JP2572430B2 - 基体の表面に金属を局部的に設ける方法 - Google Patents
基体の表面に金属を局部的に設ける方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、基体の表面に電気触媒像（electro cataly
tic image）を設け、この像を無電解金属めっき液と接
触させ、および無電解法で強化する、基体の表面に金属
を局部的に設ける方法に関する。電気触媒像は、基体表
面が上記めっき液と接触する場合に、金属めっき液から
金属を分離できる基体表面の部分を意味するものと理解
すべきである。また、「電気触媒像を無電解法で強化す
る」とは、基体を無電解金属メッキ液と接触させて、基
体の表面に、電気触媒像に基づいて金属を局部的に設け
ることを意味している。
tic image）を設け、この像を無電解金属めっき液と接
触させ、および無電解法で強化する、基体の表面に金属
を局部的に設ける方法に関する。電気触媒像は、基体表
面が上記めっき液と接触する場合に、金属めっき液から
金属を分離できる基体表面の部分を意味するものと理解
すべきである。また、「電気触媒像を無電解法で強化す
る」とは、基体を無電解金属メッキ液と接触させて、基
体の表面に、電気触媒像に基づいて金属を局部的に設け
ることを意味している。
像は多くの手段で設けることができる。例えば、電気
触媒化合物（electrocatalytic compound）を表面上に
局部的に設けることができ、または電気触媒作用が局部
的に得られるように基体をその表面において局部的に転
化することができる。珪素の基体の場合には、例えば適
当な金属による局部珪化（local silicidation）によっ
て達成することができる。また、基体の全表面にわたっ
て電気触媒像の形成が可能な基体を、マスキング層によ
って局部的に被覆して、電気触媒像を設けることができ
る。
触媒化合物（electrocatalytic compound）を表面上に
局部的に設けることができ、または電気触媒作用が局部
的に得られるように基体をその表面において局部的に転
化することができる。珪素の基体の場合には、例えば適
当な金属による局部珪化（local silicidation）によっ
て達成することができる。また、基体の全表面にわたっ
て電気触媒像の形成が可能な基体を、マスキング層によ
って局部的に被覆して、電気触媒像を設けることができ
る。
ミクロ電子回路を製造する間に使用されるマスクは、
一般的には透明基板を備えており、透明基板の上に、不
透明なパターン化された金属層が形成されている。しか
し、こうしたフォトリソグラフィーマスクを製造する間
に、マスクの金属層中に欠陥が発生することがある。こ
れらの欠陥は、透明な欠陥と不透明な欠陥とに区別する
ことができ、製造したマスクに対して高い廃棄割合をも
たらす。所定領域で金属層の一部分が損傷することは、
透明は欠陥になることを意味する。所定領域で、金属が
基板上に存在しているが、しかし金属がそこには存在し
ていてはならないという場合には、不透明な欠陥になる
ことを意味する。クレームの前文に記載されている方法
は、フォトリソグラフィーマスクの透明は欠陥を再生す
るのに、特に適している。
一般的には透明基板を備えており、透明基板の上に、不
透明なパターン化された金属層が形成されている。しか
し、こうしたフォトリソグラフィーマスクを製造する間
に、マスクの金属層中に欠陥が発生することがある。こ
れらの欠陥は、透明な欠陥と不透明な欠陥とに区別する
ことができ、製造したマスクに対して高い廃棄割合をも
たらす。所定領域で金属層の一部分が損傷することは、
透明は欠陥になることを意味する。所定領域で、金属が
基板上に存在しているが、しかし金属がそこには存在し
ていてはならないという場合には、不透明な欠陥になる
ことを意味する。クレームの前文に記載されている方法
は、フォトリソグラフィーマスクの透明は欠陥を再生す
るのに、特に適している。
また、本発明は半導体装置に金属針配線（metal wiri
ng）するのに、および例えば多層金属化に相互連結を形
成するために、接触孔に金属を充填するのに適当であ
る。
ng）するのに、および例えば多層金属化に相互連結を形
成するために、接触孔に金属を充填するのに適当であ
る。
本明細書の前文に記載するタイプの方法は米国特許第
4,426,442号明細書に記載されている。この方法では、
電気触媒化合物を基板の表面に局部的に形成することに
よって、表面に像を設けるようにしている。この目的の
ために、基体の表面に感光性化合物、例えば酸化チタン
または酸化亜鉛を設け、この感光性化合物は、露光の後
に、この金属を核の形態で、金属イオンの溶液から分離
させうるものである。電気触媒像をこの表面に設けるに
は、例えば銅および金イオンのような金属イオンの溶液
に基体を浸漬し、集中レーザービームを、所定のパター
ンに従って露光する。この結果として、感光性化合物を
与えられたパターンに従って活性化し、金属イオンを金
属核の形態で表面上に堆積している。次いで、この金属
核を無電解法で強化している（strongthened）。この場
合、表面を無電解金属めっき液と接触させる。与えられ
た場合には、また、金属めっき液を用いてこれから金属
核を堆積することができる。例えば、全処理において、
シアン化カリウム金（Ｉ）、エチレンジアミノ−テトラ
酢酸の硫酸、銅テトラ−Na−塩、水酸化ナトリウムおよ
びホルムアルデヒドからなる溶液を用いることができ
る。
4,426,442号明細書に記載されている。この方法では、
電気触媒化合物を基板の表面に局部的に形成することに
よって、表面に像を設けるようにしている。この目的の
ために、基体の表面に感光性化合物、例えば酸化チタン
または酸化亜鉛を設け、この感光性化合物は、露光の後
に、この金属を核の形態で、金属イオンの溶液から分離
させうるものである。電気触媒像をこの表面に設けるに
は、例えば銅および金イオンのような金属イオンの溶液
に基体を浸漬し、集中レーザービームを、所定のパター
ンに従って露光する。この結果として、感光性化合物を
与えられたパターンに従って活性化し、金属イオンを金
属核の形態で表面上に堆積している。次いで、この金属
核を無電解法で強化している（strongthened）。この場
合、表面を無電解金属めっき液と接触させる。与えられ
た場合には、また、金属めっき液を用いてこれから金属
核を堆積することができる。例えば、全処理において、
シアン化カリウム金（Ｉ）、エチレンジアミノ−テトラ
酢酸の硫酸、銅テトラ−Na−塩、水酸化ナトリウムおよ
びホルムアルデヒドからなる溶液を用いることができ
る。
既知の方法は、10μｍ以下の大きさの金属像を基体上
に堆積するのに満足するものでないことを確かめた。し
かしながら、半導体回路の製造において、現在でも、マ
スクは用いられているが、数マイクロメートルの直径の
透明欠陥は許容されていない。一般に、半導体技術にお
いては、サブミクロンの金属像を設ける必要がある。こ
の必要性は、徐々に進行している半導体回路素子の小型
化によって高められている。
に堆積するのに満足するものでないことを確かめた。し
かしながら、半導体回路の製造において、現在でも、マ
スクは用いられているが、数マイクロメートルの直径の
透明欠陥は許容されていない。一般に、半導体技術にお
いては、サブミクロンの金属像を設ける必要がある。こ
の必要性は、徐々に進行している半導体回路素子の小型
化によって高められている。
本発明の目的は、25μｍ以下、特に10μｍ以下の金属
像を基体表面上に設けるとことができる方法を提供する
ことである。
像を基体表面上に設けるとことができる方法を提供する
ことである。
本発明は、上記目的を達成するために、本明細書の前
文に記載する方法において、表面を、酸素の還元を抑制
する（counteracted）無電解金属めっき液と接触させる
ことを特徴とする。
文に記載する方法において、表面を、酸素の還元を抑制
する（counteracted）無電解金属めっき液と接触させる
ことを特徴とする。
一般に、無電解金属めっき液は金属塩および還元剤の
溶液である。還元剤が酸化するために、与えらえた活性
化エネルギーに打ち勝つようにする必要がある。電気触
媒表面は、かかる活性化エネルギーに打ち勝つことがで
きるようにする。
溶液である。還元剤が酸化するために、与えらえた活性
化エネルギーに打ち勝つようにする必要がある。電気触
媒表面は、かかる活性化エネルギーに打ち勝つことがで
きるようにする。
還元剤が酸化される場合には、電子を遊離する。更
に、これらの電子はめっき液からの金属イオンを金属に
還元し、次いで金属に堆積する。しかしながら、還元剤
の酸化は自発的に生じない。この酸化は表面において完
全剤についての電気触媒作用を生ずるだけである。基体
を金属めっき液に浸漬する場合には、金属を基体表面に
電気触媒像を設ける区域にだけ堆積する。このために、
この像を金属めっき液からの金属で強化する。
に、これらの電子はめっき液からの金属イオンを金属に
還元し、次いで金属に堆積する。しかしながら、還元剤
の酸化は自発的に生じない。この酸化は表面において完
全剤についての電気触媒作用を生ずるだけである。基体
を金属めっき液に浸漬する場合には、金属を基体表面に
電気触媒像を設ける区域にだけ堆積する。このために、
この像を金属めっき液からの金属で強化する。
しかしながら、酸素が金属めっき液に存在する場合に
は、競争反応を生ずる。事実、めっき液に存在する酸素
は金属イオンよりも電子により還元されやすく、このた
め両者が存在する場合には酸素の還元だけが生ずる。
は、競争反応を生ずる。事実、めっき液に存在する酸素
は金属イオンよりも電子により還元されやすく、このた
め両者が存在する場合には酸素の還元だけが生ずる。
大きい像の場合には、酸素のこの競争還元は、触媒表
面が十分に大きいために、重要な役割を演ずることがな
く、それ故、また発生する電子の数はこの表面の近くに
存在する酸素を消耗するのに十分な大きさになる。なお
十分な数の電子が金属イオンの還元のために除去され
る。
面が十分に大きいために、重要な役割を演ずることがな
く、それ故、また発生する電子の数はこの表面の近くに
存在する酸素を消耗するのに十分な大きさになる。なお
十分な数の電子が金属イオンの還元のために除去され
る。
しかしながら、小さい像の場合には、上述する大きい
像の場合と状況が異なる。第１の場合においては、相当
するわずかな数の電子を発生するが、しかし上述する酸
素の競争還元が比較的に大きい。
像の場合と状況が異なる。第１の場合においては、相当
するわずかな数の電子を発生するが、しかし上述する酸
素の競争還元が比較的に大きい。
酸素が還元される場合には、像の近くの酸素濃度は減
少する。この結果、めっき液の更に遠い部分から像への
酸素の拡散が生ずる。像への酸素の拡散流れ密度は像の
表面に対して逆比例する。この事は、小さい金属像の場
合には、比較的に多量の酸素が存在することを意味す
る。このために、上述するわずかな数の発生電子は多量
の酸素を十分に還元するのに小さい金属像では不十分に
なる。すべての発生電子は存在する酸素によって消費さ
れ、金属イオンの還元は生じないか、または殆ど生じな
い。このために、金属像の大きさを与えられた値以下に
する場合には、既知の方法によって金属像を得ることが
できない。この値は実験的に約10μｍになる。
少する。この結果、めっき液の更に遠い部分から像への
酸素の拡散が生ずる。像への酸素の拡散流れ密度は像の
表面に対して逆比例する。この事は、小さい金属像の場
合には、比較的に多量の酸素が存在することを意味す
る。このために、上述するわずかな数の発生電子は多量
の酸素を十分に還元するのに小さい金属像では不十分に
なる。すべての発生電子は存在する酸素によって消費さ
れ、金属イオンの還元は生じないか、または殆ど生じな
い。このために、金属像の大きさを与えられた値以下に
する場合には、既知の方法によって金属像を得ることが
できない。この値は実験的に約10μｍになる。
しかしながら、本発明における金属めっき液において
は、酸素の還元が妨げられ、還元剤により発生する殆ど
すべての電子を金属イオンの還元に用いることができ
る。電気触媒像の大きさに関係なく、金属イオンを金属
に還元するのに利用される十分な数の電子が存在し、金
属を像の区域に堆積する。実際上、１μｍおよびこれよ
り小さい直径を有する電気触媒像を、首尾よく強化する
ことができる。
は、酸素の還元が妨げられ、還元剤により発生する殆ど
すべての電子を金属イオンの還元に用いることができ
る。電気触媒像の大きさに関係なく、金属イオンを金属
に還元するのに利用される十分な数の電子が存在し、金
属を像の区域に堆積する。実際上、１μｍおよびこれよ
り小さい直径を有する電気触媒像を、首尾よく強化する
ことができる。
酸素の還元は、酸素を金属めっき液から駆出すること
によって、妨げることができる。本発明の１例において
は、不活性ガスをめっき液に通すことにより行うことが
できる。めっき液において、規定量のガスを溶解するこ
とができる。不活性ガスをめっき液に通す場合には、液
はかかるガスにより飽和し、酸素を残留しないようにす
る。
によって、妨げることができる。本発明の１例において
は、不活性ガスをめっき液に通すことにより行うことが
できる。めっき液において、規定量のガスを溶解するこ
とができる。不活性ガスをめっき液に通す場合には、液
はかかるガスにより飽和し、酸素を残留しないようにす
る。
本発明の他の例においては、核の無電解的強化を高温
で行い、酸素の還元を抑制することができる。この方法
の効果は相互的であり、第１の場合には、温度の上昇に
つれて、少量のガスを液に溶解することができる。温度
の上昇によって、酸素が液から排出される。しかしなが
ら、第２の場合には、液に存在する還元剤の酸化が温度
の上昇につれて速やかになる。酸化の速度は温度の上昇
によって指数関数的に増加する。この結果、著しく多い
数の電子が還元温度より高い温度で生ずる。この数は高
い温度で存在する酸素を排出するのに十分であり、この
ために、また金属イオンを金属に還元でき、次いでこの
金属を核上に堆積する。また、酸素の還元は速やかに行
われるが、しかし還元の速度が温度の低下に影響するた
めに、および上述するように酸素の液への溶解が温度の
上昇によって少なくなるために、やはり還元が温度の上
昇によって比較的に妨げられる。
で行い、酸素の還元を抑制することができる。この方法
の効果は相互的であり、第１の場合には、温度の上昇に
つれて、少量のガスを液に溶解することができる。温度
の上昇によって、酸素が液から排出される。しかしなが
ら、第２の場合には、液に存在する還元剤の酸化が温度
の上昇につれて速やかになる。酸化の速度は温度の上昇
によって指数関数的に増加する。この結果、著しく多い
数の電子が還元温度より高い温度で生ずる。この数は高
い温度で存在する酸素を排出するのに十分であり、この
ために、また金属イオンを金属に還元でき、次いでこの
金属を核上に堆積する。また、酸素の還元は速やかに行
われるが、しかし還元の速度が温度の低下に影響するた
めに、および上述するように酸素の液への溶解が温度の
上昇によって少なくなるために、やはり還元が温度の上
昇によって比較的に妨げられる。
本発明の特定例では、酸素の還元を抑制するように、
金属めっき液を構成し、これによって酸素の還元が実質
的に生じないようにする。例えば、ニッケル含有金属め
っき液における酸素の還元は、液の酸性度に著しく影響
されることを確かめた。還元はアルカリ雰囲気において
満足に生ずることを確かめた。このために、金属めっき
液を酸性にすることにより、還元を著しく抑制すること
ができる。しかしながら、還元剤の酸化および金属イオ
ンの還元は酸性雰囲気により悪影響を受けない。
金属めっき液を構成し、これによって酸素の還元が実質
的に生じないようにする。例えば、ニッケル含有金属め
っき液における酸素の還元は、液の酸性度に著しく影響
されることを確かめた。還元はアルカリ雰囲気において
満足に生ずることを確かめた。このために、金属めっき
液を酸性にすることにより、還元を著しく抑制すること
ができる。しかしながら、還元剤の酸化および金属イオ
ンの還元は酸性雰囲気により悪影響を受けない。
本発明の方法の他の例では、金属めっき液を表面に薄
膜の形態で設けるようにする。上述するように、小さい
金属像の堆積は、この小さい金属像への酸素の比較的に
大きい拡散流によっては特に困難である。通常云われて
いるように、金属像は球面拡散フィールドによって囲ま
れ、この拡散内で像を生ずる。小さい金属像の場合で
は、この拡散フィールドが像自体より著しく大きい。薄
膜の形態の液を表面と接触する場合には、この拡散フィ
ールドを平坦にする。この事は、例えば、液を表面に滴
の形態で設け、次いで覆いガラス、箔またはフィルムで
おおい、この結果として滴は薄膜に押圧される。この結
果、拡散フィールドが大きく還元され、この結果酸素の
拡散が強く抑制される。勿論、還元剤および金属イオン
の拡散も、この方法で抑制されるが、しかし両者が酸素
より著しい濃度で液中に存在するために、これらは妨げ
られない。
膜の形態で設けるようにする。上述するように、小さい
金属像の堆積は、この小さい金属像への酸素の比較的に
大きい拡散流によっては特に困難である。通常云われて
いるように、金属像は球面拡散フィールドによって囲ま
れ、この拡散内で像を生ずる。小さい金属像の場合で
は、この拡散フィールドが像自体より著しく大きい。薄
膜の形態の液を表面と接触する場合には、この拡散フィ
ールドを平坦にする。この事は、例えば、液を表面に滴
の形態で設け、次いで覆いガラス、箔またはフィルムで
おおい、この結果として滴は薄膜に押圧される。この結
果、拡散フィールドが大きく還元され、この結果酸素の
拡散が強く抑制される。勿論、還元剤および金属イオン
の拡散も、この方法で抑制されるが、しかし両者が酸素
より著しい濃度で液中に存在するために、これらは妨げ
られない。
次に、本発明を二三の実施例に基づいて説明する。こ
れらの、すべての例において、感光性酸化チタン層で表
面を被覆した石英基体を出発材料として用いた。
れらの、すべての例において、感光性酸化チタン層で表
面を被覆した石英基体を出発材料として用いた。
比較例 上記基体を約5.6×10-3MのPdCl1、1.2×10-1MのHClお
よび0.4重量％のテンサゲクスDP−24（Tensagex DP−2
4）からなる塩化パラジウム溶液に浸漬した。次いで、
感光性酸化チタン層を集中レーザー ビームに露光し、
この結果としてパラジウムを表面上、レーザー スポッ
トの区域にだけ核の形態で堆積させた。これらのパラジ
ウム核は、無電解法によって強化される電気触媒像を形
成した。電気触媒像の大きさをレーザー スポットの直
径によって定めた。例えば5mWのパワーを有するAr+UVレ
ーザーから生ずる10μｍのスポットに集束したビームで
４秒間にわたり露光した場合には、８μｍ直径を有する
パラジウム核の電気触媒像を得た。このために、約0.5
〜40μｍの範囲の直径を有する電気触媒像を基体上に形
成した。
よび0.4重量％のテンサゲクスDP−24（Tensagex DP−2
4）からなる塩化パラジウム溶液に浸漬した。次いで、
感光性酸化チタン層を集中レーザー ビームに露光し、
この結果としてパラジウムを表面上、レーザー スポッ
トの区域にだけ核の形態で堆積させた。これらのパラジ
ウム核は、無電解法によって強化される電気触媒像を形
成した。電気触媒像の大きさをレーザー スポットの直
径によって定めた。例えば5mWのパワーを有するAr+UVレ
ーザーから生ずる10μｍのスポットに集束したビームで
４秒間にわたり露光した場合には、８μｍ直径を有する
パラジウム核の電気触媒像を得た。このために、約0.5
〜40μｍの範囲の直径を有する電気触媒像を基体上に形
成した。
この基体を脱イオン水で十分にゆすいだ後、基体を１
当り約30gのNiCl2・6H2O、10gのNaH2PO2・H2Oおよび3
0gのグリシンを含有する無電解金属めっき液に浸した。
パラジウム核はこの液に対して電気触媒作用した。約15
分後、基体を液から取出し、脱イオン水でゆすぎ、顕微
鏡で分析した。25μｍ直径の電気触媒像がニッケルによ
り著しく強化され、しかも小さい像がニッケル堆積を少
しも示さないことを確かめた。
当り約30gのNiCl2・6H2O、10gのNaH2PO2・H2Oおよび3
0gのグリシンを含有する無電解金属めっき液に浸した。
パラジウム核はこの液に対して電気触媒作用した。約15
分後、基体を液から取出し、脱イオン水でゆすぎ、顕微
鏡で分析した。25μｍ直径の電気触媒像がニッケルによ
り著しく強化され、しかも小さい像がニッケル堆積を少
しも示さないことを確かめた。
実施例Ｉ 本例では、基体を上述する比較例に記載すると同様に
処理したが、しかし基体を金属めっき液に浸漬する前
に、液から酸素を駆出するために、窒素ガスを液に数時
間にわたって通した。周囲空気からの酸素がめっき液に
再び浸透するのを避けるために、全処理を閉鎖系で行っ
た。基体の分析の結果、ニッケルが25μｍおよびこれ以
上の直径の電気触媒像に堆積したと共に、１〜25μｍの
範囲の直径の像に堆積したことを確かめた。
処理したが、しかし基体を金属めっき液に浸漬する前
に、液から酸素を駆出するために、窒素ガスを液に数時
間にわたって通した。周囲空気からの酸素がめっき液に
再び浸透するのを避けるために、全処理を閉鎖系で行っ
た。基体の分析の結果、ニッケルが25μｍおよびこれ以
上の直径の電気触媒像に堆積したと共に、１〜25μｍの
範囲の直径の像に堆積したことを確かめた。
実施例II ２つの同じ基体に、上記比較例に記載すると同様に行
ってパラジウム核の電気触媒像を設けた。次いで両基体
を一般に入手しうう金属めっき液：ニポシット468（Nip
osit 468）（シィペレイ（Shipley）社製）に別々に浸
漬した。この場合、比較の目的のために、第１の基体を
65℃の指示温度にサーモスタットにより維持しためっき
液に浸漬し、第２の基体を実施例Ｉに記載すると同様に
して酸素を駆出するために窒素ガスを数時間にわたって
通した処理めっき液に、約85℃の温度に維持しながら浸
漬した。約15分後、これらの両基体をめっき液からそれ
ぞれ取出し、脱イオン水で十分にゆすいだ。顕微鏡で分
析し、第１の基体（比較）の場合にはニッケルが20μｍ
およびこれ以上の直径の像にのみ堆積し、および第２の
基体の場合には４μｍおよびこれ以上の直径の像がニッ
ケルにより強化されたことを確かめた。
ってパラジウム核の電気触媒像を設けた。次いで両基体
を一般に入手しうう金属めっき液：ニポシット468（Nip
osit 468）（シィペレイ（Shipley）社製）に別々に浸
漬した。この場合、比較の目的のために、第１の基体を
65℃の指示温度にサーモスタットにより維持しためっき
液に浸漬し、第２の基体を実施例Ｉに記載すると同様に
して酸素を駆出するために窒素ガスを数時間にわたって
通した処理めっき液に、約85℃の温度に維持しながら浸
漬した。約15分後、これらの両基体をめっき液からそれ
ぞれ取出し、脱イオン水で十分にゆすいだ。顕微鏡で分
析し、第１の基体（比較）の場合にはニッケルが20μｍ
およびこれ以上の直径の像にのみ堆積し、および第２の
基体の場合には４μｍおよびこれ以上の直径の像がニッ
ケルにより強化されたことを確かめた。
実施例III 基体に、実施例Ｉに記載すると同様にして電気触媒像
を設けた後、この基体を0.025MのＮ−メチル−ｐ−アミ
ノフェール、0.01MのAgNO3および0.1Mのくえん酸を含有
する金属めっき液に浸した。このめっき液は約pH＝2.1
である酸性度を有し、組成し、このために酸素の還元は
生じなかった。約15分後、基体をめっき液から取出し、
脱イオン水で十分ゆすいだ。分析により、パラジウム核
のすべての像が銀で強化されていることを確かめた。
を設けた後、この基体を0.025MのＮ−メチル−ｐ−アミ
ノフェール、0.01MのAgNO3および0.1Mのくえん酸を含有
する金属めっき液に浸した。このめっき液は約pH＝2.1
である酸性度を有し、組成し、このために酸素の還元は
生じなかった。約15分後、基体をめっき液から取出し、
脱イオン水で十分ゆすいだ。分析により、パラジウム核
のすべての像が銀で強化されていることを確かめた。
本発明は上述する実施例により制限されるものでな
い。例えば、酸化チタンの代わりに、酸化亜鉛を感光層
に用いることができる。また、パラジウム核の代わり
に、他の金属の核を感光層に類似する手段によって堆積
させて電気触媒像を形成することができる。
い。例えば、酸化チタンの代わりに、酸化亜鉛を感光層
に用いることができる。また、パラジウム核の代わり
に、他の金属の核を感光層に類似する手段によって堆積
させて電気触媒像を形成することができる。
更に、上述するようにして、電気触媒像を基体表面に
全く異なる手段で設けることができる。
全く異なる手段で設けることができる。
更に、無電解金属めっき液を広範にわたって選択する
ことができる。ニッケルまたは銀の無電解堆積のための
金属めっき液の代わりに、例えば銅または金の堆積のた
めのめっき液を用いることができる。前者の場合、１
当り10gのCuSO4・5H2O、50gのロッシェル塩、10gのNaOH
および25mlの（37％）ホルムアルデヒドを含有するめっ
き液または１当り10gのCuSO4・5H2O、32.6gのNa4EDTA
・4H2O、4.8gのNaOHおよび7.5mlの（37％）ホルムアル
デヒドを含有するめっき液を用いることができる。金の
堆積の場合に１当り1.44gのKAu（CN）２、6.5gのKC
N、8gのNaOHおよび10.8g KBH4を含有するめっき液を用
いることができる。
ことができる。ニッケルまたは銀の無電解堆積のための
金属めっき液の代わりに、例えば銅または金の堆積のた
めのめっき液を用いることができる。前者の場合、１
当り10gのCuSO4・5H2O、50gのロッシェル塩、10gのNaOH
および25mlの（37％）ホルムアルデヒドを含有するめっ
き液または１当り10gのCuSO4・5H2O、32.6gのNa4EDTA
・4H2O、4.8gのNaOHおよび7.5mlの（37％）ホルムアル
デヒドを含有するめっき液を用いることができる。金の
堆積の場合に１当り1.44gのKAu（CN）２、6.5gのKC
N、8gのNaOHおよび10.8g KBH4を含有するめっき液を用
いることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヨハネス・マティアス・ヘラルダス・リ ッケン オランダ国5621 ベーアー アインドー フェン フルーネバウツウェッハ１ (56)参考文献 特開 昭58−207364（ＪＰ，Ａ) 特公 昭34−2559（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (5)
- 【請求項１】基体の表面に電気触媒像を設け、該基体の
無電解金属メッキ液と接触させて基体の表面に金属を該
電気触媒像に基づいて局部的に設ける方法において、無
電解金属めっき液中における酸素の還元を抑制すること
によって、大きさが25μｍ以下である該電気触媒像に基
づいて該基体の表面に金属を局部的に設ける方法。 - 【請求項２】前記無電解金属めっき液から酸素を駆出す
ることによって酸素の還元を抑制する、請求項１記載の
方法。 - 【請求項３】不活性ガスを前記無電解金属めっき液に通
すことによって、酸素を前記無電解金属めっき液から駆
出する、請求項２記載の方法。 - 【請求項４】前記無電解金属めっき液を高温に保持する
ことによって酸素を還元を抑制する、請求項１記載の方
法。 - 【請求項５】前記無電解金属めっき液を酸性にして、酸
素の還元を抑制する、請求項１記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8702219 | 1987-09-16 | ||
| NL8702219A NL8702219A (nl) | 1987-09-16 | 1987-09-16 | Werkwijze voor het lokaal aanbrengen van metaal op een oppervlak van een substraat. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01108384A JPH01108384A (ja) | 1989-04-25 |
| JP2572430B2 true JP2572430B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=19850622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63227633A Expired - Lifetime JP2572430B2 (ja) | 1987-09-16 | 1988-09-13 | 基体の表面に金属を局部的に設ける方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4853320A (ja) |
| EP (1) | EP0308011B1 (ja) |
| JP (1) | JP2572430B2 (ja) |
| DE (1) | DE3852681T2 (ja) |
| NL (1) | NL8702219A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL9000502A (nl) * | 1990-03-05 | 1991-10-01 | Philips Nv | Werkwijze voor het herstellen van een defect in een lithografisch masker. |
| JP2648729B2 (ja) * | 1990-09-04 | 1997-09-03 | 英夫 本間 | 無電解銅めっき液および無電解銅めっき方法 |
| FR2698872B1 (fr) * | 1992-12-07 | 1995-01-13 | Rhone Poulenc Nutrition Animal | Procédé de préparation de la vitamine A et composés intermédiaires utiles pour ce procédé. |
| US6232144B1 (en) * | 1997-06-30 | 2001-05-15 | Littelfuse, Inc. | Nickel barrier end termination and method |
| US7152291B2 (en) | 2002-04-15 | 2006-12-26 | Avx Corporation | Method for forming plated terminations |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE1266099B (de) * | 1965-02-20 | 1968-04-11 | Schering Ag | Bad fuer die reduktive Kupferabscheidung |
| US3666527A (en) * | 1970-07-31 | 1972-05-30 | Rca Corp | Method of electroless deposition of metals with improved sensitizer |
| US3900599A (en) * | 1973-07-02 | 1975-08-19 | Rca Corp | Method of electroless plating |
| US4192764A (en) * | 1977-11-03 | 1980-03-11 | Western Electric Company, Inc. | Stabilizing composition for a metal deposition process |
| US4133908A (en) * | 1977-11-03 | 1979-01-09 | Western Electric Company, Inc. | Method for depositing a metal on a surface |
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| US4579804A (en) * | 1980-12-23 | 1986-04-01 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Method and material for image formation |
| NL8105633A (nl) * | 1981-12-15 | 1983-07-01 | Philips Nv | Werkwijze voor de vervaardiging van metaalbeelden of patronen op en/of onder het oppervlak van een substraat met een halfgeleidende lichtgevoelige verbinding. |
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| US4684545A (en) * | 1986-02-10 | 1987-08-04 | International Business Machines Corporation | Electroless plating with bi-level control of dissolved oxygen |
-
1987
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