JP2554759B2 - 新規なポジ型ホトレジスト組成物 - Google Patents
新規なポジ型ホトレジスト組成物Info
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- JP2554759B2 JP2554759B2 JP2002433A JP243390A JP2554759B2 JP 2554759 B2 JP2554759 B2 JP 2554759B2 JP 2002433 A JP2002433 A JP 2002433A JP 243390 A JP243390 A JP 243390A JP 2554759 B2 JP2554759 B2 JP 2554759B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、新規なポジ型ホトレジスト組成物、さらに
詳しくは、種々の酸や酸化剤、還元剤などを用いる湿式
エッチング処理や乾式エッチング処理用などとして好適
なポジ型ホトレジスト組成物に関するものである。
詳しくは、種々の酸や酸化剤、還元剤などを用いる湿式
エッチング処理や乾式エッチング処理用などとして好適
なポジ型ホトレジスト組成物に関するものである。
従来の技術 近年、産業用コンピューターなどの表示体やプリンタ
ーヘッドなどにおいては、大型化、微細化が進んできて
おり、それに伴い、金属や金属酸化物又は窒化物、ある
いはプラスチックスなどの材料に対して施されるホトエ
ッチング加工において精密性が求められるようになって
きた。例えば必要加工精度は10μｍ程度から５μｍ程度
となり、このため、この分野におけるポジ型ホトレジス
トに対しては、優れた解像度と他に、エッチング時のサ
イドエッチ量を極力減らすことが要求されている。
ーヘッドなどにおいては、大型化、微細化が進んできて
おり、それに伴い、金属や金属酸化物又は窒化物、ある
いはプラスチックスなどの材料に対して施されるホトエ
ッチング加工において精密性が求められるようになって
きた。例えば必要加工精度は10μｍ程度から５μｍ程度
となり、このため、この分野におけるポジ型ホトレジス
トに対しては、優れた解像度と他に、エッチング時のサ
イドエッチ量を極力減らすことが要求されている。
ところで、通常のポジ型ホトレジストは、アルカリ可
溶性ノボラック樹脂と、光分解成分、すなわちホトセン
シタイザーとから構成されており、そして、該ホトセン
シタイザーとしてはナフトキノンジアジドスルホン酸エ
ステルが用いられている（米国特許第3,402,044号明細
書）。また、このようなエステル類については、これま
で種々開示されている（米国特許第3,046,118号明細
書、同第3,106,465号明細書、同第3,148,983号明細
書）。
溶性ノボラック樹脂と、光分解成分、すなわちホトセン
シタイザーとから構成されており、そして、該ホトセン
シタイザーとしてはナフトキノンジアジドスルホン酸エ
ステルが用いられている（米国特許第3,402,044号明細
書）。また、このようなエステル類については、これま
で種々開示されている（米国特許第3,046,118号明細
書、同第3,106,465号明細書、同第3,148,983号明細
書）。
一方、アルカリ可溶性ノボラック樹脂については、例
えばフェノール−ホルムアルデヒドノボラック樹脂の使
用が開示されており（米国特許第3,402,044号明細
書）、またクレゾールノボラック樹脂の使用例が報告さ
れている〔「電気化学および工業物理化学」第48巻、第
584ページ（1980年）〕。さらに、クレゾールノボラッ
ク樹脂製造時に、クレゾール異性体の配合割合を適切に
選ぶことにより、高感度のポジ型ホトレジストが得られ
ることも知られている。
えばフェノール−ホルムアルデヒドノボラック樹脂の使
用が開示されており（米国特許第3,402,044号明細
書）、またクレゾールノボラック樹脂の使用例が報告さ
れている〔「電気化学および工業物理化学」第48巻、第
584ページ（1980年）〕。さらに、クレゾールノボラッ
ク樹脂製造時に、クレゾール異性体の配合割合を適切に
選ぶことにより、高感度のポジ型ホトレジストが得られ
ることも知られている。
しかしながら、従来のポジ型ホトレジストにおいて
は、耐酸性や基材との密着性が不足しているため、ホト
エッチング加工におけるサイドエッチ量は理論値以上に
大きくなるのを免れないという欠点がある。したがっ
て、例えば現在基材の微細化や大型化が進められている
液晶表示体などの透明導電膜のエッチング加工において
は、サイドエッチ量が極めて少なく、かつ耐酸性に優れ
たポジ型ホトレジストの開発が望まれている。
は、耐酸性や基材との密着性が不足しているため、ホト
エッチング加工におけるサイドエッチ量は理論値以上に
大きくなるのを免れないという欠点がある。したがっ
て、例えば現在基材の微細化や大型化が進められている
液晶表示体などの透明導電膜のエッチング加工において
は、サイドエッチ量が極めて少なく、かつ耐酸性に優れ
たポジ型ホトレジストの開発が望まれている。
発明が解決しようとする課題 本発明は、このような従来のポジ型ホトレジストが有
する欠点を克服し、金属や金属酸化膜などの種々の素材
のホトエッチング加工におけるホトレジストのサイドエ
ッチ量を極力減らしうるポジ型ホトレジスト組成物を提
供することを目的としてなされたものである。
する欠点を克服し、金属や金属酸化膜などの種々の素材
のホトエッチング加工におけるホトレジストのサイドエ
ッチ量を極力減らしうるポジ型ホトレジスト組成物を提
供することを目的としてなされたものである。
課題を解決するための手段 本発明者らは、前記の好ましい性質を有するポジ型ホ
トレジスト組成物を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、
特定の割合のｏ−クレゾールとｐ−クレゾールとの混合
クレゾールから得られたものであって、特定の分子量、
分子量分布及び未反応モノマー含有量を有するクレゾー
ルノボラック樹脂を用いることにより、その目的を達成
しうることを見い出し、この知見に基づいて本発明を完
成するに至った。
トレジスト組成物を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、
特定の割合のｏ−クレゾールとｐ−クレゾールとの混合
クレゾールから得られたものであって、特定の分子量、
分子量分布及び未反応モノマー含有量を有するクレゾー
ルノボラック樹脂を用いることにより、その目的を達成
しうることを見い出し、この知見に基づいて本発明を完
成するに至った。
すなわち、本発明は、クレゾールノボラック樹脂及び
ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルを主成分とす
るホトセンシタイザーを含有して成るポジ型ホトレジス
ト組成物において、該クレゾールノボラック樹脂とし
て、ｏ−クレゾール60〜95重量％とｐ−クレゾール40〜
５重量％との混合クレゾールから得られたものであっ
て、重量平均分子量（Mw）が5000〜15000、重量平均分
子量（Mw）と数平均分子量（Mn）との比Mw/Mnが2.0〜6.
0の範囲にあり、かつ未反応モノマーの含有量が５重量
％以下のものを用いたことを特徴とするポジ型ホトレジ
スト組成物を提供するものである。
ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルを主成分とす
るホトセンシタイザーを含有して成るポジ型ホトレジス
ト組成物において、該クレゾールノボラック樹脂とし
て、ｏ−クレゾール60〜95重量％とｐ−クレゾール40〜
５重量％との混合クレゾールから得られたものであっ
て、重量平均分子量（Mw）が5000〜15000、重量平均分
子量（Mw）と数平均分子量（Mn）との比Mw/Mnが2.0〜6.
