JP2576531B2 - ハイブリッドｉｃ - Google Patents
ハイブリッドｉｃInfo
- Publication number
- JP2576531B2 JP2576531B2 JP62258964A JP25896487A JP2576531B2 JP 2576531 B2 JP2576531 B2 JP 2576531B2 JP 62258964 A JP62258964 A JP 62258964A JP 25896487 A JP25896487 A JP 25896487A JP 2576531 B2 JP2576531 B2 JP 2576531B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- terminal
- hybrid
- substrate
- burrs
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は複数の回路素子を有したハイブリッドICに関
し、特にIC基板本体に接合される外部接続用の端子の接
合方法の改良に関する。
し、特にIC基板本体に接合される外部接続用の端子の接
合方法の改良に関する。
［従来の技術］ 安定した性能が要求される特殊な用途に複数の回路素
子からなるICを使用する場合には、汎用品と比べてその
生産数が少なくなるため、一般にハイブリッドICが使用
されている。このハイブリッドICでは、例えばセラミッ
ク等で形成された基板上にトランジスタやダイオード等
の半導体チップを組込むことができるため、大電力用の
目的にも使用されている。そして、こうした半導体チッ
プを有したハイブリッドICでは、電気接続用に鉄や銅な
どで形成された端子は、IC基板本体に設けられた導体性
の電極部分にはんだ付けにより接合され、このとき電極
部分に面する端子の接合面は単純な平面形状に加工され
ている。
子からなるICを使用する場合には、汎用品と比べてその
生産数が少なくなるため、一般にハイブリッドICが使用
されている。このハイブリッドICでは、例えばセラミッ
ク等で形成された基板上にトランジスタやダイオード等
の半導体チップを組込むことができるため、大電力用の
目的にも使用されている。そして、こうした半導体チッ
プを有したハイブリッドICでは、電気接続用に鉄や銅な
どで形成された端子は、IC基板本体に設けられた導体性
の電極部分にはんだ付けにより接合され、このとき電極
部分に面する端子の接合面は単純な平面形状に加工され
ている。
［発明が解決しようとする問題点］ このような大電力用の目的に使用するハイブリッドIC
では、各半導体チップからの発熱量が多くなり、IC基板
本体の加熱および放熱のサイクルと、端子の加熱および
放熱のサイクルとがそれぞれの材料によって異なり、し
かも熱膨張率が異なるため、それぞれの材料の熱膨張率
の違いによりIC基板本体と端子との間の接合部のはんだ
に歪みが発生する。こうした接合部の歪みによる応力
は、通常でははんだ層によって吸収される。しかし、経
年変化を考えた場合には、端子の接合面が単純な平面形
状に加工されているため接合面のはんだ層が薄く、はん
だ量が少ないことから、このはんだ面だけでは歪みを吸
収しきれない場合が考えられ、十分な寿命を得にくいと
いう問題点がある。
では、各半導体チップからの発熱量が多くなり、IC基板
本体の加熱および放熱のサイクルと、端子の加熱および
放熱のサイクルとがそれぞれの材料によって異なり、し
かも熱膨張率が異なるため、それぞれの材料の熱膨張率
の違いによりIC基板本体と端子との間の接合部のはんだ
に歪みが発生する。こうした接合部の歪みによる応力
は、通常でははんだ層によって吸収される。しかし、経
年変化を考えた場合には、端子の接合面が単純な平面形
状に加工されているため接合面のはんだ層が薄く、はん
だ量が少ないことから、このはんだ面だけでは歪みを吸
収しきれない場合が考えられ、十分な寿命を得にくいと
いう問題点がある。
本発明は、端子と基板との接合を長期間に亙って維持
することができるハイブリッドICを提供することを目的
とする。
することができるハイブリッドICを提供することを目的
とする。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は、基板に集積回路を固着し、その電極に、該
電極に接合される接合部と、該接合部から立ち上がった
立ち上がり部とを有する電気接続用の金属板製の端子を
はんだ付けしてなるハイブリッドICにおいて、前記端子
は、少なくとも前記接合部の縁に製造工程時に生じた前
記電極側に突出したばりを有し、前記接合部は、前記ば
りの前記電極との当接により前記電極の接合面と適度の
間隔を有して配され、前記接合部と前記電極との間の前
記間隙にはんだの層を有して固着されたことを技術的手
段とする。
電極に接合される接合部と、該接合部から立ち上がった
立ち上がり部とを有する電気接続用の金属板製の端子を
はんだ付けしてなるハイブリッドICにおいて、前記端子
は、少なくとも前記接合部の縁に製造工程時に生じた前
記電極側に突出したばりを有し、前記接合部は、前記ば
りの前記電極との当接により前記電極の接合面と適度の
間隔を有して配され、前記接合部と前記電極との間の前
記間隙にはんだの層を有して固着されたことを技術的手
段とする。
［作用］ 本発明のハイブリッドICでは、端子の電極との接合部
には製造工程時に生じたばりがあり、端子と電極とを接
合するときには、このばりは基板に設けられた電極側に
向けられる。そして端子と電極とはばりにより適度の間
隔で配され、その間には端子のばりによる空間ができる
ため、はんだ付けにより接合されるときこの空間にはん
だが充満する。従って、端子と電極とはその接合面に厚
いはんだ層を有して接合される。
には製造工程時に生じたばりがあり、端子と電極とを接
合するときには、このばりは基板に設けられた電極側に
向けられる。そして端子と電極とはばりにより適度の間
隔で配され、その間には端子のばりによる空間ができる
ため、はんだ付けにより接合されるときこの空間にはん
だが充満する。従って、端子と電極とはその接合面に厚
いはんだ層を有して接合される。
［発明の効果］ 本発明では、端子の電極との接合部にはばりがあるた
め、単純な平面形状に加工された端子を基板に接合する
場合と比較して厚いはんだ層を有する。従って、基板の
熱膨張と端子の熱膨張とが異なっていても、接合面の歪
みははんだ層によって吸収されるため、長期間に亙って
端子を基板に接合させることができる。また、端子と電
極との間にはんだ層を厚くするための間隙を設けるため
に、製造工程時に生じたばりを利用しているため、端子
の切断形成時に、ばりが電極側に突出するように処理を
行うだけでよく、製造が容易である。特に、微細部品と
しての端子では、はんだ層のための間隙を設けるために
ばり以外の別途加工を加えることは、大きな困難を伴
い、特に、金属板の厚みにより制限を受けやすいが、本
発明のように、ばりを利用する場合には、端子の切断形
成時などに生じるばりをそのまま利用できるため、大幅
に製造工程の負担が小さくなり、安価にすることができ
る。
め、単純な平面形状に加工された端子を基板に接合する
場合と比較して厚いはんだ層を有する。従って、基板の
熱膨張と端子の熱膨張とが異なっていても、接合面の歪
みははんだ層によって吸収されるため、長期間に亙って
端子を基板に接合させることができる。また、端子と電
極との間にはんだ層を厚くするための間隙を設けるため
に、製造工程時に生じたばりを利用しているため、端子
の切断形成時に、ばりが電極側に突出するように処理を
行うだけでよく、製造が容易である。特に、微細部品と
しての端子では、はんだ層のための間隙を設けるために
ばり以外の別途加工を加えることは、大きな困難を伴
い、特に、金属板の厚みにより制限を受けやすいが、本
発明のように、ばりを利用する場合には、端子の切断形
成時などに生じるばりをそのまま利用できるため、大幅
に製造工程の負担が小さくなり、安価にすることができ
る。
［実施例］ 次に本発明のハイブリッドIC10を図面に示す実施例に
基づき説明する。
基づき説明する。
このハイブリッドIC10は、第１図に示すように、基板
（サブストレート）11上に設けられた導体パターン12
と、図示しない抵抗体パターン、IC、トランジスタ、ダ
イオード、コンデンサ等のチップとリード端子13から構
成される。
（サブストレート）11上に設けられた導体パターン12
と、図示しない抵抗体パターン、IC、トランジスタ、ダ
イオード、コンデンサ等のチップとリード端子13から構
成される。
基板11は所定の寸法および形状に形成された絶縁性の
アルミナ等のセラミック製であり、その表面にはパラジ
ウムなどの導体パターン12が印刷焼成され、さらに抵抗
体パターンが印刷焼成されている。このように焼成され
た導体パターン12の末端は、例えば、外部回路等との電
気接続のための電極部分12aになっており、電極部分12a
は各導体パターン12毎に必要に応じた数が設けられてい
る。
アルミナ等のセラミック製であり、その表面にはパラジ
ウムなどの導体パターン12が印刷焼成され、さらに抵抗
体パターンが印刷焼成されている。このように焼成され
た導体パターン12の末端は、例えば、外部回路等との電
気接続のための電極部分12aになっており、電極部分12a
は各導体パターン12毎に必要に応じた数が設けられてい
る。
電極部分12aには、リード線やプリント配線基板と接
続するために、断面形状がＬ字形のリード端子13が設け
られる。このリード端子13は本発明の端子で、鉄製ある
いは銅製の材料が始めに切断により平板状に形成され、
その後折曲げ形成されたものである。リード端子13は、
電極部分12aと平行に配される接合部と、この接合部か
ら基板面と垂直に立ち上がった立ち上がり部とを有して
おり、その接合部の電極部分12aとの接合面側に、第２
図に示すように、製造過程でリード端子13を切断形成す
る際に生じたばり部13aが残されている。ばり部13aは基
板11上の電極部分12aとの間に適度の間隔を生じさせる
ために残されたもので、このばり部13aを備えたリード
端子13は、他の抵抗体パターン、IC、トランジスタ、ダ
イオード、コンデンサ等のチップとともに基板11の所定
位置に配置され、それぞれはんだ14によって接合されて
集積回路が形成されている。
続するために、断面形状がＬ字形のリード端子13が設け
られる。このリード端子13は本発明の端子で、鉄製ある
いは銅製の材料が始めに切断により平板状に形成され、
その後折曲げ形成されたものである。リード端子13は、
電極部分12aと平行に配される接合部と、この接合部か
ら基板面と垂直に立ち上がった立ち上がり部とを有して
おり、その接合部の電極部分12aとの接合面側に、第２
図に示すように、製造過程でリード端子13を切断形成す
る際に生じたばり部13aが残されている。ばり部13aは基
板11上の電極部分12aとの間に適度の間隔を生じさせる
ために残されたもので、このばり部13aを備えたリード
端子13は、他の抵抗体パターン、IC、トランジスタ、ダ
イオード、コンデンサ等のチップとともに基板11の所定
位置に配置され、それぞれはんだ14によって接合されて
集積回路が形成されている。
以上の構成からなる本発明のハイブリッドIC10では、
リード端子13は次のように基板11に接合される。
リード端子13は次のように基板11に接合される。
導体パターン12の末端の電極部分12aにそれぞれリー
ド端子13が配置され、基板11とともに加熱される。する
と、あらかじめ電極部分12aに設けられたボンディング
用のはんだ14が融解し、このはんだ14によって接合され
る。
ド端子13が配置され、基板11とともに加熱される。する
と、あらかじめ電極部分12aに設けられたボンディング
用のはんだ14が融解し、このはんだ14によって接合され
る。
この接合の際、リード端子13と電極部分12aとの間に
は、ばり部13aによって生じた空間があり、リード端子1
3は導体パターン12とに適度の間隔で配置されているた
め、リード端子13と電極部分12aとは、ばり部13aがない
場合と比較して多くのはんだ14で接合される。従って、
リード端子13と電極部分12aとの間には、ばり部13aがな
い場合と比較して厚いはんだ14層が形成される。
は、ばり部13aによって生じた空間があり、リード端子1
3は導体パターン12とに適度の間隔で配置されているた
め、リード端子13と電極部分12aとは、ばり部13aがない
場合と比較して多くのはんだ14で接合される。従って、
リード端子13と電極部分12aとの間には、ばり部13aがな
い場合と比較して厚いはんだ14層が形成される。
以上のとおり、本発明のハイブリッドIC10では、例え
ば、外部回路等と接続されるリード端子13は、従来と比
較して厚いはんだ14層で基板11の電極部分12aに接合さ
れるため、基板11とリード端子13との間に歪みが生じた
場合にも、このはんだ14層によって歪みが吸収される。
従ってICの発熱等により膨張等を繰返しても、リード端
子は長い期間に亙って安定して基板上に接合される。
ば、外部回路等と接続されるリード端子13は、従来と比
較して厚いはんだ14層で基板11の電極部分12aに接合さ
れるため、基板11とリード端子13との間に歪みが生じた
場合にも、このはんだ14層によって歪みが吸収される。
従ってICの発熱等により膨張等を繰返しても、リード端
子は長い期間に亙って安定して基板上に接合される。
本実施例では、リード端子にＬ字形のものを使用した
が、リード端子は、第３図および第４図に示すようにさ
らに安定性を良くするために接合部に貫通孔13bや切り
欠き孔13cを備えた形状のものでも接合面にばり部があ
れば同様な効果を奏することができる。
が、リード端子は、第３図および第４図に示すようにさ
らに安定性を良くするために接合部に貫通孔13bや切り
欠き孔13cを備えた形状のものでも接合面にばり部があ
れば同様な効果を奏することができる。
第１図は本発明のハイブリッドICの実施例を示す部分斜
視図、第２図は第１図Ａ−Ｂ間の断面図、第３図、第４
図は本発明のリード端子の他の実施例を示す斜視図であ
る。 図中、10……ハイブリッドIC、11……基板、12a……電
極部分、13……リード端子、13a……ばり部、14……は
んだ。
視図、第２図は第１図Ａ−Ｂ間の断面図、第３図、第４
図は本発明のリード端子の他の実施例を示す斜視図であ
る。 図中、10……ハイブリッドIC、11……基板、12a……電
極部分、13……リード端子、13a……ばり部、14……は
んだ。
Claims (1)
- 【請求項１】基板に集積回路を固着し、その電極に、該
電極に接合される接合部と、該接合部から立ち上がった
立ち上がり部とを有する電気接続用の金属板製の端子を
はんだ付けしてなるハイブリッドICにおいて、 前記端子は、少なくとも前記接合部の縁に製造工程時に
生じた前記電極側に突出したばりを有し、 前記接合部は、前記ばりの前記電極との当接により前記
電極の接合面と適度の間隔を有して配され、前記接合部
と前記電極との間の前記間隙にはんだの層を有して固着
されたことを特徴とするハイブリッドIC。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62258964A JP2576531B2 (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | ハイブリッドｉｃ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62258964A JP2576531B2 (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | ハイブリッドｉｃ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01100957A JPH01100957A (ja) | 1989-04-19 |
| JP2576531B2 true JP2576531B2 (ja) | 1997-01-29 |
Family
ID=17327467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62258964A Expired - Lifetime JP2576531B2 (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | ハイブリッドｉｃ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2576531B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110892526B (zh) | 2017-10-26 | 2023-09-15 | 新电元工业株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
| US11309232B2 (en) | 2017-10-26 | 2022-04-19 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device |
| EP3703119B1 (en) | 2017-10-26 | 2022-06-08 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62226648A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-05 | Hitachi Ltd | リ−ドフレ−ム |
-
1987
- 1987-10-14 JP JP62258964A patent/JP2576531B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01100957A (ja) | 1989-04-19 |
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