JP2564166Y2 - 表面処理装置 - Google Patents
表面処理装置Info
- Publication number
- JP2564166Y2 JP2564166Y2 JP5067392U JP5067392U JP2564166Y2 JP 2564166 Y2 JP2564166 Y2 JP 2564166Y2 JP 5067392 U JP5067392 U JP 5067392U JP 5067392 U JP5067392 U JP 5067392U JP 2564166 Y2 JP2564166 Y2 JP 2564166Y2
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- JP
- Japan
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- cap
- surface treatment
- reaction tube
- seal ring
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、半導体ウエハを加熱処
理するための反応炉を備えた表面処理装置に関するもの
である。
理するための反応炉を備えた表面処理装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来の技術を図面を参照して説明
する。
する。
【０００３】図３において、１０は縦型の反応炉の炉
体、１１はヒ−タ、１２は反応管となる石英管であっ
て、炉体１０との間に空間を区画して挿入されており、
この軸線下方の開口端部には、径外方に突出するフラン
ジ部１２Ａが形成されている。１３は円形状のキャップ
であって、この内部には冷却水が循環する冷却室Ａを有
し、この上面１３ａには所定半径の円周に亘って断面が
鳩尾状のシ−ル溝１５が形成されている。１６はシ−ル
リングであって、キャップ１３のシ−ル溝１５に嵌め込
まれて、石英管１２のフランジ部１２Ａに当接可能に対
向している。
体、１１はヒ−タ、１２は反応管となる石英管であっ
て、炉体１０との間に空間を区画して挿入されており、
この軸線下方の開口端部には、径外方に突出するフラン
ジ部１２Ａが形成されている。１３は円形状のキャップ
であって、この内部には冷却水が循環する冷却室Ａを有
し、この上面１３ａには所定半径の円周に亘って断面が
鳩尾状のシ−ル溝１５が形成されている。１６はシ−ル
リングであって、キャップ１３のシ−ル溝１５に嵌め込
まれて、石英管１２のフランジ部１２Ａに当接可能に対
向している。
【０００４】１７は昇降台であって、石英管１２の軸方
向に貫通する複数の孔１８が周方向の所定間隔を隔てて
形成されており、この各孔１８の軸線下方から挿入され
た受部材１９により受けられているばね２０により支持
部材２１が石英管１２側に付勢されている。キャップ１
３は、昇降台１７の支持部材２１上に取付けられてお
り、このキャップ１３と昇降台１７からなる組立体は、
エレベ−タ２２により石英管１２の軸線方向に昇降移動
可能にされている。
向に貫通する複数の孔１８が周方向の所定間隔を隔てて
形成されており、この各孔１８の軸線下方から挿入され
た受部材１９により受けられているばね２０により支持
部材２１が石英管１２側に付勢されている。キャップ１
３は、昇降台１７の支持部材２１上に取付けられてお
り、このキャップ１３と昇降台１７からなる組立体は、
エレベ−タ２２により石英管１２の軸線方向に昇降移動
可能にされている。
【０００５】２３は処理流体を石英管１２内に供給する
ガス供給管であって、石英管１２内の上端部に開口して
いる。２４は表面処理される半導体ウエハＷPとダミ−
ウエハＷD及びフィラ−ウエハＷF（以下、半導体ウエハ
ＷPとダミ−ウエハＷD及びフィラ−ウエハＷFを総称し
て、単にウエハＷという）の多数枚を段々に保持するボ
−トであって、キャップ１３上に積載される。尚、シ−
ルリング１６は耐食性に優れた部材で作成されている。
ガス供給管であって、石英管１２内の上端部に開口して
いる。２４は表面処理される半導体ウエハＷPとダミ−
ウエハＷD及びフィラ−ウエハＷF（以下、半導体ウエハ
ＷPとダミ−ウエハＷD及びフィラ−ウエハＷFを総称し
て、単にウエハＷという）の多数枚を段々に保持するボ
−トであって、キャップ１３上に積載される。尚、シ−
