JP2623738B2 - 画像表示装置 - Google Patents
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- JP2623738B2 JP2623738B2 JP63197411A JP19741188A JP2623738B2 JP 2623738 B2 JP2623738 B2 JP 2623738B2 JP 63197411 A JP63197411 A JP 63197411A JP 19741188 A JP19741188 A JP 19741188A JP 2623738 B2 JP2623738 B2 JP 2623738B2
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- cold cathode
- gate electrode
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
- H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
- H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
- H01J31/123—Flat display tubes
- H01J31/125—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
- H01J31/127—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group
Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は冷陰極を用いた薄型画表示装置に関するもの
である。
である。
従来の技術 従来から冷陰極を２次元に配列し、Ｘ−Ｙマトリック
ス電極を用いて制御し画像表示を行なう薄型表示装置は
数多く報告されている。その中でも薄膜電界放出型冷陰
極を用いた薄型表示装置が注目される。この薄型表示装
置は第６図に示すように基板表面に106〜107個/cm2の高
密度に形成したミクロンサイズの薄膜電界放出型冷陰極
を用いるものである。
ス電極を用いて制御し画像表示を行なう薄型表示装置は
数多く報告されている。その中でも薄膜電界放出型冷陰
極を用いた薄型表示装置が注目される。この薄型表示装
置は第６図に示すように基板表面に106〜107個/cm2の高
密度に形成したミクロンサイズの薄膜電界放出型冷陰極
を用いるものである。
この冷陰極は図に示すように基板21の表面にマトリッ
クス電極の一方のＸ電極22を形成し、その表面に絶縁層
23ともう一方のＹ電極24を形成し、Ｘ−Ｙ電極の各交点
の部分のＹ電極に1.5〜２μｍの微小な孔25をホトエッ
チング技術によって1000個以上設け、更に絶縁層23をエ
ッチングする。こうして形成した基板を回転させながら
タングステン，モリブデンなどの高隔点金属を斜蒸着し
て円錐状の冷陰極チップ26を形成する。冷陰極形成後、
表面の不要金属層を除去して薄膜電界放出型冷陰極電子
源が作られる。このＸ−Ｙマトリックス電子源と蛍光体
を塗布したフェースプレートとを対向させて画像表示装
置が構成されている。この画像表示装置は各画素に1000
個以上もの微小電子源を有する持っているため、個々の
微小電子源に特性上のバラツキがあっても全体としては
平均化された特性となり画面全体にわたって比較的均一
な明るさが得られる特長を持っている。
クス電極の一方のＸ電極22を形成し、その表面に絶縁層
23ともう一方のＹ電極24を形成し、Ｘ−Ｙ電極の各交点
の部分のＹ電極に1.5〜２μｍの微小な孔25をホトエッ
チング技術によって1000個以上設け、更に絶縁層23をエ
ッチングする。こうして形成した基板を回転させながら
タングステン，モリブデンなどの高隔点金属を斜蒸着し
て円錐状の冷陰極チップ26を形成する。冷陰極形成後、
表面の不要金属層を除去して薄膜電界放出型冷陰極電子
源が作られる。このＸ−Ｙマトリックス電子源と蛍光体
を塗布したフェースプレートとを対向させて画像表示装
