JP2569705B2 - Positive photoresist - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はポジ型ホトレジストに関し、さらに詳しくは
反射率の高い基板に被膜画像を形成するのに好適なポジ
型ホトレジストに関する。Description: FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a positive photoresist, and more particularly, to a positive photoresist suitable for forming a film image on a substrate having high reflectance.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

近年、集積回路の製造方法の発展が著しく、そのため
に使用する装置や周辺材料への改良の要求も強く、ホト
レジスト分野においては、取扱い性に優れ、解像度の高
いホトレジストの開発が望まれている。2. Description of the Related Art In recent years, the development of integrated circuit manufacturing methods has been remarkable, and there has been a strong demand for improvements in equipment and peripheral materials used therefor. In the field of photoresists, development of photoresists having excellent handleability and high resolution has been desired.

従来、高集積度の集積回路の製造には、キノンジアジ
ド系化合物とノボラック系樹脂とからなるポジ型ホトレ
ジストが用いられている。これらのポジ型ホトレジスト
は、アルミニウムのような反射率の高い基板上ではハレ
ーションを起こし、光照射時に照射すべきでない領域へ
光が反射して微細なレジストパターンを正確に再現する
ことができないという欠点を有する。この欠点を改良す
るため、ホトレジストに吸光性材料を添加してホトレジ
ストの透光性を減少させ、露光時に基板からまわり込ん
だ光の量ではホトレジストが感光しないような方法、す
なわち吸光性材料に吸収された光エネルギーが、ホトレ
ジストを励起しない波長の光または熱として再放出され
るような方法が採られている。2. Description of the Related Art Conventionally, a positive photoresist made of a quinonediazide-based compound and a novolak-based resin has been used for manufacturing a highly integrated circuit. The disadvantage of these positive photoresists is that they cause halation on substrates with high reflectivity, such as aluminum, and cannot reflect a fine resist pattern accurately because light is reflected to areas that should not be irradiated during light irradiation. Having. In order to remedy this drawback, a light absorbing material is added to the photoresist to reduce the light transmittance of the photoresist, so that the photoresist does not become sensitive to the amount of light circulating from the substrate at the time of exposure, i.e., absorption into the light absorbing material A method is employed in which the emitted light energy is re-emitted as light or heat having a wavelength that does not excite the photoresist.

このようなハレーションを防止するための優れた吸光
性材料として、EPC公開200129号公報に で表されるβ−ジケトン誘導体が開示されている。しか
し、このようなβ−ジケトン誘導体を通常のポジ型ホト
レジストに添加すると、露光時に照射すべき領域におい
ても照射された可視紫外線の一部を吸光性材料が吸収
し、感光剤に与えられるエネルギーが減少するため感度
が低下するという問題を有する。またその際レジスト膜
厚方向での光強度は、基板に近い程小さく、基板近くで
は未分解の感光剤が相対的に多く残っているために現像
液に対する溶解性が不十分で現像性が悪化し、解像度が
低下するという問題をも有する。As an excellent light-absorbing material for preventing such halation, see EPC Publication No. 200129 A β-diketone derivative represented by the following formula is disclosed. However, when such a β-diketone derivative is added to a normal positive photoresist, the light-absorbing material absorbs a part of the irradiated visible ultraviolet light even in a region to be irradiated at the time of exposure, and the energy given to the photosensitive agent is reduced. There is a problem that the sensitivity is reduced due to the decrease. At that time, the light intensity in the direction of the resist film thickness is smaller as it is closer to the substrate, and the relatively large amount of undecomposed photosensitive agent remains near the substrate. However, there is a problem that the resolution is reduced.

これらの問題点を改良するためにノボラック樹脂の分
子量の調整が試みられているが、基本的に感度と耐熱性
とは相反する傾向にあり、例えばノボラック樹脂の分子
量を低くすると、感度、現像性および解像度は向上する
が、耐熱性および現像後の残膜率が低下する傾向にあ
る。Attempts have been made to adjust the molecular weight of the novolak resin in order to improve these problems.However, sensitivity and heat resistance tend to basically conflict with each other. Although the resolution is improved, the heat resistance and the residual film ratio after development tend to be reduced.

このようにハレーションを防止するための吸光性材料
を添加したポジ型レジストは、要求される性能の一方を
改良しようとすれば、他方が悪化してしまうという二律
背反の性質を有するものであった。The positive resist to which a light absorbing material for preventing halation has been added has the trade-off property that if one of the required properties is to be improved, the other will be deteriorated.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決し、解
像度、感度、現像性、耐熱性およびハレーション防止効
果に優れ、かつ、プレベーキング条件によってレジスト
性能が低下することがなく、保存安定性に優れ、しかも
現像後の残膜率の高いポジ型ホトレジストを提供するこ
とにある。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and to provide excellent resolution, sensitivity, developability, heat resistance and antihalation effects, and that the pre-baking conditions do not cause a decrease in resist performance and storage stability. Another object of the present invention is to provide a positive type photoresist which is excellent in heat resistance and has a high residual film ratio after development.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本発明は、（ａ） ｍ−クレゾール30〜90モル％とｐ
−クレゾール、キシレノールおよびトリメチルフェノー
ルから選ばれる少なくとも１種の化合物70〜10モル％と
を含み、かつ上記の組合わせがｍ−クレゾールとｐ−ク
レゾール、ｍ−クレゾルとキシレノール、ｍ−クレゾー
ルとトリメチルフェノールおよびｍ−クレゾールとｐ−
クレゾールとキシレノールからなるフェノール類と、ア
ルデヒド類とを縮合させて得られるアルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂100重量部、 （ｂ） 1,2−キノンジアジド化合物５〜100重量部、 （ｃ） 一般式（Ｉ） （式中、Ｒ₁およびＲ₈は同一または異なりアリール基、
Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆およびＲ₇は同一または異なり
水素原子または炭素数１〜８のアルキル基を意味する）
で表されるβ−ジケトン誘導体１〜５重量部を含有する
ことを特徴とする。The present invention relates to (a) 30-90 mol% of m-cresol and p
-At least one compound selected from cresol, xylenol and trimethylphenol in an amount of 70 to 10 mol%, and the combination is m-cresol and p-cresol, m-cresol and xylenol, m-cresol and trimethylphenol And m-cresol and p-
100 parts by weight of an alkali-soluble novolak resin obtained by condensing a phenol comprising cresol and xylenol with an aldehyde, (b) 5 to 100 parts by weight of a 1,2-quinonediazide compound, (c) general formula (I) (Wherein R ₁ and R ₈ are the same or different aryl groups,
R ₂ , R ₃ , R ₄ , R ₅ , R ₆ and R ₇ are the same or different and represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms)
Wherein 1 to 5 parts by weight of a β-diketone derivative represented by

本発明に用いられるアルカリ可溶性ノボラック樹脂
（以下、単に「ノボラック樹脂」という）は、ｍ−クレ
ゾール30〜90モル％とｐ−クレゾール、キシレノールお
よびトリメチルフェノールから選ばれる少なくとも１種
の化合物（以下、単に「化合物（１）」ということがあ
る）70〜10モル％とを含み、かつ上記ｍ−クレゾールと
化合物（１）の組み合わせがｍ−クレゾールとｐ−クレ
ゾール、ｍ−クレゾルとキシレノール、ｍ−クレゾール
とトリメチルフェノールおよびｍ−クレゾールとｐ−ク
レゾールとキシレノールからなるフェノール類と、アル
デヒド類とを縮合させて得られる。The alkali-soluble novolak resin (hereinafter simply referred to as “novolak resin”) used in the present invention is m-cresol 30 to 90 mol% and at least one compound selected from p-cresol, xylenol and trimethylphenol (hereinafter simply referred to as “novolak resin”). Wherein the combination of m-cresol and compound (1) is m-cresol and p-cresol, m-cresol and xylenol, m-cresol And phenols composed of m-cresol, m-cresol, p-cresol, and xylenol, and aldehydes.

