DE3852681T2 - Verfahren zum selektiven Metallplattieren auf der Oberfläche eines Substrats. - Google Patents
Verfahren zum selektiven Metallplattieren auf der Oberfläche eines Substrats.Info
- Publication number
- DE3852681T2 DE3852681T2 DE3852681T DE3852681T DE3852681T2 DE 3852681 T2 DE3852681 T2 DE 3852681T2 DE 3852681 T DE3852681 T DE 3852681T DE 3852681 T DE3852681 T DE 3852681T DE 3852681 T2 DE3852681 T2 DE 3852681T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- metal
- images
- metal plating
- plating solution
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 63
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 36
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 29
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 claims 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 12
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910000366 copper(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- ZFIQGRISGKSVAG-UHFFFAOYSA-N 4-methylaminophenol Chemical compound CNC1=CC=C(O)C=C1 ZFIQGRISGKSVAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- 229910021205 NaH2PO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- OBITVHZFHDIQGH-UHFFFAOYSA-N [Au].[K]C#N Chemical compound [Au].[K]C#N OBITVHZFHDIQGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- -1 gold ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L potassium sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[K+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011006 sodium potassium tartrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- UEUXEKPTXMALOB-UHFFFAOYSA-J tetrasodium;2-[2-[bis(carboxylatomethyl)amino]ethyl-(carboxylatomethyl)amino]acetate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CN(CC([O-])=O)CCN(CC([O-])=O)CC([O-])=O UEUXEKPTXMALOB-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
- C23C18/1612—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning through irradiation means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
- C23C18/1608—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning from pretreatment step, i.e. selective pre-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
- C23C18/165—Multilayered product
- C23C18/1651—Two or more layers only obtained by electroless plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1675—Process conditions
- C23C18/1676—Heating of the solution
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1675—Process conditions
- C23C18/1682—Control of atmosphere
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
- H05K3/185—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method by making a catalytic pattern by photo-imaging
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/187—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating means therefor, e.g. baths, apparatus
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
- Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Ausbesserung transparenter Fehler in einer, auf einer Oberfläche eines transparenten Substrats einer fotolitografischen Maske vorgesehenen, lichtundurchlässigen, strukturierten Metallschicht, bei welchem das transparente Substrat mit elektrokatalytischen Abbildungen mit einer Abmessung von weniger als 10 um versehen wird und danach die Abbildungen mit einer autokatalytischen Metallplattierungslösung in Kontakt gebracht werden, wodurch die Abbildungen mit einer aus der Metallplattierungslösung niedergeschlagenem Metall verstärkt werden.
- Bei der Herstellung fotolitografischer Masken können Fehler in der auf dem transparenten Substrat vorgesehenen, strukturierten Metallschicht auftreten. Durch diese Fehler, bei welchen man zwischen transparenten und nicht transparenten Fehlern unterscheidet, erweisen sich die Masken bei der Herstellung mikroelektronischer Schaltungen als ungeeignet. Von einem transparenten Fehler ist dann die Rede, wenn ein Teil der Metallschicht in einem bestimmten Bereich fehlt, während bei einem nichttransparenten Fehler in einem bestimmten Bereich Metall vorhanden ist, jedoch nicht vorhanden sein sollte.
- Die elektrokatalytische Abbildung kann auf viele Arten vorgesehen werden. Es ist zum Beispiel möglich, auf der Oberfläche eine elektrokatalytische Verbindung lokal vorzusehen, jedoch besteht auch die Möglichkeit, das Substrat auf seiner Oberfläche lokal so zu verändern, daß lokal ein elektrokatalytischer Effekt erreicht wird. Ferner ist es möglich, die elektrokatalytische Abbildung so vorzusehen, daß ein auf seiner gesamten Oberfläche elektrokatalytisches Substrat lokal mit einer Maskierungsschicht bedeckt wird.