ルリング１６は耐食性に優れた部材で作成されている。
【０００６】この構成において、エレベ−タ２２は、図
示しない移載装置からボ−ト２４をキャップ１３上に移
載されて上昇し、このボ−ト２４を石英管１２内へ搬入
する。このとき、シ−ルリング１６が石英管１２のフラ
ンジ部１２Ａに弾性的に当接して、石英管１２内を気密
状態にする。そして、ガス供給管２３から処理流体を石
英管１２内に供給して、ウエハＷを高温の処理流体中に
曝し、酸化拡散処理が行なわれる。
示しない移載装置からボ−ト２４をキャップ１３上に移
載されて上昇し、このボ−ト２４を石英管１２内へ搬入
する。このとき、シ−ルリング１６が石英管１２のフラ
ンジ部１２Ａに弾性的に当接して、石英管１２内を気密
状態にする。そして、ガス供給管２３から処理流体を石
英管１２内に供給して、ウエハＷを高温の処理流体中に
曝し、酸化拡散処理が行なわれる。
【０００７】次いで、所定時間が経過すると、エレベ−
タ２２により昇降台１７は、元の位置へ下降し、ボ−ト
２４は上記移載装置により別の場所へ移載され、ここで
酸化拡散処理されたウエハＷのボ−ト２４からの取り出
しと処理前のウエハＷのボ−ト２４への移載が行なわれ
る。
タ２２により昇降台１７は、元の位置へ下降し、ボ−ト
２４は上記移載装置により別の場所へ移載され、ここで
酸化拡散処理されたウエハＷのボ−ト２４からの取り出
しと処理前のウエハＷのボ−ト２４への移載が行なわれ
る。
【０００８】
【考案が解決しようとする課題】この従来の表面処理装
置において、キャップとしては、処理流体による腐食を
防止するために、石英製とすればよいが、キャップ表面
には反応管の開口を気密に閉鎖するためのシ−ルリング
を装着しなくてはならず、石英製の部材は、硬質で、脆
いために、鳩尾状のシ−ルリング装着溝を加工すること
は困難であるという問題があった。
置において、キャップとしては、処理流体による腐食を
防止するために、石英製とすればよいが、キャップ表面
には反応管の開口を気密に閉鎖するためのシ−ルリング
を装着しなくてはならず、石英製の部材は、硬質で、脆
いために、鳩尾状のシ−ルリング装着溝を加工すること
は困難であるという問題があった。
【０００９】本考案は、この問題を解決するためになさ
れたもので、キャップに対して耐腐食性を簡単・容易に
持たせることができる表面処理装置を提供することを目
的とする。
れたもので、キャップに対して耐腐食性を簡単・容易に
持たせることができる表面処理装置を提供することを目
的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本考案の表面処理装置では、反応炉と、上記反応炉
内に設けられた反応管と、キャップと、上記キャップに
設けられた溝に嵌め込まれたシ−ルリングと、上記反応
管内に開口して処理流体を供給する供給管と、表面処理
する半導体ウエハを保持するボ−トと、上記ボ−トを上
記反応管内の所定位置に搬入、搬出するエレベ−タとを
備え、上記供給管より処理流体が流入された上記反応管
内を上記キャップと上記シ−ルリングとで気密にして上
記半導体ウエハの表面処理を行なう表面処理装置におい
て、上記キャップは、環体と、この環体に嵌合された石
英製の板体からなるカバ−で覆われ、上記板体の反応管
側周縁部には切欠き溝が形成され、当該切欠き溝は上記
環体の内周との間にシ−ルリング装着溝を区画すること
を特徴とする。
に、本考案の表面処理装置では、反応炉と、上記反応炉
内に設けられた反応管と、キャップと、上記キャップに
設けられた溝に嵌め込まれたシ−ルリングと、上記反応
管内に開口して処理流体を供給する供給管と、表面処理
する半導体ウエハを保持するボ−トと、上記ボ−トを上
記反応管内の所定位置に搬入、搬出するエレベ−タとを
備え、上記供給管より処理流体が流入された上記反応管
内を上記キャップと上記シ−ルリングとで気密にして上
記半導体ウエハの表面処理を行なう表面処理装置におい
て、上記キャップは、環体と、この環体に嵌合された石
英製の板体からなるカバ−で覆われ、上記板体の反応管
側周縁部には切欠き溝が形成され、当該切欠き溝は上記
環体の内周との間にシ−ルリング装着溝を区画すること
を特徴とする。
【００１１】
【作用】上述した本考案の表面処理装置では、キャップ
の反応管側表面を石英製の板体とこの板体が内嵌する環
体とからなるカバ−で覆うので、処理流体による腐食を