前記化合物（１）のキシレノールとしては、例えば、
ｐ−クレゾール、3,5−ジメチルフェノール、2,5−ジメ
チルフェノール、2,3−ジメチルフェノール、2,4−ジメ
チルフェノール、2,6−ジメチルフェノール、3,4−ジメ
チルフェノール等が挙げられ、化合物（１）のトリメチ
ルフェノールとしては、例えば、2,3,5−トリメチルフ
ェノール等が挙げられる。これらの化合物（１）は単独
でまたは２種以上組み合わせて用いられる。ｍ−クレゾ
ールの使用割合が30モル％未満では90モル％を超える場
合には、解像度、現像性および現像後の残膜率が低下す
る。なお、この使用割合はノボラック樹脂合成時の原料
の使用割合である。As the xylenol of the compound (1), for example,
p-cresol, 3,5-dimethylphenol, 2,5-dimethylphenol, 2,3-dimethylphenol, 2,4-dimethylphenol, 2,6-dimethylphenol, 3,4-dimethylphenol, and the like, Examples of the trimethylphenol of the compound (1) include 2,3,5-trimethylphenol. These compounds (1) are used alone or in combination of two or more. If the use ratio of m-cresol is less than 30 mol% and exceeds 90 mol%, the resolution, developability and residual film ratio after development are reduced. In addition, this use ratio is the use ratio of the raw material at the time of synthesizing the novolak resin.

またアルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒ
ド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピ
ルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセトアル
デヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニ
ルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒ
ド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロキシ
ベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデヒド、ｍ−
クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデヒ
ド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、ｍ−ニトロベンズア
ルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデヒド、ｏ−メチルベ
ンズアルデヒド、ｐ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−エ
チルベンズアルデヒド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデヒ
ド等が挙げられ、これらの化合物のうち、ホルムアルデ
ヒド、アセトアルデヒドが好ましい。これらのアルデヒ
ド類は単独でまたは２種以上混合して使用することがで
きる。Examples of aldehydes include formaldehyde, paraformaldehyde, acetaldehyde, propylaldehyde, benzaldehyde, phenylacetaldehyde, α-phenylpropylaldehyde, β-phenylpropylaldehyde, o-hydroxybenzaldehyde, m-hydroxybenzaldehyde, p-hydroxybenzaldehyde, p-hydroxybenzaldehyde, -Chlorobenzaldehyde, m-
Chlorobenzaldehyde, p-chlorobenzaldehyde, o-nitrobenzaldehyde, m-nitrobenzaldehyde, p-nitrobenzaldehyde, o-methylbenzaldehyde, p-methylbenzaldehyde, p-ethylbenzaldehyde, pn-butylbenzaldehyde, and the like. Of the above compounds, formaldehyde and acetaldehyde are preferred. These aldehydes can be used alone or in combination of two or more.

アルデヒド類はフェノール類１モル当たり、通常、0.
7〜３モル、好ましくは0.7〜２モルの割合で使用され
る。Aldehydes are usually present in an amount of 0.
It is used in a proportion of 7 to 3 mol, preferably 0.7 to 2 mol.

さらに、前記ノボラック樹脂は、東洋ソーダ社製GPC
カラム（G2000H₆２本、G3000H₆、G4000H₆）を用い、流
量1.5ml/min、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温
度40℃の分析条件で単分散ポリスチレンを標準とするゲ
ルパーミエーションクロマトグラフ（GPC）法により求
めたポリスチレン換算重量平均分子量が6,300〜25,00
0、2,500〜6,000および150〜900の範囲にあるピークの
最大の高さの値をそれぞれａ、ｂおよびｃとしたのき、
好ましくはa/b＝０〜1.5およびc/b＝0.4〜２、特に好ま
しくはa/b＝0.2〜1.3およびc/b＝0.5〜1.5の範囲にある
樹脂が好ましい。a/bの値が1.5を超えると耐熱性は向上
するが、現像性が悪化する傾向にある。またc/bの値が
２を超えると現像度は向上するが、耐熱性および現像後
の残膜率が低下する傾向にあり、0.4未満では耐熱性は
向上するが、解像度が低下する傾向にある。Further, the novolak resin is GPC manufactured by Toyo Soda Co., Ltd.
Column (G2000H ₆ 2 present, G3000H _6, G4000H ₆₎ using a flow rate of 1.5 ml / min, eluent tetrahydrofuran, a gel permeation chromatograph (GPC) method using monodispersion polystyrene as a standard in the analysis conditions of column temperature 40 ° C. Weight average molecular weight in terms of polystyrene determined by 6,300 to 25,000
The maximum height values of the peaks in the range of 0, 2,500 to 6,000 and 150 to 900 are a, b and c, respectively,
Preferably, resins having a / b = 0 to 1.5 and c / b = 0.4 to 2, particularly preferably a / b = 0.2 to 1.3 and c / b = 0.5 to 1.5. When the value of a / b exceeds 1.5, heat resistance is improved, but developability tends to be deteriorated. When the value of c / b exceeds 2, the degree of development is improved, but the heat resistance and the residual film ratio after development tend to decrease. When the value of c / b is less than 0.4, the heat resistance improves, but the resolution tends to decrease. is there.

前記ノボラック樹脂は、前記フェノール類を酸触媒の
存在下に前記アルデヒド類と縮合させて合成されるが、
無触媒でも合成すことができる。この際用いられる酸触
媒としては、例えば塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸、ギ
酸、蓚酸、酢酸等の有機酸が挙げられる。酸触媒の使用
量はフェノール類１モルに対して0.1モル以下が好まし
い。The novolak resin is synthesized by condensing the phenols with the aldehydes in the presence of an acid catalyst.
It can be synthesized without a catalyst. Examples of the acid catalyst used at this time include inorganic acids such as hydrochloric acid, nitric acid, and sulfuric acid, and organic acids such as formic acid, oxalic acid, and acetic acid. The amount of the acid catalyst used is preferably 0.1 mol or less per 1 mol of the phenols.

また縮合反応においては、通常、反応媒質として水を
用いるが、使用するフェノール類がアルデヒド類の水溶
液に溶解せず、反応初期から不均一系になる場合には、
反応媒質として親水性溶媒を使用することもできる。こ
の際用いられる親水性溶媒としては、例えばメタノー
ル、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコ
ール類、またはテトラヒドロフラン、ジオキサン等の環
状エーテル類が挙げられる。In addition, in the condensation reaction, usually, water is used as a reaction medium, but when the phenol used does not dissolve in the aqueous solution of the aldehyde and becomes heterogeneous from the beginning of the reaction,
A hydrophilic solvent can also be used as a reaction medium. Examples of the hydrophilic solvent used at this time include alcohols such as methanol, ethanol, propanol and butanol, and cyclic ethers such as tetrahydrofuran and dioxane.

これらの反応媒質の使用量は、好ましくはフェノール
類とアルデヒド類の総量100重量部当たり、20〜1000重
量部である。The use amount of these reaction media is preferably 20 to 1000 parts by weight per 100 parts by weight of the total amount of phenols and aldehydes.

縮合反応の反応温度は、フェノール類とアルデヒド類
の反応性に応じて適宜調整することができるが、通常、
10〜200℃、好ましくは70〜130℃である。また前記ノボ
ラック樹脂を得る反応法としては、例えば反応性の少な
いフェノール類、アルデヒド類および酸触媒を一括して
仕込んで反応させる方法、アルデヒド類および酸触媒に
フェノール類を反応の進行とともに加えて反応させる方
法等が挙げられる。このフェノール類を反応の進行とと
もに加えて反応させる方法においては、前記ノボラック
樹脂をより再現性よく、安定的に製造するため、始めに
フェノール類の一部、アルデヒド類および酸触媒を仕込
んで重合させ、その後残りのフェノール類を反応の進行
とともに加えて反応させる方法をとることが好ましい。
縮合反応終了後、系内に存在する未反応物、酸触媒、反
応媒質等を除去し、ノボラック樹脂を回収する。The reaction temperature of the condensation reaction can be appropriately adjusted depending on the reactivity between the phenol and the aldehyde, but usually,
The temperature is 10 to 200 ° C, preferably 70 to 130 ° C. Examples of the reaction method for obtaining the novolak resin include, for example, a method in which phenols, aldehydes, and an acid catalyst having low reactivity are collectively charged and reacted, and phenols are added to the aldehydes and the acid catalyst as the reaction proceeds, and the reaction is performed. And the like. In the method of adding and reacting phenols with the progress of the reaction, in order to produce the novolak resin more reproducibly and stably, a part of phenols, aldehydes and an acid catalyst are first charged and polymerized. Then, it is preferable to adopt a method in which the remaining phenols are added as the reaction proceeds to cause a reaction.
After the completion of the condensation reaction, unreacted substances, acid catalyst, reaction medium and the like existing in the system are removed, and the novolak resin is recovered.

本発明に用いられる1,2−キノンジアジド化合物は、
特に限定されないが、例えば1,2−ベンゾキノンジアジ
ド−４−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジア
ジド−４−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸エステル等が挙げられる。具体
的にはｐ−クレゾール、レゾルシノール、ピロガロール
等の（ポリ）ヒドロキシベンゼンの1,2−ベンゾキノン
ジアジド−４−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノ
ンジアジド−４−スルホン酸エステルまたは1,2−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸エステル;2,4−ジヒ
ドロキシフェニル−プロピルケトン、2,4−ジヒドロキ
シフェニル−ｎ−ヘキシルケトン、2,4−ジヒドロキシ
ベンゾフェノン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン−ｎ−ヘキシルケトン、2,3,4−トリヒドロキシベン
ゾフェノン、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン、
2,2′,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,
4,4′−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2′,3,4,
6′−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3′,4,4′,
5′−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3′,4′,
5′,6−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3,3′,4,
4′,5′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、2,3′,4,
4′,5′,6−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等の（ポ
リ）ヒドロキシフェニルアルキルケトンまたは（ポリ）
ヒドロキシフェニルアリールケトンの1,2−ベンゾキノ
ンジアジド−４−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキ
ノンジアジド−４−スルホン酸エステルまたは1,2−ナ
フトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル；ビス
（ｐ−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（2,4−ジヒ
ドロキシフェニル）メタン、ビス（2,3,4−トリヒドロ
キシフェニル）メタン、2,2−ビス（ｐ−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン、2,2−ビス（2,4−ジヒドロキシフェ
ニル）プロパン、2,2−ビス（2,3,4−トリヒドロキシフ
ェニル）プロパン等のビス〔（ポリ）ヒドロキシフェニ
ル〕アルカンの1,2−ベンゾキノンジアジド−４−スル
ホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−４−ス
ルホン酸エステルまたは1,2−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸エステル;3,5−ジヒドロキシ安息香酸ラ
ウリル、2,3,4−トリヒドロキシ安息香酸フェニル、3,
4,5−トリヒドロキシ安息香酸プロピル、3,4,5−トリヒ
ドロキシ安息香酸フェニル等の（ポリ）ヒドロキシ安息
香酸アルキルエステルまたは（ポリ）ヒドロキシ安息香
酸アリールエステルの1,2−ベンゾキノンジアジド−４
−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−
４−スルホン酸エステルまたは1,2−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸エステル；ビス（2,5−ジヒドロ
キシベンゾイル）メタン、ビス（2,3,4−トリヒドロキ
シベンゾイル）メタン、ビス（2,4,6−トリヒドロキシ
ベンゾイル）メタン、ｐ−ビス（2,5−ジヒドロキシベ
ンゾイル）ベンゼン、ｐ−ビス（2,3,4−トリヒドロキ
シベンゾイル）ベンゼン、ｐ−ビス（2,4,6−トリヒド
ロキシベンゾイル）ベンゼン等のビス〔（ポリ）ヒドロ
キシベンゾイル〕アルカンまたはビス〔（ポリ）ヒドロ
キシベンゾイル〕ベンゼンの1,2−ベンゾキノンジアジ
ド−４−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジア
ジド−４−スルホン酸エステルまたは1,2−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸エステル；エチレングリコ
ール−ジ（3,5−ジヒドロキシベンゾエート）、ポリエ
チレングリコール−ジ（3,4,5−トリヒドロキシベンゾ
エート）等の（ポリ）エチレングリコール−ジ〔（ポ
リ）ヒドロキシベンゾエート〕の1,2−ベンゾキノンジ
アジド−４−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノン
ジアジド−４−スルホン酸エステルまたは1,2−ナフト
キノンジアジド−５−スルホン酸エステル等が挙げられ
る。これらの化合物の他に、J.Kosar著“Light-Sensiti
ve Systems"339〜352,（1965）、John Wiley ＆ Sons社
（New York）やW.S.De Ferest著“Photoresist"50,（19
75）、McGraw-Hill,Inc.,（New York）に掲載されてい
る1,2−キノンジアジド化合物を用いることもできる。
これらの1,2−キノンジアジド化合物は単独でまたは２
種以上混合して用いられる。The 1,2-quinonediazide compound used in the present invention is
Although not particularly limited, examples thereof include 1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester. Specifically, 1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester or 1,2-naphtho of (poly) hydroxybenzene such as p-cresol, resorcinol, and pyrogallol Quinonediazide-5-sulfonic acid ester; 2,4-dihydroxyphenyl-propyl ketone, 2,4-dihydroxyphenyl-n-hexyl ketone, 2,4-dihydroxybenzophenone, 2,3,4-trihydroxybenzophenone-n-hexyl Ketone, 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,4,6-trihydroxybenzophenone,
2,2 ', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,
4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,2 ', 3,4,
6'-pentahydroxybenzophenone, 2,3 ', 4,4',
5'-pentahydroxybenzophenone, 2,3 ', 4',
5 ', 6-pentahydroxybenzophenone, 2,3,3', 4,
4 ', 5'-hexahydroxybenzophenone, 2,3', 4,
(Poly) hydroxyphenyl alkyl ketone such as 4 ', 5', 6-hexahydroxybenzophenone or (poly)
1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester or 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester of hydroxyphenylarylketone; bis (p-hydroxyphenyl ) Methane, bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (p-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis (2,4 1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonic acid ester of bis [(poly) hydroxyphenyl] alkane such as -dihydroxyphenyl) propane and 2,2-bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane; 2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester or 1,2-naphthoquinonediazide-
5-sulfonic acid ester; lauryl 3,5-dihydroxybenzoate, phenyl 2,3,4-trihydroxybenzoate, 3,5
1,2-benzoquinonediazide-4 of alkyl (poly) hydroxybenzoate or aryl (poly) hydroxybenzoate such as propyl 4,5-trihydroxybenzoate and phenyl 3,4,5-trihydroxybenzoate.
-Sulfonic acid ester, 1,2-naphthoquinonediazide-
4-sulfonic acid ester or 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester; bis (2,5-dihydroxybenzoyl) methane, bis (2,3,4-trihydroxybenzoyl) methane, bis (2,4, 6-trihydroxybenzoyl) methane, p-bis (2,5-dihydroxybenzoyl) benzene, p-bis (2,3,4-trihydroxybenzoyl) benzene, p-bis (2,4,6-trihydroxybenzoyl) ) 1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester of bis [(poly) hydroxybenzoyl] alkane or bis [(poly) hydroxybenzoyl] benzene such as benzene or 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester; ethylene glycol-di (3,5-dihydroxybenzoate 1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonic acid ester of (poly) ethylene glycol-di [(poly) hydroxybenzoate], such as polyethylene glycol-di (3,4,5-trihydroxybenzoate), 1,2- Examples thereof include naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester. In addition to these compounds, "Light-Sensiti" by J. Kosar
ve Systems "339-352, (1965), John Wiley & Sons (New York) and WSDe Ferest," Photoresist "50, (19
75), 1,2-quinonediazide compounds described in McGraw-Hill, Inc., (New York) can also be used.
These 1,2-quinonediazide compounds may be used alone or
Used as a mixture of more than one species.

これらの1,2−キノンジアジド化合物の配合量は、前
記ノボラック樹脂100重量部に対して、通常、５〜100重
量部、好ましくは10〜50重量部である。この配合量が５
重量部未満の場合には、1,2−キノンジアジド化合物が
放射線を吸収して生成するカルボン酸量が少ないので、
パターニングが困難であり、一方、100重量部を超える
場合には、短時間の放射線照射では加えた1,2−キノン
ジアジド化合物の全てを分解することができず、アルカ
リ性水溶液からなる現像液による現像が困難となる場合
がある。The amount of the 1,2-quinonediazide compound is usually 5 to 100 parts by weight, preferably 10 to 50 parts by weight, based on 100 parts by weight of the novolak resin. This compounding amount is 5
If the amount is less than 1 part by weight, the amount of the carboxylic acid generated by the absorption of radiation by the 1,2-quinonediazide compound is small,
When the patterning is difficult, on the other hand, when the amount exceeds 100 parts by weight, all of the added 1,2-quinonediazide compound cannot be decomposed by short-time irradiation, and development with a developing solution composed of an alkaline aqueous solution cannot be performed. It can be difficult.

次に本発明に用いられる一般式（Ｉ）で表されるβ−
ジケトン誘導体（以下、単に「β−ジケトン誘導体」と
いう）において、式中のＲ₁およびＲ₈は、同一または異
なり４−ヒドロキシフェニル基、３−メトキシ−４−ヒ
ドロキシフェニル基、2,4−ジヒドロキシフェニル基、
2,3,4−トリヒドロキシフェニル基、３−エトキシ−４
−ヒドロキシフェニル基、３−ブトキシ−４−ヒドロキ
シフェニル基、３−メチル−４−ヒドロキシフェニル
基、3,5−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル基、３−
メトキシフェニル基、3,5−ジメトキシフェニル基、３
−メチルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基等の炭
素数６〜15のアリール基、好ましくはこれらのうちヒド
ロキシ基をもつアリール基であり、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、
Ｒ₅、Ｒ₆およびＲ₇は同一または異なり水素原子または
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等の炭素数
１〜８のアルキル基、好ましくはＲ₄およびＲ₅のうち少
なくとも一方が水素原子である。該β−ジケトン誘導体
は、吸光性材料として用いられ、例えば、1,7−ビス−
（４−ヒドロキシフェニル）−1,6−ヘプタジエン−3,5
−ジオン、１−（４−ヒドロキシフェニル）−７−（３
−メトキシ−４−ヒドロキシフェニル）−1,6−ヘプタ
ジエン−3,5−ジオン、1,7−ビス−（３−メトキシ−４
−ヒドロキシフェニル）−1,6−ヘプタジエン−3,5−ジ
オン、1,7−ビス−（2,4−ジヒドロキシフェニル）−1,
6−ヘプタジエン−3,5−ジオン、1,7−ビス−（2,3,4−
トリヒドロキシフェニル）−1,6−ヘプタジエン−3,5−
ジオン、１−（４−ヒドロキシフェニル）−７−（2,3,
4−トリヒドロキシフェニル）−1,6−ヘプタジエン−3,
5−ジオン、1,7−ビス−（３−メトキシ−４−ヒドロキ
シフェニル）−4,4−ジメチル−1,6−ヘプタジエン−3,
5−ジオン、1,7−ビス−（３−メトキシ−４−ヒドロキ
シフェニル）−4,4−ジエチル−1,6−ヘプタジエン−3,
5−ジオン、1,7−ビス−（３−メトキシ−４−ヒドロキ
シフェニル）−1,2,6,7−テトラメチル−1,6−ヘプタジ
エン−3,5−ジオン、1,7−ビス−（３−メトキシ−４−
ヒドロキシフェニル）−1,2,4,4,6,7−ヘキサメチル−
1,6−ヘプタジエン−3,5−ジオン、1,7−ビス−（３−
エトキシ−４−ヒドロキシフェニル）−1,6−ヘプタジ
エン−3,5−ジオン、1,7−ビス−（３−ブトキシ−４−
ヒドロキシフェニル）−1,6−ヘプタジエン−3,5−ジオ
ン、１−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−７
−（３−メトキシ−４−ヒドロキシフェニル）−1,6−
ヘプタジエン−3,5−ジオン、１−（3,5−ジメチル−４
−ヒドロキシフェニル）−７−（３−メトキシ−４−ヒ
ドロキシフェニル）−1,6−ヘプタジエン−3,5−ジオ
ン、1,7−ビス−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）−1,6−ヘプタジエン−3,5−ジオン等が挙げられ
る。これらの吸光性材料は単独または２種以上混合して
使用される。Next, β- represented by the general formula (I) used in the present invention.
In the diketone derivative (hereinafter simply referred to as “β-diketone derivative”), R ₁ and R ₈ in the formula are the same or different and are a 4-hydroxyphenyl group, a 3-methoxy-4-hydroxyphenyl group, a 2,4-dihydroxy group. Phenyl group,
2,3,4-trihydroxyphenyl group, 3-ethoxy-4
-Hydroxyphenyl group, 3-butoxy-4-hydroxyphenyl group, 3-methyl-4-hydroxyphenyl group, 3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl group, 3-
Methoxyphenyl group, 3,5-dimethoxyphenyl group, 3
An aryl group having 6 to 15 carbon atoms, such as a -methylphenyl group or a 3,5-dimethylphenyl group, and preferably an aryl group having a hydroxy group among these, and R ₂ , R ₃ , R ₄ ,
R ₅ , R ₆ and R ₇ are the same or different and are each a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group or a butyl group, and preferably at least one of R ₄ and R ₅ is hydrogen. Is an atom. The β-diketone derivative is used as a light absorbing material, for example, 1,7-bis-
(4-hydroxyphenyl) -1,6-heptadiene-3,5
-Dione, 1- (4-hydroxyphenyl) -7- (3
-Methoxy-4-hydroxyphenyl) -1,6-heptadiene-3,5-dione, 1,7-bis- (3-methoxy-4
-Hydroxyphenyl) -1,6-heptadiene-3,5-dione, 1,7-bis- (2,4-dihydroxyphenyl) -1,
6-heptadiene-3,5-dione, 1,7-bis- (2,3,4-
(Trihydroxyphenyl) -1,6-heptadiene-3,5-
Dione, 1- (4-hydroxyphenyl) -7- (2,3,
4-trihydroxyphenyl) -1,6-heptadiene-3,
5-dione, 1,7-bis- (3-methoxy-4-hydroxyphenyl) -4,4-dimethyl-1,6-heptadiene-3,
5-dione, 1,7-bis- (3-methoxy-4-hydroxyphenyl) -4,4-diethyl-1,6-heptadiene-3,
5-dione, 1,7-bis- (3-methoxy-4-hydroxyphenyl) -1,2,6,7-tetramethyl-1,6-heptadiene-3,5-dione, 1,7-bis- (3-methoxy-4-
(Hydroxyphenyl) -1,2,4,4,6,7-hexamethyl-
1,6-heptadiene-3,5-dione, 1,7-bis- (3-
Ethoxy-4-hydroxyphenyl) -1,6-heptadiene-3,5-dione, 1,7-bis- (3-butoxy-4-
(Hydroxyphenyl) -1,6-heptadiene-3,5-dione, 1- (3-methyl-4-hydroxyphenyl) -7
-(3-methoxy-4-hydroxyphenyl) -1,6-
Heptadiene-3,5-dione, 1- (3,5-dimethyl-4
-Hydroxyphenyl) -7- (3-methoxy-4-hydroxyphenyl) -1,6-heptadiene-3,5-dione, 1,7-bis- (3-methyl-4-hydroxyphenyl) -1,6 Heptadiene-3,5-dione; These light absorbing materials are used alone or in combination of two or more.

前記β−ジケトン誘導体の配合量は、ノボラック樹脂
100重量部に対して１〜５重量部である。配合量は多す
ぎると、感度が低下し、また少なすぎるとハレーション
防止効果を発揮することができないことがある。The compounding amount of the β-diketone derivative is novolak resin
It is 1 to 5 parts by weight for 100 parts by weight. If the amount is too large, the sensitivity is lowered, and if the amount is too small, the antihalation effect may not be exhibited.

また前記吸光性材料には、他の吸光性材料の１種また
は２種以上をノボラック樹脂100重量部に対して５重量
部以下の範囲で併用することもできる。これらの吸光性
材料としては、例えばメチルバイオレット2B（CINo.425
55）、マラカイトグリーン（CINo.42000）、ビクトリア
ブルーＢ（CINo.44045）、ニュートラルレッド（CINo.5
0040）、ソルベントイエロー２（CINo.11020）、ソルベ
ントイエロー６（CINo.11390）、ソルベントイエロー14
（CINo.12055）、ソルベントイエロー15（CINo.1882
0）、ソルベントイエロー16（CINo.12700）、ソルベン
トイエロー21（CINo.18690）、ソルベントイエローＤ−
33（CINo.47000）、ソルベントイエロー56（CINo.1102
1）、ソルベントオレンジ１（CINo.11920）、ソルベン
トオレンジ２（CINo.12100）、ソルベントオレンジ14
（CINo.26020）、ソルベントオレンジ40、ソルベントレ
ッド３（CINo.12010）、ソルベントレッド８（CINo.127
15）、ソルベントレッド23（CINo.26100）、ソルベント
レッド24（CINo.26105）、ソルベントレッド25（CINo.2
6110）、ソルベントレッド27（CINo.26125）、ソルベン
トレッド（CINo.45170B）、ディスパースレッド９（CIN
o.60505）、オイルスカーレット308（CINo.21260）、ソ
ルベントブラウン（CINo.12020）、ディスパースイエロ
ー１（CINo.10345）、ディスパースイエロー３（CINo.1
1855）、ディスパースイエロー４（CINo.12770）、ディ
スパースイエロー８（CINo.27090）、ディスパースイエ
ロー42（CINo.10338）、ディスパースオレンジ１（CIN
o.11080）、ディスパースオレンジ３（CINo.11005）、
ディスパースオレンジ５（CINo.11100）、ディスパース
オレンジ11（CINo.60700）、ディスパースレッド１（CI
No.11110）、ディスパースレッド４（CINo.60755）、デ
ィスパースレッド11（CINo.62015）、ディスパースレッ
ド15（CINo.60710）、ディスパースレッド58（CINo.111
35）等の油溶染料、分散染料または塩基性染料、ミケト
ン・フォスト・イエロー7G、ミケトン・ファスト・オレ
ンジ5R（三井東圧染料社製）、ホロン（サンド社製）、
マクロレックスイエロー6G（バイエル社製）等のメチン
系染料、イエローHM-1123、イエローHM-1134（三井東圧
染料社製）、５−メチル−１−フェンル−４−フェニル
アゾピラゾール、１−フェニル−４−フェニルアゾ−５
−オキシピラゾール、１−フェニル−４−フェニルアゾ
−５−メチルイミダゾール、１−フェニル−４−フェニ
ルアゾ−５−オキシイミダゾール等のピラゾールまたは
イミダゾール系染料、スチルベン、4,4−ジアミノスチ
ルベンスルホン酸誘導体、クマリン誘導体、ピラゾリン
誘導体等の蛍光増白剤、特開昭59-142538号公報に記載
されたヒドロキシアゾ系染料等が挙げられる。One or more other light-absorbing materials may be used in combination with the light-absorbing material in an amount of 5 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the novolak resin. Examples of these light-absorbing materials include methyl violet 2B (CI No. 425).
55), Malachite Green (CINo.42000), Victoria Blue B (CINo.44045), Neutral Red (CINo.5)
0040), Solvent Yellow 2 (CINo. 11020), Solvent Yellow 6 (CINo. 11390), Solvent Yellow 14
(CINo.12055), Solvent Yellow 15 (CINo.1882)
0), Solvent Yellow 16 (CINo. 12700), Solvent Yellow 21 (CINo. 18690), Solvent Yellow D-
33 (CINo.47000), Solvent Yellow 56 (CINo.1102)
1), Solvent Orange 1 (CINo.11920), Solvent Orange 2 (CINo.12100), Solvent Orange 14
(CINo.26020), Solvent Orange 40, Solvent Red 3 (CINo.12010), Solvent Red 8 (CINo.127)
15), Solvent Red 23 (CINo. 26100), Solvent Red 24 (CINo. 26105), Solvent Red 25 (CINo. 2)
6110), Solvent Red 27 (CINo. 26125), Solvent Red (CINo. 45170B), Disperse Red 9 (CIN
o.60505), Oil Scarlet 308 (CINo.21260), Solvent Brown (CINo.12020), Disperse Yellow 1 (CINo.10345), Disperse Yellow 3 (CINo.1)
1855), Disperse Yellow 4 (CINo. 12770), Disperse Yellow 8 (CINo. 27090), Disperse Yellow 42 (CINo. 10338), Disperse Orange 1 (CIN
o.11080), Disperse Orange 3 (CINo. 11005),
Disperse Orange 5 (CINo.11100), Disperse Orange 11 (CINo.60700), Disperse Red 1 (CINo.
No.11110), Disper Thread 4 (CINo.60755), Disper Thread 11 (CINo.62015), Disper Thread 15 (CINo.60710), Disper Thread 58 (CINo.111)
35) etc., oil-soluble dyes, disperse dyes or basic dyes, Miketone Fast Yellow 7G, Miketone Fast Orange 5R (manufactured by Mitsui Toatsu Dye), holon (manufactured by Sando),
Methine dyes such as Macrolex Yellow 6G (manufactured by Bayer), yellow HM-1123, yellow HM-1134 (manufactured by Mitsui Toatsu Dye), 5-methyl-1-fenl-4-phenylazopyrazole, 1-phenyl -4-phenylazo-5
Pyrazole or imidazole dyes such as -oxypyrazole, 1-phenyl-4-phenylazo-5-methylimidazole, 1-phenyl-4-phenylazo-5-oxyimidazole, stilbene, 4,4-diaminostilbene sulfonic acid derivative, coumarin Fluorescent brighteners such as derivatives and pyrazoline derivatives; and hydroxyazo dyes described in JP-A-59-142538.

本発明のポジ型ホトレジストには、ホトレジストとし
ての感度を向上させるため、増感剤を配合することがで
きる。これらの増感剤としては、例えば2H−ピリド〔3,
2−ｂ〕−1,4−オキサジン−３〔4H〕オン類、10H−ピ
リド〔3,2−ｂ〕〔1,4〕−ベンゾチアジン類、ウラゾー
ル類、ヒダントイン類、バルビツール酸類、グリシン無
水物類、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール類、アロキ
サン類、マレイミド類等を挙げることができる。これら
の増感剤の配合量は、前記1,2−キノンジアジド化合物1
00重量部に対して、通常、100重量部以下が好ましく、
特に４〜60重量部が好ましい。A sensitizer can be added to the positive photoresist of the present invention in order to improve the sensitivity as a photoresist. These sensitizers include, for example, 2H-pyrido [3,
2-b] -1,4-oxazine-3 [4H] ones, 10H-pyrido [3,2-b] [1,4] -benzothiazines, urazoles, hydantoins, barbiturates, glycine anhydride , 1-hydroxybenzotriazoles, alloxanes, maleimides and the like. The compounding amount of these sensitizers depends on the amount of the 1,2-quinonediazide compound 1
Usually, 100 parts by weight or less is preferable for 00 parts by weight,
Particularly, 4 to 60 parts by weight is preferable.

また本発明のポジ型ホトレジストには、ストリエーシ
ョン等の塗布性や乾燥塗膜形成後の現像性を改良するた
めに界面活性剤等を配合することができる。界面活性剤
としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテ
ル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキ
シエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンア
ルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノ
ールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエ
ーテル等のポリオキシエチレンアルキルフェノールエー
テル類、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエ
チレングリコールジステアレート等のポリエチレングリ
コールジアルキルエーテル類のようなノニオン系界面活
性剤、エフトップEF301、EF303、EF352（新秋田化成社
製）、メガファックF171、F172、F173（大日本インキ社
製）、フロラードFC430、FC431（住友スリーエム社
製）、アサヒガードAG710、サーフロンＳ−382、SC10
1、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106（旭硝子社製）
等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマー
KP341（信越化学工業社製）やアクリル酸系またはメタ
クリル酸系（共）重合体ポリフローNo.75、No.95（共栄
社油脂化学工業社製）等が挙げられる。これらの界面活
性剤の配合量は、ノボラック樹脂および1,2−キノンジ
アジド化合物の総量100重量部当たり、通常、２重量部
以下が好ましく、特に１重量部以下が好ましい。Further, a surfactant or the like can be added to the positive photoresist of the present invention in order to improve coatability such as striation and developability after forming a dried coating film. Examples of the surfactant include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, and polyoxyethylene oleyl ether; and polyoxyethylene alkyl phenols such as polyoxyethylene octyl phenol ether and polyoxyethylene nonyl phenol ether. Nonionic surfactants such as ethers, polyethylene glycol dialkyl ethers such as polyethylene glycol dilaurate and polyethylene glycol distearate, F-top EF301, EF303, EF352 (manufactured by Shin-Akita Kasei), Megafac F171, F172, F173 (Manufactured by Dainippon Ink), Florard FC430, FC431 (manufactured by Sumitomo 3M), Asahi Guard AG710, Surflon S-382, SC10
1, SC102, SC103, SC104, SC105, SC106 (made by Asahi Glass Co., Ltd.)
And other fluorosurfactants, organosiloxane polymers
KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and acrylic or methacrylic acid (co) polymer polyflow Nos. 75 and 95 (manufactured by Kyoeisha Yushi Kagaku Kogyo KK) and the like. The mixing amount of these surfactants is usually preferably 2 parts by weight or less, more preferably 1 part by weight or less, per 100 parts by weight of the total amount of the novolak resin and the 1,2-quinonediazide compound.

さらに本発明のポジ型ホトレジストには、接着性を改
良するために接着助剤を、さらに必要に応じて保存安定
剤、消泡剤等を配合することもできる。Further, the positive photoresist of the present invention may contain an adhesion aid for improving the adhesiveness, and if necessary, a storage stabilizer, an antifoaming agent and the like.

本発明のポジ型ホトレジストは、前記ノボラック樹
脂、1,2−キノンジアジド化合物、β−ジケトン誘導体
および各種配合剤を、溶剤に溶解させ、例えば孔径0.2
μｍ程度のフィルタで濾過することにより、固形分濃度
が10〜35重量％程度に調製され、これを回転塗布、流し
塗布、ロール塗布等によりシリコンウェーハ等に塗布さ
れる。The positive photoresist of the present invention is obtained by dissolving the novolak resin, 1,2-quinonediazide compound, β-diketone derivative and various compounding agents in a solvent, for example, having a pore diameter of 0.2.
By filtering through a filter of about μm, the solid content concentration is adjusted to about 10 to 35% by weight, and this is applied to a silicon wafer or the like by spin coating, flow coating, roll coating or the like.

