JPS6210308B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6210308B2 JPS6210308B2 JP25011784A JP25011784A JPS6210308B2 JP S6210308 B2 JPS6210308 B2 JP S6210308B2 JP 25011784 A JP25011784 A JP 25011784A JP 25011784 A JP25011784 A JP 25011784A JP S6210308 B2 JPS6210308 B2 JP S6210308B2
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- JP
- Japan
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- gas
- processed
- objects
- etching
- vacuum container
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- Expired
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はドライエツチング装置に係り、特に被
処理物の載置手段を改良したドライエツチング装
置に関する。
処理物の載置手段を改良したドライエツチング装
置に関する。
第7図は従来のケミカルドライエツチング装置
を示したもので、真空容器1の内部には、被処理
物2を載置する載置台3が配設され、上記真空容
器1の上面には、エツチングガスを真空容器内に
均一に導入するためのガス分散管4が取り付けら
れており、このガス分散管4には、ガス導入管5
が接続されている。このガス導入管5の中途部に
は、石英管からなる放電管6が介設されており、
この放電管6に導波管7を介して高周波出力8を
印加することによりプラズマを発生させるように
なされている。また、上記真空容器1の下面に
は、図示しない真空ポンプに接続されるガス排出
管9がマニホールド10を介して接続されてい
る。
を示したもので、真空容器1の内部には、被処理
物2を載置する載置台3が配設され、上記真空容
器1の上面には、エツチングガスを真空容器内に
均一に導入するためのガス分散管4が取り付けら
れており、このガス分散管4には、ガス導入管5
が接続されている。このガス導入管5の中途部に
は、石英管からなる放電管6が介設されており、
この放電管6に導波管7を介して高周波出力8を
印加することによりプラズマを発生させるように
なされている。また、上記真空容器1の下面に
は、図示しない真空ポンプに接続されるガス排出
管9がマニホールド10を介して接続されてい
る。
上記装置においては、載置台3の上面に被処理
物2を載置し、ガス排出管9を介して真空容器1
の真空排気を行なう。その後、ガス導入管5によ
りCF4等のエツチングガスを送り、真空容器1内
を所定圧力のガス雰囲気とし、放電管6に高周波
出力8を印加することによりガスプラズマを発生
させる。そして、このガスプラズマの発生により
エツチングガスとしてのフツ素ラジカルが生成さ
れ、真空容器1内の被処理物2のエツチングを行
なうようになされる。上記装置の場合、エツチン
グ処理と、プラズマ発生とを別個の室で行なうた
め、被処理物がプラズマの照射による損傷を受け
ることがないという利点を有している。
物2を載置し、ガス排出管9を介して真空容器1
の真空排気を行なう。その後、ガス導入管5によ
りCF4等のエツチングガスを送り、真空容器1内
を所定圧力のガス雰囲気とし、放電管6に高周波
出力8を印加することによりガスプラズマを発生
させる。そして、このガスプラズマの発生により
エツチングガスとしてのフツ素ラジカルが生成さ
れ、真空容器1内の被処理物2のエツチングを行
なうようになされる。上記装置の場合、エツチン
グ処理と、プラズマ発生とを別個の室で行なうた
め、被処理物がプラズマの照射による損傷を受け
ることがないという利点を有している。
しかし、上記装置では、被処理物2を平面的に
並べて載置するため、1回のエツチング工程にお
ける処理枚数が少なく生産効率が悪いという問題
があり、このことは、近年における被処理物の大
口径化に伴ない特に顕著となつていた。また、上
記問題を解決するためには、真空容器を大型にす
る必要があるが処理時間や設備費等の面で好まし
くないという問題がある。
並べて載置するため、1回のエツチング工程にお
ける処理枚数が少なく生産効率が悪いという問題
があり、このことは、近年における被処理物の大
口径化に伴ない特に顕著となつていた。また、上
記問題を解決するためには、真空容器を大型にす
る必要があるが処理時間や設備費等の面で好まし
くないという問題がある。
本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、
真空容器を大型にすることなく、被処理物の生産
効率を高めることのできるドライエツチング装置
を提供することを目的とするものである。
真空容器を大型にすることなく、被処理物の生産
効率を高めることのできるドライエツチング装置
を提供することを目的とするものである。
上記目的達成のため本発明に係るドライエツチ
ング装置は、真空容器内部にエツチングガスを送
るガス導入管および上記エツチングガスを排気す
るガス排出管を設け、上記ガス導入管の中途部に
プラズマ発生装置を介設してなるドライエツチン
グ装置において、上記真空容器内部に被処理物を
多段に載置する載置棚を設けるとともに、この載
置棚に上記各被処理物の間に各被処理物を仕切る
遮蔽板を設けたことをその特徴とするものであ
る。
ング装置は、真空容器内部にエツチングガスを送
るガス導入管および上記エツチングガスを排気す
るガス排出管を設け、上記ガス導入管の中途部に
プラズマ発生装置を介設してなるドライエツチン
グ装置において、上記真空容器内部に被処理物を
多段に載置する載置棚を設けるとともに、この載
置棚に上記各被処理物の間に各被処理物を仕切る
遮蔽板を設けたことをその特徴とするものであ
る。
以下、本発明の実施例を第1図乃至第6図を参
照し、第7図と同一部分には同一符号を付して説
明する。
照し、第7図と同一部分には同一符号を付して説
明する。
第1図は本発明の一実施例を示したもので、ガ
ス導入管5およびガス排出管9は、真空容器1の
側面に対向して設けられており、真空容器1の内
部には、被処理物2を水平に多段に載置する載置
棚11が設けられている。この載置棚11は、下
面にシヤフト12が取付けられた支持台13上に
載置されており、上記シヤフト12の端部は真空
容器1の下面を貫通してモータ14に接続され、
エツチング中に支持台13を回転させるようにな
されている。また、第2図に示すように上記載置
棚11の対向する側面には、所定間隔をもつて支
持溝15,15…が形成されており、この支持溝
15には、被処理物2を多段に載置するととも
に、この各被処理物2の間にAl製の遮蔽板1
6,16…を載置し、各被処理物2を遮蔽板16
により仕切るようになされている。
ス導入管5およびガス排出管9は、真空容器1の
側面に対向して設けられており、真空容器1の内
部には、被処理物2を水平に多段に載置する載置
棚11が設けられている。この載置棚11は、下
面にシヤフト12が取付けられた支持台13上に
載置されており、上記シヤフト12の端部は真空
容器1の下面を貫通してモータ14に接続され、
エツチング中に支持台13を回転させるようにな
されている。また、第2図に示すように上記載置
棚11の対向する側面には、所定間隔をもつて支
持溝15,15…が形成されており、この支持溝
15には、被処理物2を多段に載置するととも
に、この各被処理物2の間にAl製の遮蔽板1
6,16…を載置し、各被処理物2を遮蔽板16
により仕切るようになされている。
本実施例においては、載置棚11に被処理物2
を載置することにより、多数枚の被処理物2を一
度にしかも均一にエツチングすることができる。
を載置することにより、多数枚の被処理物2を一
度にしかも均一にエツチングすることができる。
次に、第3図に示すように、基板17の上面に
熱酸化法による100Å厚の熱酸化膜18を形成
し、この熱酸化膜18の上面にシラン(SiH4)の
熱分解による減圧気相成長法により多結晶シリコ
ン層19を堆積した後、1000℃のリン拡散したも
のをポジ型レジスト20でマスク形成してなる被
処理物を用いて、CF4ガス流量が100SCCM、O2
ガス流量が100SCCM、エツチング圧力が15Pa、
高周波出力が800Wの条件下で行なつた実験結果
を第4図乃至第6図に示す。
熱酸化法による100Å厚の熱酸化膜18を形成
し、この熱酸化膜18の上面にシラン(SiH4)の
熱分解による減圧気相成長法により多結晶シリコ
ン層19を堆積した後、1000℃のリン拡散したも
のをポジ型レジスト20でマスク形成してなる被
処理物を用いて、CF4ガス流量が100SCCM、O2
ガス流量が100SCCM、エツチング圧力が15Pa、
高周波出力が800Wの条件下で行なつた実験結果
を第4図乃至第6図に示す。
第4図は遮蔽板を用いない場合のエツチング速
度を示したもので、被処理物を載置棚の中央部に
1枚載置したときに比べて、25枚載置したときは
エツチングの均一性が低下しているのがわかる。
これは、エツチング時における化学反応により、
被処理物の温度が上昇し、被処理物から放射され
る赤外線による輻射熱により隣接する被処理物が
加熱されてしまうためである。しかし、遮蔽板を
用いると、第5図に示すように、被処理物を25枚
載置した場合でも、極めて高いエツチングの均一
性を得ることができることがわかる。このこと
は、第6図に示す被処理物の温度変化をみるとわ
かるように、遮蔽板による輻射熱の熱遮断効果が
高いことに起因するものである。
度を示したもので、被処理物を載置棚の中央部に
1枚載置したときに比べて、25枚載置したときは
エツチングの均一性が低下しているのがわかる。
これは、エツチング時における化学反応により、
被処理物の温度が上昇し、被処理物から放射され
る赤外線による輻射熱により隣接する被処理物が
加熱されてしまうためである。しかし、遮蔽板を
用いると、第5図に示すように、被処理物を25枚
載置した場合でも、極めて高いエツチングの均一
性を得ることができることがわかる。このこと
は、第6図に示す被処理物の温度変化をみるとわ
かるように、遮蔽板による輻射熱の熱遮断効果が
高いことに起因するものである。
以上述べたように本発明に係るドライエツチン
グ装置は、真空容器の内部に、被処理物を多段に
載置するとともに、各被処理物の間を仕切る遮蔽
板を有する載置棚を設けるようにしたので、真空
容器を大型化することなく、多数枚の被処理物を
一度にエツチングすることができ、生産効率を著
しく向上させることができる。また、多段に載置
された被処理物のエツチングの均一性を損なう要
因である輻射熱を、遮蔽板により遮断することが
できるので、エツチングの均一性が極めて良好と
なる等の効果を奏する。
グ装置は、真空容器の内部に、被処理物を多段に
載置するとともに、各被処理物の間を仕切る遮蔽
板を有する載置棚を設けるようにしたので、真空
容器を大型化することなく、多数枚の被処理物を
一度にエツチングすることができ、生産効率を著
しく向上させることができる。また、多段に載置
された被処理物のエツチングの均一性を損なう要
因である輻射熱を、遮蔽板により遮断することが
できるので、エツチングの均一性が極めて良好と
なる等の効果を奏する。
第1図乃至第6図は本発明の一実施例を示した
もので、第1図は概略構成図、第2図は載置棚部
分の縦断面図、第3図は被処理物の拡大断面図、
第4図および第5図は被処理物の位置とエツチン
グ速度との関係を示すそれぞれ線図、第6図はエ
ツチング時の被処理物の温度変化を示す線図、第
7図は従来のドライエツチング装置を示す概略構
成図である。 1……真空容器、2……被処理物、3……載置
台、4……ガス分散管、5……ガス導入管、6…
…放電管、7……導波管、8……高周波出力、9
……ガス排出管、10……マンホールド、11…
…載置棚、12……シヤフト、13……支持台、
14……モータ、15……支持溝、16……遮蔽
板、17……基板、18……熱酸化膜、19……
シリコン層、20……ポジ型レジスト。
もので、第1図は概略構成図、第2図は載置棚部
分の縦断面図、第3図は被処理物の拡大断面図、
第4図および第5図は被処理物の位置とエツチン
グ速度との関係を示すそれぞれ線図、第6図はエ
ツチング時の被処理物の温度変化を示す線図、第
7図は従来のドライエツチング装置を示す概略構
成図である。 1……真空容器、2……被処理物、3……載置
台、4……ガス分散管、5……ガス導入管、6…
…放電管、7……導波管、8……高周波出力、9
……ガス排出管、10……マンホールド、11…
…載置棚、12……シヤフト、13……支持台、
14……モータ、15……支持溝、16……遮蔽
板、17……基板、18……熱酸化膜、19……
シリコン層、20……ポジ型レジスト。
Claims (1)
- 1 真空容器内部にエツチングガスを送るガス導
入管および上記エツチングガスを排気するガス排
出管を設け、上記ガス導入管の中途部にプラズマ
発生装置を介設してなるドライエツチング装置に
おいて、上記真空容器内部に被処理物を多段に載
置する載置棚を設けるとともに、この載置棚に上
記各被処理物の間に各被処理物を仕切る遮蔽板を
設けたことを特徴とするドライエツチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25011784A JPS61127877A (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25011784A JPS61127877A (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | ドライエツチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61127877A JPS61127877A (ja) | 1986-06-16 |
JPS6210308B2 true JPS6210308B2 (ja) | 1987-03-05 |
Family
ID=17203074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25011784A Granted JPS61127877A (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61127877A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0697676B2 (ja) * | 1985-11-26 | 1994-11-30 | 忠弘 大見 | ウエハサセプタ装置 |
JPH0722158B2 (ja) * | 1986-10-17 | 1995-03-08 | 株式会社芝浦製作所 | ドライエツチング装置 |
JPH0670988B2 (ja) * | 1987-08-31 | 1994-09-07 | 株式会社芝浦製作所 | ドライエッチング方法 |
JPS6459820A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Tokuda Seisakusho | Dry etching |
JPH01134929A (ja) * | 1987-11-19 | 1989-05-26 | Tokuda Seisakusho Ltd | ドライエッチング方法 |
-
1984
- 1984-11-27 JP JP25011784A patent/JPS61127877A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61127877A (ja) | 1986-06-16 |
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