防止することができるとともに、シ−ルリング装着溝は
石英製の板体と環体の両者で形成することができる。
の反応管側表面を石英製の板体とこの板体が内嵌する環
体とからなるカバ−で覆うので、処理流体による腐食を
防止することができるとともに、シ−ルリング装着溝は
石英製の板体と環体の両者で形成することができる。
【００１２】
【実施例】以下、本考案の一実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
【００１３】図１は、本実施例の表面処理装置を示す概
略構成図である。図２は本実施例の表面処理装置を示す
要部拡大図である。
略構成図である。図２は本実施例の表面処理装置を示す
要部拡大図である。
【００１４】両図において、キャップ１３は、大径部１
３Ａとこの大径部１３Ａから石英管１２側に縮径して延
びる小径部１３Ｂが一体形成されており、この大径部１
３Ａには周方向に順次所定の間隔を隔てて、この上面１
３ａから軸線下方に伸びる複数のねじ孔１３Ｃが設けら
れている。
３Ａとこの大径部１３Ａから石英管１２側に縮径して延
びる小径部１３Ｂが一体形成されており、この大径部１
３Ａには周方向に順次所定の間隔を隔てて、この上面１
３ａから軸線下方に伸びる複数のねじ孔１３Ｃが設けら
れている。
【００１５】３０は石英製の所定厚さの板体であって、
キャップ１３の小径部１３Ｂと同じ径を有し、その上側
周部には切欠き溝３１が形成されている。
キャップ１３の小径部１３Ｂと同じ径を有し、その上側
周部には切欠き溝３１が形成されている。
【００１６】３５は環体であって、板体３０の厚さより
大きい高さを有し、キャップ１３の小径部１３Ｂに密に
外嵌された上、ねじ貫通孔３６からねじ孔１３Ｃに螺入
する複数のねじで、キャップ１３に固定されており、そ
の上端部の内周面にはテ−パ突起３７が形成されてい
る。このテ−パ突起３７は上端側になるに伴い縮径する
テ−パ突起である。
大きい高さを有し、キャップ１３の小径部１３Ｂに密に
外嵌された上、ねじ貫通孔３６からねじ孔１３Ｃに螺入
する複数のねじで、キャップ１３に固定されており、そ
の上端部の内周面にはテ−パ突起３７が形成されてい
る。このテ−パ突起３７は上端側になるに伴い縮径する
テ−パ突起である。
【００１７】この環体３５は、板体３０をキャップ１３
の小径部１３Ｂに載置し、切欠き溝３１にシ−ルリング
１６を嵌合したのちに、上記のようにキャップ１３に装
着される。この装着状態では、テ−パ突起３７と切欠き
溝３１とが鳩尾状のシ−ルリング装着溝３８を形成し、
このシ−ルリング装着溝３８にシ−ルリング１６が圧入
された状態となり、板体３０はシ−ルリング１６を介し
て環体３５によりキャップ１３上に押圧され、また、半
径方向、周方向の移動が阻止される。
の小径部１３Ｂに載置し、切欠き溝３１にシ−ルリング
１６を嵌合したのちに、上記のようにキャップ１３に装
着される。この装着状態では、テ−パ突起３７と切欠き
溝３１とが鳩尾状のシ−ルリング装着溝３８を形成し、
このシ−ルリング装着溝３８にシ−ルリング１６が圧入
された状態となり、板体３０はシ−ルリング１６を介し
て環体３５によりキャップ１３上に押圧され、また、半
径方向、周方向の移動が阻止される。
【００１８】その他は、従来技術に示す構成と同様に構
成を有する。
成を有する。
【００１９】尚、上記実施例における環体３５は、一例
を示したものであって、シ−ルリング１６の温度を下げ
るため、この環体の外周面に冷却水が循環する通路を形
成した構造にしたものであってもよい。
を示したものであって、シ−ルリング１６の温度を下げ
るため、この環体の外周面に冷却水が循環する通路を形
成した構造にしたものであってもよい。
【００２０】
【考案の効果】以上詳述したように、本考案の表面処理
装置によれば、金属製のキャップの反応管側表面を石英
製の板体とこの板体が内嵌する環体とからなるカバ−で
覆うので、処理流体による腐食を防止することができ、
石英製の板体には、加工が簡単な切欠き溝を施して石英
製の板体と環体の両者でシ−ルリング装着溝を形成させ
ているので、簡単かつ容易にキャップの上記腐食防止効
果を得ることができ、極めて実用的である。
装置によれば、金属製のキャップの反応管側表面を石英
製の板体とこの板体が内嵌する環体とからなるカバ−で
覆うので、処理流体による腐食を防止することができ、
石英製の板体には、加工が簡単な切欠き溝を施して石英
