JP2555300Z - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本考案は例えば、人工衛星等の宇宙飛翔体の電源となる太陽電池アレイの基板
に太陽電池セルと一緒に取付けて、逆流防止ダイオード或いはシャントダイオー
ドとして用いる太陽電池装置用ダイオードに関する。 ＜従来の技術＞ 従来例による太陽電池装置用ダイオードの断面図を第４図に示す。 ここで、太陽電池装置用ダイオードは太陽電池アレイ、即ち、複数の太陽電池
が接続された太陽電池装置の、各太陽電池間に接続されるものである。 同図において、ダイオードチップ７のシリコン基板１の片面には、選択拡散に
よりＰ-Ｎ接合部が形成されており、該Ｐ-Ｎ接合部を形成する拡散領域２上には
表面電極５が形成されている。さらに、上記表面電極５に、インタコネクタ６が
接続され、該インタコネクタ６はタイオードチップ７の側面に延在されている。 ここで、上記インタコネクタ６と上記ダイオードチップ７との間は表面保護膜３
によって絶縁されている。一方、ダイオードチップ７の裏面全体には裏面電極４
が形成されている。 ＜考案が解決しようとする課題＞ しかし、上記第４図に示すような従来構造の太陽電池装置用ダイオードにおい
ては、表面保護膜３が薄いため、同図Ａ部においてインターコネクタ６とダイオ
ードチップ７側面のシリコン露出部とが容易に接触し、拡散領域２とシリコン基
板１が短絡し、ダイオードとしての性能が損われる場合があった。 そこで本考案の目的は、インターコネクタ６とダイオードチップ７側面のシリ
コン露出部とが容易に接触することのない高信頼性の太陽電池装置用ダイオード
を提供することにある。 ＜課題を解決するための手段＞ 本考案は、複数の太陽電池が接続されている太陽電池装置の前記太陽電池間に
接続されるＰ−Ｎ接合部を有するダイオードチップであり、該ダイオードチップ
の表面電極にはインターコネクタが接続されてなる太陽電池装置用ダイオードに
おいて、前記ダイオードチップは、片面の側面部近傍を除く部分に前記Ｐ−Ｎ接
合部が形成された半導体基板と、該半導体基板の表面の前記Ｐ−Ｎ接合部上に形
成された表面電極とからなり、前記インターコネクタは前記ダイオードチップの
表面電極の周囲表面に配設された表面保護膜を介在して配設され、前記インター
コネクタに対向する前記ダイオードチップの半導体基板の側面部近傍には前記イ
ンターコネクタと前記ダイオードチップ端面の半導体基板面露出部との間を離間
する落差を設け、且つ該落差には前記表面保護膜が延在して配設されてなること
を特徴とする。 ＜作用＞ インターコネクタとダイオードチップ端面のシリコン露出部との距離を十分に
とることにより、両者の接触が無くなり、ダイオードチップの拡散領域とシリコ
ン基板との短絡が発生しなくなる。 ＜実施例＞ 本考案一実施例を第１図乃至第３図を参照して説明する。第１図(ａ)及び(ｂ)
は本考案一実施例による太陽電池装置用ダイオードの断面図及び平面図である。 同図の太陽電池装置用ダイオードは、第４図で説明した太陽電池装置用ダイオー
ドと以下の点のみが異なっているから、異なっている点のみを説明しその他の説
明は省略する。 なお、第４図に示した従来例と同一機能を有する部分については同一符号を付
している。 同図（ａ）に示すように、インターコネクタ６に対向するダイオードチップ７
の端部に段差部Ｂ部を設ける。ここで、表面電極部５を除くダイオードチップ７
の表面は表面保護膜３によって被覆されているため、ダイオードチップ７端面の
シリコン露出部とインターコネクタ６との間の距離を十分とった構造が実現され
た。 次に、上記実施例の製造工程について第２図を参照して説明する。同図（ａ）
は形成前のシリコン基板１を示す。上記シリコン基板１をダイオードの形状に合
わせてマスキングし、エッチングにより溝を形成する(同図(ｂ))。上記（ｂ）以
降の工程はプレーナ技術によりダイオードを形成する。 次に、上記シリコン基板１表面に、選択拡散のためのマスキング及び表面保護
膜３として作用する酸化膜を形成する(同図(ｃ))。その後に、同図（ｄ）に示す
ようにオトリソ工程及び拡散工程を経て拡散領域２を形成する。 さらに、同図（ｅ）に示すようにオトリソグラフィーによるリフトオフ工程で
シリコン基板１表面側に電極５の形成を行い、一方裏面側には電極４を全面に形
成する。最後に、上記電極工程終了後、同図（ｅ）の鎖線部をダイシングソー等
で分割して所望のダイオードチップ７が得られる。このダイオードチップ７に溶
接或いは半田付でインターコネクタ６を接続して、第１図に示す太陽電池装置用
ダイオードが得られる。 上記のようにして得られる太陽電池装置用ダイオードは、インターコネクタ６
とダイオードチップ７端面のシリコン露出部との間の距離が十分離れているため
容易に接触することはなく、その結果拡散領域２とシリコン基板１との短絡も発
生しない信頼度の高いものである。 なお、上記実施例で示したダイオードチップ７端部の段差部Ｂ部の代わりに、
第３図（ａ）のＣ部に示すように、インターコネクタ６と対向する箇所のみに設
ける構造としてもよい。 また、他の実施例として、上記実施例のタイオードチップ７の段差部Ｂ部の形
状を同図（ｂ）のＤ部に示すように傾斜させてもよい。 以上のように、ダイオードチップ７端部のインターコネクタ６と対向する箇所に
例えば段差或いは傾斜を設けて、インターコネクタ６からダイオードチップ７端
面のシリコン露出部までの落差をとることによって、上記実施例と同じ効果を得
ることができる。 ＜考案の効果＞ 以上のように本考案によれば、ダイオードのインターコネクタとダイオードチ
ップ端面のシリコン露出部との接触が防止でき、上記接触により発生する拡散領
域とシリコン基板との短絡の可能性が解消し、信頼性の高いダイオードを提供す
ることができる。[Detailed description of the invention] <Industrial application field> The invention is, for example, attached to a substrate of a solar array serving as a power source of a space vehicle such as an artificial satellite together with a solar cell, and provided with a backflow prevention diode or a shunt. The present invention relates to a diode for a solar cell device used as a diode. <Prior Art> FIG. 4 is a cross-sectional view of a conventional solar cell device diode. Here, the solar cell device diode is connected between each solar cell of a solar cell array, that is, a solar cell device to which a plurality of solar cells are connected. In the figure, a PN junction is formed on one surface of a silicon substrate 1 of a diode chip 7 by selective diffusion, and a surface electrode 5 is formed on a diffusion region 2 forming the PN junction. Have been. Further, an interconnector 6 is connected to the surface electrode 5, and the interconnector 6 extends on a side surface of the diode chip 7. Here, a surface protective film 3 is provided between the interconnector 6 and the diode chip 7.
Insulated by On the other hand, the entire back surface of the diode chip 7
Are formed. <Problem to be Solved by the Invention> However, in the conventional solar cell device diode as shown in FIG. 4, since the surface protective film 3 is thin, the interconnector 6 and the diode chip 7 in the portion A in FIG. In some cases, the silicon exposed portion on the side surface easily contacts, the diffusion region 2 and the silicon substrate 1 are short-circuited, and the performance as a diode may be impaired. Accordingly, an object of the present invention is to provide a highly reliable diode for a solar cell device in which the interconnector 6 and the silicon exposed portion on the side surface of the diode chip 7 do not easily come into contact with each other. <Means for Solving the Problems> The present invention is a diode chip having a PN junction connected between the solar cells of a solar cell device to which a plurality of solar cells are connected. In a diode for a solar cell device in which an interconnector is connected to a surface electrode, the diode chip has the PN contact at a portion other than near one side surface.
A semiconductor substrate on which a joining portion is formed, and a shape formed on the PN junction on the surface of the semiconductor substrate.
The interconnector is disposed with a surface protective film disposed on a peripheral surface of the surface electrode of the diode chip , and the semiconductor substrate of the diode chip facing the interconnector. In the vicinity of a side surface of the semiconductor device, a drop is provided between the interconnector and the exposed portion of the semiconductor substrate surface at the end surface of the diode chip, and the surface protection film is provided to extend to the drop. It is characterized by. <Operation> By sufficiently increasing the distance between the interconnector and the silicon exposed portion on the end surface of the diode chip, contact between the two is eliminated, and short circuit between the diffusion region of the diode chip and the silicon substrate does not occur. <Embodiment> An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 (a) and (b)
1 is a sectional view and a plan view of a diode for a solar cell device according to an embodiment of the present invention. The diode for a solar cell device shown in the figure is different from the diode for a solar cell device described in FIG. 4 only in the following points. Therefore, only the different points will be described, and the other description will be omitted. Parts having the same functions as those of the conventional example shown in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals. As shown in FIG. 1A, the diode chip 7 facing the interconnector 6
Is provided with a stepped portion B at the end of. Here, the diode chip 7 excluding the surface electrode portion 5
Is covered with the surface protective film 3, so that a structure in which the distance between the silicon exposed portion on the end face of the diode chip 7 and the interconnector 6 is sufficient is realized. Next, the manufacturing process of the above embodiment will be described with reference to FIG. FIG.
Indicates a silicon substrate 1 before formation. The silicon substrate 1 is masked according to the shape of the diode, and a groove is formed by etching (FIG. 2B). In the steps after the step (b), a diode is formed by a planar technique. Next, an oxide film serving as a masking for selective diffusion and acting as a surface protection film 3 is formed on the surface of the silicon substrate 1 (FIG. 3C). Thereafter, as shown in FIG. 3D, a diffusion region 2 is formed through an olitho process and a diffusion process. Further, as shown in FIG. 3E, an electrode 5 is formed on the front surface of the silicon substrate 1 in a lift-off process by photolithography, and an electrode 4 is formed on the entire back surface. Finally, after the above-described electrode process is completed, the dashed line in FIG. 7E is divided by a dicing saw or the like to obtain a desired diode chip 7. By connecting the interconnector 6 to the diode chip 7 by welding or soldering, the diode for a solar cell device shown in FIG. 1 is obtained. The solar cell device diode obtained as described above has an interconnector 6
Since the distance between the silicon chip and the silicon chip at the end face of the diode chip 7 is sufficiently large, they do not easily come into contact with each other, and as a result, a short circuit between the diffusion region 2 and the silicon substrate 1 does not occur. . Note that, instead of the step portion B at the end of the diode chip 7 shown in the above embodiment,
As shown in part C of FIG. 3 (a), a structure may be provided only at a position facing the interconnector 6. Further, as another embodiment, the shape of the step portion B of the diode chip 7 of the above embodiment may be inclined as shown in the portion D of FIG. As described above, for example, a step or an inclination is provided at a portion of the end portion of the diode chip 7 facing the interconnector 6, and a drop from the interconnector 6 to the exposed silicon portion of the end surface of the diode chip 7 is obtained. The same effect can be obtained. <Effects of the Invention> As described above, according to the present invention, the contact between the interconnector of the diode and the silicon exposed portion on the end face of the diode chip can be prevented, and the possibility of a short circuit between the diffusion region and the silicon substrate caused by the contact can be prevented. Can be eliminated, and a highly reliable diode can be provided.

【図面の簡単な説明】 第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明一実施例による太陽電池装置用ダイオードの
断面図及び平面図、第２図（ａ）乃至（ｅ）は本発明一実施例の太陽電池装置用
ダイオードの製造工程図、第３図（ａ）は本発明による他の実施例、同図（ｂ）
はさらに他の実施例、第４図は従来例による太陽電池装置用ダイオードの断面図
を示す。 ３…表面保護膜、５…表面電極、６…インターコネクタ、７…ダイオードチッ
プ。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIGS. 1 (a) and 1 (b) are a cross-sectional view and a plan view of a solar cell device diode according to an embodiment of the present invention, and FIGS. FIG. 3 (a) is another embodiment according to the present invention, and FIG. 3 (b) is a manufacturing process diagram of the solar cell device diode of the embodiment.
FIG. 4 is a sectional view of a diode for a solar cell device according to a conventional example. 3: surface protective film, 5: surface electrode, 6: interconnector, 7: diode chip.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 １．複数の太陽電池が接続されている太陽電池装置の前記太陽電池間に接続さ
れるＰ−Ｎ接合部を有するダイオードチップであり、該ダイオードチップの表面
電極にはインターコネクタが接続されてなる太陽電池装置用ダイオードにおいて
、 前記ダイオードチップは、片面の側面部近傍を除く部分に前記Ｐ−Ｎ接合部が
形成された半導体基板と、該半導体基板の表面の前記Ｐ−Ｎ接合部上に形成され
た表面電極とからなり、 前記インターコネクタは前記ダイオードチップの表面電極の周囲表面に配設さ
れた表面保護膜を介在して配設され、 前記インターコネクタに対向する前記ダイオードチップの半導体基板の側面部
近傍には前記インターコネクタと前記ダイオードチップ端面の半導体基板面露出
部との間を離間する落差を設け、 且つ該落差には前記表面保護膜が延在して配設されてなることを特徴とする太
陽電池装置用ダイオード。[Claims for utility model registration] A solar cell comprising a PN junction connected between the solar cells of a solar cell device to which a plurality of solar cells are connected, wherein an interconnector is connected to a surface electrode of the diode chip. In the device diode, the diode chip has the PN junction at a portion other than near one side surface.
A semiconductor substrate formed on the PN junction on the surface of the semiconductor substrate;
The interconnector is disposed with a surface protective film disposed on a peripheral surface of the surface electrode of the diode chip, and a side surface of the semiconductor substrate of the diode chip facing the interconnector. In the vicinity of the part, the semiconductor substrate surface exposed at the end face of the interconnector and the diode chip
A diode for a solar cell device, wherein a drop is provided so as to be separated from the portion, and the surface protective film is disposed to extend at the drop.