- Im US-Patent 4 426 442 wird ein Verfahren beschrieben, bei welchem die Oberfläche mit der elektrokatalytischen Abbildung versehen wird, indem auf der Oberfläche des Substrats eine elektrokatalytische Verbindung lokal hergestellt wird. Zu diesem Zweck wird das Substrat auf seiner Oberfläche mit einer fotoempfindlichen Verbindung, zum Beispiel Titanoxyd oder Zinkoxyd, versehen, welche nach Belichtung ein Heraustrennen dieses Metalles in Form von Kernen aus einer Lösung aus Metallionen ermöglicht. Anschließend wird die Oberfläche insofern mit der elektrokatalytischen Abbildung versehen, als sie in eine Lösung aus Metallionen, wie zum Beispiel Kupfer- und Goldionen, getaucht und nach einem vorgegebenen Bild einem gebündelten Laserstrahl ausgesetzt wird. Hierdurch wird die fotoempfindliche Verbindung nach einem vorgegebenen Bild aktiviert, und die Metallionen schlagen sich auf der Oberfläche in Form von Metallkernen nieder. Die Metallkerne werden durch ein autokatalytisches Verfahren, bei welchem die Oberfläche mit einer Metallplattierungslösung in Kontakt gebracht wird, verstärkt. Im vorliegenden Fall kann die Metallplattierungslösung ebenfalls zur Abscheidung der Metallkerne verwendet werden. Zum Beispiel kann für die gesamte Bearbeitung eine Lösung benutzt werden, die Kalium-Gold(I)-cyanid, Kupfersulfat, Tetra-Na-Salz aus Ethylen-Diamino-Tetra-Essigsäure, Natriumhydroxid und Formaldehyd enthält.
- Es hat sich herausgestellt, daß sich das bekannte Verfahren zum Niederschlag von Metallabbildungen, welche auf einem Substrat kleiner als 10 um sind, als nicht zufriedenstellend erweist. Zur Herstellung von Halbleiterschaltungen werden heutzutage jedoch Masken verwendet, bei denen bereits Fehler von einigen Mikrometern unzulässig sind. Im allgemeinen besteht in der Halbleitertechnik die Notwendigkeit, submikroskopische Metallabbildungen vorzusehen. Es versteht sich von selbst, daß mit der fortschreitenden Miniaturisierung von Halbleiter-Schaltungselementen diese Notwendigkeit noch zunimmt.
- Aufgabe der der Erfindung ist, ein Verfahren vorzusehen, bei dem es möglich ist, auf der Substrat-Oberfläche Metallabbildungen vorzusehen, welche kleiner als 10 um sind.
- Demgemäß ist das erfindungsgemäße Verfahren nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, daß die elektrokatalytischen Abbildungen mitder Metallplattierungs- Lösung dadurch in Kontakt gebracht werden, daß auf der Substratoberfläche ein Tropfen der Metallplattierungslösung aufgebracht und sodann zu einem dünnen Film gepreßt wird, wodurch die in der Metallplattierungslösung vorhandene Sauerstoffdiffusion derart stark reduziert wird, daß sämtliche Abbildungen mit Metall verstärkt werden.
- Wie angegeben, wird der Niederschlag der Metallabbildungen besonders durch den verhältnismäßig großen Sauerstoff-Diffusionsstrom auf derart kleine Metallabbildungen erschwert. Normalerweise ist die Metallabbildung von einem sphärischen Diffusionsfeld umgeben, in welchem eine Diffusion auf die Abbildung erfolgt. Bei einer kleinen Metallabbildung ist dieses Diffusionsfeld wesentlich größer als die Abbildung selbst. Wird die Lösung in Form eines dünnen Filmes mit der Oberfläche in Kontakt gebracht, führt dieses zu einer Verminderung des Diffusionsfeldes. Dies kann zum Beispiel dadurch erfolgen, daß die Lösung auf der Oberfläche in Form eines Tropfens vorgesehen und sodann mit Hilfe eines Abdeckglases, einer Folie oder eines Filmes bedeckt wird, wodurch der Tropfen zu einem dünnen Film gepreßt wird. Dieses hat eine starke Reduzierung des Diffusionsfeldes zur Folge, wodurch die Sauerstoffdiffusion erheblich vermindert wird. Die Diffusion des Reduktionsmittels und der Metallionen wird durch diese Maßnahme ebenfalls reduziert, doch da beide in einer wesentlich höheren Konzentration als Sauerstoff in der Lösung vorhanden sind, werden diese dadurch nicht beeinflußt.
- Es ist zu erwähnen, daß sowohl in dem UP-Patent 3 900 599 als auch der JP-A-53-146 933 ein Verfahren zum autokatalytischen Niederschlag eines Metalles auf einer gesamten, für den Niederschlag katalytischen Substrat-Oberfläche durch Tauchen des Substrats in ein Plattierungsbad beschrieben ist, bei welchem eine Stabilisierung des Bades durch Hindurchperlen eines Schutzgases, wie zum Beispiel Stickstoff, erfolgte. Aus ähnlichen Gründen wurde in dem in der JP-A-61-12 877 beschriebenen Verfahren das Plattierungsbad entgast. Nach Plattierung der gesamten Oberfläche können in der so erhaltenen Metallschicht Abbildungen in Form von Leitern ausgebildet werden.
- Eine autokatalytische Metallplattierungslösung ist im allgemeinen eine Lösung aus einem Metallsalz und einem Reduktionsmittel. Zur Oxidierung des Reduktionsmittels muß einer bestimmten Aktivierungsenergie widerstanden werden, was durch die elektrokatalytische Oberfläche erreicht werden kann. Bei einer sehr niedrigen Aktivierungsenergie findet auch der Begriff "physikalische Entwicklungsflüssigkeit" statt des Begriffes "autokatalytische Metallplattierungslösung" Verwendung. Jedoch geht dieser Unterschied aus dem Umfang der Erfindung nicht hervor, so daß in der vorliegenden Anmeldung der Begriff "eine autokatalytische Metallplattierungslösung" auch als eine physikalische Entwicklungsflüssigkeit zu verstehen ist.
- Bei Oxidierung des Reduktionsmittels werden Elektronen freigesetzt. Diese Elektronen reduzieren wiederum Metallionen aus der Lösung auf das niedergeschlagene Metall. Die Oxidation des Reduktionsmittels erfolgt jedoch nicht von selbst. Sie findet nur auf einer für das Reduktionsmittel elektrokatalytischen Oberfläche statt. Bei Tauchen des Substrats in die Metallplattierungslösung wird deshalb nur Metall auf der Substratoberfläche, auf welcher die elektrokatalytische Abbildung vorgesehen ist, niedergeschlagen. Somit wird die Abbildung durch aus der Metallplattierungslösung niedergeschlagenes Metall verstärkt.
- Ist jedoch in der Metallplattierungslösung Sauerstoff vorhanden, findet eine konkurrierende Reaktion statt. Der in der Lösung vorhandene Sauerstoff wird durch die Elektronen in der Tat wesentlich schneller reduziert als die Metallionen, so daß bei Vorhandensein beider nur oder in der Hauptsache nur eine Reduktion des Sauerstoffes erfolgt.
- Bei größeren Abbildungen spielt diese konkurrierende Sauerstoff-Reduktion keine derart wichtige Rolle, da die katalytische Oberfläche ausreichend groß und somit die Anzahl der erzeugten Elektronen ebenfalls ausreichend groß ist, um den in der Nähe dieser Oberfläche vorhandenen Sauerstoff zu verringern. Es verbleibt dann immer noch eine ausreichende Anzahl Elektronen zur Reduktion der Metallionen.
- Bei kleineren Abbildungen ist die Situation jedoch anders. In erster Linie wird eine entsprechend kleinere Anzahl Elektronen erzeugt, aber darüber hinaus ist der zuvor erwähnte Sauerstoffwettbewerb wesentlich größer.
- Bei Reduzierung des Sauerstoffes verringert sich folglich die Sauerstoffkonzentration in der Nähe der Abbildung. Dadurch erfolgt eine Sauerstoffdiffusion weiter entfernter Teile der Lösung auf die Abbildung. Die Dichte des Sauerstoff- Diffusionsstromes auf die Abbildung steht in umgekehrtem Verhältnis zu der Oberfläche der Abbildung. Das heißt, daß bei kleinen Metallabbildungen eine relativ große Menge Sauerstoff vorhanden ist. Die schon geringe Anzahl erzeugter Elektronen ist deshalb bei kleinen Metallabbildungen nicht ausreichend, um die große Sauerstoffmenge gänzlich zu reduzieren. Alle erzeugten Elektronen werden durch den vorhandenen Sauerstoff verbraucht, und eine Metallionen-Reduktion kann nicht bzw. kann im wesentlichen nicht stattfinden. Es ist deshalb nicht möglich, Metallabbildungen nach dem bekannten Verfahren vorzusehen, wenn die Größe der Metallabbildungen unterhalb eines bestimmten Wertes liegt. Versuche haben gezeigt, daß dieser Wert bei ca. 10 um liegt.
- Wird jedoch der Sauerstoffreduktion wie im Falle der erfindungsgemäßen Metallplattierungslösung entgegengewirkt, können im wesentlichen alle, durch das Reduktionsmittel erzeugten Elektronen zur Metallionen-Reduktion verwendet werden. Ungeachtet der Größe der elektrokatalytischen Abbildung ist eine ausreichende Anzahl Elektronen vorhanden, um Metallione auf das Metall, welches sich dann im Bereich der Abbildung niederschlägt, zu reduzieren. In der Praxis werden elektrokatalytische Abbildungen mit einem Durchmesser von 1 um und weniger somit erfolgreich verstärkt.
- Der Sauerstoffreduktion wird dadurch weiter entgegengewirkt, daß die autokatalytische Verstärkung der Kerne bei erhöhter Temperatur erfolgt. Die Wirkung dieser Maßnahme ist bilateral: in erster Linie kann mit steigender Temperatur eine kleinere Menge Gas in der Lösung aufgelöst werden. Durch Erhöhung der Temperatur wird somit Sauerstoff aus der Lösung getrieben. In zweiter Linie erfolgt jedoch die Oxidation des in der Lösung vorhandenen Reduktionsmittels wesentlich schneller als das Steigen der Temperatur. Die Oxidationsgeschwindigkeit nimmt exponential mit dem Ansteigen der Temperatur zu. Folglich wird bei einer erhöhten Temperatur eine wesentlich größere Anzahl Elektronen erzeugt, als dies bei verminderter Temperatur der Fall ist. Diese Anzahl ist bei erhöhter Temperatur völlig ausreichend, um den vorhandenen Sauerstoff zu verringern, so daß auch Metallione auf das Metall, welches sich dann auf den Kernen niederschlägt, reduziert werden können. Die Sauerstoffreduktion wird in der Tat ebenfalls bedeutend schneller vorgenommen,doeh da das Reduktionstempo wesentlich weniger stark von der Temperatur abhängt und da, wie erwähnt, bei erhöhter Temperatur weniger Sauerstoff in der Lösung gelöst wird, wird der Reduktion dennoch durch Erhöhung der Temperatur relativ entgegengewirkt.
- Der Sauerstoffreduktion wird ebenfalls entgegengewirkt, wenn die Metallplattierungslösung säurehaltig ist. Es hat sich zum Beispiel gezeigt, daß die Sauerstoffreduktion in einer nickelhaltigen Metallplattierungslösung wesentlich vom Säuregrad der Lösung abhängt. Die Lösung erfolgt lediglich in einer alkalischen Atmosphäre zufriedenstellend. Daher wird der Reduktion durch Ansäuerung der Metallplattierungs- Lösung stark entgegengewirkt. Die Oxidation des Reduktionsmittels und die Reduktion der Metallionen werden durch die säurehaltige Atmosphäre jedoch nicht ungünstig beeinflußt.
- Die Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf einige Beispiele beschrieben. Bei sämtlichen Beispielen ist das Ausgangsmaterial ein auf seiner Oberfläche mit einer fotoempfindlichen Titanoxydschicht versehenes Quarzsubstrat.
- Das Substrat wird in eine Palladiumchlorid-Lösung von etwa 5,6 10&supmin;³ M PdCl&sub1;, 1,2 10&supmin;¹ M HCl und 0,4% Gewichtsprozent Tensagex DP-24 (eingetragenes Warenzeichen) getaucht. Die fotoempfindliche Titanoxydschicht wird sodann einem gebündelten Laserstrahl ausgesetzt, wodurch Palladium in Form von Kernen auf der Oberfläche lediglich im Bereich des Laserpunktes niedergeschlagen wird. Diese Palladiumkerne bilden die elektrokatalytische Abbildung, welche erfindungsgemäß in einem autokatalytischen Verfahren verstärkt wird. Die (3röße der elektrokatalytischen Abbildung wird somit anhand des Laserpunkt-Durchmessers ermittelt. So ergibt sich zum Beispiel aus einer 4 Sekunden langen Belichtung mit einem Strahl, welcher auf einen, von einem Ar&spplus;UV Laser mit einer Leistung von 5 mW ausgehenden Punkt von 10 um eingestellt ist, eine elektrokatalytische Abbildung aus Palladiumkernen mit einem Durchmesser von 8 um. Somit sind auf dem Substrat elektrokatalytische Abbildungen mit einem von ca. 0,5 um bis 40 um variierenden Durchmesser vorgesehen.
- Nach gründlichem Spülen des Substrates mit vollentsalztem Wasser wird dieses in eine autokatalytische Metallplattierungslösung getaucht, welche pro Liter etwa 30 g NiCl&sub2; 6H&sub2;O, 10 g NaH&sub2;PO&sub2; H&sub2;O und 30 g Glyzin enthält. Die Palladiumkerne sind für diese Lösung elektrokatalytisch. Nach ca. 15 Minuten wird das Substrat aus der Lösung entfernt, mit vollentsalztem Wasser gespült, und seine elektrokatalytischen Abbildungen mit einem Durchmesser von 25 um weisen eine erhebliche Nickelverstärkung auf, während die kleineren Abbildungen keinerlei Nickelniederschlag zeigen.
- Bei diesem nicht erfindungsgemäßen Beispiel wird ein Substrat in der gleichen Weise wie im vorangegangenen Ausführungsbeispiel behandelt. Vor Tauchen des Substrats in die Metallplattierungslösung wird hier jedoch einige Stunden lang Stickstoffgas durch die Lösung geleitet, um aus dieser den Sauerstoff zu treiben. Um zu vermeiden, daß aus der umgebenden Luft erneut Sauerstoff in die Lösung gelangen könnte, wird die gesamte Behandlung in einem geschlossenen System vorgenommen. Nach Analyse des Substrats hat sich gezeigt, daß sich Nickel nicht nur auf elektrokatalytischen Abbildungen mit einem Durchmesser von 25 um und größer, sondern auch auf Abbildungen mit einem Durchmesser zwischen 1 um und 25 um niedergeschlagen hat.
- Zwei ähnliche Substrate werden in der gleichen Weise wie in den vorangegangen Beispielen mit elektrokatalytischen Abbildungen aus Palladiumkernen versehen. Anschließend werden beide Substrate getrennt in eine handelsübliche Metallplattierungslösung getaucht: Niposit 468 (eingetragenes Warenzeichen), ein Produkt der Firma Shipley. Ein erstes Substrat wird in eine, mit Hilfe eines Thermostates auf der angegebenen Temperatur von 65ºC gehaltene Lösung getaucht, während die Lösung des anderen Substrats auf einer Temperatur von etwa 85ºC gehalten wird. Nach ca. 15 Minuten werden die Substrate aus der Lösung genommen und gründlich mit vollentsalztem Wasser gespült. Unter dem Mikroskop hat sich gezeigt, daß sich bei dem ersten Substrat Nickel lediglich auf Abbildungen mit einem Durchmesser von 20 um und größer niedergeschlagen hat, während bei dem anderen Substrat Abbildungen mit einem Durchmesser von 4 um und größer mit Nickel verstärkt gewesen sind.
- Nachdem nun ein Substrat in der im ersten Beispiel beschriebenen Weise mit elektrokatalytischen Abbildungen versehen worden ist, wird dieses in eine Metallplattierungslösung aus 0,025 M N-Methyl-p-Aminophenol, 0,01 M AgNO&sub3; und 0,1 M Zitronensäure getaucht. Diese Lösung weist einen Säuregrad von etwa pH = 2,1 auf und ist so zusammengesetzt, daß eine Sauerstoffreduktion nicht oder im wesentlichen nicht darin stattfinden kann. Nach ca. 15 Minuten wird das Substrat aus der Lösung entfernt und mit vollentsalztem Wasser gründlich gespült. Nach einer Analyse hat sich gezeigt, daß sämtliche Abbildungen aus Palladiumkernen mit Silber verstärkt gewesen sind.
- Es ist noch zu erwähnen, daß die Erfindung nicht auf die hier beschriebenen Beispiele beschränkt sind, sondern in zahlreichen anderen Ausführungsformen anwendbar ist. So kann zum Beispiel auch für die fotoempfindliche Schicht Zinkoxyd statt Titanoxyd verwendet werden. Ferner können sich statt Palladiumkernen auch Kerne aus anderen Metallen in analoger Weise auf der fotoempfindlichen Schicht zur Herstellung einer elektrokatalytischen Abbildung niederschlagen.
- Darüber hinaus besteht die Möglichkeit, eine elektrokatalytische Abbildung auf der Oberfläche eines Substrats in einer völlig anderen Weise vorzusehen.
- Ferner steht eine große Auswahl im Hinblick auf die autokatalytische Metallplattierungslösung zur Verfügung. Anstelle einer Metallplattierungslösung zum Zwecke eines autokatalytischen Niederschlages von Nickel oder Silber kann zum Beispiel auch eine Lösung zum Niederschlag von Kupfer oder Gold gewählt werden. Im ersterwähnten Fall kann eine Lösung verwendet werden, welche pro Liter 10 g CuSO&sub4; 5H&sub2;O, 50g Rochellesalz, 10g NaOH und 25 ml (37%) Formaldehyd oder eine Lösung, die pro Liter 10g CuSO&sub4; 5H&sub2;O, 32,6g Na&sub4;EDTA 4H&sub2;O, 4,8 g NaOH und 7,5 ml (37%) Formaldehyd enthält. Zum Niederschlag von Gold kann eine Lösung verwendet werden, welche pro Liter 1,44 g KAu(CN)&sub2;, 6,5 g KCN, 8 G NaOH und 10,8 g KBH&sub4; enthält.
Claims (3)
1. Verfahren zur Ausbesserung transparenter Fehler in einer, auf einer
Oberfläche eines transparenten Substrats einer fotolitografischen Maske vorgesehenen,
lichtundurchlässigen, strukturierten Metallschicht, bei welchem das transparente Substrat
mit elektrokatalytischen Abbildungen mit einer Abmessung von weniger als 10 um
versehen wird und danach diese Abbildungen mit einer autokatalytischen
Metallplattierungslösung in Kontakt gebracht werden, wodurch die Abbildungen mit aus der
Metallplattierungslösung niedergeschlagenem Metall verstärkt werden, dadurch
gekennzeichnet, daß die elektrokatalytischen Abbildungen mit der Metallplattierungslösung
dadurch in Kontakt gebracht werden, daß auf der Substratoberfläche ein Tropfen der
Metallplattierungslösung aufgebracht und sodann zu einem dünnen Film gepreßt wird,
wodurch die in der Metallplattierungslösung vorhandene Sauerstoffdiffusion stark
reduziert wird, so daß sämtliche Abbildungen mit Metall verstärkt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
autokatalytische Verstärkung bei erhöhter Temperatur durchgeführt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Metallplattierungslösung säurehaltig ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL8702219A NL8702219A (nl) | 1987-09-16 | 1987-09-16 | Werkwijze voor het lokaal aanbrengen van metaal op een oppervlak van een substraat. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3852681D1 DE3852681D1 (de) | 1995-02-16 |
DE3852681T2 true DE3852681T2 (de) | 1995-07-20 |
Family
ID=19850622
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3852681T Expired - Fee Related DE3852681T2 (de) | 1987-09-16 | 1988-09-07 | Verfahren zum selektiven Metallplattieren auf der Oberfläche eines Substrats. |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4853320A (de) |
EP (1) | EP0308011B1 (de) |
JP (1) | JP2572430B2 (de) |
DE (1) | DE3852681T2 (de) |
NL (1) | NL8702219A (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL9000502A (nl) * | 1990-03-05 | 1991-10-01 | Philips Nv | Werkwijze voor het herstellen van een defect in een lithografisch masker. |
JP2648729B2 (ja) * | 1990-09-04 | 1997-09-03 | 英夫 本間 | 無電解銅めっき液および無電解銅めっき方法 |
FR2698872B1 (fr) * | 1992-12-07 | 1995-01-13 | Rhone Poulenc Nutrition Animal | Procédé de préparation de la vitamine A et composés intermédiaires utiles pour ce procédé. |
US6232144B1 (en) * | 1997-06-30 | 2001-05-15 | Littelfuse, Inc. | Nickel barrier end termination and method |
US7152291B2 (en) | 2002-04-15 | 2006-12-26 | Avx Corporation | Method for forming plated terminations |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2938805A (en) * | 1958-03-31 | 1960-05-31 | Gen Electric | Process of stabilizing autocatalytic copper plating solutions |
US3300335A (en) * | 1963-11-20 | 1967-01-24 | Dow Chemical Co | Electroless metal plating with foam |
DE1266099B (de) * | 1965-02-20 | 1968-04-11 | Schering Ag | Bad fuer die reduktive Kupferabscheidung |
US3666527A (en) * | 1970-07-31 | 1972-05-30 | Rca Corp | Method of electroless deposition of metals with improved sensitizer |
US3900599A (en) * | 1973-07-02 | 1975-08-19 | Rca Corp | Method of electroless plating |
US4192764A (en) * | 1977-11-03 | 1980-03-11 | Western Electric Company, Inc. | Stabilizing composition for a metal deposition process |
US4133908A (en) * | 1977-11-03 | 1979-01-09 | Western Electric Company, Inc. | Method for depositing a metal on a surface |
US4152467A (en) * | 1978-03-10 | 1979-05-01 | International Business Machines Corporation | Electroless copper plating process with dissolved oxygen maintained in bath |
US4579804A (en) * | 1980-12-23 | 1986-04-01 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Method and material for image formation |
NL8105633A (nl) * | 1981-12-15 | 1983-07-01 | Philips Nv | Werkwijze voor de vervaardiging van metaalbeelden of patronen op en/of onder het oppervlak van een substraat met een halfgeleidende lichtgevoelige verbinding. |
JPS58207364A (ja) * | 1982-05-25 | 1983-12-02 | Agency Of Ind Science & Technol | 化学めつき液 |
US4639378A (en) * | 1984-01-17 | 1987-01-27 | Inoue Japax Research Incorporated | Auto-selective metal deposition on dielectric surfaces |
US4550036A (en) * | 1984-10-18 | 1985-10-29 | Hughes Aircraft Company | Electroless silver plating process and system |
US4684545A (en) * | 1986-02-10 | 1987-08-04 | International Business Machines Corporation | Electroless plating with bi-level control of dissolved oxygen |
-
1987
- 1987-09-16 NL NL8702219A patent/NL8702219A/nl not_active Application Discontinuation
- 1987-11-02 US US07/116,413 patent/US4853320A/en not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-09-07 DE DE3852681T patent/DE3852681T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-09-07 EP EP88201937A patent/EP0308011B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-09-13 JP JP63227633A patent/JP2572430B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL8702219A (nl) | 1989-04-17 |
EP0308011B1 (de) | 1995-01-04 |
EP0308011A1 (de) | 1989-03-22 |
US4853320A (en) | 1989-08-01 |
JP2572430B2 (ja) | 1997-01-16 |
DE3852681D1 (de) | 1995-02-16 |
JPH01108384A (ja) | 1989-04-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2238002C3 (de) | Verfahren zur additiven Herstellung von aus Metallabscheidungen bestehenden Mustern | |
DE1917474C3 (de) | Verfahren zum Herstellen metallischer Muster auf einer Unterlage | |
DE69829018T2 (de) | Substrat und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE2457829A1 (de) | Verfahren und loesungen fuer die stromlose metallauftragung | |
DE102009037855B4 (de) | Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Aluminium oder Aluminiumlegierungen | |
DE3002166A1 (de) | Verfahren zur herstellung von gedruckten schaltungsplatten | |
DE68910237T2 (de) | Verfahren zum mit Hilfe Eines Lasers selektiven Anbringen eines in der Flüssigkeitsphase befindlichen Metalles auf einem Substrat. | |
DE2159612A1 (de) | Verfahren zum stromlosen Metall plattieren nichtleitender Korper | |
DE3210268A1 (de) | Waessriges bad zur stromlosen abscheidung von goldueberzuegen | |
DE2049061B2 (de) | Alkalisches wäßriges Bad und dessen Verwendung zur stromlosen Verkupferung | |
DE3852681T2 (de) | Verfahren zum selektiven Metallplattieren auf der Oberfläche eines Substrats. | |
WO1999018253A2 (de) | Verfahren und lösung zur herstellung von goldschichten | |
DE2518520A1 (de) | Verfahren zur abscheidung von metallen auf der oberflaeche nichtleitender substrate | |
DE19639174C5 (de) | Verfahren für das außenstromlose Vernickeln | |
WO1999055935A1 (de) | Verfahren zum überziehen von oberflächen auf kupfer oder einer kupferlegierung mit einer zinn- oder zinnlegierungsschicht | |
DE3850176T2 (de) | Verdrahtungsverfahren. | |
DE1269481B (de) | Verfahren zur Herstellung von Metallbildern auf photographischem Wege | |
DE1253007B (de) | Bad zur stromlosen Abscheidung einer Kobaltlegierungsschicht auf einem nichtmetallischen Traeger | |
DE19631565A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Palladiumkontaktbumps auf Halbleiterschaltungsträgern | |
DE3874106T2 (de) | Mechanisches plattierungsverfahren. | |
DE19540122C2 (de) | Verfahren zur stromlosen Metallisierung und seine Anwendung | |
DE3486228T2 (de) | Nickelplattierung von aluminium ohne elektrizität. | |
DE19641219C1 (de) | Datenträger zur Speicherung von Daten und Verfahren zur Herstellung des Datenträgers | |
WO1995027813A1 (de) | Palladiumkolloid-lösung und deren verwendung | |
DE2323507A1 (de) | Verfahren zur herstellung metallischer muster |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V., EINDHOVEN, N |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |