JP2606406Y2 - Vacuum sealing device and display device - Google Patents
Vacuum sealing device and display deviceInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本考案はコールドカソードとして
知られている電界放出カソードを真空容器中に封入し
て、各種装置の電子源として利用する真空気密装置およ
び表示装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum hermetic device and a display device in which a field emission cathode known as a cold cathode is sealed in a vacuum vessel and used as an electron source for various devices.
【０００２】[0002]
【従来の技術】金属または半導体表面の印加電界を１０
9 ［Ｖ／ｍ］程度にすると、トンネル効果により電子が
障壁を通過して常温でも真空中に電子放出が行われるよ
うになる。これを電界放出（Field Emission）と云い、
このような原理で電子を放出するカソードを電界放出カ
ソードＦＥＣ（Field Emission Cathode）と呼んでい
る。近年、半導体加工技術を駆使して、ミクロンサイズ
の電界放出カソード素子を多数個同時に形成し、面放出
型の電界放出カソードを作成することが可能となってお
り、この電界放出素子をブロック化して制御し、ブロッ
ク毎に放出された電子を蛍光面に照射することによって
フラットな表示装置や各種の電子装置に適応する技術が
開発されている。2. Description of the Related Art An electric field applied to a metal or semiconductor surface is 10
When the voltage is set to about 9 [V / m], electrons pass through the barrier due to the tunnel effect and emit electrons in a vacuum even at room temperature. This is called field emission,
A cathode that emits electrons based on such a principle is called a field emission cathode FEC (Field Emission Cathode). In recent years, by making full use of semiconductor processing technology, it has become possible to form a large number of micron-sized field emission cathode devices at the same time to create a surface emission type field emission cathode. A technology has been developed which is adapted to a flat display device or various electronic devices by controlling and irradiating the emitted electrons to the phosphor screen for each block.
【０００３】上記した電界放出素子の製造方法の１つ
は、スピントの開発した回転斜め蒸着方法（米国特許第
３７８９４７１号明細書）であり、他の方法としてはシ
リコン単結晶板の選択エッチング法に基づくものがあ
る。前者は陰極チップ材料をほぼ自由に選択できるとい
う特徴があり、後者は現在の半導体微細加工がそのまま
適用できるという特徴を有する。One of the methods for manufacturing the above-mentioned field emission device is a rotary oblique deposition method developed by Spindt (US Pat. No. 3,789,471), and another method is a selective etching method for a silicon single crystal plate. Some are based. The former has a feature that the cathode chip material can be almost freely selected, and the latter has a feature that the current semiconductor fine processing can be applied as it is.
【０００４】以下、スピント(SPINDT)法に対応するＦＥ
Ｃの製造方法（特開平１−１５４４２６号公報）の概要
を図３を参照して簡単に説明する。まず、図３（ａ）に
示すように、ガラス等の基板１００の上にカソード電極
層１０１が蒸着により形成されており、さらにその上に
シリコンを積層して抵抗層１０２を形成し、さらに酸化
シリコンによって絶縁層１０３が形成されている。そし
てさらに、その上に導電体を蒸着してゲート電極層１０
４が形成される。このような積層基板はその上面となっ
ているゲート電極層１０４上にフォトレジスト層１１１
を塗布した後、このレジスト層をフォトリソグラフィ法
によりパターニングが行われる。その結果、エミッタを
形成する領域のレジスト層が選択除去される。An FE corresponding to the SPINDT method will be described below.
The outline of the method for producing C (Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-154426) will be briefly described with reference to FIG . First, as shown in FIG. 3A, a cathode electrode layer 101 is formed on a substrate 100 made of glass or the like by vapor deposition, and further, silicon is laminated thereon to form a resistance layer 102, and then oxidized. The insulating layer 103 is formed of silicon. Further, a conductor is deposited thereon to form a gate electrode layer 10.
4 are formed. Such a laminated substrate has a photoresist layer 111 on the gate electrode layer 104 on its upper surface.
Is applied, the resist layer is patterned by photolithography . As a result, the resist layer in the region for forming the emitter is selectively removed.
【０００５】次に、例えばＳＦ6 ガス等によってレジス
ト層の上面からドライエッチングすることによってレジ
スト層の除去された部分のゲート電極層１０４に穴が開
けられ開口部１１３が形成される。次に、この積層基板
をエッチング液に浸すことによって等方性エッチングを
行い、絶縁層１０３の部分をエッチングすることによっ
てホール１１４を形成する（Ｃ）。そして、このような
積層基板に対して斜め方向から回転させながら剥離層１
０５となるアルミニウムの斜め蒸着を行うと、剥離層１
０５は開けたホール１１４内の中には蒸着されずに、ゲ
ート電極層１０４の表面にのみ選択的に蒸着されるよう
になる。Next, a hole is made in the portion of the gate electrode layer 104 where the resist layer has been removed by dry etching from the upper surface of the resist layer with, for example, SF 6 gas or the like, and an opening 113 is formed. Next, isotropic etching is performed by immersing the laminated substrate in an etchant, and a hole 114 is formed by etching a portion of the insulating layer 103 (C). Then, the release layer 1 is rotated while rotating the laminated substrate from an oblique direction.
When the oblique deposition of aluminum which becomes 05 is performed, the release layer 1 is formed.
05 is selectively deposited only on the surface of the gate electrode layer 104 without being deposited in the opened hole 114.
【０００６】次に、このような積層基板のホール１１４
側からエミッタ材料であるモリブデンを正蒸着によって
堆積させると、同図（ｄ）に示すように蒸着したモリブ
デンがホール１１４から落ち込むと同時に、剥離層１０
５の上にも堆積する。そしてこの剥離層１０５の上に堆
積するモリブデンによって開口部１１３が閉鎖される
と、抵抗層１０２の上にコーン状のエミッタ１１５が形
成される。この後、ゲート電極層１０４上の剥離層１０
５及びエミッタ材料層１０６をエッチングにより除去す
ると、同図（ｅ）に示すような形状のＦＥＣが得られる
ようになる。Next, the hole 114 of such a laminated substrate is used.
When molybdenum as an emitter material is deposited from the side by forward evaporation, the evaporated molybdenum falls from the hole 114 as shown in FIG.
5 is also deposited. When the opening 113 is closed by molybdenum deposited on the separation layer 105, a cone-shaped emitter 115 is formed on the resistance layer 102. After that, the release layer 10 on the gate electrode layer 104
5 and the emitter material layer 106 are removed by etching to obtain an FEC having a shape as shown in FIG.
【０００７】この図に示すように、ＦＥＣはコーン状の
エミッタ１１５とゲート電極層１０４との距離をサブミ
クロンとすることができるため、エミッタ１１５とゲー
ト電極層１０４間にわずか数１０ボルトの電圧を印加す
ることによりエミッタ１１５の先端の電界強度は非常に
高くなるから、真空中であれば常温でも電子を放出させ
ることができるようになる。As shown in this figure, the FEC can make the distance between the conical emitter 115 and the gate electrode layer 104 submicron, so that a voltage of only several tens of volts is applied between the emitter 115 and the gate electrode layer 104. Is applied, the electric field intensity at the tip of the emitter 115 becomes very high, so that electrons can be emitted even at room temperature in a vacuum.
【０００８】なお、上記したＦＥＣはゲート電極層が１
個設けられている３極管構造であるが、ゲート電極層が
２個設けられている４極管構造も同様な方法で構成する
ことができる。そして、このようなＦＥＣを構成した基
板と、蛍光材が塗布されているアノード基板を真空容器
内に対向して配置すると、ＦＥＣから放出された電子が
アノード基板の蛍光材を発光し、フラットな形状の表示
装置を作ることができる。In the above-mentioned FEC, the gate electrode layer has one
Although a triode structure in which two gate electrode layers are provided, a triode structure in which two gate electrode layers are provided can be configured in a similar manner. Then, the substrate configured such FEC, when an anode substrate which fluorescent material is applied to arranged opposite to the vacuum vessel, electrons emitted from the FEC is emitting fluorescence material of the anode substrate, flat A shape display device can be made.
【０００９】[0009]
【考案が解決しようとする課題】ところで上記したよう
な真空気密装置や表示装置は、エミッタから放出された
電子がアノード電極に衝突すると、アノード電極表面の
不純物および蛍光体またはアノード構成材料や付着物が
イオン分子として叩き出されて真空容器の真空度を低下
させ、ガス化されたイオン分子がＦＥＣを構成するエミ
ッタ１１５の電子放出部に吸着汚染することによって仕
事関数の増大や、エミッタの電子放出部のイオン損傷を
行わせる。そのため、ＦＥＣ素子のエミッション能力が
低下して真空気密装置や表示装置としての機能寿命を短
くすることになる。In the vacuum hermetic device and the display device as described above, when electrons emitted from the emitter collide with the anode electrode, impurities on the surface of the anode electrode and a phosphor or an anode constituent material or a deposit are attached. Are blown out as ion molecules, which lowers the degree of vacuum of the vacuum vessel, and the gasified ion molecules adsorb and contaminate the electron emission portion of the emitter 115 constituting the FEC, thereby increasing the work function and emitting electrons from the emitter. Causes ion damage to the part. For this reason, the emission capability of the FEC element is reduced, and the functional life of the vacuum airtight device or the display device is shortened.
【００１０】そこで陰極線管（ＣＲＴ）や蛍光表示装置
に見られるように、真空容器内のガスを吸着するゲッタ
を容器内に配置し、真空容器内に滞留するガスを常時吸
着するようにすればよいが、ＦＥＣを用いた真空気密装
置や表示装置は上記したように極めて薄い容器内に封入
されているため、物理的にゲッタを設けることが極めて
困難になっている。Therefore, as shown in a cathode ray tube (CRT) or a fluorescent display device, a getter for adsorbing gas in a vacuum vessel is disposed in the vessel so that gas staying in the vacuum vessel is always adsorbed. Although good, a vacuum hermetic device or display device using FEC is enclosed in an extremely thin container as described above, so that it is extremely difficult to physically provide a getter.
【００１１】上記した問題点を解消するためにエミッタ
１１５の上方に位置するゲート電極自体をゲッタ材料で
構成することによって真空容器内に浮遊する残留ガスを
吸着させるようにする技術が提案されている。しかしな
がら、電子がアノード電極に衝突することによって蛍光
物質から叩き出されるガス分子（以下、アウトガスとい
う）の大部分は、電子によりプラスに帯電されているイ
オン分子、例えば、ＣＯ＋、ＣＨ4 ＋、Ｈ2 Ｏ＋となっ
ていることが周知である。そのため、電子を引き出すた
めにプラス電圧が印加されているゲート電極層１０４を
ゲッタ材料で構成しても、このゲート電極層１０４によ
ってイオンが捕集される確立は極めて低いものになり、
アノード電極側から叩き出されたアウトガスはこのゲー
ト電極層１０４を通過してエミッタ１１５に直接衝突す
る確率が高い。In order to solve the above-mentioned problems, a technique has been proposed in which the gate electrode itself located above the emitter 115 is made of a getter material to adsorb the residual gas floating in the vacuum vessel. . However, most of the gas molecules (hereinafter referred to as “outgas”) that are knocked out of the fluorescent material by the electrons colliding with the anode electrode are mostly ion molecules positively charged by the electrons, for example, CO +, CH 4 +, H It is well known that it is 2 O +. Therefore, even if the gate electrode layer 104 to which a positive voltage is applied to extract electrons is made of a getter material, the probability that ions are collected by the gate electrode layer 104 is extremely low.
Outgas struck out from the anode electrode side has a high probability of passing through the gate electrode layer 104 and directly colliding with the emitter 115.
【００１２】冷陰極となっているエミッタの電子放出能
力は、より先端が針状に研ぎ澄まされている方が電子の
放出能力を高くすることになるから、上記したようにエ
ミッタの先端に衝突する分子量の大きいプラスイオン
は、このエミッタの先端の電子源に射突することによる
汚染および損傷により電子放出能力を著しく低下させる
ことになり、ＦＥＣを用いた真空気密装置および表示装
置にとって非常に有害である。The electron emission ability of the cold cathode emitter is higher when the tip is sharpened in a needle shape, so that the electron emission ability is higher. Positive ions having a high molecular weight significantly reduce the electron emission capability due to contamination and damage caused by colliding with the electron source at the tip of the emitter, and are extremely harmful to vacuum hermetic devices and display devices using FEC. is there.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】本考案は上記した問題点
を解消するためになされたもので、基板上に形成したカ
ソード導体上に多数個配設した電子を放出させるエミッ
タと、 このエミッタから電子を放出させるためのゲー
ト電極と、引き出された電子を集束するための集束電極
と、集束された電子を捕獲するアノード電極とを真空容
器内に封入した真空気密装置において、前記集束電極を
ゲッタ材料によって構成するものである。また、この集
束電極が２以上の電極層によって構成されている場合
は、この内のアノード電極にもっとも近い電極がゲッタ
材料によって構成されるようにしている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems. An emitter which emits a large number of electrons on a cathode conductor formed on a substrate and an emitter for emitting electrons are provided. In a vacuum airtight device in which a gate electrode for emitting electrons, a focusing electrode for focusing extracted electrons, and an anode electrode for capturing the focused electrons are enclosed in a vacuum vessel, the focusing electrode is gettered. It is composed of materials. When the focusing electrode is constituted by two or more electrode layers, the electrode closest to the anode electrode is constituted by a getter material.
【００１４】[0014]
【作用】エミッタから放出された電子をアノード電極の
領域に集束するための集束電極は、ゲート電極より負側
のカソード電極に近い電位に設定されている。したがっ
て、アノード電極の蛍光体から放出されたプラスイオン
化分子はエミッタより空間的にアノード電極に近い集束
電極に効果的に吸引されることになる。The focusing electrode for focusing the electrons emitted from the emitter to the region of the anode electrode is set at a potential closer to the cathode electrode on the negative side than the gate electrode. Therefore, the positively ionized molecules emitted from the phosphor of the anode electrode are effectively attracted to the focusing electrode which is spatially closer to the anode electrode than the emitter.
【００１５】[0015]
【実施例】図１は本考案の一例としての表示装置の内部
の一部分を拡大して示したもので、１はガラス等によっ
て形成されているカソード基板、２は絶縁性のカソード
基板１と対向して設けられているアノード基板（ガラス
等）であって、この両基板１、２で挟まれている空間は
真空状態となるように密封された真空領域２０である。
上記アノード基板２の内側にはアノード電圧が供給され
る透明な陽極導電体層（アノード電極）３が形成されて
おり、この陽極導電体層３の内側には蛍光物質が塗布さ
れて蛍光体層４を形成する。また、上記カソード基板１
の上方はカソード電極となる陰極導電体層７が蒸着等に
よって積層されており、この陰極導電体層７の上方には
前記したスピントの方法等によって作られた先端が円錐
形状で突出しているコーン状のエミッタ５が設けられて
いる。また、このエミッタ５の上方には、絶縁層８で支
持されているゲート電極６が設けられ、さらのその上方
に絶縁層９を介して集束電極１０が設けられている。こ
の絶縁層９および集束電極１０は、前記したスピントの
方法で２層構造の積層基板とすることによって容易に形
成することができる。FIG. 1 is an enlarged view showing a part of the inside of a display device as an example of the present invention. 1 is a cathode substrate formed of glass or the like, and 2 is an insulating cathode substrate 1 opposed to the cathode substrate. And a space sandwiched between the two substrates 1 and 2 is a vacuum region 20 sealed so as to be in a vacuum state.
A transparent anode conductor layer (anode electrode) 3 to which an anode voltage is supplied is formed inside the anode substrate 2, and a phosphor is applied to the inside of the anode conductor layer 3 to form a phosphor layer. 4 is formed. In addition, the cathode substrate 1
Above this, a cathode conductor layer 7 serving as a cathode electrode is laminated by vapor deposition or the like. Above the cathode conductor layer 7, a cone formed by the above-mentioned Spindt method and having a tip projecting in a conical shape is formed. Emitter 5 is provided. A gate electrode 6 supported by an insulating layer 8 is provided above the emitter 5, and a focusing electrode 10 is further provided above the gate electrode 6 via an insulating layer 9. The insulating layer 9 and the focusing electrode 10 can be easily formed by forming a two-layer laminated substrate by the above-mentioned Spindt method.
【００１６】各エミッタ５の高さは約１ミクロン程度で
あり、また１つのエミッタ５から放出される電子は１ミ
クロン程度の穴が設けられているゲート電極６、および
集束電極１０を通過し、前記アノード電極側に向かって
放出される。そして、アノード電極に衝突して蛍光体が
励起され、その部分が発光する。発光部分は、このよう
なエミッタアレイの数個分が１画素を形成するものであ
って、そのために上記各導電体層は帯状の電極群に分割
されている。つまり、カソード電極を構成する陰極導電
体層７と、少なくともゲート電極６、または集束電極１
０の一方はＸ、Ｙ軸方向に延びる帯状の電極構造とさ
れ、所定の走査電圧によって水平および垂直方向に走査
され、蛍光面の各画素毎に順次発光するように駆動され
る。Each emitter 5 has a height of about 1 μm, and electrons emitted from one emitter 5 pass through a gate electrode 6 provided with a hole of about 1 μm and a focusing electrode 10. It is emitted toward the anode electrode side. Then, the phosphor collides with the anode electrode to be excited, and the portion emits light. In the light emitting portion, several emitter arrays form one pixel, and for this purpose, each of the conductive layers is divided into a band-like electrode group. That is, the cathode conductor layer 7 constituting the cathode electrode and at least the gate electrode 6 or the focusing electrode 1
One of the 0s has a band-shaped electrode structure extending in the X and Y axis directions, is scanned in a horizontal and vertical direction by a predetermined scanning voltage, and is driven so as to emit light sequentially for each pixel on the phosphor screen.
【００１７】カソード電位に対してアノードに印加され
る電圧は数百ボルトであるが、ゲート電極６に印加され
る電圧は、例えば１２０ボルト程度である。このゲート
電極６によって引き出された電子ｅは広い角度で拡散し
ながらアノード側に移動するが、本実施例が対象とする
表示装置の場合は上記したように集束電極１０に、例え
ばカソード電極の電位とほぼ等しい電圧を加えることに
よって放出された電子ｅの広がりを防止する集束電極の
効果を得るようにしている。そして、この集束電極１０
の材料として真空領域２０に叩き出された放出ガス分子
を吸着する能力を有するゲッタ材料が使用されている点
に特徴を有する。The voltage applied to the anode with respect to the cathode potential is several hundred volts, but the voltage applied to the gate electrode 6 is, for example, about 120 volts. The electrons e extracted by the gate electrode 6 move to the anode side while diffusing at a wide angle. However, in the case of the display device according to the present embodiment, as described above, the potential of the cathode electrode is applied to the focusing electrode 10 as described above. By applying a voltage substantially equal to the above, the effect of the focusing electrode for preventing the spread of the emitted electrons e is obtained. And this focusing electrode 10
The feature of the present invention is that a getter material having an ability to adsorb released gas molecules struck into the vacuum region 20 is used as a material for the above.
【００１８】すなわち、本考案ではカソード電極の電位
に近い電位とされているこの集束電極１０をゲッタ材料
によって構成しているため、アノード電極側から叩き出
されたイオン分子がプラスに帯電しているような場合に
は、より効果的にこのイオンをよく吸着し、このイオン
ガスがエミッタの先端に衝突することによってエミッタ
を損傷すること、および真空中を浮遊することによって
電子の放出能力が下がることを防止する。上記ゲッタ材
料としては、非蒸発型のゲッタ材料であって導電性を有
する材料を選択すればよく、例えばＴａ、Ｚｒ、Ｔｉ、
Ｔｈ、Ｈｆ、Ｃｅ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｐ、Ｎｉ等の合
金を使用し、薄膜技術または蒸着等によって第２ゲート
電極を構成する。That is, in the present invention, since the focusing electrode 10, which is set at a potential close to the potential of the cathode electrode, is made of a getter material, the ionic molecules struck from the anode electrode side are positively charged. In such cases, the ions are more effectively adsorbed and the ion gas collides with the tip of the emitter to damage the emitter, and the ability to emit electrons is reduced by floating in a vacuum. To prevent As the getter material, a non-evaporable getter material that has conductivity may be selected. For example, Ta, Zr, Ti,
An alloy such as Th, Hf, Ce, Ag, Mg, Mo, P, and Ni is used, and the second gate electrode is formed by a thin film technique or vapor deposition.
【００１９】図２は本考案の他の実施例を示したもの
で、図１と同一符号は同一機能を有する部分である。こ
の実施例の場合は、ゲッタ用電極が集束電極とは別に設
けられており、集束電極１０の上方に、絶縁層１１を介
してやや幅が狭くされているゲッタ用電極１２を設け、
この第３番目のゲート電極をゲッタ材料によって構成す
るようにしている。FIG. 2 shows another embodiment of the present invention. The same reference numerals as those in FIG. 1 denote parts having the same functions. In the case of this embodiment, the getter electrode is provided separately from the focusing electrode, and the getter electrode 12 whose width is slightly reduced via the insulating layer 11 is provided above the focusing electrode 10,
The third gate electrode is made of a getter material.
【００２０】つまり、この実施例は３層構造によってＦ
ＥＣを構成し、このゲッタ用電極１２に例えばマイナス
数十ボルト程度の負電圧を印加するようにしている。そ
のため、上記したようにエミッタからゲート電極６によ
って引き出された電子は集束電極１０によって集束さ
れ、アノード電極に衝突する。そして、アウトガスを引
き出すことになるが、前記ゲッタ用電極１２に印加され
ている負の電圧によって、アノード電極の蛍光体から叩
き出されたアウトガス（プラスイオン）がより効率よく
吸着される。したがって、図１の実施例による場合より
もさらに効果的にアウトガスを捕捉することができる。That is, this embodiment has a three-layer structure,
An EC is configured to apply a negative voltage of, for example, about minus several tens of volts to the getter electrode 12. Therefore, the electrons extracted from the emitter by the gate electrode 6 as described above are focused by the focusing electrode 10 and collide with the anode electrode. Then, outgas is extracted, but the outgas (positive ion) struck out of the phosphor of the anode electrode is more efficiently adsorbed by the negative voltage applied to the getter electrode 12. Therefore, outgas can be captured more effectively than in the embodiment of FIG.
【００２１】以上の実施例はアノード側に蛍光物質が設
けられている表示装置について述べたが、本発明はＦＥ
Ｃを利用する他の電子デバイスのすべての装置の真空度
を維持する際にも適用される。In the above embodiment, the display device in which the fluorescent material is provided on the anode side has been described.
The present invention is also applied to maintaining the degree of vacuum of all devices of other electronic devices using C.
【００２２】[0022]
【考案の効果】以上説明したように本考案の真空気密装
置および表示装置は、少なくともエミッタに対して電子
を引き出すゲート電極と、引き出された電子の広がりを
制御する集束電極を備えている多極管構造の電界放出素
子によってカソードアレイ基板を構成し、前記アノード
電極に一番近い電極をゲッタ材料によって構成するよう
にしているので、プラスイオン化されたアウトガスの吸
着能力を非常に高いものにすることができる。As described above, the vacuum hermetic device and the display device of the present invention have a multi-electrode having at least a gate electrode for extracting electrons to the emitter and a focusing electrode for controlling the spread of the extracted electrons. Since the cathode array substrate is constituted by a field emission device having a tube structure, and the electrode closest to the anode electrode is constituted by a getter material, the ability to adsorb the positively ionized outgas is made extremely high. Can be.
【００２３】また、本考案の実施例は、共にスピント型
カソードを例として説明しているが、平面型カソードに
おいてもその効果、機能はすべて同じである。In the embodiments of the present invention, the Spindt type cathode is described as an example, but the effects and functions of the flat type cathode are all the same.
【図１】本考案の表示装置の内部を拡大した断面図であ
る。FIG. 1 is an enlarged sectional view of the inside of the display device of the present invention.
【図２】本考案の他の実施例を示す表示装置の内部の拡
大図である。FIG. 2 is an enlarged view of the inside of a display device showing another embodiment of the present invention.
【図３】ＦＥＣアレイ製造する方法の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a method of manufacturing an FEC array.
１ カソード基板 ２ アノード基板 ３ 陽極導電体層（アノード電極） ４ 蛍光体層 ５ エミッタ ６ ゲート電極 ７ 陰極導電体層（カソード電極） ８、９ 絶縁層 １０ 集束電極 １２ ゲッタ用電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Cathode substrate 2 Anode substrate 3 Anode conductor layer (anode electrode) 4 Phosphor layer 5 Emitter 6 Gate electrode 7 Cathode conductor layer (cathode electrode) 8, 9 Insulating layer 10 Focusing electrode 12 Getter electrode
フロントページの続き (72)考案者 内田 裕治 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株 式会社内 (56)参考文献 特開 平４−12436（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−152838（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−22329（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−208241（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 29/94 H01J 1/30 H01J 31/12 H01J 31/15 Continuation of front page (72) Inventor Yuji Uchida 629 Oshiba, Mobara-shi, Chiba Futaba Electronics Corporation (56) References JP-A-4-12436 (JP, A) JP-A-3-152838 (JP, A) JP-A-3-22329 (JP, A) JP-A-3-208241 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01J 29/94 H01J 1/30 H01J 31 / 12 H01J 31/15
Claims (3)
状のエミッタ電極と、 このエミッタ電極から電子を放出する為の開口部を備え
ているゲート電極層と、 上記ゲート電極層の上に積層された絶縁層上に形成さ
れ、上記開口部と同様な開口部を有する集束電極層とを
備えているカソード基板と、 上記カソード基板に対向して配置され、上記エミッタか
ら引き出された電子を捕捉するアノード電極を備えてい
るアノード基板を真空容器内に封入した真空気密装置に
おいて、 上記集束電極層は導電性のゲッタ材料によって構成さ
れ、上記ゲート電極層に印加された電圧より負の電圧が
供給されている ことを特徴とする真空気密装置。1. A cathode electrode layer formed on a substrate, and a cone deposited on the cathode electrode layer by vapor deposition.
-Shaped emitter electrode and an opening for emitting electrons from the emitter electrode
A gate electrode layer, and an insulating layer stacked on the gate electrode layer.
And a focusing electrode layer having an opening similar to the above-mentioned opening.
A cathode substrate provided with, disposed opposite to the cathode substrate, or the emitter
An anode electrode that captures electrons extracted from
A vacuum airtight device in which the anode substrate is sealed in a vacuum container.
Oite, of constituting the focusing electrode layer by the getter material of the conductive
And a voltage more negative than the voltage applied to the gate electrode layer
A vacuum airtight device characterized by being supplied .
成し、上記アノード基板に最も近い電極層を導電性のゲ
ッタ材料によって構成したことを特徴とする請求項１に
記載の真空気密装置。2. The method according to claim 1, wherein the focusing electrode layer comprises a plurality of electrode layers.
And an electrode layer closest to the anode substrate is electrically conductive.
2. The vacuum hermetic apparatus according to claim 1, wherein the vacuum hermetic apparatus is made of a cutter material .
状のエミッタ電極と、 このエミッタ電極から電子を放出する為の開口部を備え
ているゲート電極層と、 上記ゲート電極層の上に積層された絶縁層上に形成さ
れ、上記開口部とほぼ同一の開口を有する集束電極層と
を備えているカソード基板と、 上記カソード基板に対向して配置され、上記エミッタか
ら引き出された電子を捕捉するアノード電極と、該アノ
ード電極の上に塗布された蛍光体層を備えているアノー
ド基板を真空容器内に封入した表示装置において、 上記集束電極層は導電性のゲッタ材料によって構成さ
れ、上記ゲート電極層に印加された電圧より負の電圧が
供給されていることを 特徴とする表示装置。3. A cathode electrode layer formed on a substrate, and a cone deposited on the cathode electrode layer by vapor deposition.
-Shaped emitter electrode and an opening for emitting electrons from the emitter electrode
A gate electrode layer, and an insulating layer stacked on the gate electrode layer.
A focusing electrode layer having substantially the same opening as the opening.
A cathode substrate provided with :
An anode electrode for capturing electrons extracted from the anode;
Anode with a phosphor layer applied over the cathode electrode
In a display device in which a substrate is sealed in a vacuum vessel, the focusing electrode layer is made of a conductive getter material.
And a voltage more negative than the voltage applied to the gate electrode layer
A display device, which is supplied .
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| JP1993052848U JP2606406Y2 (en) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | Vacuum sealing device and display device |
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| JP1993052848U JP2606406Y2 (en) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | Vacuum sealing device and display device |
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| JPH0718341U JPH0718341U (en) | 1995-03-31 |
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