置が構成されている。この画像表示装置は各画素に1000
個以上もの微小電子源を有する持っているため、個々の
微小電子源に特性上のバラツキがあっても全体としては
平均化された特性となり画面全体にわたって比較的均一
な明るさが得られる特長を持っている。
発明が解決しようとする課題 前記の画像表示装置は前述のように良い特長を持って
いるにもかかわらず実用化に至っていない。その理由の
１つは製造工程が複雑でコストが高くなることと表示装
置として必要な面積に一様な電界放出型冷陰極が作れな
いことにある。また他の理由は電子ビームによって残留
ガスがイオン化され、陰極と蛍光体面間に印加される陽
極電圧によって加速された高エネルギのイオンが円錐形
状の冷陰極に衝突し、スパッタするため寿命が短かく、
動作が不安定となることである。
いるにもかかわらず実用化に至っていない。その理由の
１つは製造工程が複雑でコストが高くなることと表示装
置として必要な面積に一様な電界放出型冷陰極が作れな
いことにある。また他の理由は電子ビームによって残留
ガスがイオン化され、陰極と蛍光体面間に印加される陽
極電圧によって加速された高エネルギのイオンが円錐形
状の冷陰極に衝突し、スパッタするため寿命が短かく、
動作が不安定となることである。
課題を解決するための手段 Ｘ−Ｙマトリックス電極によって制御する電子源を備
えた絶縁性背面板と蛍光体を塗着したフェースプレート
を対向させた画像表示装置において、Ｘ−Ｙマトリック
ス電極の各交点に設ける電子源を、Ｘアレー電極に接続
した電極（以後冷陰極と呼ぶ）と、これに同一平面上で
対向するＹアレー電極（以後冷陰極と対向する部分をゲ
ート電極と呼ぶ）とで構成する。
えた絶縁性背面板と蛍光体を塗着したフェースプレート
を対向させた画像表示装置において、Ｘ−Ｙマトリック
ス電極の各交点に設ける電子源を、Ｘアレー電極に接続
した電極（以後冷陰極と呼ぶ）と、これに同一平面上で
対向するＹアレー電極（以後冷陰極と対向する部分をゲ
ート電極と呼ぶ）とで構成する。
作用 このように同一平面上に対向して配置した冷陰極（Ｘ
アレー電極）とゲート電極（Ｙアレー電極）との間に電
圧を印加すると、冷陰極とゲート電極間に高電界が発生
し、電子放出が起る。放出された電子の一部は対向する
ゲート電極に衝突するが、ゲート電極の表面で２次電子
を発生する。発生した２次電子は対向するフェースプレ
ートの蛍光面に印加する正の電圧（以後陽極電圧と呼
ぶ）によって加速され蛍光体に衝突して、蛍光体を発光
させる。
アレー電極）とゲート電極（Ｙアレー電極）との間に電
圧を印加すると、冷陰極とゲート電極間に高電界が発生
し、電子放出が起る。放出された電子の一部は対向する
ゲート電極に衝突するが、ゲート電極の表面で２次電子
を発生する。発生した２次電子は対向するフェースプレ
ートの蛍光面に印加する正の電圧（以後陽極電圧と呼
ぶ）によって加速され蛍光体に衝突して、蛍光体を発光
させる。
上記構成のように同一平面内に冷陰極とゲート電極を
構成すると、冷陰極とゲート電極との間隔は１μｍ程度
であって、この間で残留ガスがイオン化されて陰極尖端
部に衝突するイオンの量は従来の構成のものに比較して
数百分の１となり、陰極尖端部のイオン衝突によるスパ
ターされる量も著るしく減少し長寿命となる。
構成すると、冷陰極とゲート電極との間隔は１μｍ程度
であって、この間で残留ガスがイオン化されて陰極尖端
部に衝突するイオンの量は従来の構成のものに比較して
数百分の１となり、陰極尖端部のイオン衝突によるスパ
ターされる量も著るしく減少し長寿命となる。
実施例 実施例１ 本発明の画像表示装置の断面の一部を第１図に示す。
画像表示装置Ｘ−Ｙマトリックス電極の各交点に電界放
出電子源を設けたガラス基板１と蛍光体を塗着したフェ
ースプレート２を対向させて構成する。前記電界放出電
子源は、Ｘ電極３の表面を被覆する絶縁層４の表面にお
互いに対向した冷陰極７とゲート電極５とで構成されて
いる。冷陰極７は絶縁層４に設けたスルーホール６を通
してＸ電極３に接続されている。第２図はこの電子源を
上面から見た時の電極の構成を単純化して示してある。
ゲート電極５に対向する冷陰極７の端面には多数の凸状
部12が形成されている。冷陰極７に設けた凸状部の尖端
とゲート電極５の間隔は0.5〜２μｍである。一方、フ
ェースプレート２は透明なガラス基板で、その表面に透
明電極８、例えばITO膜（酸化インジーム・錫膜、また
はSnO2膜を設け、その表面に低速電子線用蛍光体、例え
ばZnO:Znからなる蛍光体９が塗布されている。
画像表示装置Ｘ−Ｙマトリックス電極の各交点に電界放
出電子源を設けたガラス基板１と蛍光体を塗着したフェ
ースプレート２を対向させて構成する。前記電界放出電
子源は、Ｘ電極３の表面を被覆する絶縁層４の表面にお
互いに対向した冷陰極７とゲート電極５とで構成されて
いる。冷陰極７は絶縁層４に設けたスルーホール６を通
してＸ電極３に接続されている。第２図はこの電子源を
上面から見た時の電極の構成を単純化して示してある。
ゲート電極５に対向する冷陰極７の端面には多数の凸状
部12が形成されている。冷陰極７に設けた凸状部の尖端
とゲート電極５の間隔は0.5〜２μｍである。一方、フ
ェースプレート２は透明なガラス基板で、その表面に透
明電極８、例えばITO膜（酸化インジーム・錫膜、また
はSnO2膜を設け、その表面に低速電子線用蛍光体、例え
ばZnO:Znからなる蛍光体９が塗布されている。
このように構成したＸ電極（冷陰極）とＹ電極（ゲー
ト電）間に100V〜150Vの電圧を印加すると冷陰極の凸状
部の尖端には〜107V/cmの強電界が発生し、尖端部から
電子放出が起る。この電子は100〜150eVに加速されてゲ
ート電極に衝突し２次電子10を放出する。発生した２次
電子は対向するフェースプレートの透明電極８に印加す
る陽極電圧（0.2〜1KV）によって加速され、蛍光体に衝
突して蛍光体を発光させる。この時、冷陰極の凸状部12
の尖端部分下層の絶縁層11の一部または全部を除去する
と尖端部により強い電界が発生し、電子放出が起り易く
なり、駆動電圧を下げる効果がある。
ト電）間に100V〜150Vの電圧を印加すると冷陰極の凸状
部の尖端には〜107V/cmの強電界が発生し、尖端部から
電子放出が起る。この電子は100〜150eVに加速されてゲ
ート電極に衝突し２次電子10を放出する。発生した２次
電子は対向するフェースプレートの透明電極８に印加す
る陽極電圧（0.2〜1KV）によって加速され、蛍光体に衝
突して蛍光体を発光させる。この時、冷陰極の凸状部12
の尖端部分下層の絶縁層11の一部または全部を除去する
と尖端部により強い電界が発生し、電子放出が起り易く
なり、駆動電圧を下げる効果がある。
また、実施したより具体的な電極構成の斜視図を第３
図に示す。冷陰極７とゲート電極５は櫛の歯状に形成さ
れ、お互いに噛合った状態に形成した。これは冷陰極に
設けた凸状部12を出来るだけ多くして電子放出電流を多
くするためとエッチング誤差による各冷陰極尖端部から
の放出電流のバラツキによる画素間のバラツキを小さく
するためである。また、冷陰極とゲート電極の対向面が
Ｙ電極の長手方向に垂直（Ｘ電極の長手方向）となるよ
うに構成した。これは冷陰極の尖端部から放射した電子
の一部はゲート電極に衝突して２次電子を発生するが、
一部の電子はゲート電極に衝突せず隣の画素まで発散す
るが、この発散は、第３図で示す縦の方向（Ｙアレーの
方向）に分布して発散する。したがってこのＹアレー方
向のクロストークを抑えてやれば、隣の画素とのクロス
トークは抑えられる。もし、第３図の櫛形の電極を90゜
回転させてしまうと、電子が飛び易い隣の画素は、違う
Ｙアレーの画素になり、例えば隣の画素のゲート電極だ
けに電圧がかかったような場合、クロストークが起こり
易くなる。さらに、電極を櫛の歯状にしているので、第
４図はＹ電極の長手方向に（Ａ−Ａ′線に沿って）切断
した断面の電子ビームの軌道を示す。第４図からわかる
ように、ゲート電極に衝突しない電子ビームは次の冷陰
極が作る減速電界によって減速され、陽極電圧によって
加速されて蛍光体面に向って曲げられ、隣接する画素ま
で発散しない。従って、一つの画素に対応する電子源か
ら発射した電子は一つの画素内の蛍光体に衝突し、クロ
ストークを防止することができる。
図に示す。冷陰極７とゲート電極５は櫛の歯状に形成さ
れ、お互いに噛合った状態に形成した。これは冷陰極に
設けた凸状部12を出来るだけ多くして電子放出電流を多
くするためとエッチング誤差による各冷陰極尖端部から
の放出電流のバラツキによる画素間のバラツキを小さく
するためである。また、冷陰極とゲート電極の対向面が
Ｙ電極の長手方向に垂直（Ｘ電極の長手方向）となるよ
うに構成した。これは冷陰極の尖端部から放射した電子
の一部はゲート電極に衝突して２次電子を発生するが、
一部の電子はゲート電極に衝突せず隣の画素まで発散す
るが、この発散は、第３図で示す縦の方向（Ｙアレーの
方向）に分布して発散する。したがってこのＹアレー方
向のクロストークを抑えてやれば、隣の画素とのクロス
トークは抑えられる。もし、第３図の櫛形の電極を90゜
回転させてしまうと、電子が飛び易い隣の画素は、違う
Ｙアレーの画素になり、例えば隣の画素のゲート電極だ
けに電圧がかかったような場合、クロストークが起こり
易くなる。さらに、電極を櫛の歯状にしているので、第
４図はＹ電極の長手方向に（Ａ−Ａ′線に沿って）切断
した断面の電子ビームの軌道を示す。第４図からわかる
ように、ゲート電極に衝突しない電子ビームは次の冷陰
極が作る減速電界によって減速され、陽極電圧によって
加速されて蛍光体面に向って曲げられ、隣接する画素ま
で発散しない。従って、一つの画素に対応する電子源か
ら発射した電子は一つの画素内の蛍光体に衝突し、クロ
ストークを防止することができる。
冷陰極のイオンスパタリングによる劣化の速さはパネ
ル内の残留ガス圧Ｐと電極間隔ｄの積Pd（イオンの発生
量はPdに比例する）に比例する。従来型の冷陰極ではｄ
は冷陰極と陽極であって、ほぼ200〜300μｍである。一
方、本発明の場合は冷陰極とゲート電極の間隔0.5〜１
μｍとすることができるから、この間で発生するイオン
の量は従来例に比べて1/200〜1/600となり、陰極の寿命
は同じ残留ガス圧の場合200〜300倍長くなる。
ル内の残留ガス圧Ｐと電極間隔ｄの積Pd（イオンの発生
量はPdに比例する）に比例する。従来型の冷陰極ではｄ
は冷陰極と陽極であって、ほぼ200〜300μｍである。一
方、本発明の場合は冷陰極とゲート電極の間隔0.5〜１
μｍとすることができるから、この間で発生するイオン
の量は従来例に比べて1/200〜1/600となり、陰極の寿命
は同じ残留ガス圧の場合200〜300倍長くなる。
実施例２ 第５図に実施例２の電極構成の要部を示す。Ｘアレー
電極X1,X2,X3……XnおよびＹアレー電極Y1,Y2,Y3……Ym
でマトリックス電極を構成し、これらのＸアレー電極に
接続した櫛状冷陰極とＹアレー電極に接続した櫛状ゲー
ト電極の噛み合った電子部15をＸアレー電極とＹアレー
電極が囲む基板表面に形成した。
電極X1,X2,X3……XnおよびＹアレー電極Y1,Y2,Y3……Ym
でマトリックス電極を構成し、これらのＸアレー電極に
接続した櫛状冷陰極とＹアレー電極に接続した櫛状ゲー
ト電極の噛み合った電子部15をＸアレー電極とＹアレー
電極が囲む基板表面に形成した。
即ち、２次電子放出部の電極がＸアレー電極およびＹ
アレー電極表面上に重畳しない構成とした。これは絶縁
層に発生するピンホールによる両電極のショートの発生
をなくすることと、ＸおよびＹアレー電極間の電気容量
を小さくする効果がある。Ｘアレー電極幅を50μm,Yア
レー電極幅を20μm,画素の大きさを300×300μｍとした
とき、ピンホールの発生割合、および電気容量共に1/20
〜1/50に低減することができた。
アレー電極表面上に重畳しない構成とした。これは絶縁
層に発生するピンホールによる両電極のショートの発生
をなくすることと、ＸおよびＹアレー電極間の電気容量
を小さくする効果がある。Ｘアレー電極幅を50μm,Yア
レー電極幅を20μm,画素の大きさを300×300μｍとした
とき、ピンホールの発生割合、および電気容量共に1/20
〜1/50に低減することができた。
次にこの冷陰極の製造方法について説明する。ガラス
基板の表面にＸアレー電極を形成するための金属、例え
ばニッケルを厚さ0.2μｍ全面に蒸着し、ホトエッチン
グ技術によってストライプ状に分離する。電極幅は0.3m
mとした。次に、絶縁層としてSiO2膜をCVD法によって厚
さ１μｍ形成し、Ｘアレー電極上の一部にホトエッチン
グによってスルーホールを形成した。更に、その上に厚
さ0.2μｍのタングステン金属膜を蒸着し、同じくホト
エッチング技術によってゲート電極（Ｙアレー電極）５
と冷陰極７を同時に形成した。
基板の表面にＸアレー電極を形成するための金属、例え
ばニッケルを厚さ0.2μｍ全面に蒸着し、ホトエッチン
グ技術によってストライプ状に分離する。電極幅は0.3m
mとした。次に、絶縁層としてSiO2膜をCVD法によって厚
さ１μｍ形成し、Ｘアレー電極上の一部にホトエッチン
グによってスルーホールを形成した。更に、その上に厚
さ0.2μｍのタングステン金属膜を蒸着し、同じくホト
エッチング技術によってゲート電極（Ｙアレー電極）５
と冷陰極７を同時に形成した。
冷陰極の凸状部は１画素当り約500個形成し、ゲート
電極との間隔は１μｍとした。次に、こうして製作した
基板全体をSiO2膜エッチング液に浸漬して第２図に示す
冷陰極尖端部の凹部11を形成した。
電極との間隔は１μｍとした。次に、こうして製作した
基板全体をSiO2膜エッチング液に浸漬して第２図に示す
冷陰極尖端部の凹部11を形成した。
Ｘアレー電極を形成する金属はニッケルに限られるも
のではなく、アルミニウム，チタン，金クロム合金など
ガラス基板と密着性が良く、比抵抗の低い金属が望まし
い。絶縁層としてはSiO2膜に限られるものではなく、Si
N,BN,SiOなど絶縁性の良い材料であれば良い。冷陰極材
料としてはタングステン以外にモリブデン，タンタル，
チタンなど高隔点金属が望ましい。
のではなく、アルミニウム，チタン，金クロム合金など
ガラス基板と密着性が良く、比抵抗の低い金属が望まし
い。絶縁層としてはSiO2膜に限られるものではなく、Si
N,BN,SiOなど絶縁性の良い材料であれば良い。冷陰極材
料としてはタングステン以外にモリブデン，タンタル，
チタンなど高隔点金属が望ましい。
このようにして480×660個のマトリックス電子源を形
成したガラス基板と厚さ0.2μｍのITOを蒸着しZnO:Zn蛍
光体を塗着したフェースプレートとを0.3mmの間隔を保
って対向させ、周囲を低融点ガラスフリットでシール
し、真空排気して画面サイズ10インチの画像表示装置を
作った。
成したガラス基板と厚さ0.2μｍのITOを蒸着しZnO:Zn蛍
光体を塗着したフェースプレートとを0.3mmの間隔を保
って対向させ、周囲を低融点ガラスフリットでシール
し、真空排気して画面サイズ10インチの画像表示装置を
作った。
冷陰極（垂直走査電極）をアース電位とし、ゲート電
極（ビデオ信号変調電極）に150V印加すると、１画素当
り約10μＡの電子放出電流を得た。蛍光体面に500V印加
し、フィールド周波数60Hzで線順次駆動を行なうと約50
fLの面輝度を得た。電界放出型冷陰極の電子放出はゲー
ト電圧に対して指数関数的に変化する。ゲート電極に10
0V印加しても電子放出は殆んど起らず、カットオフ状態
にある。従って、ゲート電極には約100Vのバイアス電圧
を印加しておき、ビデオ変調信号電圧は50Vとした。ま
た、電子放出特性は信号電圧に敏感であり、パルス波高
変調よりもパルス幅変調が望ましく128階調のパルス幅
変調を行った。
極（ビデオ信号変調電極）に150V印加すると、１画素当
り約10μＡの電子放出電流を得た。蛍光体面に500V印加
し、フィールド周波数60Hzで線順次駆動を行なうと約50
fLの面輝度を得た。電界放出型冷陰極の電子放出はゲー
ト電圧に対して指数関数的に変化する。ゲート電極に10
0V印加しても電子放出は殆んど起らず、カットオフ状態
にある。従って、ゲート電極には約100Vのバイアス電圧
を印加しておき、ビデオ変調信号電圧は50Vとした。ま
た、電子放出特性は信号電圧に敏感であり、パルス波高
変調よりもパルス幅変調が望ましく128階調のパルス幅
変調を行った。
この実施例ではZnO:Zn蛍光体を用いたが、赤、緑、青
の３原色をストライプ状に塗着すればカラー表示ができ
ることは言うまでもない。
の３原色をストライプ状に塗着すればカラー表示ができ
ることは言うまでもない。
発明の効果 本発明によれば、Ｘアレー電極表面に被覆した絶縁層
表面に蒸着した高融点金属薄膜のエッチングによって多
数の冷陰極とゲート電極を同時に形成できるため均一性
が良く、かつ安価に製造できる。
表面に蒸着した高融点金属薄膜のエッチングによって多
数の冷陰極とゲート電極を同時に形成できるため均一性
が良く、かつ安価に製造できる。
また冷陰極とゲート電極の対向面をゲートアレー電極
の長手方向に垂直となるように配置することによってク
ロストークを防止することができる。
の長手方向に垂直となるように配置することによってク
ロストークを防止することができる。
第１図は本発明の一実施例における画像表示装置の部分
断面図、第２図は第１図の実施例における電子源部の要
部平面図、第３図は同実施例における電子源部の斜視
図、第４図は、第３図Ａ−Ａ′線における断面図、第５
図は、本発明の他の実施例における電極配置の概念を示
す平面図、第６図ａおよびｂは、各々従来の電界放射型
マトリックス表示装置の斜視図および要部拡大斜視図で
ある。 １……絶縁基板、２……フェースプレート、３……Ｘア
レー電極、４……絶縁層、５……Ｙアレー電極（ゲート
電極）、６……スルーホール、７……冷陰極、８……透
明電極、９……蛍光体、10……２次電子、11……絶縁層
除去部。
断面図、第２図は第１図の実施例における電子源部の要
部平面図、第３図は同実施例における電子源部の斜視
図、第４図は、第３図Ａ−Ａ′線における断面図、第５
図は、本発明の他の実施例における電極配置の概念を示
す平面図、第６図ａおよびｂは、各々従来の電界放射型
マトリックス表示装置の斜視図および要部拡大斜視図で
ある。 １……絶縁基板、２……フェースプレート、３……Ｘア
レー電極、４……絶縁層、５……Ｙアレー電極（ゲート
電極）、６……スルーホール、７……冷陰極、８……透
明電極、９……蛍光体、10……２次電子、11……絶縁層
除去部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野々村 欽造 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−105252（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−261153（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−50648（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−274047（ＪＰ，Ａ) 実開 昭56−167456（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭46−20944（ＪＰ，Ｂ１) 特公 昭46−20949（ＪＰ，Ｂ１) 特公 昭54−17551（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (4)
- 【請求項１】Ｘ−Ｙマトリックス電極によって制御する
２次元電子源を備えた絶縁性背面板と蛍光体を塗着した
フェースプレートを対向させた画像表示装置において、
前記Ｘ−Ｙマトリックス電極の各交点に構成される電子
源が、同一平面上に各々櫛の歯状に形成され、かつ互い
にその櫛の歯が噛み合った形状に構成され、どちらか一
方が冷陰極で、他方がゲート電極に相当することを特徴
とする画像表示装置。 - 【請求項２】冷陰極側の各々の櫛の歯は、それぞれに対
向するゲート電極側の各々の櫛の歯に対し、多数の凸状
部が設けられていることを特徴とする請求項１記載の画
像表示装置。 - 【請求項３】冷陰極側の櫛の歯が、ゲート電極となって
いるＹアレー電極により囲まれていることを特徴とする
請求項１記載の画像表示装置。 - 【請求項４】冷陰極とゲート電極の対向面がＹアレー電
極の長手方向に垂直（Ｘアレー電極の長手方向）である
ことを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
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