JP2631567B2 - 狭帯域発振エキシマレーザ - Google Patents

狭帯域発振エキシマレーザ

Info

Publication number
JP2631567B2
JP2631567B2 JP1278141A JP27814189A JP2631567B2 JP 2631567 B2 JP2631567 B2 JP 2631567B2 JP 1278141 A JP1278141 A JP 1278141A JP 27814189 A JP27814189 A JP 27814189A JP 2631567 B2 JP2631567 B2 JP 2631567B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
narrow
grating
beam expander
excimer laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP1278141A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH03139893A (ja
Inventor
理 若林
諭樹夫 小林
雅彦 小若
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Komatsu Ltd
Original Assignee
Komatsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Komatsu Ltd filed Critical Komatsu Ltd
Priority to JP1278141A priority Critical patent/JP2631567B2/ja
Publication of JPH03139893A publication Critical patent/JPH03139893A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2631567B2 publication Critical patent/JP2631567B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08004Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
    • H01S3/08009Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection using a diffraction grating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08004Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/105Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
    • H01S3/1055Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length one of the reflectors being constituted by a diffraction grating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22Gases
    • H01S3/223Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lasers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はステッパー用の光源として使用される狭帯域
発振エキシマレーザに関する。
〔従来の技術〕
半導体装置製造用の縮小投影露光装置(以下、ステッ
パーという)の光源としてエキシマレーザの利用が注目
されている。これはエキシマレーザの波長が短い(KrF
の波長は約248.4nm)ことから光露光の限界を0.5μm以
下に延ばせる可能性があること、同じ解像度なら従来用
いていた水銀ランプのg線やi線に比較して焦点深度が
深いこと、レンズの開口数(NA)が小さくて済み、露光
領域を大きくできること、大きなパワーが得られること
等の多くの優れた利点が期待できるからである。
ところで、ステッパーの光源として利用されるエキシ
マレーザとしては線幅3pm以下の狭帯化が要求され、し
かも大きな出力パワーが要求される。
エキシマレーザの狭帯域化の技術としては従来インジ
ェンクションロック方式と呼ばれるものがある。このイ
ンジェンクションロック方式は、オシレータ段のキャピ
ティ内に波長選択素子(エタロン,回折格子、プリズム
等)を配置し、ピンホールによって空間モードを制限し
て単一モード発振させ、このレーザ光を増幅段によって
注入同期する。この方式によると比較的大きな出力パワ
ーが得られるが、ミスショットがあったり、ロッキング
効率を100%とすることが困難であったり、スペクトル
純度が悪くなるという欠点がある。また、この方式の場
合その出力光はコヒーレンズ性が高く、これを縮小露光
装置の光源に用いた場合はスペックル・パターンが発生
する。一般にスペックル・パターンの発生はレーザ光に
含まれる空間横モードの数に依存すると考えられてい
る。すなわち、レーザ光に含まれる空間横モードの数が
少ないとスペックル・パターンが発生し易くなり、逆に
空間モードの数が多くなるとスペックル・パターンは発
生しにくくなることが知られている。上述したインジェ
クションロック方式は本質的には空間横モードの数を著
しく減らすことによって狭帯域化を行う技術であり、ス
ペックル・パターンの発生が大きな問題となるため縮小
投影露光装置には採用できない。
エキシマレーザの狭帯域化の技術として他に有望なも
のは波長選択素子であるエアーギャップエタロンを用い
たものがある。このエアーギャップエタロンを用いた従
来技術としてはエキシマレーザのキャビティ内に複数個
のエアーギャップエタロンを配置し、エキシマレーザの
狭帯域化を図ろうとする技術が提案されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところが、レーザキャビティ内にエタロンを配置した
場合、単一段のステッパ用の狭帯域発振エキシマレーザ
はエタロンを透過するエネルギー密度が非常に高いため
に、エタロンの反射膜が少ないショット数で劣化してし
まい、エタロンの透過率が著しく減少したり、フィネス
が小さくなることによって、出力レーザ光のスペクトル
純度及びパワーが著しく低下していた。また、この従来
技術によれば、エタロンを透過するエネルギー密度が高
いため、熱によって、エタロンのギャップが変化し、こ
の結果エタロンの透過波長が大きくシフトし、波長の制
御性を著しく低下させるという不具合があった。
この発明はこのような事情に鑑がみてなされたもの
で、狭帯域化及び装置の長寿命化を図ると共に、スペク
トル線幅を狭くしかつ波長の制御性を向上させる狭帯域
発張エキシマレーザを提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するためこの発明においては、狭帯域
化素子としてビームエキスパンダ、エタロン及びグレー
ティングを用い、レーザチャンバとグレーティングの間
にビームエキスパンダ、エタロンをこの順序で配置する
とともに、 前記ビームエキスパンダのビーム拡大方向を放電方向
とほぼ垂直にし、更に前記グレーティングをその線引き
方向が前記放電方向と略垂直となるよう配置するように
している。
〔作用〕
かかる構成によれば、エタロン及びグレーティングに
よって波長選択を行ない、ビームエキスパンダによって
ビームの拡大を行なう。そして、ビームエキスパンダの
ビーム拡大方向を放電方向とほぼ垂直にし、更に前記グ
レーティングをその線引き方向が前記放電方向と略垂直
となるように配置するようにしている。ビームエキスパ
ンダによるビーム拡大によってエネルギー密度が小さく
なり、エタロン及びグレーティングの寿命が延びる。
エキシマレーザはそのビーム広がり角がレーザの放電
方向に垂直な方向よりもレーザの放電方向の方が大き
い。そして、発振領域の断面も放電方向に垂直な方向よ
りも放電方向のほうが大きい。そこで、ビームエキスパ
ンダのビーム拡大方向をレーザの放電方向と略垂直にす
ることによってエタロンの有効径を大きくすることなく
効率良く狭帯域化する。
更に、グレーティングの線引方向をレーザの放電方向
と略垂直にすることにより効率よく狭帯域化する。
〔実施例〕
以下、この発明の実施例を添付図面を参照して詳細に
説明する。
第1図はこの発明の狭帯域発振エキシマレーザの一実
施例を示した側面図である。この実施例の狭帯域発振エ
キシマレーザは、フロントミラー1と、リアミラーおよ
び波長選択素子の機能を有するグレーティング6との間
に、レーザチャンバ3、ビームエキスパンダ4、および
波長選択素子として機能するエタロン5が配設される。
すなわちフロントミラー1とグレーティング6との間に
光共振器が構成されている。このグレーティングの配置
は謂ゆるリトロー配置である。
レーザチャンバ3はその内にKrF等を含むレーザガス
が循環可能に充填され、またレーザガスを励起させるた
めの放電電極7、7′が紙面に垂直な方向に並設されて
いる。すなわち、放電方向は紙面に垂直な方向となって
いる。更にレーザチャンバ3の両端には所定の角度で配
置されたウィンドウ2a,2bが設けられている。
グレーティング6は、光の回折を利用して特定波長の
光を選択するもので、一定方向に配列された多数の溝が
形成されている。この明細書ではこの多数の溝と直角の
方向を線引方向と称している。グレーティング6は、こ
の線引方向を含む平面内で、入射光に対するグレーティ
ング6の角度θを可変させることにより、特定の波長の
光を選択することができる。すなわち、グレーティング
6は入射光に対するグレーティングの角度に対応する特
定の光のみを所定の方向(この場合入射光の方向)に反
射させ、これによって特定の波長の光に対する選択動作
を行なう。
ここで、ビームエキスパンダ4によるビーム拡大方向
はレーザチャンバ3内の電極7、7′による放電方向と
垂直な方向に一致している。また、グレーティング6の
線引方向も電極7、7′による放電方向に対して垂直に
なるようにレーザチャンバ3内の電極7、7′に対する
グレーティング6の配置を選択するようにしている。
このような構成によれば、ビームエキスパンダ6によ
ってビームを拡大するようにしているので、レーザビー
ムのエネルギー密度が小さくなり、エタロン5及びグレ
ーティング6の寿命を延ばすことができる。また、レー
ザビームのエネルギー密度が小さくなるので、熱による
エタロンギャップの変化が抑止され、波長の制御性が良
くなる。さらに、その拡大方向は電極7、7′による放
電方向と垂直な方向のみであるので、レーザビームの形
状を第2図に示すように、ほぼ正方形とすることがで
き、これによりエタロンの有効径をあまり大きくするこ
となく効率良く狭帯域化することができる。すなわち、
レーザチャンバ3のウィンドウ2bから出力されるレーザ
ビームの広がり角は一般に電極7、7′による放電方
向、すなわち電極7、7′の配列方向よりもこの放電方
向に垂直な方向の方が小さく、その形状は横長の長方形
状となっている。そこで、拡大方向を電極7、7′によ
る放電方向と垂直な方向にすることで、レーザビームの
形状をほぼ正方形とすることができる。またこの実施例
によれば、エタロン5を挿入し、グレーティング6の線
引方向も電極7、7′による放電方向に対して垂直にな
るようにグレーティング6を配置するようにしているの
で、グレーティング6におけるビーム広がりを最小にす
ることができ、これにより効率よく狭帯域化することが
できる。
第3図(a),(b)は第1図に示した実施例のビー
ムエキスパンダ4として、2個のシリンドリカルレンズ
8、9により構成されたビームエキスパンダを用いたこ
の発明の他の実施例を側面図および平面図で示したもの
である。この実施例の場合も、グレーティング6の線引
方向はレーザチャンバ3内の電極7、7′による放電方
向と垂直にされ、シリンドリカルレンズ8、9によるビ
ームエキスパンダのビーム拡大方向は、電極7、7′に
よる放電方向と垂直になるよう構成される。
第4図(a),(b)は第1図に示した実施例のビー
ムエキスパンダ4として、2個のプリズム10、11により
構成されたビームエキスパンダを用いたこの発明の他の
実施例を側面図および平面図で示したものである。この
実施例の場合も、グレーティング6の線引方向はレーザ
チャンバ3内の電7、7′による放電方向と垂直にさ
れ、プリズム10、11によるビームエキスパンダのビーム
拡大方向は、電極7、7′による放電方向と垂直になる
よう構成される。この場合、プリズムを2個としてビー
ムエキスパンダを構成したが、プリズムは1個あるいは
複数個であってもよい。
第5図(a),(b)は第4図に示した実施例のプリ
ズム10とレーザチャンバ3との間に、プリズム10,11か
らなるプリズムビームエキスパンダのビーム拡大方向に
ほぼ平行な偏光波のみを選択的に透過させる偏光素子12
を介在させたこの発明の他の実施例を側面図および平面
図で示したものである。この実施例の場合も、グレーテ
ィング6の線引方向はレーザチャンバ3内の電極7、
7′による放電方向と垂直にされ、プリズム10、11によ
るビームエキスパンダのビーム拡大方向は、電極7、
7′による放電方向と垂直になるよう構成される。
偏光素子12は、プリズム10,11からなるプリズムビー
ムエキスパンダのビーム拡大方向にほぼ平行な偏光波の
みを選択的に透過させる。この偏光素子12としては、例
えば複屈折材料(水晶、カルサイト等)を用いた偏光プ
リズム、ブリュースタ分散プリズム、ガラス基板(石
英、CaF2またはMgF2)をブリュースタ角で配置するかま
たはガラス基板に所定の偏光線分を透過するようなコー
ティングをしたもの等から構成することができる。
このような構成によると第5図(a)(b)に示した
装置は、プリズム10,11から構成されるプリズムビーム
エキスパンダのビーム拡大方向にほぼ平行な直線偏光波
によって選択的に発振される。ここでプリズムビームエ
キスパンダのビーム拡大方向に平行な直線偏光波は、プ
リズムへの入射角が大きくても透過率は大きいのでスペ
クトル線幅を細くするためにビームエキスパンダの拡大
率を大きくしても、損失はそれほど大きくならない。す
なわち、損失の小さい狭帯域発振エキシマレーザを構成
することができる。
第6図(a)(b)はこの発明の他の実施例を示した
もので、第6図(a)はその側面図、第6図(b)はそ
の平面図である。この実施例においては、レーザチャン
バ3のリア側ウィンドウ2bによって特定の直線偏光波を
選択するような構成されている。この実施例において、
レーザチャンバ3のリア側ウィンドウ2bは、プリズム1
0、11からなるプリズムビームエキスパンダのビーム拡
大方向とレーザの光軸の面内でレーザ光軸に対してほぼ
ブリュースタ角θaとなるように配置される。
なお、第6図の構成においてはリア側のウィンドウ2b
のみをブリュースタ角に設定したが、リア側のウィンド
ウ2bとフロント側のウィンドウ2aの両者を所定のブリュ
ースタ角に配置してもよいし、またフロント側のウィン
ドウ2aのみをブリュースタ角に配置してもよい。
第7図(a)(b)は、この発明の更に他の実施例を
示したものである。ここで、第7図(a)はその側面
図、第7図(b)はその平面図を示す。この実施例は、
プリズムビームエキスパンダを構成するプリズム10、11
にプリズムビームエキスパンダの拡大方向と平行な偏光
成分のみを選択的に反射防止する反射防止膜をコーティ
ングすることにより構成さる。第7図(a)において点
線で示した部分13,14がこのコーティング部を示してい
る。
なお、この場合、コーティングは少なくとも1つのプ
リズムの、光を透過する一面に対して行なえばよい。こ
の場合、プリズムに対する入射角が大きくなっても、ビ
ームエキスパンダ方向に平行な偏光成分に対して99%以
上の透過率を維持することができる。
なお、上記実施例では、レーザビームを一方向にのみ
拡大するためにビームエキスパンダとしてシリンドリカ
ルレンズあるいはプリズムを用いるようにしたが、第8
図に示すように、コリメータレンズすなわち凹レンズ1
5、凸レンズ16を用いるようにしてもよい。更に、凸レ
ンズと凸レンズでビームエキスパンダを構成するように
してもよい。
なお、上記リトロー配置の実施例において、グレーテ
ィング6は第9図に示すようなエシエールグレーティン
グを用いると好適である。エシエールグレーティングは
第9図に示すように溝の頂角がほぼ直角となっており、
またブレーズ角βの大きなものが製作可能であるため、
高効率でしかも高分解能となっている。したがって上述
したリトロー配置の各実施例においてグレーティング6
として第9図に示すようなエシエールグレーティングを
用い、レーザ光の入射角および回折角がそのブレーズ角
を一致するようにすれば更に効率のよい狭帯域化が可能
になり、グレーティングが単一段でも充分な狭帯域化が
実現できる。
なお、上述した実施例においてレーザチャンバ3内の
電極7、7′による放電方向とグレーティング6の線引
方向とは必ずしも正確に垂直にする必要はない。グレー
ティング6の線引方向が電極7、7′による放電方向と
略垂直になれば充分高効率な波長制御が可能となる。
また、プリズム10、11またはシリンドリカルレンズ
8、9によるビームエキスパンダのビーム拡大方向は電
極7、7′による放電方向と正確に垂直にする必要はな
い。ビームエキスパンダのビーム拡大方向が電極7、
7′による放電方向と略垂直になれば充分な高効率の波
長制御が可能となる。
〔発明の効果〕
以上説明したようにこの発明によれば、 (1)レーザチャンバとエタロンの間にビームエキスパ
ンダを配置し、エタロンに入射するレーザビームを拡大
することによりエタロン及びグレーティングに入射する
エネルギー密度を小さくするようにしているのでエタロ
ン及びグレーティングの寿命が飛躍的に延びる。
(2)エタロン及びグレーティングに入射するエネルギ
ー密度を小さいので、エタロン及びグレーティングに熱
的変形が発生せず、これにより波長のシフト量が小さく
なり、波長の制御性が向上する。
(3)ビームエキスパンダのビーム拡大方向を放電方向
とほぼ垂直にし、更に前記グレーティングをその線引き
方向が前記放電方向と略垂直となるよう配置するように
しているので、エタロンの有効径を大きくすることなく
効率良く狭帯域化する。
(4)グレーティングの線引き方向とプリズムビームエ
キスパンダのビーム拡大方向とをほぼ一致させるととも
に、プリズムビームエキスパンダのビーム拡大方向にほ
ぼ平行な直線偏光波を選択的に発振させる選択透過手段
を設けたため、プリズムビームエキスパンダでのロスを
ほとんどなくすることができる。このためスペクトル線
幅を狭くし、かつ、大きな出力を得ることが可能にな
る。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す側面図、第2図はこ
の発明の実施例によるレーザビームの形状を示す断面
図、第3図(a)(b)乃至第7図(a)(b)は夫々
この発明の他の実施例を示す側面図および平面図、第8
図はこの発明の更に他の実施例を示す側面図、第9図は
エシエールグレーティングを示す側面図である。 1……フロントミラー、2a,2b……ウィンドウ、3……
レーザチャンバ、4……ビームエキスパンダ、5……エ
タロン、6……グレーティング、7、7′……放電電
極、8、9……シリンドリカルレンズ、10、11……プリ
ズム、12……偏光素子、13、14……反射防止膜、15、16
……コリメータレンズ
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平1−160072(JP,A) 特開 平1−248583(JP,A) 特開 昭52−126192(JP,A) 特開 昭62−176181(JP,A)

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】レーザチャンバ内で対向する対の放電電極
    による放電によってレーザチャンバ内のレーザガスを励
    起してレーザ光を発生すると共に、狭帯域化素子として
    ビームエキスパンダ、エタロン、及びグレーティングを
    用い、レーザチャンバとグレーティングの間にビームエ
    キスパンダ、エタロンをこの順序で配置するようにした
    狭帯域発振エキシマレーザにおいて、 前記ビームエキスパンダのビーム拡大方向を前記放電電
    極の放電方向とほぼ垂直にし、更に前記グレーティング
    をその線引方向が前記放電方向と略垂直になるよう配置
    するようにしたことを特徴とする狭帯域発振エキシマレ
    ーザ。
  2. 【請求項2】前記ビームエキスパンダのビーム拡大方向
    にほぼ平行な直線偏光波を選択的に透過する選択透過手
    段を更に具えたことを特徴とする請求項(1)記載の狭
    帯域発振エキシマレーザ。
  3. 【請求項3】前記選択透過手段は、光共振器内に配置さ
    れた偏光素子であることを特徴とする請求項(2)記載
    の狭帯域発振エキシマレーザ。
  4. 【請求項4】前記選択透過手段は、前記ビームエキスパ
    ンダのビーム拡大方向とレーザの光軸の面内で該レーザ
    光軸に対してほぼブリュースタ角となるように配置され
    た、レーザチャンバのリア側またはフロント側のウィン
    ドウを含むことを特徴とする請求項(2)記載の狭帯域
    発振エキシマレーザ。
  5. 【請求項5】前記ビームエキスパンダはプリズムであ
    り、前記選択透過手段は、該プリズムのビーム拡大方向
    とほぼ平行な偏光成分のみを選択的に反射防止し、プリ
    ズムの少なくとも一面にコーティングされた反射防止膜
    を含むことを特徴とする請求項(2)記載の狭帯域発振
    エキシマレーザ。
JP1278141A 1989-10-25 1989-10-25 狭帯域発振エキシマレーザ Expired - Lifetime JP2631567B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1278141A JP2631567B2 (ja) 1989-10-25 1989-10-25 狭帯域発振エキシマレーザ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1278141A JP2631567B2 (ja) 1989-10-25 1989-10-25 狭帯域発振エキシマレーザ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03139893A JPH03139893A (ja) 1991-06-14
JP2631567B2 true JP2631567B2 (ja) 1997-07-16

Family

ID=17593160

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1278141A Expired - Lifetime JP2631567B2 (ja) 1989-10-25 1989-10-25 狭帯域発振エキシマレーザ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2631567B2 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0786673A (ja) * 1993-09-16 1995-03-31 Nec Corp ガスレーザ発振器
US6542243B2 (en) 2000-01-27 2003-04-01 Lambda Physik Ag Resonator optics monitoring method
US7075963B2 (en) * 2000-01-27 2006-07-11 Lambda Physik Ag Tunable laser with stabilized grating
JP4033333B2 (ja) * 2002-02-21 2008-01-16 ギガフォトン株式会社 ガスレーザ装置及びガスレーザ装置のフッ素濃度制御方法
KR101024559B1 (ko) * 2002-05-07 2011-03-31 사이머 인코포레이티드 수명이 긴 광학기구를 갖춘 고 전력 딥 자외선 레이저
JP5382975B2 (ja) * 2004-07-06 2014-01-08 株式会社小松製作所 高出力ガスレーザ装置
DK2937954T3 (da) * 2012-12-20 2020-10-19 Rainbow Source Laser Excimer-laser-kombinationsresonator
WO2016189722A1 (ja) 2015-05-28 2016-12-01 ギガフォトン株式会社 レーザ装置及び狭帯域化光学系

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4016504A (en) * 1976-04-12 1977-04-05 Molectron Corporation Optical beam expander for dye laser
JPS62176181A (ja) * 1986-01-29 1987-08-01 Toshiba Corp 多波長発振色素レ−ザ装置
JP2631482B2 (ja) * 1987-12-17 1997-07-16 株式会社小松製作所 エキシマレーザの波長制御装置
JPH01248583A (ja) * 1988-03-30 1989-10-04 Toshiba Corp 狭帯域レーザ装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH03139893A (ja) 1991-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5596596A (en) Narrow band excimer laser
US4856018A (en) Light source for reduced projection
JP2631554B2 (ja) レーザの波長制御装置
US7792176B2 (en) Narrow-band laser device for exposure apparatus
JP2631567B2 (ja) 狭帯域発振エキシマレーザ
JP2002198588A (ja) フッ素分子レーザ
JP4907865B2 (ja) 多段増幅型レーザシステム
JP3360078B2 (ja) 狭帯域発振レーザ
JP5393725B2 (ja) 多段増幅型レーザシステム
JP2688991B2 (ja) 狭帯域発振エキシマレーザ
JPH03250777A (ja) 狭帯域発振エキシマレーザ
JP2961428B2 (ja) 狭帯域発振エキシマレーザ
JP2957637B2 (ja) 狭帯域レーザ装置
JP2000357836A (ja) 超狭帯域化フッ素レーザ装置
JP2001291921A (ja) 超狭帯域化レーザ装置
WO2023089673A1 (ja) レーザ装置、及び電子デバイスの製造方法
JPH10112570A (ja) 狭帯域発振エキシマレーザ
JP2000216464A (ja) 狭帯域化レ―ザ装置に用いられるエシェ―ルグレ―ティング
JPH0346284A (ja) 狭帯域発振エキシマレーザ
US20230375847A1 (en) Optical isolator, ultraviolet laser device, and electronic device manufacturing method
JPH0472782A (ja) 狭帯域発振レーザ装置
JPH0480981A (ja) 狭帯域発振レーザ装置
JP2006339358A (ja) 狭帯域レーザ装置
JP2967623B2 (ja) 狭帯域化レーザ発振装置
JP2964255B2 (ja) 狭帯域発振エキシマレーザ