JP2603468B2 - Pattern film forming method - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光照射により所望のパターンの有機材料薄膜
を形成する方法に関する。特に本発明は光半導体に光照
射を行うことにより帯電した有機材料を析出・付着させ
薄膜を形成する方法に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for forming an organic material thin film having a desired pattern by light irradiation. In particular, the present invention relates to a method for forming a thin film by depositing and adhering a charged organic material by irradiating an optical semiconductor with light.
［従来の技術及び発明が解決しようとする問題点］ 従来基板上に種々のパターンの有機材料薄膜を形成す
るために種々の方法が用いられてきた。例えば特開昭55
−137527号は支持体上に、アルコール可溶性ポリアミド
を主体とする第一層、及びその上にフォトレジスト組成
物からなる第二層を設けてなる感光性画像形成材料を露
光し、現像した後芳香族中性塩とアルコールとを含有す
る水溶性でエッチングすることを特徴とする感光性画像
形成材料の処理方法を開示している。その他同様に特開
昭59−53840号及び59−193453号、特公昭61−27735号も
感光性樹脂による画像形成方法を開示している。[Problems to be Solved by the Related Art and the Invention] Conventionally, various methods have been used to form various patterns of organic material thin films on a substrate. For example, JP 55
No. 137527 discloses a photosensitive image-forming material comprising a support, a first layer mainly composed of an alcohol-soluble polyamide, and a second layer of a photoresist composition formed thereon. Disclosed is a method for treating a photosensitive image-forming material, which comprises etching with a water-soluble material containing a group neutral salt and an alcohol. Similarly, JP-A-59-53840 and JP-A-59-193453 disclose an image forming method using a photosensitive resin.
しかしながらこの感光性樹脂を用いる方法では、所望
のパターンのマスクを形成し、露光後、非硬化部分を溶
解除去するという作業を要し、煩雑である。However, this method using a photosensitive resin is complicated since it requires a process of forming a mask of a desired pattern, dissolving and removing the uncured portion after exposure.
またアニオン又はカチオン電着塗料の水性媒体液に基
板及び対極を浸漬し、両者間に電流を流すことにより電
着塗料を基板上に析出させ、焼付けを行うことにより基
板上に膜を形成する方法も行われている。しかしなが
ら、この電着塗装法では200〜300V程度の高い電圧を印
加するので特別の注意が必要である他に、基板全面に膜
が形成されるので所望のパターンに膜を形成するのは不
可能であるという問題もある。Also, a method in which a substrate and a counter electrode are immersed in an aqueous medium liquid of an anionic or cationic electrodeposition paint, an electrodeposition paint is deposited on the substrate by passing an electric current between the two, and a film is formed on the substrate by baking. Has also been done. However, this electrodeposition coating method requires a special care because a high voltage of about 200 to 300 V is applied.In addition, it is impossible to form a film in a desired pattern because a film is formed on the entire surface of the substrate. There is also a problem that is.
従って本発明の目的は基板上に所望のパターンで簡単
に膜を形成することができる方法を提供することであ
る。Accordingly, an object of the present invention is to provide a method capable of easily forming a film in a desired pattern on a substrate.
［問題点を解決するための手段］ 上記目的に鑑み鋭意研究の結果、本発明者は基板とし
て透明導電材上に光半導体層を形成してなる光半導体電
極を使用し、帯電した有機材料が溶解又は分散した所望
のパターンのマスクを通して水性媒体中で光照射を行う
ことにより、有機材料薄膜を簡易迅速に得ることができ
ることを発見し、本発明に想到した。[Means for Solving the Problems] In view of the above object, as a result of intensive research, the present inventor has used an optical semiconductor electrode formed by forming an optical semiconductor layer on a transparent conductive material as a substrate, and a charged organic material is used. The present inventors have found that an organic material thin film can be obtained easily and quickly by performing light irradiation in an aqueous medium through a mask having a desired pattern dissolved or dispersed therein, and reached the present invention.
すなわち、本発明のパターン膜形成方法は、透明導電
材の一面に光半導体層を形成して光半導体電極を作製
し、前記光半導体電極及び対極を有機材料がイオン的に
溶解又は分散した水性媒体中に置いて両者を導線にて導
通させ、前記光半導体電極に光照射を行うことにより前
記有機材料の膜を形成するもので、前記透明導電材の他
方の面に所望のパターンのマスクを取り付け、前記マス
クを通して裏から光照射を行い、もって前記光半導体電
極の前記光半導体層上に前記有機材料をパターン状に析
出させることを特徴とする。That is, the method of forming a pattern film according to the present invention comprises forming an optical semiconductor layer on one surface of a transparent conductive material to produce an optical semiconductor electrode, and dissolving or dispersing the optical semiconductor electrode and the counter electrode in an organic material in an aqueous medium. The conductive material is placed inside the conductive material, and the optical semiconductor electrode is irradiated with light to form a film of the organic material. A mask having a desired pattern is attached to the other surface of the transparent conductive material. And irradiating light from behind through the mask to deposit the organic material in a pattern on the optical semiconductor layer of the optical semiconductor electrode.
本発明において光半導体とはバンドギャップに相当す
る光を吸収して電子又は正孔のキャリアが発生し、電気
伝導度が大きくなる半導体である。このような光半導体
には光照射により正孔キャリアを生ずるｐ型と電子キャ
リアを生ずるｎ型とがあるが、ｎ型としてはTiO2、Zn
O、CdS等があり、Ｐ型としてはSi、InP、GaAs等があ
る。また有機半導体としてナフタレン、アンスラセン、
ピレン、ペリレン、スチルベン、Ｐ−ジフェニルベンゼ
ン、フタロシアニン、銅フタロシアニン、ポリビニルス
チルベン等を使用することができる。In the present invention, an optical semiconductor is a semiconductor that absorbs light corresponding to a band gap, generates carriers of electrons or holes, and increases electric conductivity. Such optical semiconductors include a p-type which generates hole carriers by light irradiation and an n-type which generates electron carriers. Among the n-types, TiO 2 , Zn
There are O, CdS, etc., and as the P type, there are Si, InP, GaAs, etc. In addition, naphthalene, anthracene,
Pyrene, perylene, stilbene, P-diphenylbenzene, phthalocyanine, copper phthalocyanine, polyvinyl stilbene and the like can be used.
これらの光半導体の層は導電性プラスチック、導電性
ガラス等の透明導電材上に形成される。These optical semiconductor layers are formed on a transparent conductive material such as conductive plastic and conductive glass.
光照射を所望のパターンのマスクを通して行うことに
より、所望のパターンの有機材料薄膜を形成する。照射
に用いる光線は光半導体の励起を引き起こすためにその
バンドギャップに相当する波長を有する必要があるが、
それより短い波長のものでも励起は可能であるので、照
射光の波長の条件はバンドギャップに相当する波長以下
ということになる。光半導体のバンドギャップに相当す
る波長としては、例えばTiO2では410ミリミクロン、ZnO
では385ミリミクロンである。By performing light irradiation through a mask having a desired pattern, an organic material thin film having a desired pattern is formed. The light beam used for irradiation needs to have a wavelength corresponding to its band gap to cause excitation of the optical semiconductor,
Excitation is possible even with a shorter wavelength, so that the condition of the wavelength of the irradiation light is equal to or less than the wavelength corresponding to the band gap. The wavelength corresponding to the band gap of the optical semiconductor, for example, TiO 2 in 410 millimicrons, ZnO
Is 385 millimicrons.
有機材料は水性媒体中でイオン的に溶解又は分散する
ものである必要がある。換言すれば有機材料はイオン又
は分散粒子として＋又は−に帯電しなければならない。
このように水性媒体中で帯電するためには、有機材料は
酸性又は塩基性の極性基を有する必要がある。これらの
極性基は酸又はアルカリにより中和するので、水性媒体
中でイオン的に溶解又は分散する。このような有機材料
の製法として例えば下記のものがあげられる。The organic material must be capable of being dissolved or dispersed ionically in the aqueous medium. In other words, the organic material must be charged positively or negatively as ions or dispersed particles.
As described above, in order to be charged in an aqueous medium, the organic material needs to have an acidic or basic polar group. Since these polar groups are neutralized by an acid or alkali, they dissolve or disperse ionically in an aqueous medium. As a method for producing such an organic material, for example, the following method can be used.
（イ）乾性油の不飽和部に無水マレイン酸を反応せし
め、ペンダントカルボン酸を有するマレイン酸アダクト
を形成する。この酸部位をアンモニアやアミンで中和す
る。(A) Maleic anhydride is reacted with the unsaturated portion of the drying oil to form a maleic acid adduct having a pendant carboxylic acid. This acid site is neutralized with ammonia or amine.
（ロ）無水マレイン酸又はフマル酸を共役不飽和を含有
する油又は脂肪酸で反応させた後、このマレイン化油を
二塩基酸とポリオールと反応させる。この酸部位をアモ
ニアやアミンで中和する。(B) After reacting maleic anhydride or fumaric acid with an oil or fatty acid containing conjugated unsaturation, this maleated oil is reacted with a dibasic acid and a polyol. This acid site is neutralized with amonia or amine.
（ハ）植物油又はその脂肪族の適当量を二塩基酸または
酸無水物、ポリオールと反応させ、希望する酸価に達し
たら二塩基酸又は三塩基酸又は酸無水物を加える。この
酸部位をアンモニアやアミンで中和する。(C) An appropriate amount of vegetable oil or its aliphatic is reacted with a dibasic acid or acid anhydride or polyol, and when the desired acid value is reached, a dibasic acid or tribasic acid or acid anhydride is added. This acid site is neutralized with ammonia or amine.
（ニ）無水マレイン酸、メタクリル酸、アクリル酸、イ
タコン酸などのような官能性モノマーを他のモノマーと
の組合わせで共重合させ、アミン又はアンモニアで中和
する。(D) Functional monomers such as maleic anhydride, methacrylic acid, acrylic acid, itaconic acid, etc. are copolymerized in combination with other monomers and neutralized with amine or ammonia.
（ホ）アクリルモノマーとジアルキルアミノメタクリレ
ートを共重合させ、プロピオン酸や乳酸で中和する。(E) Acrylic monomer and dialkylamino methacrylate are copolymerized and neutralized with propionic acid or lactic acid.
（ヘ）エポキシ樹脂やグリシジルメタクリレートのエポ
キシ基や酸基とジアルキルアミノメタクリレートを反応
させ、これをプロピオン酸や乳酸で中和する。(F) The epoxy group or acid group of epoxy resin or glycidyl methacrylate is reacted with dialkylamino methacrylate, and this is neutralized with propionic acid or lactic acid.
（ト）酢酸ビニルとトリメット酸無水物とを反応させて
トリメット酸無水物のビニルエステルをつくり、これを
アクリルモノマーと共重合させてコポリマーとし、これ
に２−アミノ−２−メチル−１−プロパノールを反応さ
せて１級アミンのツビッターイオンポリマーを得る。(G) Reaction of vinyl acetate with trimetic anhydride to form a vinyl ester of trimetic anhydride, which is copolymerized with an acrylic monomer to form a copolymer, which is then 2-amino-2-methyl-1-propanol To obtain a zwitterionic polymer of a primary amine.
（チ）アクリルモノマー、界面活性剤、水及び重合触媒
を混合し、乳化重合することにより水分散樹脂を得る。(H) An acrylic monomer, a surfactant, water and a polymerization catalyst are mixed and emulsion-polymerized to obtain a water-dispersed resin.
本発明において光半導体としてｎ型半導体を使用する
場合には負に帯電する有機材料を使用する必要があり、
逆にｐ型半導体を使用する場合には正に帯電する有機材
料を使用する必要がある。これに反してｎ型半導体と正
帯電の有機材料、又はｐ型半導体と負帯電の有機材料と
の組合せでは膜形成は行われない。When using an n-type semiconductor as the optical semiconductor in the present invention, it is necessary to use a negatively charged organic material,
Conversely, when a p-type semiconductor is used, it is necessary to use a positively charged organic material. In contrast, film formation is not performed with a combination of an n-type semiconductor and a positively charged organic material or a combination of a p-type semiconductor and a negatively charged organic material.
本発明において、光半導体電極及び対極を浸漬した有
機材料の水性媒体液を収容する浴槽は、光の照射を可能
とするように少なくとも光半導体電極への光路部分にお
いて透明である必要がある。望ましくはガラス等の透明
な浴槽壁に透明な光半導体電極を密着させ、裏から光照
射を行う。また浴槽の一部を着脱自在の光半導体電極で
密封する構成としてもよい。透明導電材の裏面（光半導
体層が形成されていない面）にマスクを取り付ける際
に、透明導電材とマスクとの間に有機材料の水性媒体液
が実質的に存在しないようにする。In the present invention, the bath containing the aqueous medium liquid of the organic material in which the optical semiconductor electrode and the counter electrode are immersed needs to be transparent at least in the optical path to the optical semiconductor electrode so as to enable light irradiation. Desirably, a transparent optical semiconductor electrode is adhered to a transparent bathtub wall made of glass or the like, and light is irradiated from the back. A configuration in which a part of the bath is sealed with a detachable optical semiconductor electrode may be adopted. When the mask is attached to the back surface (the surface on which the optical semiconductor layer is not formed) of the transparent conductive material, the aqueous medium liquid of the organic material is not substantially present between the transparent conductive material and the mask.
所望のパターンのマスクを通して光照射を行うと光電
流が流れ、有機材料のパターン膜形成が行われる。約20
分後からは光電流はほとんど一定になり、それ以上光照
射を続けても膜形成はほとんど行われない。従って、本
発明において光照射は0.5〜20分間、好ましくは２〜10
分間行う。When light irradiation is performed through a mask having a desired pattern, a photocurrent flows, and a pattern film of an organic material is formed. About 20
After a few minutes, the photocurrent becomes almost constant, and film formation is hardly performed even if light irradiation is continued further. Therefore, in the present invention, light irradiation is 0.5 to 20 minutes, preferably 2 to 10 minutes.
Do for a minute.
［作用］ 例えばｎ型の光半導体を例にとると、光照射により電
子キャリアが発生し、対極との間に電位差が生じるが、
両者を導通することにより電流が流れて電子キャリアは
失われ、＋の帯電（正孔）が残る。これにより強い酸化
力が生じ、負に帯電した有機材料を吸引し、電気的中和
により析出させる。ｐ型半導体については、全く逆の原
理により正に帯電した有機材料の析出が行われる。[Operation] For example, when an n-type optical semiconductor is taken as an example, electron carriers are generated by light irradiation, and a potential difference is generated between the electron carrier and the counter electrode.
By conducting the two, a current flows, electron carriers are lost, and + charges (holes) remain. As a result, a strong oxidizing power is generated, and the negatively charged organic material is sucked and deposited by electrical neutralization. With respect to the p-type semiconductor, deposition of a positively charged organic material is performed according to a completely opposite principle.
［実施例］ 第１図は本発明のパターン膜形成方法を実施するため
の装置の一例を示し、第３図はパターンマスクがない以
外第１図と同じである。浴槽１の一側壁が開口してお
り、そこに光半導体電極２が漏洩がないように密着して
いる。電極２の内側表面には光半導体の薄膜３が形成さ
れている。第１図の例では、光半導体電極２の裏面（光
半導体層が形成されていない面）に、所望のパターンを
得るためのパターンマスク７が取り付けられている。浴
槽には適当な有機材料の溶液又は分散液が充満され、そ
の中に白金製の対極４が浸漬される。光半導体電極２と
対極４との間には導線５が設けられ、導線の途中に暗時
に電流が流れるのを防止するための直流電源６が設けら
れている。光照射は矢印Ｌの方向に行われる。Embodiment FIG. 1 shows an example of an apparatus for carrying out the pattern film forming method of the present invention, and FIG. 3 is the same as FIG. 1 except that there is no pattern mask. One side wall of the bathtub 1 is open, and the optical semiconductor electrode 2 is in close contact therewith so as not to leak. An optical semiconductor thin film 3 is formed on the inner surface of the electrode 2. In the example of FIG. 1, a pattern mask 7 for obtaining a desired pattern is attached to the back surface of the optical semiconductor electrode 2 (the surface on which the optical semiconductor layer is not formed). The bath is filled with a solution or dispersion of a suitable organic material, into which the platinum counter electrode 4 is immersed. A conducting wire 5 is provided between the optical semiconductor electrode 2 and the counter electrode 4, and a DC power supply 6 for preventing a current from flowing in the dark in the middle of the conducting wire is provided. Light irradiation is performed in the direction of arrow L.
第２図は本発明のパターン膜形成方法を実施するため
の装置の別の例を示し、第４図はパターンマスクがない
以外第２図と同じである。第２図の例においては、光半
導体電極２は浴槽壁の内側に設置されており、光半導体
電極２の裏面は浴槽壁に密着しているとともに、浴槽壁
には所望のパターンを得るためのパターンマスク１が取
り付けられている。このため、光照射Ｌにより光半導体
層３に起電力が生じるように光路の浴槽部分及び光半導
体用の電極２は透明である必要がある。FIG. 2 shows another example of an apparatus for carrying out the pattern film forming method of the present invention, and FIG. 4 is the same as FIG. 2 except that there is no pattern mask. In the example shown in FIG. 2, the optical semiconductor electrode 2 is provided inside the bathtub wall, and the back surface of the optical semiconductor electrode 2 is in close contact with the bathtub wall, and the bathtub wall has a desired pattern. A pattern mask 1 is attached. For this reason, the bathtub portion of the optical path and the electrode 2 for the optical semiconductor need to be transparent so that an electromotive force is generated in the optical semiconductor layer 3 by the light irradiation L.
本発明を以下の実施例により説明するが、本発明はそ
れらに限定されるものではない。The present invention will be described with reference to the following examples, but the present invention is not limited thereto.
参考例１ 第３図に概略的に示す装置を用いて膜形成を行った。
浴槽１の側壁開口部に、透明導電ガラスからなる電極２
の表面に厚さ0.1μｍのTiO2薄膜３を形成したものを密
着した。TiO2薄膜は導電ガラスを300℃に加熱し、Ti（O
C3H7）４をスプレーすることにより形成した。負に帯電
する有機材料溶液としてアクリルメラミン樹脂溶液
（「パワーマイト＃3000」日本ペイント株式会社製）を
８重量％の固形分濃度で用いた。また対電極４として白
金電極を用いた。暗時に電流が流れるのを防止する1Vの
直流電源６は逆バイアス電圧がかかるような極性で設け
た。Reference Example 1 A film was formed using an apparatus schematically shown in FIG.
An electrode 2 made of transparent conductive glass is provided on the side wall opening of the bathtub 1.
A TiO 2 thin film 3 having a thickness of 0.1 μm was formed on the surface of the substrate and adhered. The TiO 2 thin film heats the conductive glass to 300 ° C, and the Ti (O
C 3 H 7 ) 4 formed by spraying. An acrylic melamine resin solution ("Power Mite # 3000" manufactured by Nippon Paint Co., Ltd.) was used as a negatively charged organic material solution at a solid concentration of 8% by weight. A platinum electrode was used as the counter electrode 4. The 1 V DC power supply 6 for preventing current from flowing in the dark was provided with a polarity such that a reverse bias voltage was applied.
上記の装置を用い、透明導電ガラスの裏側から500Wの
Xeランプで10分間照射を行った。その後導電ガラスを取
り外し、水洗、乾燥後180℃で30分間焼付けを行った。
得られたアクリルメラミン樹脂の薄膜は0.2μｍの厚さ
であった。Using the above equipment, 500W from the back side of the transparent conductive glass
Irradiation was performed with a Xe lamp for 10 minutes. Thereafter, the conductive glass was removed, washed with water, dried, and baked at 180 ° C. for 30 minutes.
The obtained acrylic melamine resin thin film had a thickness of 0.2 μm.
得られた膜の均一性は目視及び表面粗さ計で評価し
た。また膜の密着性はセロハンテープを圧着後剥離する
ことにより調べた。さらに水漏れ性は膜全体を水で濡ら
した後水の分離度合を調べることにより評価した。試験
結果は下記の第１表に示す。The uniformity of the obtained film was evaluated visually and with a surface roughness meter. The adhesiveness of the film was examined by peeling the cellophane tape after pressing. Further, the water leakage was evaluated by examining the degree of water separation after wetting the entire membrane with water. The test results are shown in Table 1 below.
実施例１ 透明導電ガラスを300℃に加熱し、酢酸亜鉛［Zn（CH3
COO）２］のアルコール溶液をスプレーすることによ
り、0.2μｍの膜厚のZnO薄膜を形成した。得られた光半
導体（ｎ型）電極を第１図の装置に設置し、ガラス板の
裏面に所定のパターンのマスクを取付け、参考例１と同
一の有機材料を用い、高圧水銀灯により３分間照射を行
った。その他の条件は参考例１と同一であった。照射後
180℃で30分間焼付けを行った。得られたアクリルメラ
ミン樹脂の薄膜（厚さ0.2μｍ）について参考例１と同
じテストを行った。結果を第１表に示す。Example 1 A transparent conductive glass was heated to 300 ° C., and zinc acetate [Zn (CH 3
By spraying an alcohol solution of [COO) 2 ], a ZnO thin film having a thickness of 0.2 μm was formed. The obtained photosemiconductor (n-type) electrode was set in the apparatus shown in FIG. 1, a mask having a predetermined pattern was attached to the back surface of the glass plate, and the same organic material as in Reference Example 1 was irradiated with a high-pressure mercury lamp for 3 minutes. Was done. Other conditions were the same as in Reference Example 1. After irradiation
Baking was performed at 180 ° C. for 30 minutes. The same test as in Reference Example 1 was performed on the obtained acrylic melamine resin thin film (thickness: 0.2 μm). The results are shown in Table 1.
参考例２ 透明導電ガラス上にCVD法によりアモルファスシリコ
ンの薄膜（厚さ0.2μｍ）を形成し、第４図の装置に取
り付けた。有機材料としてプラスに帯電して溶解してい
るエポキシ樹脂溶液（「パワートップＵ−30」日本ペイ
ント株式会社製）を用いた。また導電ガラス電極と対極
との間に、暗時に電流が流れるのを防止するための直流
電源（1V）を設けた。このような構成において、ガラス
電極板の裏面から1kwのXeランプにより10分間の照射を
行った。照射後180℃で30分間焼付けを行った。得られ
たエポキシ樹脂薄膜（厚さ0.5μｍ）について参考例１
と同一のテストを行った。結果を第１表に示す。Reference Example 2 A thin film of amorphous silicon (thickness: 0.2 μm) was formed on a transparent conductive glass by a CVD method and attached to the apparatus shown in FIG. As the organic material, a positively charged and dissolved epoxy resin solution ("Power Top U-30" manufactured by Nippon Paint Co., Ltd.) was used. In addition, a DC power supply (1 V) was provided between the conductive glass electrode and the counter electrode to prevent current from flowing in the dark. In such a configuration, irradiation was performed for 10 minutes from the back surface of the glass electrode plate using a 1 kw Xe lamp. After irradiation, baking was performed at 180 ° C. for 30 minutes. Reference Example 1 about the obtained epoxy resin thin film (thickness 0.5 μm)
The same test was performed. The results are shown in Table 1.
参考例３ 光半導体としてアモルファスシリコンの代わりにInP
を使用する以外参考例２と同一の方法により、エポキシ
樹脂薄膜を形成し、同一のテストを行った。結果を第１
表に示す。Reference Example 3 InP is used instead of amorphous silicon as an optical semiconductor
An epoxy resin thin film was formed in the same manner as in Reference Example 2 except that the above-mentioned was used, and the same test was performed. First result
It is shown in the table.
比較例１〜４ 下記第２表に示す光半導体と有機材料を用い、光照射
を行って薄膜形成の有無について調べた。結果は以下の
通りであった。 Comparative Examples 1 to 4 Using an optical semiconductor and an organic material shown in Table 2 below, light irradiation was performed to examine whether or not a thin film was formed. The results were as follows.
以上の結果から、光半導体がＰ型（ｎ型）で有機材料
の荷電がマイナス（プラス）の場合には光照射をしても
電流が流れず、有機材料の膜が形成されないことがわか
る。また光照射がない場合（No.1）や光半導体がない場
合（No.4）にも膜の形成がないことがわかる。 From the above results, it can be seen that when the optical semiconductor is P-type (n-type) and the charge of the organic material is minus (plus), current does not flow even when light is irradiated, and a film of the organic material is not formed. It can also be seen that no film was formed when there was no light irradiation (No. 1) or when there was no optical semiconductor (No. 4).
［発明の効果］ 以上の通り本発明のパターン膜形成方法においては、
光半導体電極と対極を用い、正又は負に帯電した有機材
料のイオン又は分散粒子を光照射部上に析出させるの
で、光照射を所望のパターンのマスクを通して行うこと
により、所望のパターンの有機材料薄膜を形成すること
ができる。得られた有機材料薄膜は平板印刷用刷版材等
として利用できる。また光照射部のみ膜が形成される性
質を利用して、有色有機材料を用い、表示素子として利
用することもできる。さらに種々の機能性有機材料を用
いることにより薄膜機能素子とすることもできる。[Effect of the Invention] As described above, in the pattern film forming method of the present invention,
Using an optical semiconductor electrode and a counter electrode, ions or dispersed particles of a positively or negatively charged organic material are deposited on the light irradiation part, so that light irradiation is performed through a mask of a desired pattern, so that an organic material of a desired pattern is formed. A thin film can be formed. The obtained organic material thin film can be used as a plate material for lithographic printing. Further, by utilizing the property that a film is formed only in the light irradiation part, a colored organic material can be used as a display element. Further, a thin film functional element can be obtained by using various functional organic materials.
本発明のパターン膜形成方法はｐ型又はｎ型の光半導
体を使い分けることにより、正、負いずれに帯電した有
機材料も利用することができる。The pattern film forming method of the present invention can use either positively or negatively charged organic materials by selectively using p-type or n-type optical semiconductors.
第１図は本発明のパターン膜形成方法を実施するための
装置の一例であり、第２図は本発明のパターン膜形成方
法を実施するための装置の他の例である。第３図はパタ
ーンマスクがない以外第１図と同じ装置を示し、第４図
はパターンマスクがない以外第２図と同じ装置を示す。 １……浴槽 ２……光半導体電極 ３……光半導体層 ４……対極 ５……導線 ６……直流電源 ７……パターンマスクFIG. 1 shows an example of an apparatus for carrying out the pattern film forming method of the present invention, and FIG. 2 shows another example of an apparatus for carrying out the pattern film forming method of the present invention. FIG. 3 shows the same apparatus as FIG. 1 except that no pattern mask is provided, and FIG. 4 shows the same apparatus as FIG. 2 except that no pattern mask is provided. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Bathtub 2 ... Optical semiconductor electrode 3 ... Optical semiconductor layer 4 ... Counter electrode 5 ... Conducting wire 6 ... DC power supply 7 ... Pattern mask
Claims (3)
光半導体電極を作製し、前記光半導体電極及び対極を有
機材料がイオン的に溶解又は分散した水性媒体中に置い
て両者を導線にて導通させ、前記光半導体電極に光照射
を行うことにより前記有機材料の膜を形成する方法にお
いて、前記透明導電材の他方の面に所望のパターンのマ
スクを取り付け、前記マスクを通して裏から光照射を行
い、もって前記光半導体電極の前記光半導体層上に前記
有機材料をパターン状に析出させることを特徴とするパ
ターン膜形成方法。An optical semiconductor electrode is formed by forming an optical semiconductor layer on one surface of a transparent conductive material, and the optical semiconductor electrode and the counter electrode are placed in an aqueous medium in which an organic material is ionically dissolved or dispersed, and both are placed. In a method of forming a film of the organic material by conducting light with a conducting wire and irradiating light to the optical semiconductor electrode, a mask having a desired pattern is attached to the other surface of the transparent conductive material, and the mask is applied from behind through the mask. A method for forming a patterned film, comprising irradiating light to deposit the organic material in a pattern on the optical semiconductor layer of the optical semiconductor electrode.
形成方法において、前記透明導電材が透明導電ガラスで
あることを特徴とするパターン膜形成方法。2. The method according to claim 1, wherein said transparent conductive material is a transparent conductive glass.
パター膜形成方法において、浴槽の側壁開口部に、前記
光半導体層を内側にして前記光半導体電極を漏洩がない
ように密着させ、前記透明導電材の外面に前記マスクを
取り付けることを特徴とするパターン膜形成方法。3. The method for forming a putter film according to claim 1, wherein the optical semiconductor electrode is not leaked into the side wall opening of the bath with the optical semiconductor layer inside. A method of forming a pattern film, wherein the mask is attached to an outer surface of the transparent conductive material.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62049628A JP2603468B2 (en) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | Pattern film forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62049628A JP2603468B2 (en) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | Pattern film forming method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63218248A JPS63218248A (en) | 1988-09-12 |
| JP2603468B2 true JP2603468B2 (en) | 1997-04-23 |
Family
ID=12836485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62049628A Expired - Lifetime JP2603468B2 (en) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | Pattern film forming method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2603468B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6224735B1 (en) | 1998-05-27 | 2001-05-01 | Fuji Xerox Co. Ltd. | Process for recording image |
| US6322939B2 (en) | 1997-12-16 | 2001-11-27 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image forming method and image forming apparatus for use in the method |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61148773A (en) * | 1984-12-24 | 1986-07-07 | Hitachi Chem Co Ltd | Photo-storage battery |
-
1987
- 1987-03-04 JP JP62049628A patent/JP2603468B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6322939B2 (en) | 1997-12-16 | 2001-11-27 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image forming method and image forming apparatus for use in the method |
| US6224735B1 (en) | 1998-05-27 | 2001-05-01 | Fuji Xerox Co. Ltd. | Process for recording image |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63218248A (en) | 1988-09-12 |
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