JP2618500B2 - 光ファイバ接続方法 - Google Patents
光ファイバ接続方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は石英系シングルモード光ファイバを低損失で
接続する光ファイバの接続方法に関する。
接続する光ファイバの接続方法に関する。
＜従来の技術及び発明が解決しようとする課題＞ 光ファイバを接続する方法の１つとして融着接続があ
る。従来の光ファイバ融着接続法の一例を第７図に示
す。光ファイバの被覆の除去をした後、ファイバ端面を
切断し、融着接続装置へ設置し、予備放電を行う。パワ
モニタ法を用いてファイバの位置合せをし、アーク放電
を行って、融着接続した後、該接続部を補強する。この
アーク放電を利用した従来の融着接続法によれば、シン
グルモード光ファイバの接続損失は0.1dB前後の小さな
値が得られている。上記の値はファイバパラメタがほぼ
等しいシングルモード光ファイバ同士の接続の場合であ
るが、最近光ファイバのパラメタが異なる光ファイバ同
士を接続したいという要望が増えている。
る。従来の光ファイバ融着接続法の一例を第７図に示
す。光ファイバの被覆の除去をした後、ファイバ端面を
切断し、融着接続装置へ設置し、予備放電を行う。パワ
モニタ法を用いてファイバの位置合せをし、アーク放電
を行って、融着接続した後、該接続部を補強する。この
アーク放電を利用した従来の融着接続法によれば、シン
グルモード光ファイバの接続損失は0.1dB前後の小さな
値が得られている。上記の値はファイバパラメタがほぼ
等しいシングルモード光ファイバ同士の接続の場合であ
るが、最近光ファイバのパラメタが異なる光ファイバ同
士を接続したいという要望が増えている。
第１表に光ファイバのパラメタが異なる光ファイバ同
士を従来の融着接続法で接続したときの接続損失を示
す。また、試験に用いた光ファイバのパラメタを第２表
に示す。
士を従来の融着接続法で接続したときの接続損失を示
す。また、試験に用いた光ファイバのパラメタを第２表
に示す。
第１表の結果より光ファイバのパラメタが異なる光フ
ァイバ間の接続損失は、パラメタがほぼ等しい場合に比
べて約２倍〜10倍大となることが判明した。
ァイバ間の接続損失は、パラメタがほぼ等しい場合に比
べて約２倍〜10倍大となることが判明した。
本発明は以上述べた事情に鑑み、光ファイバのパラメ
タが異なる光ファイバ同士を低損失で接続し得る光ファ
イバ接続素子及び光ファイバ接続方法並びに光ファイバ
接続装置を提供することを目的とする。
タが異なる光ファイバ同士を低損失で接続し得る光ファ
イバ接続素子及び光ファイバ接続方法並びに光ファイバ
接続装置を提供することを目的とする。
＜課題を解決するための手段＞ 前記目的を達成するための本発明にかかる第１の光フ
ァイバ接続方法は、コア径が大きく比屈折率差が小さい
第１の光ファイバと、コア径が小さく比屈折率差が大き
い第２の光ファイバの端面同士をアーク放電を用いて融
着接続したのち、さらにマイクロトーチを用いて前記融
着接続点近傍を、コアの屈折率を上げるために添加され
ているドーピング剤、あるいはクラッドの屈折率を下げ
るために添加されているドーピング剤は拡散するが、光
ファイバは溶融しない温度で加熱することを特徴とす
る。
ァイバ接続方法は、コア径が大きく比屈折率差が小さい
第１の光ファイバと、コア径が小さく比屈折率差が大き
い第２の光ファイバの端面同士をアーク放電を用いて融
着接続したのち、さらにマイクロトーチを用いて前記融
着接続点近傍を、コアの屈折率を上げるために添加され
ているドーピング剤、あるいはクラッドの屈折率を下げ
るために添加されているドーピング剤は拡散するが、光
ファイバは溶融しない温度で加熱することを特徴とす
る。
また、上記第１の光ファイバ接続方法において、マイ
クロトーチを用いて光ファイバを加熱するときに、一対
のマイクロトーチが光ファイバに対向して配置されてい
ることを特徴とする。
クロトーチを用いて光ファイバを加熱するときに、一対
のマイクロトーチが光ファイバに対向して配置されてい
ることを特徴とする。
第２の光ファイバ接続方法は、コア径が大きく比屈折
率差が小さい第１の光ファイバと、コア径が小さく比屈
折率差が大きい第２の光ファイバの端面同士を接続する
方法であって、コア径が小さく比屈折率差が大きい第２
の光ファイバをマイクロトーチを用いて、コアの屈折率
を上げるために添加されているドーピング剤、あるいは
クラッドの屈折率を下げるために添加されているドーピ
ング剤は拡散するが、光ファイバは溶融しない温度で加
熱して、該加熱部分のコア径を拡大したのち、該コア径
を拡大した加熱部分を切断し、その後、アーク放電を用
いたコア径が大きく比屈折率差が小さい第１の光ファイ
バと融着接続することを特徴とする。
率差が小さい第１の光ファイバと、コア径が小さく比屈
折率差が大きい第２の光ファイバの端面同士を接続する
方法であって、コア径が小さく比屈折率差が大きい第２
の光ファイバをマイクロトーチを用いて、コアの屈折率
を上げるために添加されているドーピング剤、あるいは
クラッドの屈折率を下げるために添加されているドーピ
ング剤は拡散するが、光ファイバは溶融しない温度で加
熱して、該加熱部分のコア径を拡大したのち、該コア径
を拡大した加熱部分を切断し、その後、アーク放電を用
いたコア径が大きく比屈折率差が小さい第１の光ファイ
バと融着接続することを特徴とする。
上記第２の光ファイバ接続方法において、マイクロト
ーチを用いて光ファイバを加熱するときに、一対のマイ
クロトーチが光ファイバに対向して配置されていること
を特徴とする。
ーチを用いて光ファイバを加熱するときに、一対のマイ
クロトーチが光ファイバに対向して配置されていること
を特徴とする。
＜作用＞ 光ファイバ同士を接続する場合、放電によって融着接
続した後、加熱手段を用いて該融着接続部を加熱する。
このときの加熱は、光ファイバ中のドーピング剤は拡散
するが光ファイバは溶融しない温度とする。
続した後、加熱手段を用いて該融着接続部を加熱する。
このときの加熱は、光ファイバ中のドーピング剤は拡散
するが光ファイバは溶融しない温度とする。
この結果、例えばコアに酸化ゲルマニウム（GeO2）を
ドープした光ファイバではコア径がGeO2の拡散によって
拡げられ、接続損失が減少する。
ドープした光ファイバではコア径がGeO2の拡散によって
拡げられ、接続損失が減少する。
また、コア径の異なるGeO2ドープ光ファイバでは、コ
ア径が小さく比屈折率の高い方の光ファイバのコア径が
GeO2の拡散によって拡げられ、コア径が大きい光ファイ
バとコア径が連続的に変化し、接続時の損失が填補され
る。
ア径が小さく比屈折率の高い方の光ファイバのコア径が
GeO2の拡散によって拡げられ、コア径が大きい光ファイ
バとコア径が連続的に変化し、接続時の損失が填補され
る。
一方例えばクラッドにＦをドープした光ファイバでは
コア中にＦが拡散されコアの屈折率が下がると共にクラ
ッドの屈折率は逆に上昇し、接続損失が減少する。
コア中にＦが拡散されコアの屈折率が下がると共にクラ
ッドの屈折率は逆に上昇し、接続損失が減少する。
＜実 施 例＞ 以下、本発明の好適な実施例を詳細に説明するが、以
下に開示する実施例は本発明の単なる例示に過ぎず、本
発明の範囲を何等制限するものではない。
下に開示する実施例は本発明の単なる例示に過ぎず、本
発明の範囲を何等制限するものではない。
実施例 １ 第１図は本発明の第１の実施例を説明する概説図であ
る。同図に示すように、光ファイバのパラメタが等しい
（コア径及び比屈折率差が等しい光ファイバ同士をい
う。）コア10とクラッド11とからなる光ファイバ（コア
径a1:9.7μm,比屈折率差Δ1:0.4％）12A,12Aを対向させ
（第１図（ａ）参照）、従来と同様にアーク放電をして
融着接続する（第１図（ｂ）参照）。
る。同図に示すように、光ファイバのパラメタが等しい
（コア径及び比屈折率差が等しい光ファイバ同士をい
う。）コア10とクラッド11とからなる光ファイバ（コア
径a1:9.7μm,比屈折率差Δ1:0.4％）12A,12Aを対向させ
（第１図（ａ）参照）、従来と同様にアーク放電をして
融着接続する（第１図（ｂ）参照）。
次に上記アーク放電による融着接続部13を、加熱手段
として対向するマイクロトーチ14,14を用いて加熱する
（第１図（ｃ）参照）。この際の加熱条件は、上記融着
接続部13において、光ファイバ12A自身は溶融しない温
度で、かつコア10に屈折率を上げるためにドープされて
いる例えばGeO2等のドーピング剤が拡散する温度及び加
熱時間とする。
として対向するマイクロトーチ14,14を用いて加熱する
（第１図（ｃ）参照）。この際の加熱条件は、上記融着
接続部13において、光ファイバ12A自身は溶融しない温
度で、かつコア10に屈折率を上げるためにドープされて
いる例えばGeO2等のドーピング剤が拡散する温度及び加
熱時間とする。
これにより、融着接続部13においてコア10中にドープ
されていたGeO2等のドーピング剤はコア10の径方向すな
わちコア外周面近傍のクラッド11中に拡散し、結果とし
てコア径が拡げられることとなり、接続時の偏心等によ
る接続損失が減少する（第１図（ｄ）参照）。
されていたGeO2等のドーピング剤はコア10の径方向すな
わちコア外周面近傍のクラッド11中に拡散し、結果とし
てコア径が拡げられることとなり、接続時の偏心等によ
る接続損失が減少する（第１図（ｄ）参照）。
このとき、加熱温度が高いほど拡散しやすいため、融
着接続部13の接続部の近傍では、特にGeO2等のドーピン
グ剤の拡散が高くなるのでひいてはコア径が大となり、
結果として第１図（ｄ）の融着接続部13に示すように、
光ファイバ中のコア径が対向してテーパ状に変化する構
造となる。
着接続部13の接続部の近傍では、特にGeO2等のドーピン
グ剤の拡散が高くなるのでひいてはコア径が大となり、
結果として第１図（ｄ）の融着接続部13に示すように、
光ファイバ中のコア径が対向してテーパ状に変化する構
造となる。
よって、従来のような接続である第１図（ｂ）に示す
ようなコア10同士が単にアーク放電したときのみの融着
接続される場合に比べて、伝送損失が少なくなる。
ようなコア10同士が単にアーク放電したときのみの融着
接続される場合に比べて、伝送損失が少なくなる。
以上述べたように、マイクロトーチ加熱を用いて所定
条件で加熱することにより、接続損失が大幅に減少す
る。
条件で加熱することにより、接続損失が大幅に減少す
る。
また本実施例による光ファイバのパラメタが等しい光
ファイバ接続素子の接続損失は0.07dBと第１表に示す従
来（0.14dB）に比べて大幅に向上している。
ファイバ接続素子の接続損失は0.07dBと第１表に示す従
来（0.14dB）に比べて大幅に向上している。
次に、上記実施例で用いた光ファイバ接続装置の一例
を第４図を参照して説明する。同図に示すように、光フ
ァイバ接続装置は端部が切断された入射側光ファイバ12
と出射側光ファイバ10とを各々固定する光ファイバ押え
20,20′と、光ファイバ心線21,21′を押える心線押え2
2,22′と、光ファイバ12,12′の端面を融着接続するた
めのアーク放電用の一対の放電電極23,23′と、アーク
融着した後に該融着接続部24を光ファイバは溶融しない
が光ファイバ中のコア及びクラッドのいずれかにドーピ
ングされているドーピング剤は拡散するよう加熱する加
熱手段25とを具備している。
を第４図を参照して説明する。同図に示すように、光フ
ァイバ接続装置は端部が切断された入射側光ファイバ12
と出射側光ファイバ10とを各々固定する光ファイバ押え
20,20′と、光ファイバ心線21,21′を押える心線押え2
2,22′と、光ファイバ12,12′の端面を融着接続するた
めのアーク放電用の一対の放電電極23,23′と、アーク
融着した後に該融着接続部24を光ファイバは溶融しない
が光ファイバ中のコア及びクラッドのいずれかにドーピ
ングされているドーピング剤は拡散するよう加熱する加
熱手段25とを具備している。
上記加熱手段25としては、上述したようにアーク放電
により融着接続した融着接続部24を、光ファイバ12自体
は溶融しないが光ファイバ12中のコア10及びクラッド11
のいずれかに屈折率を変化させるためにドーピングされ
ている例えばGeO2,TiO2,Al2O3,P2O5,F,B2O3等のドーピ
ング剤が拡散し得るよう加熱するもので、例えばプロパ
ンガスと酸素ガスとの混合ガスを用いたマイクロトーチ
やリングヒータ等を加熱源として挙げることができる。
上記加熱手段25として、本実施例ではマイクロトーチを
用いた。このマイクロトーチは第５図に示すように、Ｚ
軸方向だけでなく、Ｘ軸方向,Y軸方向にも移動可能とし
ており、マイクロトーチを融着接続部24の真上に移動さ
せるために微調整を可能としている。また、加熱時にマ
イクロトーチをＸ軸方向に周期的に振ったり、マイクロ
トーチを使用しないときには、離れたところに退避でき
るようにしている。尚マイクロトーチを用いる場合に
は、プロパンガスの代りに水素ガスを用いてもよい。
により融着接続した融着接続部24を、光ファイバ12自体
は溶融しないが光ファイバ12中のコア10及びクラッド11
のいずれかに屈折率を変化させるためにドーピングされ
ている例えばGeO2,TiO2,Al2O3,P2O5,F,B2O3等のドーピ
ング剤が拡散し得るよう加熱するもので、例えばプロパ
ンガスと酸素ガスとの混合ガスを用いたマイクロトーチ
やリングヒータ等を加熱源として挙げることができる。
上記加熱手段25として、本実施例ではマイクロトーチを
用いた。このマイクロトーチは第５図に示すように、Ｚ
軸方向だけでなく、Ｘ軸方向,Y軸方向にも移動可能とし
ており、マイクロトーチを融着接続部24の真上に移動さ
せるために微調整を可能としている。また、加熱時にマ
イクロトーチをＸ軸方向に周期的に振ったり、マイクロ
トーチを使用しないときには、離れたところに退避でき
るようにしている。尚マイクロトーチを用いる場合に
は、プロパンガスの代りに水素ガスを用いてもよい。
実施例 ２ 第２図は本発明の第２の実施例を説明する概説図であ
る。同図に示すように、光ファイバのパラメタが異なる
（コア径及び比屈折率差が異なる光ファイバ同士をい
う。）コア10とクラッド11とからなる光ファイバ（コア
径a1:9.7μm,Δ1:0.4％）12A及び光ファイバ（コア径
a2:8.6μm,Δ2:0.9％）12Bを対向させ（第２図（ａ）参
照）た後、第１の実施例と同様にアーク放電をして融着
接続し（第２図（ｂ）参照）、次にマイクロトーチ14,1
4を用いて融着接続部を加熱する（第２図（ｃ）参
照）。
る。同図に示すように、光ファイバのパラメタが異なる
（コア径及び比屈折率差が異なる光ファイバ同士をい
う。）コア10とクラッド11とからなる光ファイバ（コア
径a1:9.7μm,Δ1:0.4％）12A及び光ファイバ（コア径
a2:8.6μm,Δ2:0.9％）12Bを対向させ（第２図（ａ）参
照）た後、第１の実施例と同様にアーク放電をして融着
接続し（第２図（ｂ）参照）、次にマイクロトーチ14,1
4を用いて融着接続部を加熱する（第２図（ｃ）参
照）。
このマイクロトーチの加熱条件は第１の実施例と同様
に光ファイバ12A,12B自身は溶融しない温度で、かつコ
ア10にドープされているGeO2等のドーピング剤が拡散す
る温度及び加熱時間とする。
に光ファイバ12A,12B自身は溶融しない温度で、かつコ
ア10にドープされているGeO2等のドーピング剤が拡散す
る温度及び加熱時間とする。
この結果、特にコア径の小さい光ファイバ12Bのコア1
0B中にドープされていたGeO2等のドーピング剤はコアの
径方向すなわちコア外周面近傍のクラッド11中に拡散
し、結果としてコア径が拡げられる。そして第２図
（ｄ）に示すように、光ファイバのコア径が対向してテ
ーパ状に拡散し、コア径の大なる光ファイバ12Aのコア1
0Aとコア10Bのコア径がほぼ同径となる。
0B中にドープされていたGeO2等のドーピング剤はコアの
径方向すなわちコア外周面近傍のクラッド11中に拡散
し、結果としてコア径が拡げられる。そして第２図
（ｄ）に示すように、光ファイバのコア径が対向してテ
ーパ状に拡散し、コア径の大なる光ファイバ12Aのコア1
0Aとコア10Bのコア径がほぼ同径となる。
よって、従来のような接続である第２図（ｂ）に示す
ようなコア10Aとコア10Bとのようにコア径が不連続に変
化した構造に比べて、モード変換が少ない。これがマイ
クロトーチ加熱を用いた所定条件での加熱により接続損
失が大幅に減少する要因である。これはコア径が小さい
比屈折率差Δの大なる光ファイバでは、コアに添加する
GeO2等のドーピング剤を多く添加するため、コア径が小
さくなればなる程GeO2等のドーピング剤の濃度は高く、
マイクロトーチでの加熱によりクラッド中への拡散がよ
り大となるからである。
ようなコア10Aとコア10Bとのようにコア径が不連続に変
化した構造に比べて、モード変換が少ない。これがマイ
クロトーチ加熱を用いた所定条件での加熱により接続損
失が大幅に減少する要因である。これはコア径が小さい
比屈折率差Δの大なる光ファイバでは、コアに添加する
GeO2等のドーピング剤を多く添加するため、コア径が小
さくなればなる程GeO2等のドーピング剤の濃度は高く、
マイクロトーチでの加熱によりクラッド中への拡散がよ
り大となるからである。
また、本実施例による光ファイバのパラメタの異なる
光ファイバ接続素子の接続損失は0.10dBと第１表に示す
従来（0.21dB）に比べて大幅に向上している。
光ファイバ接続素子の接続損失は0.10dBと第１表に示す
従来（0.21dB）に比べて大幅に向上している。
同様にして下記第３表に示す光ファイバのパラメタに
ついてもマイクロトーチ14を用いての加熱を実施した。
ついてもマイクロトーチ14を用いての加熱を実施した。
これらの光ファイバ接続素子の接続損失の結果及び第
1,2の実施例の結果をまとめて第３表に示す。
1,2の実施例の結果をまとめて第３表に示す。
尚、従来例は先に挙げた第１表の結果である。
第３表の結果より、光ファイバのパラメタが異なる光
ファイバ同士の場合でも、光ファイバのパラメタがほぼ
等しいときと変わらない低い接続損失が得られる。さら
に、光ファイバのパラメタがほぼ等しい光ファイバ同士
（＃1/＃１）の場合にも、接続損失が減少する。
ファイバ同士の場合でも、光ファイバのパラメタがほぼ
等しいときと変わらない低い接続損失が得られる。さら
に、光ファイバのパラメタがほぼ等しい光ファイバ同士
（＃1/＃１）の場合にも、接続損失が減少する。
この理由を明らかにするため、マイクロトーチで加熱
した光ファイバの屈折率分布を干渉顕微鏡で観察し、コ
アが拡がっていることを確認した。すなわち、マイクロ
トーチ加熱によりコア中のドーピング剤のGeO2が拡散し
ていることを確認した。
した光ファイバの屈折率分布を干渉顕微鏡で観察し、コ
アが拡がっていることを確認した。すなわち、マイクロ
トーチ加熱によりコア中のドーピング剤のGeO2が拡散し
ていることを確認した。
実施例 ３ 第３図は本発明の第３の実施例を説明する概説図であ
る。同図に示すように本実施例では、光ファイバのパラ
メタの異なる２本の光ファイバ10A,10Bのうちの、コア
径が小さく、比屈折率差が大きい光ファイバをマイクロ
トーチ14,14で加熱し（第３図（ａ）参照）、コア10中
のドーピング剤のGeO2をクラッド11側に拡散させて、コ
ア径を拡げる（第３図（ｂ）参照）。その後コア径の拡
がった箇所を所定方法で切断し、一方の光ファイバ10A
と従来のアーク溶接にて融着接続する（第３図（ｃ），
（ｄ）参照）。得られた光ファイバ接続素子を用いて接
続損失を測ったところ、第２の実施例とほぼ等しい低い
接続損失を得ることができた。
る。同図に示すように本実施例では、光ファイバのパラ
メタの異なる２本の光ファイバ10A,10Bのうちの、コア
径が小さく、比屈折率差が大きい光ファイバをマイクロ
トーチ14,14で加熱し（第３図（ａ）参照）、コア10中
のドーピング剤のGeO2をクラッド11側に拡散させて、コ
ア径を拡げる（第３図（ｂ）参照）。その後コア径の拡
がった箇所を所定方法で切断し、一方の光ファイバ10A
と従来のアーク溶接にて融着接続する（第３図（ｃ），
（ｄ）参照）。得られた光ファイバ接続素子を用いて接
続損失を測ったところ、第２の実施例とほぼ等しい低い
接続損失を得ることができた。
実施例 ４ 以上述べた実施例においてはコアに屈折率を上げるた
めのドーピング剤としてGeO2を用いて具体的に説明した
が、クラッドの屈折率を下げるために添加される例えば
Ｆをドーピングした光ファイバの場合にも、以下に述べ
るように、本発明によって低損失に接続することができ
る。
めのドーピング剤としてGeO2を用いて具体的に説明した
が、クラッドの屈折率を下げるために添加される例えば
Ｆをドーピングした光ファイバの場合にも、以下に述べ
るように、本発明によって低損失に接続することができ
る。
第６図はフッ素をドーピングした光ファイバをマイク
ロトーチで加熱したときの加熱前後の屈折率分布の変化
を示している。同図に示すように、加熱によってＦがコ
ア10に拡散し、コアの屈折率が下がると共にクラッド11
の屈折率は上昇し、結果としてコア径が拡がる効果が得
られるのがわかる。
ロトーチで加熱したときの加熱前後の屈折率分布の変化
を示している。同図に示すように、加熱によってＦがコ
ア10に拡散し、コアの屈折率が下がると共にクラッド11
の屈折率は上昇し、結果としてコア径が拡がる効果が得
られるのがわかる。
この効果はＦの含有濃度が高い光ファイバ、すなわち
コア径が小さく、比屈折率差が大きい光ファイバほぼ著
しいため、上述したGeO2添加光ファイバの場合と同様
に、光ファイバのパラメタが異なる光ファイバ同士の接
続損失を低減することができる。
コア径が小さく、比屈折率差が大きい光ファイバほぼ著
しいため、上述したGeO2添加光ファイバの場合と同様
に、光ファイバのパラメタが異なる光ファイバ同士の接
続損失を低減することができる。
＜発明の効果＞ 以上、実施例とともに詳しく説明したように、本発明
によれば光ファイバのパラメタの等しいシングルモード
光ファイバはもちろん光ファイバのパラメタの異なる光
ファイバ同士の接続損失が大幅に低減するという効果を
奏する。
によれば光ファイバのパラメタの等しいシングルモード
光ファイバはもちろん光ファイバのパラメタの異なる光
ファイバ同士の接続損失が大幅に低減するという効果を
奏する。
よって、特殊なファイバパラメタの光ファイバを用い
ることが有利なシステム、例えば、コア径の小さい光フ
ァイバを用いた高増幅効率光ファイバアンプ、比屈折率
の高い光ファイバを用いた高結合効率半導体レーザモジ
ュール，コア径の大きい光ファイバを用いた結合容易半
導体レーザモジュール，コア径の大きい光ファイバを用
いた結合容易半導体レーザモジュール等を、通常のシン
グルモード光ファイバを用いた光通信システムに組込む
ことができ、光通信システムの高性能化、経済化に大き
な利点がある。
ることが有利なシステム、例えば、コア径の小さい光フ
ァイバを用いた高増幅効率光ファイバアンプ、比屈折率
の高い光ファイバを用いた高結合効率半導体レーザモジ
ュール，コア径の大きい光ファイバを用いた結合容易半
導体レーザモジュール，コア径の大きい光ファイバを用
いた結合容易半導体レーザモジュール等を、通常のシン
グルモード光ファイバを用いた光通信システムに組込む
ことができ、光通信システムの高性能化、経済化に大き
な利点がある。
第１図は本発明の第１の実施例の概説図、第２図は本発
明の第２の実施例の概説図、第３図は本発明の第３の実
施例の概説図、第４図は本発明を実施する光ファイバ接
続装置の概説図、第５図は第４図における加熱手段の移
動方向を示す図、第６図は本発明の第４の実施例の光フ
ァイバの屈折率分布図、第７図は従来の光ファイバ融着
接続法の工程図である。 図面中、 10はコア、 11はクラッド、 12,12A,12Bは光ファイバ、 13,24は融着接続部、 20,20′は光ファイバ押え、 21,21′は光ファイバ心線、 22,22′は心線押え、 23,23′は放電電極、 25は加熱手段である。
明の第２の実施例の概説図、第３図は本発明の第３の実
施例の概説図、第４図は本発明を実施する光ファイバ接
続装置の概説図、第５図は第４図における加熱手段の移
動方向を示す図、第６図は本発明の第４の実施例の光フ
ァイバの屈折率分布図、第７図は従来の光ファイバ融着
接続法の工程図である。 図面中、 10はコア、 11はクラッド、 12,12A,12Bは光ファイバ、 13,24は融着接続部、 20,20′は光ファイバ押え、 21,21′は光ファイバ心線、 22,22′は心線押え、 23,23′は放電電極、 25は加熱手段である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−504052（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−117508（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−24906（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−11208（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−193502（ＪＰ，Ｕ)
Claims (4)
- 【請求項１】コア径が大きく比屈折率差が小さい第１の
光ファイバと、コア径が小さく比屈折率差が大きい第２
の光ファイバの端面同士をアーク放電を用いて融着接続
したのち、さらにマイクロトーチを用いて前記融着接続
点近傍を、コアの屈折率を上げるために添加されている
ドーピング剤、あるいはクラッドの屈折率を下げるため
に添加されているドーピング剤は拡散するが、光ファイ
バは溶融しない温度で加熱することを特徴とする光ファ
イバ接続方法。 - 【請求項２】請求項１記載の光ファイバ接続方法におい
て、マイクロトーチを用いて光ファイバを加熱するとき
に、一対のマイクロトーチが光ファイバに対向して配置
されていることを特徴とする光ファイバ接続方法。 - 【請求項３】コア径が大きく比屈折率差が小さい第１の
光ファイバと、コア径が小さく比屈折率差が大きい第２
の光ファイバの端面同士を接続する方法であって、コア
径が小さく比屈折率差が大きい第２の光ファイバをマイ
クロトーチを用いて、コアの屈折率を上げるために添加
されているドーピング剤、あるいはクラッドの屈折率を
下げるために添加されているドーピング剤は拡散する
が、光ファイバは溶融しない温度で加熱して、該加熱部
分のコア径を拡大したのち、該コア径を拡大した加熱部
分を切断し、その後、アーク放電を用いたコア径が大き
く比屈折率差が小さい第１の光ファイバと融着接続する
ことを特徴とする光ファイバ接続方法。 - 【請求項４】請求項３記載の光ファイバ接続方法におい
て、マイクロトーチを用いて光ファイバを加熱するとき
に、一対のマイクロトーチが光ファイバに対向して配置
されていることを特徴とする光ファイバ接続方法。
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|---|---|---|---|
| JP1268025A JP2618500B2 (ja) | 1989-10-17 | 1989-10-17 | 光ファイバ接続方法 |
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| JP1268025A JP2618500B2 (ja) | 1989-10-17 | 1989-10-17 | 光ファイバ接続方法 |
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|---|---|
| JPH03130705A JPH03130705A (ja) | 1991-06-04 |
| JP2618500B2 true JP2618500B2 (ja) | 1997-06-11 |
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ID=17452850
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|---|---|---|---|
| JP1268025A Expired - Lifetime JP2618500B2 (ja) | 1989-10-17 | 1989-10-17 | 光ファイバ接続方法 |
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| JP (1) | JP2618500B2 (ja) |
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| JPH03130705A (ja) | 1991-06-04 |
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