JP2627062B2 - 粒子線装置 - Google Patents

粒子線装置

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JP2627062B2
JP2627062B2 JP60177466A JP17746685A JP2627062B2 JP 2627062 B2 JP2627062 B2 JP 2627062B2 JP 60177466 A JP60177466 A JP 60177466A JP 17746685 A JP17746685 A JP 17746685A JP 2627062 B2 JP2627062 B2 JP 2627062B2
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particle
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、粒子線発生器、少なくとも１つのコンデ
ンサレンズ、偏向系、粒子線を試料上に集束するための
対物レンズを有する粒子光学ユニットおよび粒子を制動
するための遅延装置を備えた粒子線装置に関する。〔従
来の技術〕 〔従来の技術〕 半導体技術においてもマイクロエレクロニクス・デバ
イス又はその製作に対して必要となる部品の検査、例え
ばマスクおよびウエーハの検査に対して走査型電子顕微
鏡が多く使用されるようになつた。電子ビーム測定技術
において走査型電子顕微鏡を使用することは例えば米国
特許第4277679号明細書により公知である。電子ビーム
・リソグラフイによる微細構造の製作に走査型電子顕微
鏡を使用することは例えば米国特許第4075488号明細書
に記載されている。この外に走査型電子顕微鏡は集積電
子デバイス製作に際して各工程段のコントロールにも使
用される。例えばマスク又はウエーハの寸法測定又は位
置決めに使用されている。
走査型電子顕微鏡を例えば空間寸法の測定，電位測定
等の測定技術に使用する場合、測定対象物の表面の充電
によつて測定の誤りが生じないように注意しなければな
らない。測定対象物の表面の充電を避けるためには、対
象物表面に導電材料を蒸着して導電性とすることが可能
である。対象物を更に処理するため表面に導電材料を蒸
着することは不可能である場合、例えばマイクロエレク
トロニクスにおける測定対象物の場合には、その表面を
照射する一次電子のエネルギーを調整して時間平均にお
いて表面に当る電荷の中この表面にとどまるものと表面
から立去るものとが等しくなるようにすることが必要で
ある。このように表面に当る電荷とそれから立去る電荷
の間にバランスが保たれる入射一次電子エネルギー値は
一般に低く、典型的には500eVから2keVの間にある。電
荷のバランスが時間平均で保たれればよい場合、あるい
は測定対象物が特殊な材料から成る場合には、一次電子
の入射エネルギーを10keVあるいはそれ以上としても測
定対象物表面における電荷バランスが達成され、この表
面の充電を避けることができる。
電子ビーム描画装置では対象物表面に当る一次電子エ
ネルギーは約20keVであるが、将来はこれより低い入射
エネルギーが選ばれるようになる傾向が認められる。対
象物に当るときの一次電子のエネルギーが低い程近接効
果が弱く、フオトレジストとターゲツト内の散乱体積が
小さくなる。従つて将来の粒子線描画装置においては、
高い粒子流密度と低い入射エネルギーをもつ細い粒子ビ
ーム・ゾンデが要求されるようになると考えられる。従
来の走査型電子顕微鏡では粒子ビーム路内の粒子エネル
ギーが低い程測定に際しての分解能が低くなり、対象物
に当る粒子ゾンデの直径が大きくなり、粒子ゾンデ流密
度が低くなる。従来の走査型電子顕微鏡は従つて上記の
応用分野では最適のものではない。このような欠点の原
因はベンシユ効果（Boersch−effect）と呼ばれている
もので、粒子ビーム中の粒子の集束を妨害するものであ
る。特に高強度の粒子ビーム源（例えば電子ビーム発生
用の六フツ化ランタン単結晶陰極）の輝度を完全に利用
することは不可能である。特に粒子エネルギーが低いと
き、ベンシユ効果により輝度がビーム源が対象物に向つ
て進む間に低下する。エネルギー1keVの電子ビームの場
合発生源から対象物までの間の輝度の損失係数は20を超
える。粒子エネルギーが更に低下すると、ビーム路中で
種々のレンズの後にある交叉点が場合によつて著しく拡
大し、粒子ゾンデを拡げて測定分解能を悪化させ、粒子
ビーム密度を低下させる。
ドイツ連邦共和国特許出願公開第3138926号公報によ
り、１段形大電流ゾンデと短焦点結像レンズを備える電
子顕微鏡が公知である。一次電子ビームのエネルギーの
拡がりが電子ビーム交叉点の数に比例して増大すること
は文献「オプチク」（Optik）、57（1980年）,3巻,339
頁に示されているから、上記の特許出願公開公報に記載
された電子顕微鏡ではベルシユ効果が小さくなる。しか
しこの種の公知の電子顕微鏡は、広い動作間隔を必要と
する装置又はビーム交叉点に設けられた容易に手を入れ
ることができる触診系を必要とする装置においての使用
には適していない。この触診系は対象物に対して比較的
大きな間隔を置いて設けられ、触診系に導かれる電位か
ら対象物に有害な作用が及ぼされないようになつてい
る。
ドイツ連邦共和国特許出願公開第3204897号明細書に
より四極管型の粒子ビーム発生系が公知である。この系
の陰極，ウエーネルト電極および陽極から成る部分系
は、特定の粒子ビームエネルギーに対して最適の電界強
度と最高の輝度が達成されるように調整されている。可
変粒子ビームエネルギーとするため、この部分系とその
後に接続された補助電極の間の電位が種々の値に調整さ
れる。このようにして粒子ビーム発生系内において最適
の輝度と所望の粒子ビームエネルギーが作られる。しか
しこの公知の粒子ビーム発生器では、発生器の直後に作
られる最適輝度がその後の粒子ビーム通路内でベルシユ
効果により悪化することを阻止できない。
“Optical Engineering",第22巻、第２号、３月、４
月、1983年、195〜198頁から、高いエネルギーに加速さ
れた一次電子が構造化されるべきプローブの上部に作ら
れた電界中で所望の最終エネルギーに減速されるように
なった電子線描画装置が公知である。その際、負電位に
置かれたプローブは、遅延電界が集束磁界に直接続くか
またはこれに部分的に重畳されるように、対物レンズに
対して相対的に配置されている。
特開昭56−42946号明細書および特開昭55−161344号
から公知の走査型電子顕微鏡においては、電子エネルギ
ーは電子光学系の下方に配置された電極により調整され
る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
この発明の目的は冒頭に挙げた種類の粒子線装置にお
いて、ベルシユ効果の作用を現在の粒子線装置の場合よ
りも低減させることである。
〔問題点の解決手段〕
この目的は特許請求の範囲第１項に特徴として挙げた
構成とすることによつて達成される。すなわち、ベルシ
ュ効果の低域は、主として粒子線の減速のための遅延装
置が粒子光学ユニット中に設けられることによって達成
される。電子ビーム装置の開発および製造に従事する当
業者は、遅延装置を粒子線発生器内の代りに粒子光学ユ
ニット内に配置することが、付加的に著しい技術的費用
を必要とすることを熟知している。なぜならば、もし後
者のようにするならば、遅延のために必要な高電圧を粒
子線発生器から粒子光学ユニットまで装置全体を通して
導かねばならないからである。この場合、偏向システム
および場合によっては粒子線発生器が絶縁されねばなら
ない。それにもかかわらず、遅延装置を粒子光学ユニッ
ト内に配置することは、以下に述べるとおり著しい効果
をもたらす。この発明の種々の実施態様は特許請求の範
囲第２項以下と図面に示されている。
この発明による粒子線装置は電子ビームだけではな
く、その他種々のイオンビームの発生にも好適である。
〔発明の効果〕
この発明による粒子線装置は、対象物に当る粒子エネ
ルギーが小さい場合にも粒子流の高い繊細な粒子ゾンデ
を可能にする。従来はベルシユ効果が粒子ビーム発生器
において又ビームの交叉点（焦点）においてのみ重要な
役をするとされていたが、最近の計算によれば粒子ビー
ム発生器とビーム交叉区域（クロスオーバー）だけでは
なく、ビーム通路の全体においても重要であることが明
らかにされた。ベルシユ効果によりビーム発生器の直後
で与えられたビーム輝度が以後の粒子ビーム通路におい
て低下する。この粒子ビーム通路が長い程ベルシユ効果
の悪影響が強くなる。六ホウ化ランタン単結晶陰極を使
用し、試料への電子の入射エネルギーを1keVとしたと
き、輝度の値はケンブリツジインスツルメンツ（Cambri
dgeInstruments）社の走査型電子顕微鏡Typ S150の規定
ビーム通路中においてベルシユ効果に基き係数40をもつ
て低下する。これに反して同じTyp S150走査型電子顕微
鏡のビーム通路をこの発明に従つて変更し、電子が対物
レンズの中心に至るまで20keVのエネルギーを持ち、対
物レンズの中心において始めて1keVのエネルギーまで制
動されるようにすると、その他の境界条件を同じとして
輝度は係数４をもつて低下するに過ぎない。従つて従来
の走査型電子顕微鏡に対比して輝度の利得は係数で10に
達する。更に別のS150電子顕微鏡を使用した実験例で
は、電子が対物レンズの中心までエネルギー10keVを持
ち、この中心において始めて1keVの入射エネルギーまで
制動されるとき、対物レンズにおいての輝度は電子ビー
ム源の直後の値に対して係数5.5をもつて低下する。こ
の場合輝度の従来のものに対比した利得は係数でほぼ７
である。
更に別の実験例として電子のエネルギーを発生器から
対物レンズの中心まで5keVとし、この中心で1keVの入射
エネルギーにまで制動すると、対象物においての輝度は
電子源直後の値より係数10をもつて低下する。従来の装
置に対比したこの輝度の利得係数は４である。
同じ走査型電子顕微鏡S150において電子のエネルギー
が電子源と対物レンズ中心との間で2.5keVであり、対物
レンズ中心において始めて1keVに制動されるときは、対
象物においての輝度の値は電子源直後における値に対し
て係数18をもつて低下している。これでも従来の技術に
比べて係数で約2.2の輝度利得となつている。
他のパラメータを変えずに制動点を試料に近づける程
輝度の利得は高い。又他のパラメータを変えずに制動点
を電子源に近づける程輝度の利得は低くなる。
粒子ビーム通路が１段型でレンズが１個だけであり、
それによつてクロスオーバーも１個だけである場合に
は、粒子の制動点は個別レンズ内あるいはビーム通路に
おいて個別レンズの後に置かれる。
２つのレンズが設けられる２段型ビーム通路の場合に
は、制動点を第２クロスオーバーに置くことにより高い
輝度利得が達成される。一般にｎ個のレンズを使用する
ｎ段型ビーム通路の場合には、制動点はｎ番目のクロス
オーバー又はその前のクロスオーバーの１つに置くのが
有利である。輝度の利得だけを問題にする場合には、ｎ
段型ビーム通路に対して単一の制動点をｎ番目のクロス
オーバーに設け、必要に応じてビーム引外し系（ビーム
・ブランキング系）をこのクロスオーバーに補助的に設
けることが最も有利である。
使用目的によつては複数の制動装置を設ける方が有利
である。この場合問題になるのはどのような補助装置を
粒子ビーム中に設けるか、動作間隔をどの程度に選ぶ
か、対象物の近傍が高い電位に上げられることにより対
象物の機能又はその構成が侵害されるかどうか、制御装
置が同時にレンズ類似の特性を示すかあるいはレンズと
の集積構造となりその構成に際してビーム通路全体に及
ぼす影響を考慮する必要があるかどうか等である。
例えば広い動作間隔を必要とする場合には、一般に１
つの個別レンズでは充分でない。試料電位に対して大き
な差のある電位を導く必要があるビーム引外し系を組込
むためには、容易に手を入れることができる交叉点を試
料から所定の最小間隔を保つて粒子ビーム通路中に設け
ることが必要となる。
粒子ビーム通路中に置かれる粒子制動装置の最も簡単
なものは、１つ又は複数の網から構成され各網に特定の
電圧が加えられる。網電極又は格子電極はその構成要素
間の間隔が狭い場合、第１近似においてレンズ作用を示
さない。粒子ビーム通路内で簡単な電位分布を示すため
には、２つの網電極を近接して前後に設け、第２網電極
を遅延電極とする。場合によつては単一の網電極が使用
されるが、この場合粒子ビーム路中の他の装置の設計に
際しては複雑な電位分布を考えに入れなければならな
い。このことは網電極に限らず、その他の粒子制動用の
装置についてもあてはまることである。
基本的には総ての静電的遅延要素が粒子の制動に使用
される。特に２つ又はそれ以上の電極を持つ装置が有利
である。レンズ作用のある制動装置としては、絞り，管
状レンズ又は制動レンズ又はそれらの組合せが網電極と
共に使用される。この場合静電レンズを磁気レンズに付
加して、あるいはその代りに設けることができる。
静電制動系と対物レンズとの電子光学的に適当な組合
せの使用も有利である。静電インマージヨン対物レンズ
系では、制動装置を１つの対物レンズと組合せることが
できる。これによつて対象物位置においての高い輝度と
対象物に対する微細ゾンデとが同時に可能となる。
この発明は電子ビーム描画装置にも応用可能である。
例えば電子に制動点に至るまで50keVのエネルギーを持
たせ、そこで通常の入射エネルギー値例えば20keVまで
制動する。これによつて粒子流密度が著しく高くしかも
入射エネルギーが低い微細ゾンデが達成される。構造が
微細になり高い描画速度が要求され、輝度の高い陰極が
使用されるようになると、著しく高いゾンデ電流という
この発明の特徴は将来に亘つて重要性が次第に増大す
る。
電子光学的レンズ効果と対象物における輝度に関する
効果との間に最適関係を見出すことが必要である。粒子
ビーム通路内に既に存在する対物レンズが不利な特性を
示すときは、粒子制動用の装置はビーム通路に沿つて更
に後方に移さなければならない。
小さいレンズ収差だけですますためには、粒子ビーム
路中に挿入される補助のレンズ効果をできるだけ小さく
する。そのためには１つの網電極をクロスオーバーに置
くのが最も効果的である。
粒子がビーム通路中を動く速さが遅い程ベルシユ効果
の作用が妨害となる。
粒子ビーム通路中の色収差が小さくなるようにするに
は、制動点前の粒子エネルギーの拡がりを小さくしなけ
ればならない。従つて制動点の前では高過ぎる電圧が加
えられないようにする。そのためには電子の場合制動点
の前の加速電圧を5keVと15keVの間にするのが望まし
い。しかしこの値は使用された電子光学レンズとその使
用条件にも関係する。ここではゾンデの大きさが特定の
ゾンデの大きさに対して最適のレンズ開口を求める場
合、即ち特定のゾンデの大きさに対して最適の制動点前
の加速電圧を与える場合と類似の役目を行う。この最適
加速電圧はその道の専門家により実験で求めることも可
能である。
静電的の理由から制動点が対象物から遠く離れていな
ければならない場合には、粒子ビーム通路の長さを全体
として短くする手段の可能性は少ない。即ちこの通路が
短い程ベルシユ効果に基く有害な影響が少くなる。従つ
て走査型電子顕微鏡の制動点後の低電圧区域はできるだ
け短くする必要があり、この低電圧区域における縮小は
できるだけ僅かでなければならない。例えばこの低電圧
区域での縮小が1/6でなく1/3に過ぎないときは、係数1.
5の輝度利得が達成される。
〔実施例〕
図面に示した実施例についてこの発明を更に詳細に説
明する。
第１図乃至第５図に示す低電圧走査型顕微鏡では、一
次電子PEはその大部分が比較的高い電位に上げられる。
測定技術上これらの電子は1keVのエネルギーを持つて試
料PRの表面に当たる必要がある。この場合一次電子は制
動電極Ｒの前では例えば2keV以上のエネルギーを持つ。
このエネルギーは場合に応じて4keV以上、あるいは10乃
至20keV以上とするのが有利である。このような電子は
試料PRの近くで始めて所望の低い入射エネルギーにまで
制動される。これによつてベルシユ効果の作用を著しく
低減させることができる。特に電子流密度がなお高い値
を示している第１コンデンサレンズK2の区域と第２コン
デンサレンズK1の区域では、輝度の低下の大部分がこれ
らの区域で生ずるから一次電子エネルギーを比較的高い
値に保つ必要がある。
第１図乃至第５図では陰極Ｋは−1kVに、ウエーネル
ト電極Ｗは約−1.5kVに、陽極Ａは＋19kVに電圧印加さ
れる。
一次電子PEは最初高いエネルギーを持つてビーム路中
を進み、試料PRの直前又は少くとも１つのコンデンサレ
ンズを通り抜けた後に低いエネルギー値に制動される。
その場合ビーム路の少くとも一部分とビーム交叉点（焦
点）は高いエネルギーを持つて通過する。これによつて
ベルシユ効果の分解能に及ぼす悪影響は著しく軽減され
る。
第１図の実施例では電子PEはビーム通路のほぼ全部で
高い一次電子エネルギーを持ち、対物レンズOB中又はそ
の後で始めて制動される。この場合制動電極Ｒの電位は
OVである。一次電子PEが試料PRに当つた箇所から放出さ
れる二次電子SEは、測定技術上の対象として検出器DTで
検出される。一次電子PEのゾンデで走査するための偏向
装置としては偏向コイルＤが使用される。
第２図に示した低電圧走査型顕微鏡では、一次電子PE
が第１コンデンサレンズK2と対物レンズOBの間で制動さ
れる。コンデンサレンズを１つだけ使用する類似実施例
では、制動電極Ｒがこの単一コンデンサレンズと対物レ
ンズの間に設けられる。
第３図の低電圧走査型顕微鏡では、一次電子PEはコン
デンサレンズK2内で制動される。この場合制動電極Ｒは
コンデンサレンズK2内に設けられる。
第２図の実施例と第３図の実施例には、原画像（クロ
スオーバー）が地電位（0kV）に置かれ到達可能である
という利点がある。第１図乃至第４図の各実施例の制動
電極はいずれも0kVの電位に置かれる。電子PEに対する
電位を明確に規定するため、電子PEは制動電極Ｒの直前
まで非強磁性材料から成り、陽極Ａの電位に置かれた管
内部を進む。この管は第１図のものが最も長く、第２図
から第４図に向つて次第に短くなる。
原画像が地電位にあつて到達可能であるとき、ビーム
引き外し系はそこに設けるのが有利である。
第２図乃至第４図の各実施例では、電子PEの制動に際
して生ずる収差は対物レンズOBによる縮小投像に伴つて
低減される。
第４図の低電圧走査型顕微鏡では、一次電子PEがコン
デンサレンズK1とK2の間で制動される。ここでは制動電
極ＲがコンデンサレンズK1に所属するビーム交叉点に設
けられている。この実施例ではベルシユ効果を阻止する
作用の影響が第３図までの実施例に比べて弱い。
走査型電子顕微鏡が２つ以上のコンデンサレンズを備
えていると、制動電極Ｒは第１図乃至第４図の実施例に
対応して続く２つのコンデンサレンズの間、１つのコン
デンサレンズの内部、対物レンズの内部および対物レン
ズの背後のいずれかに設けられる。電界放出陰極を備え
る走査型電子顕微鏡にも制動電極Ｒを設けることができ
る。この場合一次電子PEの制動は対物レンズOBの前で行
うのが最適である。
第５図に、コンデンサレンズK1とこのコンデンサレン
ズ内部に置かれた制動電極Ｒと上記の実施例の対物レン
ズOBに代るインマージヨンレンズ型の個別レンズＥを備
える低電圧走査型顕微鏡を示す。この個別レンズＥの場
合続いて設けられる電極に置かれた試料PRは、この個別
レンズの第１電極の電位U1よりも低い電位U3に置かれ
る。個別レンズＥは、補助的に粒子ビームブランキング
系としても使用できるように構成すると有利である。こ
の種の個別レンズＥは米国特許第4439685号明細書に記
載され公知である。
第６図に一次電子制動装置の種々の型式を示す。一次
電子の制動には２つ又はそれ以上の静電電極又はそれら
の組合せが使用される。例えば２つの網Ｎを前後に配置
した２電極構造１が使用され、試料に近い網の電位U2は
それから遠い網の電位U1よりも低くする。２つの絞りＢ
を前後に配置した２電極系２も使用される。これらの電
極の電位はU2＜U1であり、この２電極系はレンズ類似の
特性を示す。
更に前後に配置された２つの管ROから成る２電極系３
も使用可能であり、試料に近い管の電位U2はそれから遠
い管の電位U1より低い。
一次電子の制動には個別レンズＥも使用される。この
場合電子を制動するためには試料に最も近い電極E3の電
位U3は、最も遠い電極E1の電位U1より低くする。一次電
子ビームブランキング（blanking）のためには中央電極
E2を電位U1よりも著しく高い負電位U2に置く。米国特許
第4439685号明細書により公知の個別レンズでは、両外
側電極が等電子にあり一次電位に対する制動作用は行わ
れない。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第５図はこの発明の種々の実施例の構成を示
し、第６図は一次電子制動装置の構成例を示す。第１図
乃至第５図において Ｋ……陰極、Ｗ……ウエーネルト電極、Ａ……陽極、K
1,K2……コンデンサレンズ、OB……対物レンズ、Ｒ……
制動電極、PR……試料。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ライナー、シユペール ドイツ連邦共和国オーバーラムシユタツ ト、エルフルターシユトラーセ19 (56)参考文献 特開 昭57−165943（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−161344（ＪＰ，Ａ)

Claims (23)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】粒子線発生器（Ｋ、Ｗ、Ａ）、少なくとも
    １つのコンデンサレンズ（K1、K2）、偏向系（Ｄ）、粒
    子線を試料上に集束するための対物レンズ（OB）を有す
    る粒子光学ユニットおよび粒子（PE）を制動するための
    遅延装置（Ｒ）を備えた粒子線装置において、遅延装置
    （Ｒ）は粒子光学ユニット内に配置され、前記粒子線装
    置は遅延装置（Ｒ）を駆動するための手段を備え、その
    際該手段は、２ないし50keVの範囲の第１のエネルギー
    の粒子が0.5ないし20keVの範囲のより低い第２のエネル
    ギーに制動されるような電位で前記遅延装置を駆動する
    ことを特徴とする粒子線装置。
  2. 【請求項２】コンデンサレンズ（K1、K2）は電磁レンズ
    であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の装
    置。
  3. 【請求項３】前記遅延装置（Ｒ）は、第１のコンデンサ
    レンズ（K1）および第２のコンデンサレンズ（K2）の間
    に配置されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
    項または第２項記載の装置。
  4. 【請求項４】前記遅延装置（Ｒ）は、コンデンサレンズ
    （K1、K2）と対物レンズ（OB）の間に配置されているこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載
    の装置。
  5. 【請求項５】前記遅延装置（Ｒ）は、粒子線交叉点に配
    置されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項な
    いし第４項のいずれか１つに記載の装置。
  6. 【請求項６】前記遅延装置（Ｒ）は、対物レンズ（OB）
    の内部に配置されていることを特徴とする特許請求の範
    囲第１項または第２項記載の装置。
  7. 【請求項７】前記遅延装置（Ｒ）は、コンデンサレンズ
    （K1、K2）の内部に配置されていることを特徴とする特
    許請求の範囲第１項または第２項記載の装置。
  8. 【請求項８】ブランキング系が粒子線交叉点に配置され
    ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第
    ７項のいずれか１つに記載の装置。
  9. 【請求項９】ブランキング系は、粒子線通路中において
    前記遅延（Ｒ）の後ろに配置されていることを特徴とす
    る特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれか１つに
    記載の装置。
  10. 【請求項１０】対物レンズ（OB）として電気的な個別レ
    ンズが備えられていることを特徴とする特許請求の範囲
    第１項ないし第９項のいずれか１つに記載の装置。
  11. 【請求項１１】粒子線発生器の陽極（Ａ）の電位に置か
    れた中空円筒が備えられ、該中空円筒は粒子線発生器と
    遅延装置（Ｒ）の間に粒子線軸に対して同心円に配置さ
    れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし
    第10項のいずれか１つに記載の装置。
  12. 【請求項１２】前記中空円筒は非磁性材料から成ること
    を特徴とする特許請求の範囲第11項記載の装置。
  13. 【請求項１３】粒子線発生器（Ｋ、Ｗ、Ａ）は電界放射
    陰極（Ｋ）を有し、遅延装置（Ｒ）は粒子線通路中にお
    いて対物レンズ（OB）の上部に配置されることを特徴と
    する特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれか１つ
    に記載の装置。
  14. 【請求項１４】静電的な遅延装置（Ｒ）が備えられるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第13項のい
    ずれか１つに記載の装置。
  15. 【請求項１５】遅延装置（Ｒ）として多電極装置（Ｅ）
    が備えられていることを特徴とする特許請求の範囲第１
    項ないし第14項のいずれか１つに記載の装置。
  16. 【請求項１６】遅延装置（Ｒ）として２電極装置（１、
    ２、３）が備えられていることを特徴とする特許請求の
    範囲第15項記載の装置。
  17. 【請求項１７】遅延装置（Ｒ）として網電極装置（Ｎ）
    が備えられていることを特徴とする特許請求の範囲第１
    項ないし第14項のいずれか１つに記載の装置。
  18. 【請求項１８】遅延装置（Ｒ）として絞り（Ｂ）が備え
    られていることを特徴とする特許請求の範囲第１項ない
    し第14項のいずれか１つに記載の装置。
  19. 【請求項１９】遅延装置（Ｒ）として管状レンズ（RO）
    が備えられていることを特徴とする特許請求の範囲第１
    項ないし第14項のいずれか１つに記載の装置。
  20. 【請求項２０】遅延装置（Ｒ）として個別レンズ（Ｅ）
    が備えられていることを特徴とする特許請求の範囲第１
    項ないし第15項のいずれか１つに記載の装置。
  21. 【請求項２１】粒子線測定装置として用いられることを
    特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第20項のいずれ
    か１つに記載の装置。
  22. 【請求項２２】粒子線描画装置として用いられることを
    特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第20項のいずれ
    か１つに記載の装置。
  23. 【請求項２３】長さ測定装置として用いられることを特
    徴とする特許請求の範囲第１項ないし第20項のいずれか
    １つに記載の装置。
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