面にヒータ19を配置して
いる。
分19a,19b,19cから構成されている。つま
り、通常加熱装置14の内部は下方程冷えるため、部分
19cへの通電量を19aより多くし、加熱装置14内
部の温度の均一化を図るようにしている。尚、前記した
ように載置台4上に保持具5を載置するようにしたのも
より均一な温度雰囲気となっている反応チャンバー9内
の上部において加熱処理を行なうためである。
処理を行なう場合には図1に示すように、反応チャンバ
ー9及び加熱装置14を下降させた状態で行なう。この
処理では既にチャンバー9内は減圧されており、被処理
物W表面に塗布された塗布膜中の溶剤は蒸発によって除
去されている。また加熱処理はプラズマ雰囲気にて行な
うようにしてもよい。
示すように、反応チャンバー9及び加熱装置14を上昇
させた状態で被処理物Wの取り出しとセットを行なう。
取り出しとセットは被処理物Wを保持具5に保持させた
まま行なう。
9を下降させ、加熱装置14を上昇させたままの状態で
真空引きして被処理物W表面に塗布した塗布液中の溶剤
の蒸発を行なう。このとき加熱装置14は反応チャンバ
ー9を覆っていないので、反応チャンバー9内の温度は
塗布液の縮合反応を起こさない温度に保たれる。
処理装置は、被処理物保持具に対して反応チャンバーの
方を昇降動させるようにしたので、サイクルタイムを短
くすることができる。そして、反応チャンバーに対して
加熱装置を独立して昇降動せしめるようにしたので、チ
ャンバー内の温度を速やかに低下せしめることができ、
低温下(200℃程度)つまり縮合反応を起こさない温
度で溶剤のみを蒸発させることができ、膜強度を高める
ことができる。
て加熱装置を構成し、更には被処理物保持具を載置台を
介してベースプレート上に配置することで、均一な温度
雰囲気で加熱処理を行なうことができる。
に接続される電極を配置することでプラズマ雰囲気での
加熱処理が可能となり、更に膜強度を高めることができ
る。更にまた、真空引き装置につながる開口を形成した
ので、従来装置のように開口を昇降動させる必要がない
ので効率的に真空を行うことができる。
状態の縦断面図
ャンバーを上昇させた状態の縦断面図
昇させた状態の縦断面図
具、6,7…昇降装置、8,13…アーム、9…反応チ
ャンバー、14…加熱装置、W…被処理物。
Claims (4)
- 【請求項1】 真空引き装置につながる開口を形成した
ベースプレートと、ベースプレートの開口上に設けられ
る被処理物保持具と、ベースプレートに対して昇降動自
在とされ下降位置で被処理物保持具を収納する密閉空間
を形成し上昇位置で被処理物保持具を外部に露出せしめ
る反応チャンバーと、ベースプレートに対して昇降動自
在とされ下降位置で反応チャンバーを囲み上昇位置で反
応チャンバーを外部に露出せしめる加熱装置とを備えた
ことを特徴とする加熱処理装置。 - 【請求項2】 前記加熱装置は独立して制御可能な複数
のヒータを上下方向に分割して配置したことを特徴とす
る請求項1に記載の加熱処理装置。 - 【請求項3】 前記被処理物保持具はベースプレート上
に設けられた載置台上に着脱自在とされていることを特
徴とする請求項1に記載の加熱処理装置。 - 【請求項4】 前記反応チャンバーの外周には高周波電
源に接続される電極を配置したことを特徴とする請求項
1に記載の加熱処理装置。
Priority Applications (3)
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Family Applications (1)
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