JP2559109B2 - ヨ−ク型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
ヨ−ク型薄膜磁気ヘッドInfo
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
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- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
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- G11B5/3113—Details for improving the magnetic domain structure or avoiding the formation or displacement of undesirable magnetic domains
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、強磁性薄膜の磁気抵抗効果を応用した磁気
抵抗効果素子（以下MR素子と称する）を用いて磁気記録
媒体に記録された信号の検出を行うヨーク型薄膜磁気ヘ
ッド（以下YMRヘッドと称する）に関するものである。
抵抗効果素子（以下MR素子と称する）を用いて磁気記録
媒体に記録された信号の検出を行うヨーク型薄膜磁気ヘ
ッド（以下YMRヘッドと称する）に関するものである。
第８図に一般のYMRヘッドの構造を示す。上側ヨーク
１・５は、通常0.5〜1.0μｍ程度の膜厚のパーマロイ膜
で作製されており、磁気記録媒体で発生した信号磁界を
MR素子２に導くための磁束導入路を構成している。強磁
性膜３・３は、良好な導電性を有する保磁力の大なる膜
で、Co−Ｐ、Ni−Co、Ni−Co−Ｐ等で作製されており、
その膜厚は、1000〜2000Åである。リード導体部４・４
はAl−Cu膜で作製されており、その膜厚は1000〜2000Å
である。また、上記MR素子２の下方には、このMR素子２
にバイアス磁界を印加するためにAl−Cuから成る導体６
が配設されている。下側ヨーク７は高透磁率磁性体から
成り、この高透磁率磁性体としては、一般に、多結晶Ni
−Znフェライト基板や、単結晶或いは多結晶Nn−Znフェ
ライト基板が用いられる。ヘッドギャップ10は、実際に
使用される記録波長が最小0.5μｍ程度であるから、0.2
〜0.3μｍ程度に設定されている。また、上記ヘッドギ
ャップに近接する個所には、第９図に示すように、磁気
記録媒体９が位置しており、この磁気記録媒体９とヘッ
ドギャップ10との間にはスペーシング８が形成されてい
る。
１・５は、通常0.5〜1.0μｍ程度の膜厚のパーマロイ膜
で作製されており、磁気記録媒体で発生した信号磁界を
MR素子２に導くための磁束導入路を構成している。強磁
性膜３・３は、良好な導電性を有する保磁力の大なる膜
で、Co−Ｐ、Ni−Co、Ni−Co−Ｐ等で作製されており、
その膜厚は、1000〜2000Åである。リード導体部４・４
はAl−Cu膜で作製されており、その膜厚は1000〜2000Å
である。また、上記MR素子２の下方には、このMR素子２
にバイアス磁界を印加するためにAl−Cuから成る導体６
が配設されている。下側ヨーク７は高透磁率磁性体から
成り、この高透磁率磁性体としては、一般に、多結晶Ni
−Znフェライト基板や、単結晶或いは多結晶Nn−Znフェ
ライト基板が用いられる。ヘッドギャップ10は、実際に
使用される記録波長が最小0.5μｍ程度であるから、0.2
〜0.3μｍ程度に設定されている。また、上記ヘッドギ
ャップに近接する個所には、第９図に示すように、磁気
記録媒体９が位置しており、この磁気記録媒体９とヘッ
ドギャップ10との間にはスペーシング８が形成されてい
る。
上記の如く構成されたYMRヘッドにおいて、MR素子２
における磁化容易軸の方向は、MR素子２を作製する際に
MR素子２の長手方向に設定されている。また、上記磁気
記録媒体９より発生する信号磁界の検出は、MR素子２の
長手方向にセンサ電流を流し、かかるMR素子２の両端に
発生する電圧の変化を取り出すことにより行っている。
また、導体６に電流を流すことによって所望のバイアス
磁界を発生させ、これをMR素子２に印加し、MR素子２の
動作点を線型性の良い点に移動させている。さらに、上
記強磁性膜３・３とMR素子２とを強磁***換結合させて
MR素子２の長手方向に弱磁界を印加している。そして、
この弱磁界によってMR素子２を単磁区状態とし、MR素子
２内部の磁壁を無くしてMR素子２内部の磁化が不連続に
変化するのを防止して、磁壁移動に伴うバルクハウゼン
ノイズの発生を抑制している。
における磁化容易軸の方向は、MR素子２を作製する際に
MR素子２の長手方向に設定されている。また、上記磁気
記録媒体９より発生する信号磁界の検出は、MR素子２の
長手方向にセンサ電流を流し、かかるMR素子２の両端に
発生する電圧の変化を取り出すことにより行っている。
また、導体６に電流を流すことによって所望のバイアス
磁界を発生させ、これをMR素子２に印加し、MR素子２の
動作点を線型性の良い点に移動させている。さらに、上
記強磁性膜３・３とMR素子２とを強磁***換結合させて
MR素子２の長手方向に弱磁界を印加している。そして、
この弱磁界によってMR素子２を単磁区状態とし、MR素子
２内部の磁壁を無くしてMR素子２内部の磁化が不連続に
変化するのを防止して、磁壁移動に伴うバルクハウゼン
ノイズの発生を抑制している。
ところが、一般にMR素子２の磁化容易軸の向きは、MR
素子２の全領域で全て同じ方向に向いているというわけ
ではない。これは、MR素子２を作製する際、或いは、上
記ヘッドギャップ10や上側ヨーク１・５を形成する際に
磁化容易軸の角度分散を生じがちとなるため、MR素子２
内の各領域で磁化容易軸の向きには、一定の分布が形成
されてしまうからである。また、この分布を無くす事は
困難である。このように、MR素子２上の各点ａ、ｂ、
ｃ、ｄ、ｅにおける磁化容易軸の向きが、第10図に示す
よういに、矢印の方向を向いていたとし、かつ、強磁
性膜３によるMR素子２の長手方向の弱磁界が紙面左から
右に、即ち、矢印→の方向に向いていたとすると、各点
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅにおけるMR素子２のストライプ幅方
向の磁化曲線は、各々第11図（ａ）〜（ｅ）によって表
される。また、このようなMR素子２の再生出力に対応す
るΔR/R曲線は、同図（ｆ）に示すように、MR素子２上
の磁化の不連続な変化に応答して、ΔR/R曲線の一部に
不連続なとびを生じ、磁化スイッチングに起因するバル
クハウゼンノイズを発生させることになる。しかも、MR
素子２を作製する際に、上記磁化容易軸の向きを、長手
方向に設定した場合、MR素子２内の磁化容易軸の向きの
分布は、長手方向に対して正負両方向に分布することに
なる。従って、ΔR/R曲線の横軸、即ち、信号磁界に相
当する磁界Haの正負両側に不連続なとびが発生すること
になり、バイアス磁界によって線形性の良い点にMR素子
２の動作点を移動させる際に、かかる動作点を正側負側
いずれの磁界方向に移動させても磁化スイッチングに起
因するバルクハウゼンノイズを誘発してしまうという問
題を招来していた。
素子２の全領域で全て同じ方向に向いているというわけ
ではない。これは、MR素子２を作製する際、或いは、上
記ヘッドギャップ10や上側ヨーク１・５を形成する際に
磁化容易軸の角度分散を生じがちとなるため、MR素子２
内の各領域で磁化容易軸の向きには、一定の分布が形成
されてしまうからである。また、この分布を無くす事は
困難である。このように、MR素子２上の各点ａ、ｂ、
ｃ、ｄ、ｅにおける磁化容易軸の向きが、第10図に示す
よういに、矢印の方向を向いていたとし、かつ、強磁
性膜３によるMR素子２の長手方向の弱磁界が紙面左から
右に、即ち、矢印→の方向に向いていたとすると、各点
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅにおけるMR素子２のストライプ幅方
向の磁化曲線は、各々第11図（ａ）〜（ｅ）によって表
される。また、このようなMR素子２の再生出力に対応す
るΔR/R曲線は、同図（ｆ）に示すように、MR素子２上
の磁化の不連続な変化に応答して、ΔR/R曲線の一部に
不連続なとびを生じ、磁化スイッチングに起因するバル
クハウゼンノイズを発生させることになる。しかも、MR
素子２を作製する際に、上記磁化容易軸の向きを、長手
方向に設定した場合、MR素子２内の磁化容易軸の向きの
分布は、長手方向に対して正負両方向に分布することに
なる。従って、ΔR/R曲線の横軸、即ち、信号磁界に相
当する磁界Haの正負両側に不連続なとびが発生すること
になり、バイアス磁界によって線形性の良い点にMR素子
２の動作点を移動させる際に、かかる動作点を正側負側
いずれの磁界方向に移動させても磁化スイッチングに起
因するバルクハウゼンノイズを誘発してしまうという問
題を招来していた。
本発明は、上記の従来の問題点に鑑みなされたもので
あって、その目的は、再生出力信号中に含まれる磁壁移
動に伴うバルクハウゼンノイズの発生を防止するととも
に、磁化スイッチングに起因するバルクハウゼンノイズ
の発生を防止し得るヨーク型薄膜磁気ヘッドを提供する
ことにある。
あって、その目的は、再生出力信号中に含まれる磁壁移
動に伴うバルクハウゼンノイズの発生を防止するととも
に、磁化スイッチングに起因するバルクハウゼンノイズ
の発生を防止し得るヨーク型薄膜磁気ヘッドを提供する
ことにある。
本発明に係るヨーク型薄膜磁気ヘッドは、上記の課題
を解決するために、磁気記録媒体において発生した信号
磁界を抵抗変化として検出する磁気抵抗効果素子と、ヘ
ッドギャップから上記磁気抵抗効果素子へ磁束を導くヨ
ークと、上記磁気抵抗効果素子の長手方向に所望の弱磁
界を印加する直流磁界印加手段と、上記磁気抵抗効果素
子のストライプ幅方向に所望のバイアス磁界を印加する
導体とを備えたヨーク型薄膜磁気ヘッドにおいて、上記
磁気抵抗効果素子は、上記直流磁界印加手段により単磁
区化されるとともに、その磁化容易軸が磁気抵抗効果素
子の長手方向に対して５゜〜20゜傾けられていることを
特徴としている。
を解決するために、磁気記録媒体において発生した信号
磁界を抵抗変化として検出する磁気抵抗効果素子と、ヘ
ッドギャップから上記磁気抵抗効果素子へ磁束を導くヨ
ークと、上記磁気抵抗効果素子の長手方向に所望の弱磁
界を印加する直流磁界印加手段と、上記磁気抵抗効果素
子のストライプ幅方向に所望のバイアス磁界を印加する
導体とを備えたヨーク型薄膜磁気ヘッドにおいて、上記
磁気抵抗効果素子は、上記直流磁界印加手段により単磁
区化されるとともに、その磁化容易軸が磁気抵抗効果素
子の長手方向に対して５゜〜20゜傾けられていることを
特徴としている。
上記磁気抵抗効果素子は、上記直流磁界印加手段によ
り単磁区化されているので、磁壁が存在しない。これに
より、磁壁移動に伴うバルクハウゼンノイズの発生を抑
制することができる。
り単磁区化されているので、磁壁が存在しない。これに
より、磁壁移動に伴うバルクハウゼンノイズの発生を抑
制することができる。
また、上記磁気抵抗効果素子における磁化容易軸が磁
気抵抗効果素子の長手方向に対して５゜〜20゜傾けられ
ていることで、信号磁界に相当する磁界における正側負
側何れか一方の側に不連続なとびの発生地点を移動させ
ることができる。従って、バイアス磁界によって線形性
の良い点に磁気抵抗効果素子お動作点を移動させる際
に、上記磁界における上記不連続なとびのない側にかか
る動作点を移動させれば、バイアス磁界と同一方向の磁
界領域において発生する磁化スイッチングを防止するこ
とが可能となる。よって、この磁化スイッチングに起因
するバルクハウゼンノイズの発生を回避することが可能
となる。
気抵抗効果素子の長手方向に対して５゜〜20゜傾けられ
ていることで、信号磁界に相当する磁界における正側負
側何れか一方の側に不連続なとびの発生地点を移動させ
ることができる。従って、バイアス磁界によって線形性
の良い点に磁気抵抗効果素子お動作点を移動させる際
に、上記磁界における上記不連続なとびのない側にかか
る動作点を移動させれば、バイアス磁界と同一方向の磁
界領域において発生する磁化スイッチングを防止するこ
とが可能となる。よって、この磁化スイッチングに起因
するバルクハウゼンノイズの発生を回避することが可能
となる。
以上のことから、磁気抵抗効果素子における、磁壁移
動に伴うバルクハウゼンノイズの発生の抑制と、磁化ス
イッチングに起因するバルクハウゼンノイズの発生の回
避とが可能となり、ヨーク型薄膜磁気ヘッドにおける再
生出力信号の高品質化を可能にしている。
動に伴うバルクハウゼンノイズの発生の抑制と、磁化ス
イッチングに起因するバルクハウゼンノイズの発生の回
避とが可能となり、ヨーク型薄膜磁気ヘッドにおける再
生出力信号の高品質化を可能にしている。
本発明の一実施例を第１図乃至第９図に基づいて説明
すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、第８
図及び第９図を再び用いることとし、また、第１図にお
ける部材の符号を第８図、第９図に対応させている。
すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、第８
図及び第９図を再び用いることとし、また、第１図にお
ける部材の符号を第８図、第９図に対応させている。
本発明に係るヨーク型薄膜磁気ヘッド（以下YMRヘッ
ドと称する）は、第８図及び第９図に示すように、磁気
記録媒体９において発生した信号磁界を抵抗変化として
検出する磁気抵抗効果素子（以下MR素子と称する）２
と、ヘッドギャップ10から上記MR素子２へ信号磁束を導
く上側ヨーク１・５と、上記MR素子２を単磁区化するた
めにMR素子２の長手方向に所望の弱磁界を印加する直流
磁界印加手段としての強磁性膜３・３と、上記MR素子２
のストライプ幅方向に所望のバイアス磁界を印加する導
体６とを備えている。かかるYMRヘッドにおいて、そのM
R素子２における磁化容易軸の方向は、第１図に示すよ
うに、MR素子２の長手方向に対して時計回りに10゜傾け
られている。
ドと称する）は、第８図及び第９図に示すように、磁気
記録媒体９において発生した信号磁界を抵抗変化として
検出する磁気抵抗効果素子（以下MR素子と称する）２
と、ヘッドギャップ10から上記MR素子２へ信号磁束を導
く上側ヨーク１・５と、上記MR素子２を単磁区化するた
めにMR素子２の長手方向に所望の弱磁界を印加する直流
磁界印加手段としての強磁性膜３・３と、上記MR素子２
のストライプ幅方向に所望のバイアス磁界を印加する導
体６とを備えている。かかるYMRヘッドにおいて、そのM
R素子２における磁化容易軸の方向は、第１図に示すよ
うに、MR素子２の長手方向に対して時計回りに10゜傾け
られている。
上記の構成において、MR素子２には、上記強磁性膜３
・３により、→矢印で示す方向、即ち、紙面左から右へ
の方向の弱磁界が印加されている。したがって、MR素子
２は単磁区化状態となり、磁壁が存在しない状態となっ
ている。これにより、MR素子２内部での磁壁移動に伴な
うバルクハウゼンノイズの発生を抑制することができ
る。
・３により、→矢印で示す方向、即ち、紙面左から右へ
の方向の弱磁界が印加されている。したがって、MR素子
２は単磁区化状態となり、磁壁が存在しない状態となっ
ている。これにより、MR素子２内部での磁壁移動に伴な
うバルクハウゼンノイズの発生を抑制することができ
る。
また、上記MR素子２における磁化容易軸の方向は、MR
素子２の各部分についてみると設定された磁化容易軸の
向きに対して正負両側に略同程度の角度分散が生じてい
る。ここで、この角度分散が±10゜程度あるとすると、
磁化容易軸の向きは、MR素子２の全領域においては、そ
の長手方向に対して０〜20゜の範囲で分布する。例え
ば、MR素子２上のａ点では、磁化容易軸は長手方向に対
して20゜程度傾き、ｅ点ではほとんど長手方向と同方向
を向いている。従って、磁化容易軸の向きが長手方向に
対して反時計回りに傾いている領域は、この場合存在し
ていない。このときのａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅの各点でのMR
素子ストライプ幅方向の磁化曲線は、各々第２図（ａ）
〜（ｅ）で示すようになり、ΔR/R曲線は、同図（ｆ）
に示すように、磁界Haの負側においてのみ曲線の一部に
不連続なとびを生じる。従って、MR素子２の動作点をバ
イアス磁界によって線形性の良い点へ移動させる際に、
上記磁界Haの正側へかかる動作点を移動させれば、YMR
ヘッドが信号磁界を再生する場合に、バイアス磁界と同
一方向の磁界領域において発生する磁化スイッチングを
防止することができ、この結果、磁化スイッチングに起
因するバルクハウゼンノイズの発生を回避することがで
きる。
素子２の各部分についてみると設定された磁化容易軸の
向きに対して正負両側に略同程度の角度分散が生じてい
る。ここで、この角度分散が±10゜程度あるとすると、
磁化容易軸の向きは、MR素子２の全領域においては、そ
の長手方向に対して０〜20゜の範囲で分布する。例え
ば、MR素子２上のａ点では、磁化容易軸は長手方向に対
して20゜程度傾き、ｅ点ではほとんど長手方向と同方向
を向いている。従って、磁化容易軸の向きが長手方向に
対して反時計回りに傾いている領域は、この場合存在し
ていない。このときのａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅの各点でのMR
素子ストライプ幅方向の磁化曲線は、各々第２図（ａ）
〜（ｅ）で示すようになり、ΔR/R曲線は、同図（ｆ）
に示すように、磁界Haの負側においてのみ曲線の一部に
不連続なとびを生じる。従って、MR素子２の動作点をバ
イアス磁界によって線形性の良い点へ移動させる際に、
上記磁界Haの正側へかかる動作点を移動させれば、YMR
ヘッドが信号磁界を再生する場合に、バイアス磁界と同
一方向の磁界領域において発生する磁化スイッチングを
防止することができ、この結果、磁化スイッチングに起
因するバルクハウゼンノイズの発生を回避することがで
きる。
尚、MR素子２の作製時において、その磁化容易軸の向
きを、第１図に示すものとは反対に反時計回りに10゜傾
け、他の条件は同じであったとすると、ΔR/R曲線にお
いて磁界Haの正側で不連続なとびが生じ、第２図（ｆ）
とは磁界Haの正側、負側において逆の結果となる。この
場合には、MR素子２の動作点を磁界Haの負側へ移動させ
るようにバイアス磁界を印加すれば、その再生出力信号
中に磁化スイッチングに起因するバルクハウゼンノイズ
が含まれることはなくなる。
きを、第１図に示すものとは反対に反時計回りに10゜傾
け、他の条件は同じであったとすると、ΔR/R曲線にお
いて磁界Haの正側で不連続なとびが生じ、第２図（ｆ）
とは磁界Haの正側、負側において逆の結果となる。この
場合には、MR素子２の動作点を磁界Haの負側へ移動させ
るようにバイアス磁界を印加すれば、その再生出力信号
中に磁化スイッチングに起因するバルクハウゼンノイズ
が含まれることはなくなる。
以上のことから、MR素子２における磁壁移動に伴うバ
ルクハウゼンノイズの発生と、磁化スイッチングに起因
するバルクハウゼンノイズの発生とを回避することが可
能となり、ヨーク型薄膜磁気ヘッドにおける再生出力信
号の高品質化を可能にしている。
ルクハウゼンノイズの発生と、磁化スイッチングに起因
するバルクハウゼンノイズの発生とを回避することが可
能となり、ヨーク型薄膜磁気ヘッドにおける再生出力信
号の高品質化を可能にしている。
次に、MR素子２の作製時における磁化容易軸の長手方
向に対する傾き角（以下、異方性傾き角と称する）の決
定要領を以下に説明する。
向に対する傾き角（以下、異方性傾き角と称する）の決
定要領を以下に説明する。
YMRヘッドにおけるMR素子２は信号磁界に対して、上
側ヨーク１・５及び下側ヨーク７の磁気的結合のため反
磁界の小さい状態で応答している。また、保磁力の大な
る強磁性膜３によりMR素子２に印加される弱磁界のた
め、MR素子２は単磁区状態である。これらの点から第３
図に示されるような簡単な単磁区モデルにより、異方性
傾き角の適当な値を見積もることができる。第３図にお
いてθは異方性傾き角、HEは強磁性膜３によってMR素子
２に印加される弱磁界、MSはMR素子２の飽和磁化、Haは
信号磁界に相当する外部磁界である。ここで、試作した
MR素子の特性に基づき、HE＝1.3［oe］、Ms＝796［emu/
cc］、HK＝４［oe］として、磁化Ｍの異方性エネルギ
ー、磁化ＭとHEとの静磁エネルギーの和、及び、磁化Ｍ
とHaとの静磁エネルギーの和がそれぞれ最小になるよう
磁化ＭのHaに対する回転角ψを計算し、χ方向（第３図
にて示す）の磁化曲線及びΔR/R曲線を求めると、第４
図乃至第７図の各図（ａ）（ｂ）のようになる。第６図
（ａ）及び（ｂ）に示すように、異方性傾き角θが20゜
程度であると、磁化のスイッチングが発生する。さら
に、第７図（ａ）及び（ｂ）に示すようい、異方性傾き
角θが25゜程度であると、磁化のスイッチングは、Haの
正負両側で発生するばかりか、磁化曲線にヒステリシス
が生じる。また、HE＝0.8［oe］とし、他の条件を同じ
にして同様に計算を行うと、異方性傾き角θが12゜程度
で、Haの正側に磁化のスイッチングが生じる。さらに、
異方性傾き角θが増加するとHaの正負両側で磁化のスイ
ッチングが生じ、かつ、磁化曲線にヒステリシスを生じ
るようになることが確認されている。このように、異方
性傾き角θは、HEの大きさ及びMR素子２の磁気特性によ
り、或る一定値を超えると、磁化のスイッチングをHaの
両側に生じ、バルクハウゼンノイズを誘発するようにな
る。一方、異方性傾き角θを、磁化スイッチングがHaの
正負両側で発生しない範囲において考察すると、MR素子
２の感度ΔR/R曲線における各点での接線方向の傾きで
表される）は、かかる異方性傾き角θの増加に伴って低
下していくことが判明している。これらの計算結果を参
考にし、さらに一般的なMR素子２の磁気特性及び磁化容
易軸の角度分散が５゜〜10゜程度であることを考慮する
と、MR素子２の磁化容易軸の傾きは、５゜〜20゜の範囲
に設定するのが適当である。
側ヨーク１・５及び下側ヨーク７の磁気的結合のため反
磁界の小さい状態で応答している。また、保磁力の大な
る強磁性膜３によりMR素子２に印加される弱磁界のた
め、MR素子２は単磁区状態である。これらの点から第３
図に示されるような簡単な単磁区モデルにより、異方性
傾き角の適当な値を見積もることができる。第３図にお
いてθは異方性傾き角、HEは強磁性膜３によってMR素子
２に印加される弱磁界、MSはMR素子２の飽和磁化、Haは
信号磁界に相当する外部磁界である。ここで、試作した
MR素子の特性に基づき、HE＝1.3［oe］、Ms＝796［emu/
cc］、HK＝４［oe］として、磁化Ｍの異方性エネルギ
ー、磁化ＭとHEとの静磁エネルギーの和、及び、磁化Ｍ
とHaとの静磁エネルギーの和がそれぞれ最小になるよう
磁化ＭのHaに対する回転角ψを計算し、χ方向（第３図
にて示す）の磁化曲線及びΔR/R曲線を求めると、第４
図乃至第７図の各図（ａ）（ｂ）のようになる。第６図
（ａ）及び（ｂ）に示すように、異方性傾き角θが20゜
程度であると、磁化のスイッチングが発生する。さら
に、第７図（ａ）及び（ｂ）に示すようい、異方性傾き
角θが25゜程度であると、磁化のスイッチングは、Haの
正負両側で発生するばかりか、磁化曲線にヒステリシス
が生じる。また、HE＝0.8［oe］とし、他の条件を同じ
にして同様に計算を行うと、異方性傾き角θが12゜程度
で、Haの正側に磁化のスイッチングが生じる。さらに、
異方性傾き角θが増加するとHaの正負両側で磁化のスイ
ッチングが生じ、かつ、磁化曲線にヒステリシスを生じ
るようになることが確認されている。このように、異方
性傾き角θは、HEの大きさ及びMR素子２の磁気特性によ
り、或る一定値を超えると、磁化のスイッチングをHaの
両側に生じ、バルクハウゼンノイズを誘発するようにな
る。一方、異方性傾き角θを、磁化スイッチングがHaの
正負両側で発生しない範囲において考察すると、MR素子
２の感度ΔR/R曲線における各点での接線方向の傾きで
表される）は、かかる異方性傾き角θの増加に伴って低
下していくことが判明している。これらの計算結果を参
考にし、さらに一般的なMR素子２の磁気特性及び磁化容
易軸の角度分散が５゜〜10゜程度であることを考慮する
と、MR素子２の磁化容易軸の傾きは、５゜〜20゜の範囲
に設定するのが適当である。
〔発明の効果〕 本発明に係るヨーク型薄膜磁気ヘッドは、以上のよう
に、磁気記録媒体において発生した信号磁界を抵抗変化
として検出する磁気抵抗効果素子と、ヘッドギャップか
ら上記磁気抵抗効果素子へ磁束を導くヨークと、上記磁
気抵抗効果素子の長手方向に所望の弱磁界を印加する直
流磁界印加手段と、上記磁気抵抗効果素子のストライプ
幅方向に所望のバイアス磁界を印加する導体とを備えた
ヨーク型薄膜磁気ヘッドにおいて、上記磁気抵抗効果素
子は、上記直流磁界印加手段により単磁区化されるとと
もに、その磁化容易軸が磁気抵抗効果素子の長手方向に
対して５゜〜20゜傾けられた構成である。
に、磁気記録媒体において発生した信号磁界を抵抗変化
として検出する磁気抵抗効果素子と、ヘッドギャップか
ら上記磁気抵抗効果素子へ磁束を導くヨークと、上記磁
気抵抗効果素子の長手方向に所望の弱磁界を印加する直
流磁界印加手段と、上記磁気抵抗効果素子のストライプ
幅方向に所望のバイアス磁界を印加する導体とを備えた
ヨーク型薄膜磁気ヘッドにおいて、上記磁気抵抗効果素
子は、上記直流磁界印加手段により単磁区化されるとと
もに、その磁化容易軸が磁気抵抗効果素子の長手方向に
対して５゜〜20゜傾けられた構成である。
これにより、磁気抵抗効果素子内部に磁壁が存在しな
いので、磁壁移動に伴うバルクハウゼンノイズの発生を
抑制することができる。また、信号磁界に相当する磁界
における正側負側何れか一方の側に不連続なとびの発生
地点を移動させることができる。従って、バイアス磁界
によって線形性の良い点に磁気抵抗効果素子の動作点を
移動させる際に、上記磁界における上記不連続なとびの
ない側にかかる動作点を移動させれば、バイアス磁界と
同一方向の磁界領域において発生する磁化スイッチング
を防止することが可能となり、この磁化スイッチングに
起因するバルクハウゼンノイズの発生を回避することが
できる。
いので、磁壁移動に伴うバルクハウゼンノイズの発生を
抑制することができる。また、信号磁界に相当する磁界
における正側負側何れか一方の側に不連続なとびの発生
地点を移動させることができる。従って、バイアス磁界
によって線形性の良い点に磁気抵抗効果素子の動作点を
移動させる際に、上記磁界における上記不連続なとびの
ない側にかかる動作点を移動させれば、バイアス磁界と
同一方向の磁界領域において発生する磁化スイッチング
を防止することが可能となり、この磁化スイッチングに
起因するバルクハウゼンノイズの発生を回避することが
できる。
よって、磁気抵抗効果素子における磁壁移動に伴うバ
ルクハウゼンノイズの発生の抑制と、磁化スイッチング
に起因するバルクハウゼンノイズの発生の回避とが可能
となるので、かかるヨーク型薄膜磁気ヘッドにおける再
生出力信号を高品質化できるという効果を奏する。
ルクハウゼンノイズの発生の抑制と、磁化スイッチング
に起因するバルクハウゼンノイズの発生の回避とが可能
となるので、かかるヨーク型薄膜磁気ヘッドにおける再
生出力信号を高品質化できるという効果を奏する。
第１図は本発明の一実施例を示すものであって、磁気抵
抗効果素子における磁化容易軸の異方性傾き角θを10゜
に設定したときの磁化容易軸の分布等を示す説明図、第
２図（ａ）乃至（ｅ）はそれぞれ第１図における各点ａ
〜ｅにおける磁気抵抗効果素子のストライプ幅方向の磁
化曲線図、同図（ｆ）は磁気抵抗効果素子の再生主力に
対応するΔR/R曲線図、第３図は単軸モデルを示す概念
図、第４図乃至第７図の各図（ａ）はそれぞれ異方性傾
き角θが０゜,10゜,20゜,25゜のときの磁化曲線図、第
４図乃至第７図の各図（ｂ）はそれぞれ異方性傾き角θ
が０゜,10゜,20゜,25゜のときのΔR/R曲線図、第８図は
一般のヨーク型薄膜磁気ヘッドの構造を示す斜視図、第
９図は一般のヨーク型薄膜磁気ヘッドを示す平面図、第
10図は従来例を示す説明図、第11図（ａ）乃至（ｅ）は
それぞれ第10図における各点ａ〜ｅにおける磁気抵抗効
果素子のストライプ幅方向の磁化曲線図、同図（ｆ）は
磁気抵抗効果素子の再生出力に対応するΔR/R曲線図で
ある。 １・５は上側ヨーク、２は磁気抵抗効果素子（MR素
子）、３は強磁性膜（直流磁界印加手段）、４はリード
導体部、６は導体、７は下側ヨーク、８はスペーシン
グ、９は磁気記録媒体、10はヘッドギャップである。
抗効果素子における磁化容易軸の異方性傾き角θを10゜
に設定したときの磁化容易軸の分布等を示す説明図、第
２図（ａ）乃至（ｅ）はそれぞれ第１図における各点ａ
〜ｅにおける磁気抵抗効果素子のストライプ幅方向の磁
化曲線図、同図（ｆ）は磁気抵抗効果素子の再生主力に
対応するΔR/R曲線図、第３図は単軸モデルを示す概念
図、第４図乃至第７図の各図（ａ）はそれぞれ異方性傾
き角θが０゜,10゜,20゜,25゜のときの磁化曲線図、第
４図乃至第７図の各図（ｂ）はそれぞれ異方性傾き角θ
が０゜,10゜,20゜,25゜のときのΔR/R曲線図、第８図は
一般のヨーク型薄膜磁気ヘッドの構造を示す斜視図、第
９図は一般のヨーク型薄膜磁気ヘッドを示す平面図、第
10図は従来例を示す説明図、第11図（ａ）乃至（ｅ）は
それぞれ第10図における各点ａ〜ｅにおける磁気抵抗効
果素子のストライプ幅方向の磁化曲線図、同図（ｆ）は
磁気抵抗効果素子の再生出力に対応するΔR/R曲線図で
ある。 １・５は上側ヨーク、２は磁気抵抗効果素子（MR素
子）、３は強磁性膜（直流磁界印加手段）、４はリード
導体部、６は導体、７は下側ヨーク、８はスペーシン
グ、９は磁気記録媒体、10はヘッドギャップである。
Claims (1)
- 【請求項１】磁気記録媒体において発生した信号磁界を
抵抗変化として検出する磁気抵抗効果素子と、ヘッドギ
ャップから上記磁気抵抗効果素子へ磁束を導くヨーク
と、上記磁気抵抗効果素子の長手方向に所望の弱磁界を
印加する直流磁界印加手段と、上記磁気抵抗効果素子の
ストライプ幅方向に所望のバイアス磁界を印加する導体
とを備えたヨーク型薄膜磁気ヘッドにおいて、 上記磁気抵抗効果素子は、上記直流磁界印加手段により
単磁区化されるとともに、その磁化容易軸が磁気抵抗効
果素子の長手方向に対して５゜〜20゜傾けられているこ
とを特徴とするローク型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61241818A JP2559109B2 (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | ヨ−ク型薄膜磁気ヘッド |
| DE19863644388 DE3644388A1 (de) | 1985-12-27 | 1986-12-24 | Duennfilm-joch-magnetkopf |
| US07/688,701 US5155644A (en) | 1985-12-27 | 1991-04-22 | Yoke thin film magnetic head constructed to avoid Barkhausen noises |
| US07/869,056 US5225951A (en) | 1985-12-27 | 1992-04-16 | Thin film magnetic head with reduced internal stresses |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61241818A JP2559109B2 (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | ヨ−ク型薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6396713A JPS6396713A (ja) | 1988-04-27 |
| JP2559109B2 true JP2559109B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=17079953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61241818A Expired - Fee Related JP2559109B2 (ja) | 1985-12-27 | 1986-10-09 | ヨ−ク型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2559109B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2790811B2 (ja) * | 1988-04-20 | 1998-08-27 | シャープ株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58192392A (ja) * | 1982-05-07 | 1983-11-09 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型薄膜素子 |
| JPS61196417A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
-
1986
- 1986-10-09 JP JP61241818A patent/JP2559109B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6396713A (ja) | 1988-04-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |