JP2619365B2 - ブロッホラインメモリの書き込み方法 - Google Patents
ブロッホラインメモリの書き込み方法Info
- Publication number
- JP2619365B2 JP2619365B2 JP61173651A JP17365186A JP2619365B2 JP 2619365 B2 JP2619365 B2 JP 2619365B2 JP 61173651 A JP61173651 A JP 61173651A JP 17365186 A JP17365186 A JP 17365186A JP 2619365 B2 JP2619365 B2 JP 2619365B2
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- Japan
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- bloch
- bloch line
- conductor
- writing
- line memory
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0858—Generating, replicating or annihilating magnetic domains (also comprising different types of magnetic domains, e.g. "Hard Bubbles")
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はブロッホラインメモリ素子に係り、特に、単
純な操作により、情報担体を書き込むのに好適な、ブロ
ッホラインメモリの書き込み方法に関する。
純な操作により、情報担体を書き込むのに好適な、ブロ
ッホラインメモリの書き込み方法に関する。
従来のブロッホラインメモリの書き込み方式は、たと
えば鈴木らにより昭和60年度電子通信学会１−247“ス
トライプ磁区端部におけるブロッホラインの書き込みシ
ミュレーション”で述べられている。
えば鈴木らにより昭和60年度電子通信学会１−247“ス
トライプ磁区端部におけるブロッホラインの書き込みシ
ミュレーション”で述べられている。
第２図を用いて従来技術を説明する。同図（ａ）はバ
イアス磁界HBが紙面に垂直方向に印加されている場合で
あり、ストライプ磁区３が存在している。
イアス磁界HBが紙面に垂直方向に印加されている場合で
あり、ストライプ磁区３が存在している。
このストライプ磁区３の端部における磁壁磁化は全て
印加面内磁界Hipと等しい方向を向く、このため、端部
にブロッホライン６が存在する。
印加面内磁界Hipと等しい方向を向く、このため、端部
にブロッホライン６が存在する。
このブロッホライン６が存在する理由は特開昭59−10
1092でも述べられている。
1092でも述べられている。
書き込み操作を行うためには、まず、同図（Ｂ）に示
すように、ブロッホライン６を反時計方向に移動させ
る。この後、導体７にパルス電流を流しブロッホライン
対８を形成する。このブロッホライン８の磁化方向は、
磁化の連続性から、かならず同方向となる。磁化方向の
等しいブロッホライン同志は合体すると消滅するため、
このままでは情報担体とならない。
すように、ブロッホライン６を反時計方向に移動させ
る。この後、導体７にパルス電流を流しブロッホライン
対８を形成する。このブロッホライン８の磁化方向は、
磁化の連続性から、かならず同方向となる。磁化方向の
等しいブロッホライン同志は合体すると消滅するため、
このままでは情報担体とならない。
これを解決するため、同図（ｃ）のように先に存在し
たブロッホライン６と、形成した一方のブロッホライン
８−ａを対にし、情報担体とする。この場合、先に存在
したブロッホラインと形成したブロッホラインの磁化方
向が異なることが必須の条件である。これには、形成す
るブロッホラインの磁化方向を制御する必要がある。こ
れには導体７に流す電流極性を選べば良いことが、日経
エレクトロニクス,1983年８月15日の“1Gビット／cm2級
の高密度固体磁気記憶を実現できるブロッホラインメモ
リ”で述べられている。
たブロッホライン６と、形成した一方のブロッホライン
８−ａを対にし、情報担体とする。この場合、先に存在
したブロッホラインと形成したブロッホラインの磁化方
向が異なることが必須の条件である。これには、形成す
るブロッホラインの磁化方向を制御する必要がある。こ
れには導体７に流す電流極性を選べば良いことが、日経
エレクトロニクス,1983年８月15日の“1Gビット／cm2級
の高密度固体磁気記憶を実現できるブロッホラインメモ
リ”で述べられている。
ところで、この状態下（同図（ｃ））では、ストライ
プ磁区端部に初期状態下（同図（ａ））と180°磁化方
向の異なるブロッホライン８−ｂが残される。これを初
期状態に戻すため、同図（ｄ）に示すように、ヘアピン
状導体10に、電流を流し、ストライプ磁区端部を切り出
す必要がある。この切り出し操作により、情報担体とな
るブロッホラインを書き込んだ側のストライプ磁区端部
に初期状態と等しい磁化方向を持つブロッホライン９−
ａが形成される。この現象も、 1983年８月15日の上記日経エレクトロニクスの文献に記
載されている。
プ磁区端部に初期状態下（同図（ａ））と180°磁化方
向の異なるブロッホライン８−ｂが残される。これを初
期状態に戻すため、同図（ｄ）に示すように、ヘアピン
状導体10に、電流を流し、ストライプ磁区端部を切り出
す必要がある。この切り出し操作により、情報担体とな
るブロッホラインを書き込んだ側のストライプ磁区端部
に初期状態と等しい磁化方向を持つブロッホライン９−
ａが形成される。この現象も、 1983年８月15日の上記日経エレクトロニクスの文献に記
載されている。
以上、従来のブロッホラインメモリの書き込み方式
は、大きく分けて、３つの操作から行なわれる。
は、大きく分けて、３つの操作から行なわれる。
すなわち、第１に、先端のブロッホライン６の移動、
第２にブロッホライン対８の形成、第３に、先端のブロ
ッホラインを８−ｂから９−ａへ初期化するための磁区
の切り出しである。
第２にブロッホライン対８の形成、第３に、先端のブロ
ッホラインを８−ｂから９−ａへ初期化するための磁区
の切り出しである。
上記、従来技術では書き込み導体により形成されるブ
ロッホライン対の磁化方向が等しいため、これを情報担
体とするためには複雑な操作が必要であった。
ロッホライン対の磁化方向が等しいため、これを情報担
体とするためには複雑な操作が必要であった。
本発明の目的は、単一操作で180°向きの異なるブロ
ッホライン対を形成することで、ブロッホラインメモリ
の書き込み操作を大幅に簡略化することにある。
ッホライン対を形成することで、ブロッホラインメモリ
の書き込み操作を大幅に簡略化することにある。
上記、目的は書き込み導体と、ストライプ磁区とを重
ね、かつ、書き込み導体に強いパルス電流を流すことに
より達成される。
ね、かつ、書き込み導体に強いパルス電流を流すことに
より達成される。
ストライプ磁区と重なる書き込み導体にパルス電流を
流すと、導体の左右では発生する磁界が逆向きとなるた
め、磁化方向が180°異なる２組（１組の磁化方向は等
しい）のブロッホライン対が磁壁に書き込まれる。さら
に、導体直下、すなわち、２組のブロッホライン対の間
には、導体からの強い面内方向磁界が印加される。この
面内磁界により、導体直下にブロッホポイントと呼ばれ
る、微細磁化構造が形成される。
流すと、導体の左右では発生する磁界が逆向きとなるた
め、磁化方向が180°異なる２組（１組の磁化方向は等
しい）のブロッホライン対が磁壁に書き込まれる。さら
に、導体直下、すなわち、２組のブロッホライン対の間
には、導体からの強い面内方向磁界が印加される。この
面内磁界により、導体直下にブロッホポイントと呼ばれ
る、微細磁化構造が形成される。
このブロッホポイントが注入されたことにより左右に
存在するブロッホライン対の１本ずつが消滅する。この
現象により、磁化方向が180°異なる２本のブロッホラ
インが残る。これを情報担体とすることで、ブロッホラ
インメモリの書き込みを行う。
存在するブロッホライン対の１本ずつが消滅する。この
現象により、磁化方向が180°異なる２本のブロッホラ
インが残る。これを情報担体とすることで、ブロッホラ
インメモリの書き込みを行う。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
同図（ａ）はストライプ磁区３および、それと重なる
書き込み導体２を示す。このストライプ磁区はストライ
プ巾５μm,4πMs＝200g程度の垂直磁化ガーネットに生
じたものを想定している。書き込みを図面に対し上側の
磁壁で行うため、選択的に導体２を細らせている。この
部分は約３μｍとなっている。
書き込み導体２を示す。このストライプ磁区はストライ
プ巾５μm,4πMs＝200g程度の垂直磁化ガーネットに生
じたものを想定している。書き込みを図面に対し上側の
磁壁で行うため、選択的に導体２を細らせている。この
部分は約３μｍとなっている。
下側の磁壁に書き込むには、導体を下方にずらせば良
い。この導体２に、同図に示す電流Ｉを流せば、導体に
向って左側では紙面に向って垂直に磁界Hzが発生する。
この磁界により、ストライプ磁区３の磁壁にはブロッホ
ライン４−ａおよび４−ｂが形成される。
い。この導体２に、同図に示す電流Ｉを流せば、導体に
向って左側では紙面に向って垂直に磁界Hzが発生する。
この磁界により、ストライプ磁区３の磁壁にはブロッホ
ライン４−ａおよび４−ｂが形成される。
逆に右側の磁壁には逆向きのHz磁界が印加されるの
で、４−a,4−ｂと180°向きの異なるブロッホライン５
−ａおよび５−ｂが形成される。この磁子を３次元的に
第３図に示す。
で、４−a,4−ｂと180°向きの異なるブロッホライン５
−ａおよび５−ｂが形成される。この磁子を３次元的に
第３図に示す。
同図（ａ）は４本のブロッホラインが書き込まれた上
側の磁壁を模式的に示す。図中の矢印はその領域の磁化
の向きを示す。導体２には図に示す方向の電流が流れて
いるため、同図（ａ）に示す磁界Hz（ブロッホラインを
形成した磁界）と、共に面内磁界Hxが発生する。このHx
磁界は磁性ガーネット表面で最も強く電流を10mA以上に
選べば磁化をHx方向に向ける作用を及ぼす。
側の磁壁を模式的に示す。図中の矢印はその領域の磁化
の向きを示す。導体２には図に示す方向の電流が流れて
いるため、同図（ａ）に示す磁界Hz（ブロッホラインを
形成した磁界）と、共に面内磁界Hxが発生する。このHx
磁界は磁性ガーネット表面で最も強く電流を10mA以上に
選べば磁化をHx方向に向ける作用を及ぼす。
このため、ブロッホライン４−ｂと５−ａの間では磁
化は180°反転することになり、この結果、ブロッホポ
イント11が形成される。
化は180°反転することになり、この結果、ブロッホポ
イント11が形成される。
このブロッホポイントの存在は良く知られており、強
い面内磁界により形成されることもすでに知られてい
る。このブロッホポイントは同図（ｂ）に示すようにブ
ロッホライン４−ｂと５−ａを結合し、下方に移動して
いく。この結果、ブロッホライン４−ａと５−ｂ間の磁
化がHx方向と同じ方向となる。この現象によりブロッホ
ライン４−ｂおよび５−ａは消滅し、ブロッホライン４
−ａおよび５−ｂが残る。
い面内磁界により形成されることもすでに知られてい
る。このブロッホポイントは同図（ｂ）に示すようにブ
ロッホライン４−ｂと５−ａを結合し、下方に移動して
いく。この結果、ブロッホライン４−ａと５−ｂ間の磁
化がHx方向と同じ方向となる。この現象によりブロッホ
ライン４−ｂおよび５−ａは消滅し、ブロッホライン４
−ａおよび５−ｂが残る。
この状態を示すのが第１図（ｂ）である。
この後、導体２の電流を切ればブロッホライン４−ａ
と５−ｂ間の領域は印加面内磁界Hipにより引き締めら
れ、導体２直下に、ブロッホライン４−a,5−ｂが存在
する。このブロッホライン４−ａと５−ｂの磁化方向は
180°向きが異なるため、これを対にし、情報担体とす
る。
と５−ｂ間の領域は印加面内磁界Hipにより引き締めら
れ、導体２直下に、ブロッホライン４−a,5−ｂが存在
する。このブロッホライン４−ａと５−ｂの磁化方向は
180°向きが異なるため、これを対にし、情報担体とす
る。
以上の本発明によれば、先端ブロッホライン６の移
動、および、書き込み後、初期化するための磁区の切り
出し操作が不要となる。すなわち、従来のブロッホライ
ンメモリの書き込み方式を大幅に簡略することが可能と
なる。
動、および、書き込み後、初期化するための磁区の切り
出し操作が不要となる。すなわち、従来のブロッホライ
ンメモリの書き込み方式を大幅に簡略することが可能と
なる。
なお、本発明は、ストライプ磁区幅５μｍ程度の磁性
材料の場合について述べたが、それ以下の0.5μｍ材料
においては導体巾を細らせれば本発明は問題なく実施可
能である。
材料の場合について述べたが、それ以下の0.5μｍ材料
においては導体巾を細らせれば本発明は問題なく実施可
能である。
又、導体と、磁性ガーネット膜との距離は近いほど好
しいが、最大、２μｍ程度に選んでも、本発明は実施可
能であることを実験により確認している。
しいが、最大、２μｍ程度に選んでも、本発明は実施可
能であることを実験により確認している。
又、この書き込み導体直下に磁歪を与えて、垂直磁気
異方性を、わずかに膜表面に向けてやると書き込みに必
要となる最小電流が下げられることも確認している。
異方性を、わずかに膜表面に向けてやると書き込みに必
要となる最小電流が下げられることも確認している。
書き込み電流の下限はブロッホポイントが注入される
磁界で決定される。このため、導体幅が狭いほど極所的
に強い磁界が印加されるため、下限は下がる。しかし、
エレクトロマイブレーション等により多くの電流は流せ
なくなる（上限は約200mAであった）ため、導体幅とし
ては0.5〜５μｍ程度の範囲が好ましい。本発明はこの
導体巾範囲で、広い動作マージンが得られた。
磁界で決定される。このため、導体幅が狭いほど極所的
に強い磁界が印加されるため、下限は下がる。しかし、
エレクトロマイブレーション等により多くの電流は流せ
なくなる（上限は約200mAであった）ため、導体幅とし
ては0.5〜５μｍ程度の範囲が好ましい。本発明はこの
導体巾範囲で、広い動作マージンが得られた。
本発明によればブロッホラインメモリの書き込みに際
し、先端ブロッホラインの移動および、磁区の切り出し
操作が不要となる。これにより書き込み操作を大幅に簡
略できた。具体的には、書き込みに必要となる時間を１
μsec短縮できた。又、書き込み機能部の導体を４本か
ら１本に減少させることができた。
し、先端ブロッホラインの移動および、磁区の切り出し
操作が不要となる。これにより書き込み操作を大幅に簡
略できた。具体的には、書き込みに必要となる時間を１
μsec短縮できた。又、書き込み機能部の導体を４本か
ら１本に減少させることができた。
第１図は本発明の一実施例を示すブロッホラインメモリ
の書き込み方法の概念図、第２図は従来のブロッホライ
ンメモリの書き込み方法を示す図、第３図は、第１図の
一分を拡大し、３次元的に示す図である。 ２……書き込み導体 ３……ストライプ磁区 ４……ブロッホライン ５……ブロッホライン ６……先端ブロッホライン ７……従来型書き込み導体 ８……ブロッホライン ９……ブロッホライン 10……磁区切り出し用導体 11……ブロッホポイント
の書き込み方法の概念図、第２図は従来のブロッホライ
ンメモリの書き込み方法を示す図、第３図は、第１図の
一分を拡大し、３次元的に示す図である。 ２……書き込み導体 ３……ストライプ磁区 ４……ブロッホライン ５……ブロッホライン ６……先端ブロッホライン ７……従来型書き込み導体 ８……ブロッホライン ９……ブロッホライン 10……磁区切り出し用導体 11……ブロッホポイント
Claims (3)
- 【請求項１】マイナーループを構成するストライプ磁区
と少なくとも重なりをもつ単一導体にパルス電流を流す
ことで、上記単一導体直下にブロッホポイントを注入さ
せ、磁化方向が180°異なる１組のブロッホライン対を
書き込むことを特徴とするブロッホラインメモリの書き
込み方法。 - 【請求項２】上記パルス電流は、10mAから200mAの範囲
にあることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のブ
ロッホラインメモリの書き込み方法。 - 【請求項３】上記書き込み用単一導体の幅は、0.5μｍ
から５μｍの範囲にあることを特徴とする特許請求の範
囲第１項または第２項記載のブロッホラインメモリの書
き込み方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61173651A JP2619365B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | ブロッホラインメモリの書き込み方法 |
| US07/076,215 US4831584A (en) | 1986-07-25 | 1987-07-22 | Bloch line memory device |
| DE8787110675T DE3765594D1 (de) | 1986-07-25 | 1987-07-23 | Blochlinien-speichereinrichtung. |
| EP87110675A EP0255044B1 (en) | 1986-07-25 | 1987-07-23 | Bloch line memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61173651A JP2619365B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | ブロッホラインメモリの書き込み方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6331089A JPS6331089A (ja) | 1988-02-09 |
| JP2619365B2 true JP2619365B2 (ja) | 1997-06-11 |
Family
ID=15964564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61173651A Expired - Lifetime JP2619365B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | ブロッホラインメモリの書き込み方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4831584A (ja) |
| EP (1) | EP0255044B1 (ja) |
| JP (1) | JP2619365B2 (ja) |
| DE (1) | DE3765594D1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003068290A2 (en) | 2002-02-11 | 2003-08-21 | Antares Pharma, Inc. | Intradermal injector |
| BRPI0614025A2 (pt) | 2005-01-24 | 2012-12-25 | Antares Pharma Inc | injetores de jato |
| US9144648B2 (en) | 2006-05-03 | 2015-09-29 | Antares Pharma, Inc. | Injector with adjustable dosing |
| US8251947B2 (en) | 2006-05-03 | 2012-08-28 | Antares Pharma, Inc. | Two-stage reconstituting injector |
| WO2009114542A1 (en) | 2008-03-10 | 2009-09-17 | Antares Pharma, Inc. | Injector safety device |
| ES2738539T3 (es) | 2008-08-05 | 2020-01-23 | Antares Pharma Inc | Inyector de dosis múltiples |
| US8496619B2 (en) | 2011-07-15 | 2013-07-30 | Antares Pharma, Inc. | Injection device with cammed ram assembly |
| US9220660B2 (en) | 2011-07-15 | 2015-12-29 | Antares Pharma, Inc. | Liquid-transfer adapter beveled spike |
| KR20150003179A (ko) | 2012-03-06 | 2015-01-08 | 안타레스 팔마, 인코퍼레이티드 | 분리력 특징을 가진 사전충전형 주사기 |
| EP4186545A1 (en) | 2012-04-06 | 2023-05-31 | Antares Pharma, Inc. | Needle assisted jet injection administration of testosterone compositions |
| WO2013169800A1 (en) | 2012-05-07 | 2013-11-14 | Antares Pharma, Inc. | Injection device with cammed ram assembly |
| ES2763633T3 (es) | 2013-02-11 | 2020-05-29 | Antares Pharma Inc | Dispositivo de inyección por chorro asistido por aguja que tiene fuerza de disparo reducida |
| JP6030803B2 (ja) | 2013-03-11 | 2016-11-24 | アンタレス・ファーマ・インコーポレーテッド | ピニオンシステムを有する用量注射器 |
| CN115141238B (zh) * | 2022-06-20 | 2023-04-07 | 西南民族大学 | 苯乙醇苷类化合物及其制备方法和用途 |
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-
1986
- 1986-07-25 JP JP61173651A patent/JP2619365B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-07-22 US US07/076,215 patent/US4831584A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-07-23 DE DE8787110675T patent/DE3765594D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-07-23 EP EP87110675A patent/EP0255044B1/en not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5998375A (ja) * | 1982-11-26 | 1984-06-06 | Nec Corp | 書込みトランスフア−ゲ−ト |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3765594D1 (de) | 1990-11-22 |
| EP0255044A1 (en) | 1988-02-03 |
| US4831584A (en) | 1989-05-16 |
| EP0255044B1 (en) | 1990-10-17 |
| JPS6331089A (ja) | 1988-02-09 |
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