0の範囲にあり、かつ未反応モノマーの含有量が５重量
％以下のものを用いたことを特徴とするポジ型ホトレジ
スト組成物を提供するものである。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明組成物においては、クレゾールノボラック樹脂
として、ｏ−クレゾール60〜95重量％とｐ−クレゾール
40〜５重量％との混合クレゾールから得られたものが用
いられる。該ｏ−クレゾールの含有量が60重量％未満で
は、得られる組成物の現象安定性については向上するも
のの、レジストの密着性に劣るし、95重量％を超えると
現像安定性が悪くなる傾向がみられる。また、該クレゾ
ールノボラック樹脂は、重量平均分子量（Mw）が5000〜
15000の範囲にあり、かつ分子量分布の指標である重量
平均分子量（Mw）と数平均分子量（Mn）との比Mw/Mnが
2.0〜6.0の範囲にあって、未反応モノマーの含有量が５
重量％以下であることが必要である。
として、ｏ−クレゾール60〜95重量％とｐ−クレゾール
40〜５重量％との混合クレゾールから得られたものが用
いられる。該ｏ−クレゾールの含有量が60重量％未満で
は、得られる組成物の現象安定性については向上するも
のの、レジストの密着性に劣るし、95重量％を超えると
現像安定性が悪くなる傾向がみられる。また、該クレゾ
ールノボラック樹脂は、重量平均分子量（Mw）が5000〜
15000の範囲にあり、かつ分子量分布の指標である重量
平均分子量（Mw）と数平均分子量（Mn）との比Mw/Mnが
2.0〜6.0の範囲にあって、未反応モノマーの含有量が５
重量％以下であることが必要である。
該重量平均分子量（Mw）が5000未満では得られる組成
物は密着性については向上するものの、耐酸性が不十分
であるし、15000を超えると感度が低下したり、現像残
渣が生じたりする傾向がみられる。また、重量平均分子
量（Mw）と数平均分子量（Mn）との比Mw/Mnが2.0未満で
は、該組成物は高い解像力が得られるものの、密着性に
劣るし、6.0を超えると解像力が低下したり、現像安定
性や耐酸性が悪くなるなどの傾向がみられる。さらに、
未反応モノマーの含有量が５重量％を超えると得られる
組成物は耐酸性が著しく低下するようになる。
物は密着性については向上するものの、耐酸性が不十分
であるし、15000を超えると感度が低下したり、現像残
渣が生じたりする傾向がみられる。また、重量平均分子
量（Mw）と数平均分子量（Mn）との比Mw/Mnが2.0未満で
は、該組成物は高い解像力が得られるものの、密着性に
劣るし、6.0を超えると解像力が低下したり、現像安定
性や耐酸性が悪くなるなどの傾向がみられる。さらに、
未反応モノマーの含有量が５重量％を超えると得られる
組成物は耐酸性が著しく低下するようになる。
本発明組成物におけるホトセンシタイザーとしては、
ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルを主成分とす
るものが用いられ、このものはナフトキノンジアジドス
ルホン酸とフェノール性水酸基を有する化合物とを、常
法に従ってエステル化反応させることにより、容易に製
造することができる。
ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルを主成分とす
るものが用いられ、このものはナフトキノンジアジドス
ルホン酸とフェノール性水酸基を有する化合物とを、常
法に従ってエステル化反応させることにより、容易に製
造することができる。
該フェノール性水酸基を有する化合物としては、例え
ばフェノールノボラック樹脂やクレゾールノボラック樹
脂などのノボラック樹脂、テトラヒドロキシベンゾフェ
ノンやトリヒドロキシベンゾフェノンなどのポリヒドロ
キシベンゾフェノン、さらにはヒドロキシスチレン、没
食子酸アルキル、トリヒドロキシベンゼンモノエーテル
類、2,2′,4,4′−テトラヒドロキシジフェニルメタ
ン、4,4′−ジヒドロキシフェニルプロパン、4,4′−ジ
ヒドロキシジフェニルスルホン、2,2′−ジヒドロキシ
−1,1−ナフチルメタン、２−ヒドロキシフルオレン、
２−ヒドロキシフェナントレン、ポリヒドロキシアント
ラキノン、プルプロガリン及びその誘導体、フェニル−
2,4,6−トリヒドロキシ安息香酸エステル、トリスフェ
ノールなどが挙げられる。
ばフェノールノボラック樹脂やクレゾールノボラック樹
脂などのノボラック樹脂、テトラヒドロキシベンゾフェ
ノンやトリヒドロキシベンゾフェノンなどのポリヒドロ
キシベンゾフェノン、さらにはヒドロキシスチレン、没
食子酸アルキル、トリヒドロキシベンゼンモノエーテル
類、2,2′,4,4′−テトラヒドロキシジフェニルメタ
ン、4,4′−ジヒドロキシフェニルプロパン、4,4′−ジ
ヒドロキシジフェニルスルホン、2,2′−ジヒドロキシ
−1,1−ナフチルメタン、２−ヒドロキシフルオレン、
２−ヒドロキシフェナントレン、ポリヒドロキシアント
ラキノン、プルプロガリン及びその誘導体、フェニル−
2,4,6−トリヒドロキシ安息香酸エステル、トリスフェ
ノールなどが挙げられる。
本発明組成物においては、前記ナフトキノンジアジト
スルホン酸エステルを主成分とするホトセンシタイザー
は、クレゾールノボラック樹脂100重量部に対し、10〜6
0重量部の割合で配合するのが好ましい。この配合量が1
0重量部未満では感度は上昇するものの、現像時の膜減
りやレジストパターンのプロファイル低下が生じるおそ
れがあるし、60重量部を超えると感度や密着性が著しく
低下し、実用上の問題が生じる。
スルホン酸エステルを主成分とするホトセンシタイザー
は、クレゾールノボラック樹脂100重量部に対し、10〜6
0重量部の割合で配合するのが好ましい。この配合量が1
0重量部未満では感度は上昇するものの、現像時の膜減
りやレジストパターンのプロファイル低下が生じるおそ
れがあるし、60重量部を超えると感度や密着性が著しく
低下し、実用上の問題が生じる。
本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、前記クレゾー
ルノボラック樹脂とホトセンシタイザーとを適当な溶剤
に溶解して、溶液の形で用いるのが好ましい。このよう
な溶剤の例としては、アセトン、メチルエチルケトン、
シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトンなどのケト
ン類；エチレングリコール、エチレングリコールモノア
セテート、ジエチレングリコール又はジエチレングリコ
ールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチル
エーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテ
ル、モノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及び
その誘導体；ジオキサンのような環式エーテル類；及び
酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチルなど
のエステル類を挙げることができる。これらは単独で用
いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよく、ま
た、特性向上のためにキシレン、トルエンなどの芳香族
炭化水素やアルコール系溶剤などを併用してもよい。
ルノボラック樹脂とホトセンシタイザーとを適当な溶剤
に溶解して、溶液の形で用いるのが好ましい。このよう
な溶剤の例としては、アセトン、メチルエチルケトン、
シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトンなどのケト
ン類；エチレングリコール、エチレングリコールモノア
セテート、ジエチレングリコール又はジエチレングリコ
ールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチル
エーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテ
ル、モノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及び
その誘導体；ジオキサンのような環式エーテル類；及び
酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチルなど
のエステル類を挙げることができる。これらは単独で用
いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよく、ま
た、特性向上のためにキシレン、トルエンなどの芳香族
炭化水素やアルコール系溶剤などを併用してもよい。
本発明のポジ型ホトレジスト組成物には、所望に応
じ、さらに相溶性のある添加成分、例えば強度を向上さ
せるためのエポキシ樹脂やアクリル樹脂、可塑性を付与
するためのポリビニルエーテル類や各種可塑剤、安定性
を付与するための安定剤、レベリング性向上のための各
種活性剤、あるいは現像した像をより一層可視的にする
ための各種染料や顔料などの慣用されているものを含有
させることができる。
じ、さらに相溶性のある添加成分、例えば強度を向上さ
せるためのエポキシ樹脂やアクリル樹脂、可塑性を付与
するためのポリビニルエーテル類や各種可塑剤、安定性
を付与するための安定剤、レベリング性向上のための各
種活性剤、あるいは現像した像をより一層可視的にする
ための各種染料や顔料などの慣用されているものを含有
させることができる。
次に、本発明組成物と使用方法の好適な１例について
説明すると、例えばスパッタリング、EB法、CVD法など
によりインジウムとスズの酸化物から成る透明導電膜
（ITO膜）を形成したガラス板上に、前記のクレゾール
ノボラック樹脂とホトセンシタイザー及び所望に応じて
用いられる各種添加成分を適当な溶剤に溶解して調製し
た溶液を、ロールコーターなどを用い、塗布、乾燥して
感光層を形成させたのち、ミラープロジェクション露光
装置などを用い、所要のマスクを介して露光し、次いで
これを1.5〜５重量％濃度のテトタメチルアンモニウム
ヒドロキシドやコリン水溶液、あるいは0.3〜1.5重量％
濃度の水酸化ナトリウムや水酸化カリウム水溶液などの
現像液を用いて現像することにより、露光によって可溶
化した部分を選択的に溶解除去して、マスクパターンに
忠実なレジストパターンを形成する。次にレジストパタ
ーンにより露出された部分のITO膜を塩酸、硫酸、硝
酸、塩化第二鉄などを主成分とする適当なエッチング液
を用いて除去したのち、レジストをアルカリや溶剤など
を用いて剥脱することにより、レジストパターンに忠実
なITO膜透明導電性の配線板を得ることができる。
説明すると、例えばスパッタリング、EB法、CVD法など
によりインジウムとスズの酸化物から成る透明導電膜
（ITO膜）を形成したガラス板上に、前記のクレゾール
ノボラック樹脂とホトセンシタイザー及び所望に応じて
用いられる各種添加成分を適当な溶剤に溶解して調製し
た溶液を、ロールコーターなどを用い、塗布、乾燥して
感光層を形成させたのち、ミラープロジェクション露光
装置などを用い、所要のマスクを介して露光し、次いで
これを1.5〜５重量％濃度のテトタメチルアンモニウム
ヒドロキシドやコリン水溶液、あるいは0.3〜1.5重量％
濃度の水酸化ナトリウムや水酸化カリウム水溶液などの
現像液を用いて現像することにより、露光によって可溶
化した部分を選択的に溶解除去して、マスクパターンに
忠実なレジストパターンを形成する。次にレジストパタ
ーンにより露出された部分のITO膜を塩酸、硫酸、硝
酸、塩化第二鉄などを主成分とする適当なエッチング液
を用いて除去したのち、レジストをアルカリや溶剤など
を用いて剥脱することにより、レジストパターンに忠実
なITO膜透明導電性の配線板を得ることができる。
発明の効果 本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、特定の分子量
と分子量分布及び未反応モノマー含有量を有する、所定
と割合のｏ−クレゾールとｐ−クレゾールとの混合クレ
ゾールから得られたノボラック樹脂と、ナフトキノンジ
アジドスルホン酸エステルを主成分とするホトセンシタ
イザーとを含有するものであって、その露光、現像処理
により得られたレジストパターンが、種々の酸や酸化
剤、還元剤などを用いる湿式エッチング処理や乾式エッ
チング処理に対する強い耐性と、金属や金属酸化物又は
窒化物などの基材に対する優れた密着性を有しているこ
とから、これらの基材のホトエッチング加工に好適に用
いられる。
と分子量分布及び未反応モノマー含有量を有する、所定
と割合のｏ−クレゾールとｐ−クレゾールとの混合クレ
ゾールから得られたノボラック樹脂と、ナフトキノンジ
アジドスルホン酸エステルを主成分とするホトセンシタ
イザーとを含有するものであって、その露光、現像処理
により得られたレジストパターンが、種々の酸や酸化
剤、還元剤などを用いる湿式エッチング処理や乾式エッ
チング処理に対する強い耐性と、金属や金属酸化物又は
窒化物などの基材に対する優れた密着性を有しているこ
とから、これらの基材のホトエッチング加工に好適に用
いられる。
実施例 次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明する
が、本発明はこれらの例によってなんら限定されるもの
ではない。
が、本発明はこれらの例によってなんら限定されるもの
ではない。
実施例１ ｏ−クレゾールとｐ−クレゾールとを重量比90:10の
割合で混合し、これにトリオキサンを加え、硫酸触媒を
用いて縮合して得たクレゾールノボラック樹脂100重量
部（Mw10000、Mw/Mn4.0、未反応モノマー含量１重量
％）と、ナフトキノン−1,2−ジアジド−５−スルホン
酸の2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノンエステル33
重量部とをエチレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート300重量部に溶解したのち、このものを孔径0.2μ
ｍのメンブレンフィルターを用いてろ過し、ホトレジス
ト組成物を調製した。このレジスト組成物を、EB法によ
りガラス板上に厚さ1000ÅのITOを形成し、中性洗剤洗
浄、純水洗浄したのち乾燥後、紫外線を照射することで
表面の有機物を分解除去する前処理を施したガラス板上
に、市販のロールコーター（サーマトロニクス貿易社
製）を用いて、1.5μｍ厚に均一に塗布したのち、90℃
で180秒間ホットプレートにて乾燥した。次いで、ミラ
ープロジェクション露光装置（ORC社製、HMW−661B）を
用い、５μｍのラインとスペースをもつテストチャート
マスクを介して３秒間（ORC社製、紫外線照度計UV−M02
UV35センサーで照度17mW/cm2）紫外線をソフトコンタ
クト露光したのち、1.0重量％KOH水溶液により、25℃、
45秒間浸せき揺動現像を行ったところ、５μｍのライン
とスペースをマスクと同幅で再現した。
割合で混合し、これにトリオキサンを加え、硫酸触媒を
用いて縮合して得たクレゾールノボラック樹脂100重量
部（Mw10000、Mw/Mn4.0、未反応モノマー含量１重量
％）と、ナフトキノン−1,2−ジアジド−５−スルホン
酸の2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノンエステル33
重量部とをエチレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート300重量部に溶解したのち、このものを孔径0.2μ
ｍのメンブレンフィルターを用いてろ過し、ホトレジス
ト組成物を調製した。このレジスト組成物を、EB法によ
りガラス板上に厚さ1000ÅのITOを形成し、中性洗剤洗
浄、純水洗浄したのち乾燥後、紫外線を照射することで
表面の有機物を分解除去する前処理を施したガラス板上
に、市販のロールコーター（サーマトロニクス貿易社
製）を用いて、1.5μｍ厚に均一に塗布したのち、90℃
で180秒間ホットプレートにて乾燥した。次いで、ミラ
ープロジェクション露光装置（ORC社製、HMW−661B）を
用い、５μｍのラインとスペースをもつテストチャート
マスクを介して３秒間（ORC社製、紫外線照度計UV−M02
UV35センサーで照度17mW/cm2）紫外線をソフトコンタ
クト露光したのち、1.0重量％KOH水溶液により、25℃、
45秒間浸せき揺動現像を行ったところ、５μｍのライン
とスペースをマスクと同幅で再現した。
このホトレジストがパターニングされたガラス板を、
純度35％塩酸45重量部と、純水45重量部との混合物に、
塩化第二鉄・六水塩10重量部を溶解したものを50℃に温
めたエッチング液に静かに投入し、180秒間浸せきエッ
チング処理を行ったのち、ガラス板を水洗し、NaOH3重
量％水溶液50℃中で60秒間レジストの剥離処理を行い、
次いで純水で洗浄し、さらに温風乾燥して、５μｍのラ
インについて、サイドエッチ量を測定したところ1.5μ
ｍであり、良好た結果が得られた。
純度35％塩酸45重量部と、純水45重量部との混合物に、
塩化第二鉄・六水塩10重量部を溶解したものを50℃に温
めたエッチング液に静かに投入し、180秒間浸せきエッ
チング処理を行ったのち、ガラス板を水洗し、NaOH3重
量％水溶液50℃中で60秒間レジストの剥離処理を行い、
次いで純水で洗浄し、さらに温風乾燥して、５μｍのラ
インについて、サイドエッチ量を測定したところ1.5μ
ｍであり、良好た結果が得られた。
なお、比較のために、ｍ−、ｐ−クレゾールノボラッ
ク樹脂から成る市販のOFPR−800〔東京応化工業（株）
製〕を使用したところ、サイドエッチ量は3.0μｍであ
った。
ク樹脂から成る市販のOFPR−800〔東京応化工業（株）
製〕を使用したところ、サイドエッチ量は3.0μｍであ
った。
実施例２ ｏ−クレゾール60重量％とｐ−クレゾール40重量％と
の混合クレゾールを用い、実施例１と同様にして製造し
たクレゾールノボラック樹脂（Mw11000、Mw/Mn5.0、未
反応モノマー含量１重量％）を使用した以外は実施例１
と同様にしてホトレジスト組成物を調製したのち、この
組成物を用い、ガラス板上に厚さ1500Åのクロム被膜が
蒸着された基材上に、実施例１と同様に方法によりパタ
ーニングし、次いで、硝酸第二セリウムアンモニウム及
び純度50％の過塩素酸を、それぞれ12重量％及び７重量
％の割合で純水に溶解したエッチング液にて、40℃、３
分間の浸せき法により、エッチング処理を行ったのち、
実施例１と同様にしてレジストの剥離処理を行った。
の混合クレゾールを用い、実施例１と同様にして製造し
たクレゾールノボラック樹脂（Mw11000、Mw/Mn5.0、未
反応モノマー含量１重量％）を使用した以外は実施例１
と同様にしてホトレジスト組成物を調製したのち、この
組成物を用い、ガラス板上に厚さ1500Åのクロム被膜が
蒸着された基材上に、実施例１と同様に方法によりパタ
ーニングし、次いで、硝酸第二セリウムアンモニウム及
び純度50％の過塩素酸を、それぞれ12重量％及び７重量
％の割合で純水に溶解したエッチング液にて、40℃、３
分間の浸せき法により、エッチング処理を行ったのち、
実施例１と同様にしてレジストの剥離処理を行った。
この場合のサイドエッチ量は0.5μｍであり、５μｍ
のレジストラインは4.5μｍのストレートなクロムのラ
インとなった。
のレジストラインは4.5μｍのストレートなクロムのラ
インとなった。
実施例３ 実施例１で得られたクレゾールノボラック樹脂100重
量部と、ナフトキノン−1,2−ジアジド−５−スルホン
酸の没食子酸プロピルエステル15重量部を、乳酸エチル
300重量部に溶解して得られたホトレジスト組成物を用
い、ガラス板上にアルミニウム被膜が蒸着された基材上
に、実施例１と同様の方法でパターニングし、さらに12
0℃で３分間ホットプレートでポストベークを行い、次
いで純度85％リン酸95重量％と純度70％の硝酸５重量％
とを含有するエッチング液にて、40℃、１分間の浸せい
法により、蒸着アルミニウムのエッチング処理を行った
のち、ストリッパー10〔東京応化工業（株）製〕を用
い、70℃にてレジストの剥離処理を行い、アセトン洗浄
後、純水洗浄した。
量部と、ナフトキノン−1,2−ジアジド−５−スルホン
酸の没食子酸プロピルエステル15重量部を、乳酸エチル
300重量部に溶解して得られたホトレジスト組成物を用
い、ガラス板上にアルミニウム被膜が蒸着された基材上
に、実施例１と同様の方法でパターニングし、さらに12
0℃で３分間ホットプレートでポストベークを行い、次
いで純度85％リン酸95重量％と純度70％の硝酸５重量％
とを含有するエッチング液にて、40℃、１分間の浸せい
法により、蒸着アルミニウムのエッチング処理を行った
のち、ストリッパー10〔東京応化工業（株）製〕を用
い、70℃にてレジストの剥離処理を行い、アセトン洗浄
後、純水洗浄した。
この場合、サイドエッチ量は1.0μｍ以下であり、ガ
タツキもなく良好な結果が得られた。
タツキもなく良好な結果が得られた。
実施例４ 実施例１のホトレジスト組成物を用い、シリコンウエ
ハー上にレジストコーター（ミカサ社製、1H−36S型）
を用いて1.5μｍ厚に均一に塗布したのち、90℃で180秒
間ホットプレートにて乾燥した。次いで実施例１と同様
の方法でミラープロジュクション露光装置を用い、露光
し、現像を行ったのち、ホットプレートにより140℃で
５分間のポストベークを行った。
ハー上にレジストコーター（ミカサ社製、1H−36S型）
を用いて1.5μｍ厚に均一に塗布したのち、90℃で180秒
間ホットプレートにて乾燥した。次いで実施例１と同様
の方法でミラープロジュクション露光装置を用い、露光
し、現像を行ったのち、ホットプレートにより140℃で
５分間のポストベークを行った。
次に、パターニングされたシリコンウエハーを、プラ
ズマエッチング装置OPM−EM−600〔東京応化工業（株）
製〕を用い、ガスとして酸素５容量％を含有する四フッ
化炭素ガスを導入し、エッチングパワー100Wにてドライ
エッチング処理を行ったところ、レジストに変質はな
く、良好な結果が得られた。
ズマエッチング装置OPM−EM−600〔東京応化工業（株）
製〕を用い、ガスとして酸素５容量％を含有する四フッ
化炭素ガスを導入し、エッチングパワー100Wにてドライ
エッチング処理を行ったところ、レジストに変質はな
く、良好な結果が得られた。
Claims (1)
- 【請求項１】クレゾールノボラック樹脂及びナフトキノ
ンジアジドスルホン酸エステルを主成分とするホトセン
シタイザーを含有して成るポジ型ホトレジスト組成物に
おいて、該クレゾールノボラック樹脂として、ｏ−クレ
ゾール60〜95重量％とｐ−クレゾール40〜５重量％との
混合クレゾールから得られたものであって、重量平均分
子量（Mw）が5000〜15000、重量平均分子量（Mw）と数
平均分子量（Mn）との比Mw/Mnが2.0〜6.0の範囲にあ
り、かつ未反応モノマーの含有量が５重量％以下のもの
を用いたことを特徴とするポジ型ホトレジスト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002433A JP2554759B2 (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 新規なポジ型ホトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002433A JP2554759B2 (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 新規なポジ型ホトレジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03208054A JPH03208054A (ja) | 1991-09-11 |
| JP2554759B2 true JP2554759B2 (ja) | 1996-11-13 |
Family
ID=11529131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002433A Expired - Lifetime JP2554759B2 (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 新規なポジ型ホトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2554759B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3562673B2 (ja) | 1996-01-22 | 2004-09-08 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JP3453615B2 (ja) * | 2000-04-14 | 2003-10-06 | 光陽化学工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト組成物 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60189739A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-27 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| JPS63210923A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-01 | Nippon Steel Chem Co Ltd | パタ−ン形成用樹脂組成物 |
| JPH01304455A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-08 | Chisso Corp | ポジ型フォトレジスト組成物 |
-
1990
- 1990-01-11 JP JP2002433A patent/JP2554759B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03208054A (ja) | 1991-09-11 |
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