JP2601137B2 - イメージ炉 - Google Patents
イメージ炉Info
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- JP2601137B2 JP2601137B2 JP5136462A JP13646293A JP2601137B2 JP 2601137 B2 JP2601137 B2 JP 2601137B2 JP 5136462 A JP5136462 A JP 5136462A JP 13646293 A JP13646293 A JP 13646293A JP 2601137 B2 JP2601137 B2 JP 2601137B2
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- JP
- Japan
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- sample
- heated
- furnace
- focal point
- infrared rays
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
- C30B13/22—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge
- C30B13/24—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge using electromagnetic waves
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Control Of Resistance Heating (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、結晶成長等で利用され
るイメージ炉に係り、特に加熱中の試料温度を非接触で
測定するための被加熱試料の取り付け構造に関する。
るイメージ炉に係り、特に加熱中の試料温度を非接触で
測定するための被加熱試料の取り付け構造に関する。
【0002】
【従来の技術】イメージ炉は、炉内面を回転楕円反射鏡
で構成し、その回転楕円面の第1焦点近傍に熱光源を配
置し、第2焦点近傍に配置した試料に熱光線を集中し、
試料を加熱する装置である。
で構成し、その回転楕円面の第1焦点近傍に熱光源を配
置し、第2焦点近傍に配置した試料に熱光線を集中し、
試料を加熱する装置である。
【0003】このイメージ炉には、反射鏡が1個の回転
楕円面のみで構成される単楕円型、反射鏡が2個の回転
楕円面の組み合わせで構成され第2の焦点を共有する構
造の双楕円型、更に反射鏡が3個の回転楕円面の組み合
わせで構成され第2の焦点を共有する構造の多楕円型、
等各種のタイプのものがある。
楕円面のみで構成される単楕円型、反射鏡が2個の回転
楕円面の組み合わせで構成され第2の焦点を共有する構
造の双楕円型、更に反射鏡が3個の回転楕円面の組み合
わせで構成され第2の焦点を共有する構造の多楕円型、
等各種のタイプのものがある。
【0004】また、試料温度は、熱電対等により直接測
定が可能であるが、非接触測定を可能にするイメージ炉
には、単管の炉芯管を用いたタイプ(図2)と、T字型
炉芯管を用いたタイプ(図3)とがある。図2及び図3
に示すイメージ炉は、何れも双楕円型イメージ炉であっ
て、本出願人の提案に係るものである。
定が可能であるが、非接触測定を可能にするイメージ炉
には、単管の炉芯管を用いたタイプ(図2)と、T字型
炉芯管を用いたタイプ(図3)とがある。図2及び図3
に示すイメージ炉は、何れも双楕円型イメージ炉であっ
て、本出願人の提案に係るものである。
【0005】具体的には、図2に示す双楕円型イメージ
炉は、特開昭60−205178号公報にて公開され既
に公知であるが、5μm以下の特定波長の赤外線による
非接触温度計測が行えるものである。一方、図3に示す
双楕円型イメージ炉は、未公開(特願平4−17328
号)であるが、5μm以上の特定波長の赤外線による非
接触度計測が行えるものである。以下、図2と図3を参
照して従来のイメージ炉における非接触温度測定の構造
を説明する。
炉は、特開昭60−205178号公報にて公開され既
に公知であるが、5μm以下の特定波長の赤外線による
非接触温度計測が行えるものである。一方、図3に示す
双楕円型イメージ炉は、未公開(特願平4−17328
号)であるが、5μm以上の特定波長の赤外線による非
接触度計測が行えるものである。以下、図2と図3を参
照して従来のイメージ炉における非接触温度測定の構造
を説明する。
【0006】図2のA(横断面図)において、炉内面
は、1aと1bの2個の回転楕円反射鏡を第2焦点(同
図中の中央付近)を共有するようにそれぞれの第1焦点
を水平面内で対向配置して形成され、回転楕円反射鏡1
aの第1焦点近傍に熱光源2aが配置され、回転楕円反
射鏡1bの第1焦点近傍に熱光源2bが配置される。こ
れらの熱光源の発する赤外線は回転楕円反射鏡(1a、
1b)で反射され第2焦点位置に集光される。
は、1aと1bの2個の回転楕円反射鏡を第2焦点(同
図中の中央付近)を共有するようにそれぞれの第1焦点
を水平面内で対向配置して形成され、回転楕円反射鏡1
aの第1焦点近傍に熱光源2aが配置され、回転楕円反
射鏡1bの第1焦点近傍に熱光源2bが配置される。こ
れらの熱光源の発する赤外線は回転楕円反射鏡(1a、
1b)で反射され第2焦点位置に集光される。
【0007】これらの熱光源は、ハロゲンランプ等から
なり、フィラメント(21a、21b)を石英ガラス
(22a、22b)からなるバルブ内に納めたものである。
なお、石英ガラスは透過波長が5μm以下であり、それ
以上の波長の赤外線は透過せず吸収するが、図2に示す
石英ガラス(22a、22b)は、5μm以下の特定波長λ
の赤外線を透過させずに吸収する材質のものからなる。
なり、フィラメント(21a、21b)を石英ガラス
(22a、22b)からなるバルブ内に納めたものである。
なお、石英ガラスは透過波長が5μm以下であり、それ
以上の波長の赤外線は透過せず吸収するが、図2に示す
石英ガラス(22a、22b)は、5μm以下の特定波長λ
の赤外線を透過させずに吸収する材質のものからなる。
【0008】第2焦点近傍には、図2のB(縦断面図)
に詳示するように、2つの熱光源の配置方向に直交する
上下方向に向けて棒状の被加熱試料等が配置される。具
体的には、第2焦点近傍の上下方向に対向する炉壁には
上側シャフト3aと下側シャフト3bが炉内に出入り可
能に設けられ、両シャフトの先端にホルダ(4a、4
b)を介して被加熱試料(5a、5b)が取り付けられ
る。なお、両シャフトにはOリングからなるシール材
(11a、11b)が介挿され、炉内の機密性の確保が
図られている。
に詳示するように、2つの熱光源の配置方向に直交する
上下方向に向けて棒状の被加熱試料等が配置される。具
体的には、第2焦点近傍の上下方向に対向する炉壁には
上側シャフト3aと下側シャフト3bが炉内に出入り可
能に設けられ、両シャフトの先端にホルダ(4a、4
b)を介して被加熱試料(5a、5b)が取り付けられ
る。なお、両シャフトにはOリングからなるシール材
(11a、11b)が介挿され、炉内の機密性の確保が
図られている。
【0009】上側試料5aと下側試料5bの対向先端位
置の間隔は、両シャフトを出入り操作して調節設定する
が、その対向先端はフィラメント(21a、21b)の発す
る赤外線により加熱され、溶融帯6が形成される。
置の間隔は、両シャフトを出入り操作して調節設定する
が、その対向先端はフィラメント(21a、21b)の発す
る赤外線により加熱され、溶融帯6が形成される。
【0010】そして、円筒状の単管炉芯管7aが、これ
らシャフト及び試料を収納するようにその両端が第2焦
点近傍の上下方向に対向する炉壁に固定される。この単
管炉芯管7aは、5μm以下の特定波長λの赤外線を透
過させ得る一般の石英ガラスからなり、上下の被加熱試
料(5a、5b)及び溶融帯6を外部から遮断し、それ
らの周囲に不活性ガスなどの雰囲気ガスを満たしたり、
更にそれらが発生するガスから回転楕円反射鏡(1a、
1b)を保護する目的で設けられる。
らシャフト及び試料を収納するようにその両端が第2焦
点近傍の上下方向に対向する炉壁に固定される。この単
管炉芯管7aは、5μm以下の特定波長λの赤外線を透
過させ得る一般の石英ガラスからなり、上下の被加熱試
料(5a、5b)及び溶融帯6を外部から遮断し、それ
らの周囲に不活性ガスなどの雰囲気ガスを満たしたり、
更にそれらが発生するガスから回転楕円反射鏡(1a、
1b)を保護する目的で設けられる。
【0011】次に、第2焦点近傍に対向した炉壁には、
窓8が穿設され、被加熱試料(5a、5b)の加熱状態
及び溶融帯6の形成状態を目視確認できるようになって
いるが、被加熱試料(5a、5b)及び溶融帯6の温度
を測定するため、この窓8の炉壁外面には5μm以下の
特定波長λの赤外線のみを通過させるバンドパスフィル
タ9が設けられる。なお、炉内の機密性を確保するた
め、バンドパスフィルタ9には同じくOリング等からな
るシール材11cが介挿される。
窓8が穿設され、被加熱試料(5a、5b)の加熱状態
及び溶融帯6の形成状態を目視確認できるようになって
いるが、被加熱試料(5a、5b)及び溶融帯6の温度
を測定するため、この窓8の炉壁外面には5μm以下の
特定波長λの赤外線のみを通過させるバンドパスフィル
タ9が設けられる。なお、炉内の機密性を確保するた
め、バンドパスフィルタ9には同じくOリング等からな
るシール材11cが介挿される。
【0012】即ち、被加熱試料(5a、5b)及び溶融
帯6の発する赤外線のうち5μm以下の特定波長λの赤
外線は炉芯管7aを透過した後バンドパスィルタ9を通
り外部に設定した5μm以下の特定波長λに感度を有す
る検出器10aに導入される。検出器10aの出力は、
図示しないディスプレイ等に接続され、被加熱試料(5
a、5b)及び溶融帯6の温度値や温度分布が表示等さ
れる。
帯6の発する赤外線のうち5μm以下の特定波長λの赤
外線は炉芯管7aを透過した後バンドパスィルタ9を通
り外部に設定した5μm以下の特定波長λに感度を有す
る検出器10aに導入される。検出器10aの出力は、
図示しないディスプレイ等に接続され、被加熱試料(5
a、5b)及び溶融帯6の温度値や温度分布が表示等さ
れる。
【0013】このとき、フィラメント(21a、21b)の
発する赤外線のうち、5μm以下の特定波長λの赤外線
は石英ガラス(22a、22b)で吸収され、検出器10a
には到達せず、特定波長λに対応した温度を正確に測定
できるようになっている。
発する赤外線のうち、5μm以下の特定波長λの赤外線
は石英ガラス(22a、22b)で吸収され、検出器10a
には到達せず、特定波長λに対応した温度を正確に測定
できるようになっている。
【0014】要するに、図2に示すイメージ炉は、フィ
ラメント(21a、21b)の発する赤外線のうち波長5μ
m以下の特定波長λの赤外線が窓8から検出器10aに
飛び込み正確な温度計測ができないので、バルブたる石
英ガラス(22a、22b)を特定波長λを吸収する材質か
らなるもので形成したのである。
ラメント(21a、21b)の発する赤外線のうち波長5μ
m以下の特定波長λの赤外線が窓8から検出器10aに
飛び込み正確な温度計測ができないので、バルブたる石
英ガラス(22a、22b)を特定波長λを吸収する材質か
らなるもので形成したのである。
【0015】しかし、その後の検討結果、フィラメント
(21a、21b)の発する赤外線でバルブ(22a、22b)
は加熱され、点灯中は数百度[℃]の高温になるので、
バルブ(22a、22b)の表面からその特定波長λの赤外
線が発せられ、正確な温度計測は依然としてできていな
いことが判明した。
(21a、21b)の発する赤外線でバルブ(22a、22b)
は加熱され、点灯中は数百度[℃]の高温になるので、
バルブ(22a、22b)の表面からその特定波長λの赤外
線が発せられ、正確な温度計測は依然としてできていな
いことが判明した。
【0016】次に、図3において、このイメージ炉は、
石英ガラスは一般に波長5μm以上の赤外線を透過せず
吸収する性質があることに鑑み、石英ガラス製の炉芯管
としてT字型炉芯管7bを用い、シャフト(3a、3
b)、被加熱試料(5a、5b)及び溶融帯6を収納す
ると共に、溶融帯6近傍の所定範囲から窓8に至る経路
を包み込み、溶融帯6近傍の所定範囲で発する波長5μ
m以上の赤外線が窓8に支障なく到達できるようにし、
また窓8の炉壁外面に波長5μm以上の赤外線をも透過
するサファイア等からなる保護板9bを設け、かつ、5
μm以上の特定波長に感度を有する検出器10bを設け
たものである。
石英ガラスは一般に波長5μm以上の赤外線を透過せず
吸収する性質があることに鑑み、石英ガラス製の炉芯管
としてT字型炉芯管7bを用い、シャフト(3a、3
b)、被加熱試料(5a、5b)及び溶融帯6を収納す
ると共に、溶融帯6近傍の所定範囲から窓8に至る経路
を包み込み、溶融帯6近傍の所定範囲で発する波長5μ
m以上の赤外線が窓8に支障なく到達できるようにし、
また窓8の炉壁外面に波長5μm以上の赤外線をも透過
するサファイア等からなる保護板9bを設け、かつ、5
μm以上の特定波長に感度を有する検出器10bを設け
たものである。
【0017】なお、図3に示す構成では、熱光源(2
a、2b)の発する波長5μm以下の赤外線がT字型炉
芯管7bを通過し、検出器10bに到達しても検出器1
0bは感知しないので、熱光源(2a、2b)のバルブ
を形成する石英ガラスは、5μm以下の特定波長の赤外
線を吸収する材質からなるものであっても良く、また波
長5μm以上の赤外線を吸収する一般の材質からなるも
のであっても良い。
a、2b)の発する波長5μm以下の赤外線がT字型炉
芯管7bを通過し、検出器10bに到達しても検出器1
0bは感知しないので、熱光源(2a、2b)のバルブ
を形成する石英ガラスは、5μm以下の特定波長の赤外
線を吸収する材質からなるものであっても良く、また波
長5μm以上の赤外線を吸収する一般の材質からなるも
のであっても良い。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、T字
型炉芯管を用いたイメージ炉では、波長5μm以上の赤
外線により非接触で被加熱試料や溶融帯の温度を正確に
計測できるが、近年、被加熱試料として人体に有毒なひ
素等のガスを発生する可能性のあるものが用いられてき
ており、かかる場合には被加熱試料を封入した密閉容器
を上側または下側の何れか一方のシャフトに取り付けて
T字型炉芯管内に配置し、その密閉容器内で試料を加熱
し溶融帯を形成する必要がある。
型炉芯管を用いたイメージ炉では、波長5μm以上の赤
外線により非接触で被加熱試料や溶融帯の温度を正確に
計測できるが、近年、被加熱試料として人体に有毒なひ
素等のガスを発生する可能性のあるものが用いられてき
ており、かかる場合には被加熱試料を封入した密閉容器
を上側または下側の何れか一方のシャフトに取り付けて
T字型炉芯管内に配置し、その密閉容器内で試料を加熱
し溶融帯を形成する必要がある。
【0019】また、被加熱試料をT字型炉芯管内に設定
する方法として図3に示す場合の他に、シャフトを上側
または下側の何れか一方とする共に、被加熱試料を側端
面が開口した筒状の容器内に固定し、その筒状容器をそ
の1つのシャフトに取り付けてT字型炉芯管内に配置す
る方法がある。この場合にもその筒状容器内で試料を加
熱し溶融帯を形成することになる。
する方法として図3に示す場合の他に、シャフトを上側
または下側の何れか一方とする共に、被加熱試料を側端
面が開口した筒状の容器内に固定し、その筒状容器をそ
の1つのシャフトに取り付けてT字型炉芯管内に配置す
る方法がある。この場合にもその筒状容器内で試料を加
熱し溶融帯を形成することになる。
【0020】しかし、従来では、かかる用途に用いる密
閉容器や筒状容器は炉芯管と同様の石英ガラスで形成す
るのが一般であるので、密閉容器や筒状容器内で加熱中
の試料や溶融帯の発する赤外線のうち波長5μm以上の
赤外線は、密閉容器や筒状容器で吸収され検出器に到達
できず、温度測定ができないという問題がある。その際
に、検出器として5μm以下の特定波長に感度を有する
ものを用いることも考えられるが、この場合には、熱光
源の発する赤外線も検出してしまうので、妥当でない。
閉容器や筒状容器は炉芯管と同様の石英ガラスで形成す
るのが一般であるので、密閉容器や筒状容器内で加熱中
の試料や溶融帯の発する赤外線のうち波長5μm以上の
赤外線は、密閉容器や筒状容器で吸収され検出器に到達
できず、温度測定ができないという問題がある。その際
に、検出器として5μm以下の特定波長に感度を有する
ものを用いることも考えられるが、この場合には、熱光
源の発する赤外線も検出してしまうので、妥当でない。
【0021】本発明は、このような従来の問題に鑑みな
されたもので、その目的は、容器内で加熱溶融する試料
の温度を非接触で正確に計測できるイメージ炉を提供す
ることにある。
されたもので、その目的は、容器内で加熱溶融する試料
の温度を非接触で正確に計測できるイメージ炉を提供す
ることにある。
【0022】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明のイメージ炉は次の如き構成を有する。即
ち、本発明のイメージ炉は、炉内面が第1焦点と第2焦
点を有する回転楕円反射鏡で構成される炉内部に; 前
記第1焦点近傍に設けられるハロゲンランプ等の熱光源
と; 前記第2焦点近傍に設けられ前記熱光源の発する
赤外線で加熱される被加熱試料と; 前記被加熱試料を
収納すると共に、当該被加熱試料の発する赤外線を前記
第2焦点近傍に対応して炉壁に開けられた窓に導くT字
型炉芯管と; を設け、前記窓から炉外に射出される赤
外線を波長5μm以上の赤外線に感応する温度検出器に
導入して前記被加熱試料の温度を測定するイメージ炉に
おいて; 前記T字型炉芯管内に前記被加熱試料の温度
測定を阻害しないように内包すべく使用する管状の透明
容器は、波長5μm以上の赤外線を透過し且つ前記被加
熱試料の温度測定状態における高温に対する耐熱性と管
状として形成可能な加工性とを有する赤外線密部材とし
てのサファイアで構成される; ことを特徴とするもの
である。
め、本発明のイメージ炉は次の如き構成を有する。即
ち、本発明のイメージ炉は、炉内面が第1焦点と第2焦
点を有する回転楕円反射鏡で構成される炉内部に; 前
記第1焦点近傍に設けられるハロゲンランプ等の熱光源
と; 前記第2焦点近傍に設けられ前記熱光源の発する
赤外線で加熱される被加熱試料と; 前記被加熱試料を
収納すると共に、当該被加熱試料の発する赤外線を前記
第2焦点近傍に対応して炉壁に開けられた窓に導くT字
型炉芯管と; を設け、前記窓から炉外に射出される赤
外線を波長5μm以上の赤外線に感応する温度検出器に
導入して前記被加熱試料の温度を測定するイメージ炉に
おいて; 前記T字型炉芯管内に前記被加熱試料の温度
測定を阻害しないように内包すべく使用する管状の透明
容器は、波長5μm以上の赤外線を透過し且つ前記被加
熱試料の温度測定状態における高温に対する耐熱性と管
状として形成可能な加工性とを有する赤外線密部材とし
てのサファイアで構成される; ことを特徴とするもの
である。
【0023】
【作用】次に、前記の如くに構成される本発明のイメー
ジ炉の作用を説明する。本発明のイメージ炉では、T型
炉芯管内に被加熱試料を設定する密閉容器または筒状容
器である透明容器に、サファイア等の波長5μm以上の
赤外線をも透過する材料で形成したものを用いるように
してある。
ジ炉の作用を説明する。本発明のイメージ炉では、T型
炉芯管内に被加熱試料を設定する密閉容器または筒状容
器である透明容器に、サファイア等の波長5μm以上の
赤外線をも透過する材料で形成したものを用いるように
してある。
【0024】従って、人体に有毒なガスを発生する試料
であっても支障なく、密閉容器内で加熱溶融する試料の
温度を非接触で正確に計測できることになる。
であっても支障なく、密閉容器内で加熱溶融する試料の
温度を非接触で正確に計測できることになる。
【0025】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図1は、本発明の一実施例に係るイメージ炉を示
す。図3と同一構成部分には同一符号名称を付してあ
る。以下、本発明に係る部分を中心に説明する。
する。図1は、本発明の一実施例に係るイメージ炉を示
す。図3と同一構成部分には同一符号名称を付してあ
る。以下、本発明に係る部分を中心に説明する。
【0026】図1において、シャフトは下側3bのみと
し、この下側シャフト3bの先端に下側ホルダ4bを介
して透明容器12が取り付けられ、この透明容器12内
に被加熱試料(5a、5b)が固定配置される。
し、この下側シャフト3bの先端に下側ホルダ4bを介
して透明容器12が取り付けられ、この透明容器12内
に被加熱試料(5a、5b)が固定配置される。
【0027】透明容器12は、波長5μm以上の赤外線
をも透過できる材料、例えばサファイアからなり、被加
熱試料(5a、5b)を封入固定する密閉容器または被
加熱試料(5a、5b)を単に固定する端面開口の筒状
容器である。
をも透過できる材料、例えばサファイアからなり、被加
熱試料(5a、5b)を封入固定する密閉容器または被
加熱試料(5a、5b)を単に固定する端面開口の筒状
容器である。
【0028】斯くして、被加熱試料(5a、5b)及び
溶融帯6の発する波長5μm以上の赤外線は、支障なく
透明容器12を透過して検出器10bに到達できるの
で、透明容器12内で加熱溶融する試料の温度を被接触
で正確に測定できる。
溶融帯6の発する波長5μm以上の赤外線は、支障なく
透明容器12を透過して検出器10bに到達できるの
で、透明容器12内で加熱溶融する試料の温度を被接触
で正確に測定できる。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のイメージ
炉では、T型炉芯管内に被加熱試料を設定する密閉容器
または筒状容器である透明容器に、サファイア等の波長
5μm以上の赤外線をも透過する材料で形成したものを
用いるので、人体に有毒なガスを発生する試料であって
も支障なく、密閉容器内で加熱溶融する試料の温度を非
接触で正確に計測できる効果がある。また、試料を炉内
に挿入するシャフトを片側の1つのみとし、操作及び構
造の簡素化が図れる効果もある。
炉では、T型炉芯管内に被加熱試料を設定する密閉容器
または筒状容器である透明容器に、サファイア等の波長
5μm以上の赤外線をも透過する材料で形成したものを
用いるので、人体に有毒なガスを発生する試料であって
も支障なく、密閉容器内で加熱溶融する試料の温度を非
接触で正確に計測できる効果がある。また、試料を炉内
に挿入するシャフトを片側の1つのみとし、操作及び構
造の簡素化が図れる効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係るイメージ炉を示し、A
は横断面図、Bは縦断面図である。
は横断面図、Bは縦断面図である。
【図2】従来の単管の炉芯管を用いたイメージ炉を示
し、Aは横断面図、Bは縦断面図である。
し、Aは横断面図、Bは縦断面図である。
【図3】従来のT字型炉芯管を用いたイメージ炉を示
し、Aは横断面図、Bは縦断面図である。
し、Aは横断面図、Bは縦断面図である。
1a,1b 回転楕円反射鏡 2a,2b 熱光源 3b 下側シャフト 4b 下側試料ホルダ 5a 上側試料 5b 下側試料 6 溶融帯 7b T字型炉芯管 8 窓 9b 保護板 10b 検出器 12 透明容器
Claims (1)
- 【請求項1】 炉内面が第1焦点と第2焦点を有する回
転楕円反射鏡で構成される炉内部に; 前記第1焦点近
傍に設けられるハロゲンランプ等の熱光源と; 前記第
2焦点近傍に設けられ前記熱光源の発する赤外線で加熱
される被加熱試料と; 前記被加熱試料を収納すると共
に、当該被加熱試料の発する赤外線を前記第2焦点近傍
に対応して炉壁に開けられた窓に導くT字型炉芯管と;
を設け、前記窓から炉外に射出される赤外線を波長5μ
m以上の赤外線に感応する温度検出器に導入して前記被
加熱試料の温度を測定するイメージ炉において;前記T
字型炉芯管内に前記被加熱試料の温度測定を阻害しない
ように内包すべく使用する管状の透明容器は、波長5μ
m以上の赤外線を透過し且つ前記被加熱試料の温度測定
状態における高温に対する耐熱性と管状として形成可能
な加工性とを有する赤外線密部材としてのサファイアで
構成される; ことを特徴とするイメージ炉。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5136462A JP2601137B2 (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | イメージ炉 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5136462A JP2601137B2 (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | イメージ炉 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06321676A JPH06321676A (ja) | 1994-11-22 |
JP2601137B2 true JP2601137B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=15175683
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5136462A Expired - Lifetime JP2601137B2 (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | イメージ炉 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2601137B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011037640A (ja) * | 2009-08-06 | 2011-02-24 | Canon Machinery Inc | 単結晶育成装置及び単結晶育成方法 |
KR101107113B1 (ko) * | 2009-10-13 | 2012-01-30 | 한국원자력연구원 | 수직형 열전도도 시험기용 시편 추락 방지를 위한 투명 시편 지지대 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0333561Y2 (ja) * | 1985-07-01 | 1991-07-16 | ||
JP2826176B2 (ja) * | 1989-08-31 | 1998-11-18 | ニチデン機械株式会社 | 単結晶製造装置 |
-
1993
- 1993-05-14 JP JP5136462A patent/JP2601137B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06321676A (ja) | 1994-11-22 |
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