製の板体と環体の両者でシ−ルリング装着溝を形成させ
ているので、簡単かつ容易にキャップの上記腐食防止効
果を得ることができ、極めて実用的である。
【００２１】また、環体によりシ−ルリングを介して石
英板をキャップ側に押しつけているため、石英板が反応
管側に移動することがなく位置決めが確実であるので、
石英板に載置されるボ−トがずれることが少なくなる。
英板をキャップ側に押しつけているため、石英板が反応
管側に移動することがなく位置決めが確実であるので、
石英板に載置されるボ−トがずれることが少なくなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案の一実施例としての表面処理装置を示す
縦断面図である。
縦断面図である。
【図２】図１におけるシ−ルリングの保持構造を示す拡
大図である。
大図である。
【図３】従来技術としての表面処理装置を示す縦断面図
である。
である。
１０ 反応炉 １２ 石英管（反応管） １３ キャップ １５ シ−ル溝 １６ シ−ルリング ２２ エレベ−タ ２３ 供給管 ２４ ボ−ト ３０ 板体 ３１ 切欠き溝 ３５ 環体 ３８ シ−ルリング装着溝
Claims (1)
- 【請求項１】 反応炉と、上記反応炉内に設けられた反
応管と、キャップと、上記キャップに設けられた溝に嵌
め込まれたシ−ルリングと、上記反応管内に開口して処
理流体を供給する供給管と、表面処理する半導体ウエハ
を保持するボ−トと、上記ボ−トを上記反応管内の所定
位置に搬入、搬出するエレベ−タとを備え、上記供給管
より処理流体が流入された上記反応管内を上記キャップ
と上記シ−ルリングとで気密にして上記半導体ウエハの
表面処理を行なう表面処理装置において、 上記キャップは、環体と、この環体に嵌合された石英製
の板体からなるカバ−で覆われ、上記板体の反応管側周
縁部には切欠き溝が形成され、当該切欠き溝は上記環体
に内周との間にシ−ルリング装着溝を区画することを特
徴とする表面処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5067392U JP2564166Y2 (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5067392U JP2564166Y2 (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 表面処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0611345U JPH0611345U (ja) | 1994-02-10 |
| JP2564166Y2 true JP2564166Y2 (ja) | 1998-03-04 |
Family
ID=12865466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5067392U Expired - Fee Related JP2564166Y2 (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2564166Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005056905A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-03-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP4268069B2 (ja) * | 2003-10-24 | 2009-05-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
| JP5308679B2 (ja) * | 2008-01-22 | 2013-10-09 | 東京エレクトロン株式会社 | シール機構、シール溝、シール部材及び基板処理装置 |
-
1992
- 1992-07-20 JP JP5067392U patent/JP2564166Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0611345U (ja) | 1994-02-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |