JP2611642B2 - 座標位置検出装置 - Google Patents
座標位置検出装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、座標位置検出装置に関
するものである。
するものである。
【０００２】
【従来の技術】座標位置検出装置としては従来種々の動
作原理のものが用いられている。たとえば、特公昭６２
−５９３２９号公報「ディスプレイ付座標入力装置」で
公告された発明のものは、磁歪振動波の伝播時間を測定
することによって座標位置を決定しており、特公平２−
１０９６８号公報「位置検出装置」で公告された発明の
ものは、励磁線と検出線との間の電磁誘導を利用し、座
標位置指定装置により電磁誘導の磁路を変化させ、この
変化を検出することによって座標位置指定装置の座標位
置を検出している。
作原理のものが用いられている。たとえば、特公昭６２
−５９３２９号公報「ディスプレイ付座標入力装置」で
公告された発明のものは、磁歪振動波の伝播時間を測定
することによって座標位置を決定しており、特公平２−
１０９６８号公報「位置検出装置」で公告された発明の
ものは、励磁線と検出線との間の電磁誘導を利用し、座
標位置指定装置により電磁誘導の磁路を変化させ、この
変化を検出することによって座標位置指定装置の座標位
置を検出している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】磁歪振動波を使用する
従来のものでは、磁歪振動波の発生装置や検出装置が複
雑なものとなり、磁歪振動波の伝播路として特別なもの
を用意しておく必要があり、且つ、磁歪振動の発生装置
は他の装置に妨害を与えるという問題がある。また、電
磁誘導を応用するものは他の装置に妨害を与え、且つ、
他の装置からの妨害を受ける等の問題点があった。
従来のものでは、磁歪振動波の発生装置や検出装置が複
雑なものとなり、磁歪振動波の伝播路として特別なもの
を用意しておく必要があり、且つ、磁歪振動の発生装置
は他の装置に妨害を与えるという問題がある。また、電
磁誘導を応用するものは他の装置に妨害を与え、且つ、
他の装置からの妨害を受ける等の問題点があった。
【０００４】本発明は、従来のものにおける上述の問題
点を解決するためになされたもので、簡単な装置で精度
の高い座標位置検出ができ、電磁誘導により他の装置を
妨害することもなく、また、他の装置から妨害を受ける
こともない座標位置検出装置を提供することを目的とし
ている。
点を解決するためになされたもので、簡単な装置で精度
の高い座標位置検出ができ、電磁誘導により他の装置を
妨害することもなく、また、他の装置から妨害を受ける
こともない座標位置検出装置を提供することを目的とし
ている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる座標位置
検出装置は、座標位置指示装置として永久磁石を使用
し、これに対するタブレットには磁気抵抗効果を有する
素子（磁気抵抗素子と略称する）を使用することとし
た。すなわち、座標位置指定装置は平面上で指定すべき
位置において当該平面に直角な方向への磁場を与える永
久磁石を備え、座標位置検出手段は、磁気抵抗素子が配
列されたタブレット部と、永久磁石による位置指定の影
響によって磁気抵抗素子に生じる抵抗変化を測定する抵
抗変化測定手段と、この抵抗変化測定手段により測定し
た抵抗変化のデータから永久磁石により指定された位置
の位置座標を算出するデータ処理部とを備え、タブレッ
ト部はＸ方向検出磁気抵抗素子群が配列されたＸ方向検
出用タブレットとＹ方向検出磁気抵抗素子群が配列され
たＹ方向検出用タブレットとを有し、Ｘ方向検出磁気抵
抗素子群はＸ軸方向を磁気検出方向とする磁気抵抗素子
をＹ軸方向に直列に接続して構成したＸ軸方向検出磁気
抵抗素子列を複数列Ｙ軸と平行に配列して構成され、Ｙ
方向検出磁気抵抗素子群はＹ軸方向を磁気検出方向とす
る磁気抵抗素子をＸ軸方向に直列に接続して構成したＹ
軸方向検出磁気抵抗素子列を複数列Ｘ軸と平行に配列し
て構成され、抵抗変化測定手段は、Ｘ軸方向検出磁気抵
抗素子列およびＹ軸方向検出磁気素子列の各列を単位と
してその列の抵抗変化を測定するようにした。
検出装置は、座標位置指示装置として永久磁石を使用
し、これに対するタブレットには磁気抵抗効果を有する
素子（磁気抵抗素子と略称する）を使用することとし
た。すなわち、座標位置指定装置は平面上で指定すべき
位置において当該平面に直角な方向への磁場を与える永
久磁石を備え、座標位置検出手段は、磁気抵抗素子が配
列されたタブレット部と、永久磁石による位置指定の影
響によって磁気抵抗素子に生じる抵抗変化を測定する抵
抗変化測定手段と、この抵抗変化測定手段により測定し
た抵抗変化のデータから永久磁石により指定された位置
の位置座標を算出するデータ処理部とを備え、タブレッ
ト部はＸ方向検出磁気抵抗素子群が配列されたＸ方向検
出用タブレットとＹ方向検出磁気抵抗素子群が配列され
たＹ方向検出用タブレットとを有し、Ｘ方向検出磁気抵
抗素子群はＸ軸方向を磁気検出方向とする磁気抵抗素子
をＹ軸方向に直列に接続して構成したＸ軸方向検出磁気
抵抗素子列を複数列Ｙ軸と平行に配列して構成され、Ｙ
方向検出磁気抵抗素子群はＹ軸方向を磁気検出方向とす
る磁気抵抗素子をＸ軸方向に直列に接続して構成したＹ
軸方向検出磁気抵抗素子列を複数列Ｘ軸と平行に配列し
て構成され、抵抗変化測定手段は、Ｘ軸方向検出磁気抵
抗素子列およびＹ軸方向検出磁気素子列の各列を単位と
してその列の抵抗変化を測定するようにした。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面について説明す
る。図１は本発明の一実施例を示す全体構成図であっ
て、１０はＹ方向位置検出磁気抵抗素子群を表すが、こ
の素子群が配列されたＹ方向検出用タブレットを表すと
見ることもできる。Ｙ方向位置検出磁気抵抗素子群１０
は、Ｙ方向を検出方向とする磁気抵抗素子をＸ方向に直
列に接続したＹ軸方向検出磁気抵抗素子列１１を、Ｘ方
向と平行に複数列配列して構成され、各Ｙ軸方向検出磁
気抵抗素子列１１のそれぞれの２端子は、Ｙ軸方向座標
位置出力装置１２に接続されている。
る。図１は本発明の一実施例を示す全体構成図であっ
て、１０はＹ方向位置検出磁気抵抗素子群を表すが、こ
の素子群が配列されたＹ方向検出用タブレットを表すと
見ることもできる。Ｙ方向位置検出磁気抵抗素子群１０
は、Ｙ方向を検出方向とする磁気抵抗素子をＸ方向に直
列に接続したＹ軸方向検出磁気抵抗素子列１１を、Ｘ方
向と平行に複数列配列して構成され、各Ｙ軸方向検出磁
気抵抗素子列１１のそれぞれの２端子は、Ｙ軸方向座標
位置出力装置１２に接続されている。
【０００７】同様に２０はＸ方向検出磁気抵抗素子群
（Ｘ方向検出用タブレットとしてもよい）で、Ｘ方向を
検出方向とする磁気抵抗素子をＹ方向に直列に接続した
Ｘ軸方向検出磁気抵抗素子列２１を、Ｙ方向と平行に複
数列配列して構成され、各Ｘ軸方向検出磁気抵抗素子列
２１のそれぞれの２端子は、Ｘ軸方向座標位置出力装置
２２に接続されている。図２は、座標位置指定装置を示
す斜視図であり、３０は座標位置指定装置全体、３１は
永久磁石を示す。
（Ｘ方向検出用タブレットとしてもよい）で、Ｘ方向を
検出方向とする磁気抵抗素子をＹ方向に直列に接続した
Ｘ軸方向検出磁気抵抗素子列２１を、Ｙ方向と平行に複
数列配列して構成され、各Ｘ軸方向検出磁気抵抗素子列
２１のそれぞれの２端子は、Ｘ軸方向座標位置出力装置
２２に接続されている。図２は、座標位置指定装置を示
す斜視図であり、３０は座標位置指定装置全体、３１は
永久磁石を示す。
【０００８】図３は、座標位置指定装置３０とＸ方向検
出磁気抵抗素子群１０との関係を示す説明図で、図１に
示すＸ方向検出用タブレット１０とＹ方向検出用タブレ
ット２０とを重ね合わせて一体のタブレットを形成し、
座標位置指定装置３０の永久磁石３１はタブレット平面
に垂直な姿勢にして、永久磁石３１の先端で所望の位置
を指定するのであるが、図３に示す例では、磁気抵抗素
子列４０の中心線上に永久磁石３１を置いている場合を
示す。この場合、磁気抵抗素子列４０を貫く磁束は、磁
気抵抗素子列４０の磁気検出方向の成分を持たないの
で、磁気抵抗素子列４０の抵抗値の変化δＺynは、ほぼ
０となる。
出磁気抵抗素子群１０との関係を示す説明図で、図１に
示すＸ方向検出用タブレット１０とＹ方向検出用タブレ
ット２０とを重ね合わせて一体のタブレットを形成し、
座標位置指定装置３０の永久磁石３１はタブレット平面
に垂直な姿勢にして、永久磁石３１の先端で所望の位置
を指定するのであるが、図３に示す例では、磁気抵抗素
子列４０の中心線上に永久磁石３１を置いている場合を
示す。この場合、磁気抵抗素子列４０を貫く磁束は、磁
気抵抗素子列４０の磁気検出方向の成分を持たないの
で、磁気抵抗素子列４０の抵抗値の変化δＺynは、ほぼ
０となる。
【０００９】これに対し、その隣の磁気抵抗素子列３９
を貫く磁束は、磁気抵抗素子列３９の磁気検出方向に対
しての成分を持ち、従って磁気抵抗素子列３９の抵抗値
の変化δＺyn-1は、δＺynより大きくなる。また、図３
にｎ＋１で示す磁気抵抗素子列の抵抗値の変化δＺyn+1
も、δＺynより大きくなる。但し、永久磁石３１から充
分に遠い場所にある磁気抵抗素子列では、磁界の強さが
充分に小さいのでその抵抗値の変化はほぼ０になる。従
って抵抗値の変化が大きな磁気抵抗素子列の間にある、
抵抗値の変化の小さい磁気抵抗素子列の近くに、永久磁
石３１が置かれていると判定することができる。
を貫く磁束は、磁気抵抗素子列３９の磁気検出方向に対
しての成分を持ち、従って磁気抵抗素子列３９の抵抗値
の変化δＺyn-1は、δＺynより大きくなる。また、図３
にｎ＋１で示す磁気抵抗素子列の抵抗値の変化δＺyn+1
も、δＺynより大きくなる。但し、永久磁石３１から充
分に遠い場所にある磁気抵抗素子列では、磁界の強さが
充分に小さいのでその抵抗値の変化はほぼ０になる。従
って抵抗値の変化が大きな磁気抵抗素子列の間にある、
抵抗値の変化の小さい磁気抵抗素子列の近くに、永久磁
石３１が置かれていると判定することができる。
【００１０】図３に、ｎ，ｎ＋１，ｎ−１，・・・と番
号をつけたＸ軸方向検出用素子列の抵抗値の変化δ
Ｚyn，δＺyn-1，δＺyn+1・・・を図４に示す。この図
４は、また次のように見ることもできる。すなわち、Ｘ
方向磁気抵抗素子列４０の中心線位置をＸ軸上でｘ＝０
の位置とし、永久磁石３１をｘ＝０の点からｘの正負両
方行に変化してそのときの素子列４０の抵抗値変化を測
定した場合、その抵抗値変化δＺynを表す曲線である。
この曲線はｘ＝０で極小値をとり、ｘの正負に対して対
称であり、ｘが増加すると増加して極大値に達し、その
後はｘの増加に伴って減少する。従ってδＺyn＝ｆ
（ｘ）・・・（１）という関数で表すことができ、ｘ＝
０の近傍では、δＺyn＝ａ＋ｂｘ＋ｃｘ2 ・・・（２）
という２次関数で近似することができる。図４のＤx は
Ｘ方向磁気抵抗素子列の配列のピッチを表す。
号をつけたＸ軸方向検出用素子列の抵抗値の変化δ
Ｚyn，δＺyn-1，δＺyn+1・・・を図４に示す。この図
４は、また次のように見ることもできる。すなわち、Ｘ
方向磁気抵抗素子列４０の中心線位置をＸ軸上でｘ＝０
の位置とし、永久磁石３１をｘ＝０の点からｘの正負両
方行に変化してそのときの素子列４０の抵抗値変化を測
定した場合、その抵抗値変化δＺynを表す曲線である。
この曲線はｘ＝０で極小値をとり、ｘの正負に対して対
称であり、ｘが増加すると増加して極大値に達し、その
後はｘの増加に伴って減少する。従ってδＺyn＝ｆ
（ｘ）・・・（１）という関数で表すことができ、ｘ＝
０の近傍では、δＺyn＝ａ＋ｂｘ＋ｃｘ2 ・・・（２）
という２次関数で近似することができる。図４のＤx は
Ｘ方向磁気抵抗素子列の配列のピッチを表す。
【００１１】図５は、座標位置指定装置３０とＹ軸方向
検出磁気抵抗素子群１０との関係を示す説明図で、図５
に示す例では、磁気抵抗素子列５０の中心線上に永久磁
石３１を置いた場合を示す。この場合にも、図５でｎ，
ｎ＋１，ｎ−１，・・・と番号をつけたＹ軸方向検出磁
気抵抗素子列の抵抗変化は、図４で示すことができる。
通常の場合、Ｘ軸方向検出磁気抵抗素子列もＹ軸方向検
出磁気抵抗素子列も同様な構造となっているので、Ｙ軸
方向検出磁気抵抗素子群１０に対しても式（１）のｘを
ｙに変えて適用することができるが、その他の場合を考
えて、関数ｇ（ｙ）で表すことにする。ｙ＝０の近傍で
はｇ（ｙ）もｙの２次式で近似することができる。
検出磁気抵抗素子群１０との関係を示す説明図で、図５
に示す例では、磁気抵抗素子列５０の中心線上に永久磁
石３１を置いた場合を示す。この場合にも、図５でｎ，
ｎ＋１，ｎ−１，・・・と番号をつけたＹ軸方向検出磁
気抵抗素子列の抵抗変化は、図４で示すことができる。
通常の場合、Ｘ軸方向検出磁気抵抗素子列もＹ軸方向検
出磁気抵抗素子列も同様な構造となっているので、Ｙ軸
方向検出磁気抵抗素子群１０に対しても式（１）のｘを
ｙに変えて適用することができるが、その他の場合を考
えて、関数ｇ（ｙ）で表すことにする。ｙ＝０の近傍で
はｇ（ｙ）もｙの２次式で近似することができる。
【００１２】また、抵抗値の変化を測定するのは時間が
かかるので、抵抗値の変化が０のときに平衡するホイー
トストーンブリッジの出力を以て抵抗値の変化を表すこ
とがある。図７はこのようなブリッジの一例を示す回路
図で、磁気抵抗素子列６０の抵抗値の元の値をＺn 、そ
の増加分をδＺn とし、６１，６２，６３はそれぞれ抵
抗アーム、６４は直流電源で、６５はこれらで構成され
るブリッジ、δＥn はこのブリッジの不平衡電圧、６６
は増幅器、６７はコンパレータ、６８は図１の符号１２
または２２に相当する座標位置出力装置である。
かかるので、抵抗値の変化が０のときに平衡するホイー
トストーンブリッジの出力を以て抵抗値の変化を表すこ
とがある。図７はこのようなブリッジの一例を示す回路
図で、磁気抵抗素子列６０の抵抗値の元の値をＺn 、そ
の増加分をδＺn とし、６１，６２，６３はそれぞれ抵
抗アーム、６４は直流電源で、６５はこれらで構成され
るブリッジ、δＥn はこのブリッジの不平衡電圧、６６
は増幅器、６７はコンパレータ、６８は図１の符号１２
または２２に相当する座標位置出力装置である。
【００１３】δＺn ＝０のときはδＥn ＝０となるよう
にブリッジ６５の平衡をとっておくと、δＥn はδＺn
の関数となるが、図４の曲線を表示するような場合に
は、縦軸をδＺn の替わりにδＥn で表してもよい。図
８は、縦軸をδＥn で表した場合の曲線で、この場合の
曲線も式（１）の関数関係で表すことができ、また式
（２）の２次式で近似することができる。
にブリッジ６５の平衡をとっておくと、δＥn はδＺn
の関数となるが、図４の曲線を表示するような場合に
は、縦軸をδＺn の替わりにδＥn で表してもよい。図
８は、縦軸をδＥn で表した場合の曲線で、この場合の
曲線も式（１）の関数関係で表すことができ、また式
（２）の２次式で近似することができる。
【００１４】図６について、記号ｎで示す磁気抵抗素子
列（Ｘ軸方向検出磁気抵抗素子列とする）の中心線か
ら、Ｘ軸方向へ距離ｘ離れた点に永久磁石３１がある場
合、ｎで示す磁気抵抗素子列の抵抗変化をＲ0 （ブリッ
ジ６５の不平衡電圧をＥ0 としてもよい）、ｎ＋１で示
す磁気抵抗素子列の抵抗変化をＲ+ （不平衡電圧をＥ+
としてもよい）、ｎ−１で示す磁気抵抗素子列の抵抗変
化をＲ- （不平衡電圧をＥ- としてもよい）とすれば、 Ｒ0 （Ｅ0 ）＝ａ＋ｂｘ＋ｃｘ2 ， Ｒ+ （Ｅ+ ）＝ａ＋ｂ（ｘ−Ｄx ）＋ｃ（ｘ−Ｄx ）
2 ， Ｒ- （Ｅ- ）＝ａ＋ｂ（ｘ＋Ｄx ）＋ｃ（ｘ＋Ｄx ）2 の近似が成立し、且つ、ｂ＝０であることは容易に推定
できるので、これらの式からｘの値を求めて精密な座標
位置を決定することができる。また、係数ａ，ｃの値を
図４の曲線から予め決定しておいて、Ｒ0 （又はＥ0）
の値だけからｘの値を決定することができる。Ｙ軸方向
検出磁気抵抗素子列によってｙの値を決定する場合も同
様である。
列（Ｘ軸方向検出磁気抵抗素子列とする）の中心線か
ら、Ｘ軸方向へ距離ｘ離れた点に永久磁石３１がある場
合、ｎで示す磁気抵抗素子列の抵抗変化をＲ0 （ブリッ
ジ６５の不平衡電圧をＥ0 としてもよい）、ｎ＋１で示
す磁気抵抗素子列の抵抗変化をＲ+ （不平衡電圧をＥ+
としてもよい）、ｎ−１で示す磁気抵抗素子列の抵抗変
化をＲ- （不平衡電圧をＥ- としてもよい）とすれば、 Ｒ0 （Ｅ0 ）＝ａ＋ｂｘ＋ｃｘ2 ， Ｒ+ （Ｅ+ ）＝ａ＋ｂ（ｘ−Ｄx ）＋ｃ（ｘ−Ｄx ）
2 ， Ｒ- （Ｅ- ）＝ａ＋ｂ（ｘ＋Ｄx ）＋ｃ（ｘ＋Ｄx ）2 の近似が成立し、且つ、ｂ＝０であることは容易に推定
できるので、これらの式からｘの値を求めて精密な座標
位置を決定することができる。また、係数ａ，ｃの値を
図４の曲線から予め決定しておいて、Ｒ0 （又はＥ0）
の値だけからｘの値を決定することができる。Ｙ軸方向
検出磁気抵抗素子列によってｙの値を決定する場合も同
様である。
【００１５】以上は図６に関連して精密な座標位置を決
定する場合のデータ処理方法について説明したものであ
るが、座標位置検出装置の用途によっては精密な座標位
置を決定する必要はなく、単に永久磁石３１がどのＸ軸
方向検出磁気抵抗素子列と、どのＹ軸方向検出磁気抵抗
素子列との交点上にあるかを検出すれば足る場合があ
る。このような場合には、図６のコンパレータ６７によ
って閾値Ｅstd 以上の不平衡電圧出力の間に存在する閾
値Ｅstd 以下の不平衡電圧を出力する磁気抵抗素子列を
検出すればよい。
定する場合のデータ処理方法について説明したものであ
るが、座標位置検出装置の用途によっては精密な座標位
置を決定する必要はなく、単に永久磁石３１がどのＸ軸
方向検出磁気抵抗素子列と、どのＹ軸方向検出磁気抵抗
素子列との交点上にあるかを検出すれば足る場合があ
る。このような場合には、図６のコンパレータ６７によ
って閾値Ｅstd 以上の不平衡電圧出力の間に存在する閾
値Ｅstd 以下の不平衡電圧を出力する磁気抵抗素子列を
検出すればよい。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明の座標位置検
出装置は、外部の回路へ電磁障害を与えることなく、ま
た外部の回路から電磁障害を受けることもなく、簡単な
回路で正確に座標位置を決定することができる等の効果
がある。
出装置は、外部の回路へ電磁障害を与えることなく、ま
た外部の回路から電磁障害を受けることもなく、簡単な
回路で正確に座標位置を決定することができる等の効果
がある。
【図１】本発明の一実施例を示す全体構成図である。
【図２】図１の座標位置指定装置の構成を示す斜視図で
ある。
ある。
【図３】本発明の動作原理を示す説明図である。
【図４】図３に示す磁気抵抗素子の抵抗値の変化を示す
図である。
図である。
【図５】本発明の動作原理を示す説明図である。
【図６】図４に示す磁気抵抗素子の抵抗値の変化と座標
位置指定装置の位置との関係を示す図である。
位置指定装置の位置との関係を示す図である。
【図７】本発明の抵抗変化測定手段の一例を示す回路図
である。
である。
【図８】図７のブリッジの出力である不平衡電圧の変化
示す図である。
示す図である。
１０ Ｙ方向検出磁気抵抗素子群 １１ Ｙ軸方向検出磁気抵抗素子列 ２０ Ｘ方向検出磁気抵抗素子群 ２１ Ｘ軸方向検出磁気抵抗素子列 ３０ 座標位置指定装置 ３９，４０，５０，５１ 磁気抵抗素子 ６５ ホイートストーンブリッジ ６６ 増幅器 ６７ コンパレータ ６８ 座標位置出力装置
Claims (4)
- 【請求項１】 平面上の座標位置を指定する座標位置指
定装置と、この座標位置指定装置が指定する位置を、当
該平面上に固定されたＸ−Ｙ直交座標上の座標位置とし
て検出する座標位置検出手段とを有する座標位置検出装
置において、 前記座標位置指定装置は当該平面上で指定すべき位置に
おいて当該平面に直角な方向への磁場を与える永久磁石
を備え、 前記座標位置検出手段は、 磁気抵抗効果を有する素子（磁気抵抗素子という）が配
列されたタブレット部と、前記永久磁石による位置指定
の影響によって前記磁気抵抗素子に生じる抵抗変化を測
定する抵抗変化測定手段と、この抵抗変化測定手段によ
り測定した抵抗変化のデータから前記永久磁石により指
定された位置の位置座標を算出するデータ処理部とを備
え、 前記タブレット部は、Ｘ方向検出磁気抵抗素子群が配列
されたＸ方向検出用タブレットとＹ方向検出磁気抵抗素
子群が配列されたＹ方向検出用タブレットとを有し、 前記Ｘ方向検出磁気抵抗素子群は、Ｘ軸方向を磁気検出
方向とする磁気抵抗素子をＹ軸方向に直列に接続して構
成したＸ軸方向検出磁気抵抗素子列を複数列Ｙ軸と平行
に配列して構成され、 前記Ｙ方向検出磁気抵抗素子群は、Ｙ軸方向を磁気検出
方向とする磁気抵抗素子をＸ軸方向に直列に接続して構
成したＹ軸方向検出磁気抵抗素子列を複数列Ｘ軸と平行
に配列して構成され、 前記抵抗変化測定手段は、前記Ｘ軸方向検出磁気抵抗素
子列および前記Ｙ軸方向検出磁気抵抗素子列の各列を単
位としてその列の抵抗変化を測定することを特徴とする
座標位置検出装置。 - 【請求項２】 抵抗変化測定手段は、抵抗変化が存在し
ないときに平衡するホイートストーンブリッジの出力を
前記抵抗変化を表す出力とすることを特徴とする請求項
第１項記載の座標位置検出装置。 - 【請求項３】 Ｘ軸方向磁気抵抗素子列のピッチ（列の
中心線から次の列の中心線までの間隔）をＤX とし、前
記永久磁石の指定する位置に最も近いＸ軸方向磁気抵抗
素子列の抵抗変化をＲ0 ，その両側のＸ軸方向磁気抵抗
素子列の抵抗変化をそれぞれＲ- ，Ｒ+ とするとき、前
記データ処理部は、関数ｆ（ｘ）の形を予め２次方程式
で近似しておき、 ｆ（ｘ）＝Ｒ0 ，ｆ（ｘ＋ＤX ）＝Ｒ- ，ｆ（ｘ−Ｄ
X ）＝Ｒ+ の連立方程式を解いて抵抗変化がＲ0 であるＸ軸方向磁
気抵抗素子列の中心線から、前記永久磁石の指定する位
置のＸ軸方向距離ｘを算出することを特徴とする請求項
第１項記載の座標位置検出装置。 - 【請求項４】 Ｙ軸方向磁気抵抗素子列のピッチ（列の
中心線から次の列の中心線までの間隔）をＤY とし、前
記永久磁石の指定する位置に最も近いＹ軸方向磁気抵抗
素子列の抵抗変化をＺ0 ，その両側のＹ軸方向磁気抵抗
素子列の抵抗変化をそれぞれＺ- ，Ｚ+ とするとき、前
記データ処理部は、関数ｇ（ｘ）の形を予め２次方程式
で近似しておき、 ｇ（ｙ）＝Ｚ0 ，ｇ（ｙ＋ＤY ）＝Ｚ- ，ｇ（ｙ−Ｄ
Y ）＝Ｚ+ の連立方程式を解いて抵抗変化がＺ0 であるＹ軸方向磁
気抵抗素子列の中心線から、前記永久磁石の指定する位
置のＹ軸方向距離ｙを算出することを特徴とする請求項
第１項記載の座標位置検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32342993A JP2611642B2 (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 座標位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32342993A JP2611642B2 (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 座標位置検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07152474A JPH07152474A (ja) | 1995-06-16 |
| JP2611642B2 true JP2611642B2 (ja) | 1997-05-21 |
Family
ID=18154584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32342993A Expired - Fee Related JP2611642B2 (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 座標位置検出装置 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JP2611642B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3571960B2 (ja) * | 1999-05-24 | 2004-09-29 | 日本無線株式会社 | 磁石を利用した情報入力装置 |
-
1993
- 1993-11-30 JP JP32342993A patent/JP2611642B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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