この際に用いられる溶剤としては、例えばエチレング
リコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノ
エチルエーテル、ジエチルグリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコー
ルジブチルエーテル等のグリコールエーテル類、メチル
セロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等
のセロソルブエステル類、２−ヒドロキシプロピオン酸
メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル等のモノヒ
ドロキシモノカルボン酸エステル類、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサン等のケトン類、または酢酸エチル、
酢酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル
アセテート等のエステル類を例示することができる。こ
れらの溶剤は単独でまたは２種類以上混合して使用され
る。また必要に応じてベンジルエチルエーテル、ジヘキ
シルエーテル等のエーテル類、ジエチレングリコールモ
ノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエ
ーテル等のグリコールエーテル類、アセトニルアセト
ン、イソホロン等のケトン等、カプロン酸、カプリル酸
等の脂肪酸類、１−オクタノール、１−ノナノール、ベ
ジルアルコール等のアルコール類、酢酸ベンジル、安息
香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、
γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、
フェニルセロソルブアセテート等のエステル類のような
高沸点溶剤または、トルエン、キシレン等の芳香族炭化
水素を添加することができる。As the solvent used in this case, for example, glycol ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, diethyl glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dipropyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate Cellosolve esters, such as methyl 2-hydroxypropionate, monohydroxymonocarboxylic acid esters, such as ethyl 2-hydroxypropionate, ketones, such as methyl ethyl ketone, cyclohexane, or ethyl acetate;
Esters such as butyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and propylene glycol monoethyl ether acetate can be exemplified. These solvents are used alone or in combination of two or more. If necessary, benzyl ethyl ether, ethers such as dihexyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, glycol ethers such as diethylene glycol monoethyl ether, acetonylacetone, ketones such as isophorone, caproic acid, fatty acids such as caprylic acid, 1-octanol, 1-nonanol, alcohols such as bezyl alcohol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate,
γ-butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate,
High boiling solvents such as esters such as phenyl cellosolve acetate or aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene can be added.

本発明のポジ型ホトレジストの現像液としては、例え
ば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア
水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルア
ミン等の第１級アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プ
ロピルアミン等の第２級アミン類、トリエチルアミン、
メチルジエチルアミン等の第３級アミン類、ジメチルエ
タノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコール
アミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テ
トラエチルアンモニウムドロキシド等の第４級アンモニ
ウム塩、またはピロール、ピペリジン、1,8−ジアザビ
シクロ（5,4,0）−７−ウンデセン、1,5−ジアザビシク
ロ（4,3,0）−５−ノナン等の環状アミン類を溶解して
あるアルカリ性水溶液が使用される。また前記現像液に
水溶性有機溶媒、例えばメタノール、エタノール等のア
ルコール類や界面活性剤を適量添加したアルカリ性水溶
液を現像液として使用することもできる。Examples of the developer for the positive photoresist of the present invention include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and aqueous ammonia; and primary amines such as ethylamine and n-propylamine. Amines, diethylamine, secondary amines such as di-n-propylamine, triethylamine,
Tertiary amines such as methyldiethylamine; alcoholamines such as dimethylethanolamine and triethanolamine; quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium droxide; or pyrrole, piperidine, 1,8- An alkaline aqueous solution in which cyclic amines such as diazabicyclo (5,4,0) -7-undecene and 1,5-diazabicyclo (4,3,0) -5-nonane are dissolved is used. In addition, an alkaline aqueous solution obtained by adding an appropriate amount of a water-soluble organic solvent, for example, an alcohol such as methanol or ethanol or a surfactant to the developer can be used as the developer.

〔実施例〕〔Example〕

以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発
明はこれらの実施例によって何ら制約されるものではな
い。Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

実施例１ （１） 撹拌機、冷却管および温度計を装着したセパラ
ブルフラスコに、ｍ−クレゾール324g（３モル）、３、
５−ジメチルフェノール244g（２モル）、37重量％ホル
ムアルデヒド水溶液770gおよび蓚酸0.8を仕込み、セパ
ラブルフラスコを油浴に浸し、内温を100℃に保持しな
がら１時間反応させ、その後さらにｍ−クレゾール324g
（３モル）および3,5−ジメチルフェノール244g（２モ
ル）を反応の進行とともに連続的にセパラブルフラスコ
に仕込み、２時間反応させた。Example 1 (1) In a separable flask equipped with a stirrer, a cooling tube and a thermometer, 324 g (3 mol) of m-cresol, 3,
244 g (2 mol) of 5-dimethylphenol, 770 g of a 37% by weight aqueous solution of formaldehyde and 0.8 of oxalic acid were charged, and the separable flask was immersed in an oil bath and reacted for 1 hour while maintaining the internal temperature at 100 ° C. 324g
(3 mol) and 244 g (2 mol) of 3,5-dimethylphenol were continuously charged into the separable flask as the reaction proceeded, and reacted for 2 hours.

次いで油浴温度を180℃まで上昇させ、同時にセパラ
ブルフラスコ内を減圧にして水、未反応のホルムアルデ
ヒド、ｍ−クレゾールおよび3,5−ジメチルフェノー
ル、ならびに蓚酸を除去した。次いで溶融したノボラッ
ク樹脂を室温に戻し回収した。Then, the temperature of the oil bath was raised to 180 ° C., and simultaneously, the pressure in the separable flask was reduced to remove water, unreacted formaldehyde, m-cresol, 3,5-dimethylphenol, and oxalic acid. Next, the melted novolak resin was returned to room temperature and collected.

このノボラック樹脂のポリスチレン換算重量平均分子
量分布を、東洋ソーダ社製GPCカラム（G2000H₆２本、G3
000H₆、G4000H₆）を用い、流量1.5ml/min、溶出溶媒テ
トラヒドロフラン、カラム温度40℃の分析条件で単分散
ポリスチレンを標準としてゲルパーミエーションクロマ
トグラフ（GPC）法により求め、その結果を第１表に示
す。The polystyrene-reduced weight average molecular weight distribution of the novolak resin, Toyo Soda Co. GPC column (G2000H ₆ 2 present, G3
000H ₆ , G4000H ₆ ) at a flow rate of 1.5 ml / min, elution solvent of tetrahydrofuran, column temperature of 40 ° C. and analysis conditions of monodisperse polystyrene as a standard, determined by gel permeation chromatography (GPC) method. It is shown in the table.

このようにして得られたノボラック樹脂100重量部と
第１表に記載の1,2−キノンジアジド化合物29重量部お
よび1,7−ビス−（３−メトキシ−４−ヒドロキシフェ
ニル）−1,2,6,7−テトラメチル−1,6−ヘプタジエン−
3,5−ジオン３重量部とを、エチルセロソルブアセテー
ト320重量部に溶解した後、孔径0.2μｍのフィルターで
濾過し、本発明のポジ型ホトレジストの溶液を調製し
た。100 parts by weight of the novolak resin thus obtained, 29 parts by weight of the 1,2-quinonediazide compound shown in Table 1 and 1,7-bis- (3-methoxy-4-hydroxyphenyl) -1,2, 6,7-tetramethyl-1,6-heptadiene-
After dissolving 3 parts by weight of 3,5-dione in 320 parts by weight of ethyl cellosolve acetate, the solution was filtered through a filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a solution of the positive photoresist of the present invention.

（２） （１）で得られたポジ型ホトレジストを、厚さ
0.2μｍのアルミニウム層を蒸着した0.6μｍの段差構造
を有するシリコンウエーハ上に回転塗布した後、90℃に
保持したホットプレート上で２分間プレベークして乾燥
膜厚1.3μｍのレジスト膜を得た。(2) Thickness of the positive photoresist obtained in (1)
After spin-coating on a silicon wafer having a step structure of 0.6 μm on which a 0.2 μm aluminum layer was deposited, it was pre-baked on a hot plate maintained at 90 ° C. for 2 minutes to obtain a 1.3 μm dry film resist film.

このレジスト膜に、ライン幅とスペース幅の等しい
（1L/1Sパターン）テストパターンレチクルを用い、350
W超高圧水銀灯を有する1/10縮小投影露光装置で1.1秒間
露光した後、現像液としてのテトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド2.4重量％水溶液に浸漬し、250℃で１分間
現像し、水でリンスし、乾燥した。このときの残膜率は
98％であった。Using a test pattern reticle with the same line width and space width (1L / 1S pattern) for this resist film,
After exposure for 1.1 seconds with a 1/10 reduction projection exposure apparatus equipped with a W ultra-high pressure mercury lamp, immersion in a 2.4% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide as a developer, development at 250 ° C. for 1 minute, rinsing with water, Dried. The residual film ratio at this time is
98%.

得られたレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察
したところ、感度および現像性は良好であり、現像残り
は認められず、さらにハレーションの影響による断線や
欠けが全くなく、0.8μｍのレジストパターンまで精度
よく解像できた。When the obtained resist pattern was observed with a scanning electron microscope, the sensitivity and developability were good, no development residue was observed, and there was no disconnection or chipping due to the influence of halation. It was well resolved.

またオーブン中にレジストパターンを生成したウエハ
ーをいれてパターンが崩れ始めたときの温度を求めたと
ころ、150℃であり、レジストとして耐熱性が良好であ
ることが分かった。The temperature at which the pattern began to collapse was determined by placing the wafer on which the resist pattern was formed in an oven. The temperature was found to be 150 ° C., indicating that the resist had good heat resistance.

（３） （１）で得られたポジ型ホトレジストおよびシ
リコンウエーハを用い、露光時間を1.2秒間とした以外
は（２）と同様にしてレジストパターンを形成した。(3) Using the positive photoresist and silicon wafer obtained in (1), a resist pattern was formed in the same manner as (2) except that the exposure time was 1.2 seconds.

このときの残膜率は97.4％であり、高残膜率を有して
いた。またポジ型ホトレジストの調製後３ケ月間25℃で
保存し、その後同様の評価を行なったところ、同等のレ
ジスト性能が得られ、本発明のポジ型ホトレジストは保
存安定性にも優れていることがわかった。At this time, the residual film ratio was 97.4%, indicating a high residual film ratio. Further, after the preparation of the positive photoresist, it was stored at 25 ° C. for 3 months, and then the same evaluation was performed. As a result, the same resist performance was obtained, and the positive photoresist of the present invention was also excellent in storage stability. all right.

（４） さらに（１）で得られたポジ型ホトレジストを
（２）と同様にシリコンウエーハ上に回転塗布しプレベ
ークした後、25℃で４日間放置し、露光することにより
（３）と同様の評価を行なったところ、（３）と同等の
レジスト性能が得られ、本発明のポジ型ホトレジストは
塗布後の安定性にも優れていることがわかった。(4) Further, the positive photoresist obtained in (1) is spin-coated on a silicon wafer in the same manner as in (2), prebaked, left at 25 ° C. for 4 days, and exposed to light in the same manner as (3). As a result of evaluation, resist performance equivalent to that of (3) was obtained, and it was found that the positive photoresist of the present invention was also excellent in stability after coating.

実施例２ （１） 実施例１（１）において、吸光性材料として1,
7−ビス−（３−メトキシ−４−ヒドロキシフェニル）
−1,6−ヘプタジエン−3,5−ジオン３重量部を用いた以
外は実施例１（１）と同様にしてポジ型ホトレジストの
溶液を調製した。Example 2 (1) In Example 1 (1), 1, 1 was used as the light absorbing material.
7-bis- (3-methoxy-4-hydroxyphenyl)
A positive photoresist solution was prepared in the same manner as in Example 1 (1) except that 3 parts by weight of -1,6-heptadiene-3,5-dione was used.

（２） （１）で得られたポジ型ホトレジストを用い、
露光時間を1.0秒間とした以外は実施例１（２）と同様
にしてハレーション防止効果を調べたところ、得られた
レジストパターンには、ハレーションの影響は全く見ら
れず、0.8μｍのパターンまで精度よく解像された。(2) Using the positive photoresist obtained in (1),
The effect of preventing halation was examined in the same manner as in Example 1 (2) except that the exposure time was changed to 1.0 second. No effect of halation was observed on the obtained resist pattern, and the accuracy was reduced to a pattern of 0.8 μm. Well resolved.

（３） （１）で得られたポジ型ホトレジストを用い、
実施例１（３）および（４）と同様にして評価を行なっ
たところ、保存安定性および塗布後の安定性に優れてい
た。(3) Using the positive photoresist obtained in (1),
When evaluation was performed in the same manner as in Examples 1 (3) and (4), storage stability and stability after application were excellent.

実施例３ （１） 吸光性材料として1,7−ビス−（３−エトキシ
−４−ヒドロキシフェニル）−1,6−エプタジエン−3,5
−ジオン３重量部を用いた以外は実施例１（１）と同様
にして、ポジ型ホトレジストの溶液を調製した。Example 3 (1) 1,7-bis- (3-ethoxy-4-hydroxyphenyl) -1,6-eptadiene-3,5 as a light absorbing material
A positive photoresist solution was prepared in the same manner as in Example 1 (1) except that 3 parts by weight of dione was used.

（２） （１）で得られたポジ型ホトレジストを用い、
露光時間を1.0秒とする以外は実施例１（２）と同様に
してハレーション防止効果を調べたところ、得られたレ
ジストパターンには、ハレーションの影響は全く見られ
ず、0.8μｍのパターンまで精度よく解像された。(2) Using the positive photoresist obtained in (1),
The halation prevention effect was examined in the same manner as in Example 1 (2) except that the exposure time was changed to 1.0 second. The obtained resist pattern showed no effect of halation at all, and the accuracy was reduced to a 0.8 μm pattern. Well resolved.

（３） （１）で得られたポジ型ホトレジストを用い、
実施例１（３）と同様にして調べたところ保存安定性に
優れていた。(3) Using the positive photoresist obtained in (1),
When examined in the same manner as in Example 1 (3), the storage stability was excellent.

比較例１ 実施例１（１）において、吸光性材料として４−ヒド
ロキシ−４′−ジメチルアミノアゾベンゼン３重量部を
用いた以外は実施例１（１）と同様にしてポジ型ホトレ
ジストの溶液を調製した。Comparative Example 1 A positive photoresist solution was prepared in the same manner as in Example 1 (1) except that 3 parts by weight of 4-hydroxy-4'-dimethylaminoazobenzene was used as the light absorbing material. did.

このポジ型ホトレジストについて実施例１（２）と同
様にして残膜率およびハレーション防止効果を調べたと
ころ、残膜率は98％であり、またハレーション防止効果
は良好であった。しかし、実施例１（３）と同様にして
組成物溶液を25℃で３ケ月間保存した後に評価を行な
い、調製直後と比較したところ、残膜率が82％と低下
し、レジスト性能が劣っていた。When the residual film ratio and the antihalation effect of this positive photoresist were examined in the same manner as in Example 1 (2), the residual film ratio was 98%, and the antihalation effect was good. However, evaluation was performed after storing the composition solution at 25 ° C. for 3 months in the same manner as in Example 1 (3), and as compared with immediately after preparation, the residual film ratio was reduced to 82%, and the resist performance was poor. I was

また実施例１（４）と同様にして、評価を行なったと
ころ、放置しない場合に比較して残膜率が79％と低下
し、レジスト性能が著しく劣っていた。When the evaluation was performed in the same manner as in Example 1 (4), the residual film ratio was reduced to 79% as compared with the case where the film was not left, and the resist performance was remarkably inferior.

比較例２ 実施例１において、吸光性材料を添加しなかった以外
は実施例１と同様にしてポジ型ホトレジストの溶液を調
製した。Comparative Example 2 A positive photoresist solution was prepared in the same manner as in Example 1 except that no light absorbing material was added.

このポジ型ホトレジストについて、露光時間を0.8秒
間とした以外は実施例１（２）と同様にしてハレーショ
ン防止効果を調べたところ、得られたレジストパターン
には、段差側面よりのハレーションの影響で、パターン
下部の欠けや断線が多く見られた。The halation prevention effect of this positive type photoresist was examined in the same manner as in Example 1 (2) except that the exposure time was set to 0.8 seconds. The obtained resist pattern was affected by halation from the side surface of the step. Many chippings and breaks at the bottom of the pattern were observed.

実施例４〜20 （１） 第１表に示す各種フェノール類を用い、その他
は実施例１（１）と同様にしてノボラック樹脂を合成
し、GPC法にてノボラック樹脂の分子量分布を測定し
た。その結果を第１表に示す。Examples 4 to 20 (1) Novolak resins were synthesized in the same manner as in Example 1 (1) using the various phenols shown in Table 1, and the molecular weight distribution of the novolak resin was measured by the GPC method. Table 1 shows the results.

次いで第１表に示す種類および添加量の1,2−キノン
ジアジド化合物および吸光性材料を用いた以外は実施例
１（１）と同様にして本発明のポジ型ホトレジストの溶
液を調製した。Next, a positive photoresist solution of the present invention was prepared in the same manner as in Example 1 (1) except that the 1,2-quinonediazide compound and the light-absorbing material of the types and addition amounts shown in Table 1 were used.

（２） （１）で得られたポジ型ホトレジストを、厚さ
0.2μｍのアルミニウム層を蒸着したシリコンウエーハ
上に回転塗布した後、90℃に保持したホットプレート上
で２分間プレベークして乾燥膜厚1.2μｍのレジスト膜
を得た。次いで実施例１（２）と同じレチクルと縮小投
影露光装置にて露光量を変化させ、テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド2.4重量％水溶液を用い25℃で１分
間現像し、水でリンスし、乾燥した後、得られたレジス
トパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、レジスト性能
を評価した。その結果を第１表に示す。(2) Thickness of the positive photoresist obtained in (1)
After spin-coating on a silicon wafer on which a 0.2 μm aluminum layer was deposited, it was pre-baked on a hot plate maintained at 90 ° C. for 2 minutes to obtain a 1.2 μm dry film resist film. Next, the exposure amount was changed using the same reticle and reduction projection exposure apparatus as in Example 1 (2), developed using a 2.4% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at 25 ° C. for 1 minute, rinsed with water, and dried. The obtained resist pattern was observed with a scanning electron microscope to evaluate the resist performance. Table 1 shows the results.

比較例３および４ 第１表に示す各種フェノール類を用いた以外は実施例
１（１）と同様にしてノボラック樹脂を合成し、GPC法
にてノボラック樹脂の分子量分布を測定した。その結果
を第１表に示す。Comparative Examples 3 and 4 A novolak resin was synthesized in the same manner as in Example 1 (1) except that various phenols shown in Table 1 were used, and the molecular weight distribution of the novolak resin was measured by a GPC method. Table 1 shows the results.

次いで第１表に示す種類および添加量の1,2−キノン
ジアジド化合物および吸光性材料を用いた以外は実施例
１と同様にしてポジ型ホトレジストの溶液を調製し、濾
過してレジスト性能の評価を行なった。その結果を第１
表に示したが、実施例に比べ解像度および現像性が劣る
ものであった。実施例１（３）と同様にして組成物溶液
を25℃で３カ月保存した後に評価を行い、調製直後と比
較したところ、比較例３の組成物は残膜率が75％と低下
し、また比較例４の組成物は残膜率が55％と低下してい
た。Next, a positive photoresist solution was prepared in the same manner as in Example 1 except that the types and amounts of the 1,2-quinonediazide compound and the light-absorbing material shown in Table 1 were used, and the solution was filtered to evaluate the resist performance. Done. The result is
As shown in the table, the resolution and developability were inferior to those of the examples. After the composition solution was stored at 25 ° C. for 3 months and evaluated in the same manner as in Example 1 (3), and compared with immediately after preparation, the composition of Comparative Example 3 had a residual film ratio of 75%, The composition of Comparative Example 4 had a residual film ratio as low as 55%.

また実施例１（４）と同様にして、評価を行ったとこ
ろ、放置しない場合に比較して、比較例３の組成物は残
膜率が73％と低下し、また比較例４の組成物は50％と低
下していた。When the evaluation was performed in the same manner as in Example 1 (4), the composition of Comparative Example 3 had a residual film ratio of 73% as compared with the case where the composition was not left. Was reduced to 50%.

（註） １） 1,2−キノンアジド化合物の種類 I:1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリ
ド2.5モルと2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン１モ
ルとの縮合反応物 II:1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリ
ド2.5モルと2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン１モルとの縮合反応物 III:1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロ
リド３モルと2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノン１モルとの縮合反応物 ２） 吸光性材料の種類 A:1,7−ビス−（３−メトキシ−４−ヒドロキシフェニ
ル）−1,2,6,7−テトラメチル−1,6−ヘプタジエン−3,
5−ジオン B:1,7−ビス−（３−メトキシ−４−ヒドロキシフェニ
ル）−1,6−ヘプタジエン−3,5−ジオン C:1,7−ビス−（３−エトキシ−４−ヒドロキシフェニ
ル）−1,6−ヘプタジエン−3,5−ジオン D:1,7−ビス−（３−メトキシ−４−ヒドロキシフェニ
ル）−1,6−ヘプタジエン−3,5−ジオンとイエローHM-1
123（三井東圧染料社製）の2:1（重量比）混合物 E:4−ヒドロキシ−４′−ジメチルアミノアゾベンゼン ３） 感度：最適露光時間（秒）で示す。 (Notes) 1) Types of 1,2-quinone azide compounds I: Condensation reaction product of 2.5 mol of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride with 1 mol of 2,3,4-trihydroxybenzophenone II: 1. Condensation reaction product of 2.5 mol of 2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride with 1 mol of 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone III: 3 mol of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride and 2 mol of Condensation reaction product with 1 mol of 3,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone 2) Type of light absorbing material A: 1,7-bis- (3-methoxy-4-hydroxyphenyl) -1,2,6, 7-tetramethyl-1,6-heptadiene-3,
5-dione B: 1,7-bis- (3-methoxy-4-hydroxyphenyl) -1,6-heptadiene-3,5-dione C: 1,7-bis- (3-ethoxy-4-hydroxyphenyl ) -1,6-Heptadiene-3,5-dione D: 1,7-bis- (3-methoxy-4-hydroxyphenyl) -1,6-heptadiene-3,5-dione and yellow HM-1
123: 2: 1 (weight ratio) mixture of Mitsui Toatsu Dye Co., Ltd. E: 4-Hydroxy-4'-dimethylaminoazobenzene 3) Sensitivity: Shown by optimal exposure time (second).

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明のポジ型ホトレジストは、プレベーキング条件
によってレジスト性能が低下することがなく、保存安定
性に優れ、しかもハレーション防止性能が高く、解像
度、感度、現像性、および耐熱性に優れ、さらに現像後
の残膜率が高いものである。The positive photoresist of the present invention has excellent storage stability, high antihalation performance, excellent resolution, sensitivity, developability, and heat resistance without the resist performance being reduced by prebaking conditions, and furthermore, after development. Has a high residual film ratio.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三浦 孝夫 東京都中央区築地２丁目11番24号 日本 合成ゴム株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−2044（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−158440（ＪＰ，Ａ) 国際公開200129（ＷＯ，Ａ) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Takao Miura 2-11-24 Tsukiji, Chuo-ku, Tokyo Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. (56) References JP-A-63-2044 (JP, A) JP-A Sho 60-158440 (JP, A) International publication 200129 (WO, A)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】（ａ） ｍ−クレゾール30〜90モル％とｐ
−クレゾール、キシレノールおよびトリメチルフェノー
ルから選ばれる少なくとも１種の化合物70〜10モル％と
を含み、かつ上記の組合わせがｍ−クレゾールとｐ−ク
レゾール、ｍ−クレゾルとキシレノール、ｍ−クレゾー
ルとトリメチルフェノールおよびｍ−クレゾールとｐ−
クレゾールとキシレノールからなるフェノール類と、ア
ルデヒド類とを縮合させて得られるアルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂100重量部、 （ｂ） 1,2−キノンジアジド化合物５〜100重量部、 （ｃ） 一般式（Ｉ） （式中、Ｒ₁およびＲ₈は同一または異なりアリール基、
Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆およびＲ₇は同一または異なり
水素原子または炭素数１〜８のアルキル基を意味する）
で表されるβ−ジケトン誘導体１〜５重量部を含有する
ことを特徴とするポジ型ホトレジスト。(1) 30-90 mol% of m-cresol and p
-At least one compound selected from cresol, xylenol and trimethylphenol in an amount of 70 to 10 mol%, and the combination is m-cresol and p-cresol, m-cresol and xylenol, m-cresol and trimethylphenol And m-cresol and p-
100 parts by weight of an alkali-soluble novolak resin obtained by condensing a phenol comprising cresol and xylenol with an aldehyde, (b) 5 to 100 parts by weight of a 1,2-quinonediazide compound, (c) general formula (I) (Wherein R ₁ and R ₈ are the same or different aryl groups,
R ₂ , R ₃ , R ₄ , R ₅ , R ₆ and R ₇ are the same or different and represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms)
A positive photoresist comprising 1 to 5 parts by weight of a β-diketone derivative represented by the formula: