JP2554235B2 - Ｔｌ系酸化物超電導線材およびその製法 - Google Patents
Ｔｌ系酸化物超電導線材およびその製法Info
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- oxide
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｔｌ系酸化物超電導線
材およびその製法に関する。
材およびその製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】１９８６年、約４０Ｋと云うこれまでに
ない高い超電導転移温度（Ｔｃ）を有する酸化物超電導
体〔Ｌａ，Ｓｒ〕ＣｕＯ4、〔Ｌａ，Ｂａ〕ＣｕＯ4が発
見され、以来この方面の研究開発が盛んに行われるよう
になった。その結果、現在ではいろいろな酸化物超電導
体が知られるようになった。
ない高い超電導転移温度（Ｔｃ）を有する酸化物超電導
体〔Ｌａ，Ｓｒ〕ＣｕＯ4、〔Ｌａ，Ｂａ〕ＣｕＯ4が発
見され、以来この方面の研究開発が盛んに行われるよう
になった。その結果、現在ではいろいろな酸化物超電導
体が知られるようになった。
【０００３】特に、Ｙ系、Ｂｉ系、Ｔｌ系はＴｃが液体
窒素温度よりも高いので、これらを用いれば液体窒素冷
却による超電導システムを構成できる可能性がある。
窒素温度よりも高いので、これらを用いれば液体窒素冷
却による超電導システムを構成できる可能性がある。
【０００４】それまでの超電導システムは、液体ヘリウ
ムで冷却していたが、液体窒素は安価な上に比熱が大き
く、これを用いることができればシステムの簡略化、小
型化、ランニングコストの低減などが期待される。その
ために、前記Ｙ系、Ｂｉ系、Ｔｌ系の実用化の研究が各
方面で行われている。中でも、Ｔｌ系はＴｃが１２５Ｋ
と最も高い系であり、液体窒素冷却による超電導システ
ムを構成する上で最も有利な材料と考えられる。
ムで冷却していたが、液体窒素は安価な上に比熱が大き
く、これを用いることができればシステムの簡略化、小
型化、ランニングコストの低減などが期待される。その
ために、前記Ｙ系、Ｂｉ系、Ｔｌ系の実用化の研究が各
方面で行われている。中でも、Ｔｌ系はＴｃが１２５Ｋ
と最も高い系であり、液体窒素冷却による超電導システ
ムを構成する上で最も有利な材料と考えられる。
【０００５】さて、酸化物超電導体の長尺線材の製法は
いろいろあるが、その一例としてプラズマ溶射法を挙げ
る。この方法は、粉末状の原料をプラズマフレームで溶
融して液滴化し、これを基材上に吹き付けることによっ
て成膜する方法である。この方法は、１００ｃｍ2当り
１００μｍ／分以上と云う成膜速度が得られので、大量
生産向きと云う特徴がある。
いろいろあるが、その一例としてプラズマ溶射法を挙げ
る。この方法は、粉末状の原料をプラズマフレームで溶
融して液滴化し、これを基材上に吹き付けることによっ
て成膜する方法である。この方法は、１００ｃｍ2当り
１００μｍ／分以上と云う成膜速度が得られので、大量
生産向きと云う特徴がある。
【０００６】上記の方法を用いてＴｌ系超電導線材を製
造するには次のような方法で行う。まず、基板上にＴｌ
を含まない酸化物層を溶射し、次にこの溶射された酸化
物層にＴｌを導入して熱処理することでＴｌ系酸化物超
電導体層を形成する。
造するには次のような方法で行う。まず、基板上にＴｌ
を含まない酸化物層を溶射し、次にこの溶射された酸化
物層にＴｌを導入して熱処理することでＴｌ系酸化物超
電導体層を形成する。
【０００７】上記において、まず、Ｔｌを含まない酸化
物層を溶射形成する理由は、Ｔｌは蒸気圧が高く、例え
Ｔｌ系酸化物を予め合成して溶射しても、Ｔｌの一部が
溶射中に蒸発し、溶射後の酸化物層中にＴｌが不足して
しまうからである。
物層を溶射形成する理由は、Ｔｌは蒸気圧が高く、例え
Ｔｌ系酸化物を予め合成して溶射しても、Ｔｌの一部が
溶射中に蒸発し、溶射後の酸化物層中にＴｌが不足して
しまうからである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前記のようなプラズマ
溶射法でＴｌ系酸化物超電導線材を製造することができ
るが、前記の方法では酸化物超電導体層がむき出しにな
っているため、実用化を考えた場合は該酸化物層に保護
のための被覆層を設けることが必要である。
溶射法でＴｌ系酸化物超電導線材を製造することができ
るが、前記の方法では酸化物超電導体層がむき出しにな
っているため、実用化を考えた場合は該酸化物層に保護
のための被覆層を設けることが必要である。
【０００９】上記被覆層を設ける方法としては、該酸化
物超電導体層上に金属の溶射層を形成することが考えら
れるが、これには問題がある。それは、被覆層を溶射に
より形成する際の温度上昇によって、Ｔｌ系酸化物超電
導体層中のＴｌが蒸発してしまうためである。
物超電導体層上に金属の溶射層を形成することが考えら
れるが、これには問題がある。それは、被覆層を溶射に
より形成する際の温度上昇によって、Ｔｌ系酸化物超電
導体層中のＴｌが蒸発してしまうためである。
【００１０】本発明の目的は、前記の課題を克服した被
覆層付きのＴｌ系酸化物超電導線材を提供することにあ
る。
覆層付きのＴｌ系酸化物超電導線材を提供することにあ
る。
【００１１】本発明の他の目的は、前記の課題を克服し
た被覆層付きのＴｌ系酸化物超電導線材の製法を提供す
ることにある。
た被覆層付きのＴｌ系酸化物超電導線材の製法を提供す
ることにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は次のとお
りである。
りである。
【００１３】（１） 基材上にＴｌ系酸化物超電導体層
が形成され、その上に空隙率が５〜５０％の金属，金属
酸化物または無機質の溶射被覆層が設けられていること
を特徴とするＴｌ系酸化物超電導線材。
が形成され、その上に空隙率が５〜５０％の金属，金属
酸化物または無機質の溶射被覆層が設けられていること
を特徴とするＴｌ系酸化物超電導線材。
【００１４】（２） 基材上にＴｌ系酸化物超電導体層
が形成され、その上に空隙率が５〜５０％の金属，金属
酸化物または無機質の溶射被覆層が設けられており、前
記Ｔｌ系酸化物超電導体層が下式〔１〕または〔２〕で
示されることを特徴とするＴｌ系酸化物超電導線材。
が形成され、その上に空隙率が５〜５０％の金属，金属
酸化物または無機質の溶射被覆層が設けられており、前
記Ｔｌ系酸化物超電導体層が下式〔１〕または〔２〕で
示されることを特徴とするＴｌ系酸化物超電導線材。
【００１５】
【数２】
【００１６】〔但し、０.８≦Ａ≦１.２、０≦ｘ≦０.
４、０≦ｙ≦０.２、０≦ｚ≦０.４である。〕 （３） 前記基材および溶射被覆層の主成分がＡｇ、Ａ
ｕ、Ｃｕ、ＳｒＴｉＯ3、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3またはＹＳ
Ｚ（イットリウム安定化ジルコニア）である前記（１）
または（２）に記載のＴｌ系酸化物超電導線材。
４、０≦ｙ≦０.２、０≦ｚ≦０.４である。〕 （３） 前記基材および溶射被覆層の主成分がＡｇ、Ａ
ｕ、Ｃｕ、ＳｒＴｉＯ3、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3またはＹＳ
Ｚ（イットリウム安定化ジルコニア）である前記（１）
または（２）に記載のＴｌ系酸化物超電導線材。
【００１７】（４） 基材上にＴｌを含まない酸化物層
を形成し、該酸化物層上に空隙率が５〜５０％の金属，
金属酸化物または無機質の溶射被覆層を形成し、次いで
Ｔｌ含有物質蒸気中で熱処理して前記酸化物層とＴｌを
反応させるＴｌ系酸化物超電導線材の製法。
を形成し、該酸化物層上に空隙率が５〜５０％の金属，
金属酸化物または無機質の溶射被覆層を形成し、次いで
Ｔｌ含有物質蒸気中で熱処理して前記酸化物層とＴｌを
反応させるＴｌ系酸化物超電導線材の製法。
【００１８】（５） 前記基材および溶射被覆層の主成
分がＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、ＳｒＴｉＯ3、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ
3またはＹＳＺである前記（４）に記載のＴｌ系酸化物
超電導線材の製法。
分がＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、ＳｒＴｉＯ3、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ
3またはＹＳＺである前記（４）に記載のＴｌ系酸化物
超電導線材の製法。
【００１９】（６） 前記Ｔｌ含有物質がＴｌ2Ｏ3であ
る前記（４）または（５）に記載のＴｌ系酸化物超電導
線材の製法。
る前記（４）または（５）に記載のＴｌ系酸化物超電導
線材の製法。
【００２０】前記において、溶射被覆層（以下、単に被
覆層と云う）の空隙率を５〜５０％としたのは、５％未
満ではＴｌ含有物質の蒸気中で熱処理を行っても、酸化
物層がＴｌと十分反応せず、７７Ｋ，０Ｔ（ゼロテス
ラ）における超電導臨界電流密度（Ｊｃ）が５×１０2
Ａ／ｃｍ2未満となる。また、５０％を超えるときは作
製した超電導線材を大気中に３０日放置しておくと、大
気中の水分等の影響により、７７Ｋ，０ＴにおけるＪｃ
が作製時の１／５０以下に低下する経時劣化が生ずると
云う問題がある。
覆層と云う）の空隙率を５〜５０％としたのは、５％未
満ではＴｌ含有物質の蒸気中で熱処理を行っても、酸化
物層がＴｌと十分反応せず、７７Ｋ，０Ｔ（ゼロテス
ラ）における超電導臨界電流密度（Ｊｃ）が５×１０2
Ａ／ｃｍ2未満となる。また、５０％を超えるときは作
製した超電導線材を大気中に３０日放置しておくと、大
気中の水分等の影響により、７７Ｋ，０ＴにおけるＪｃ
が作製時の１／５０以下に低下する経時劣化が生ずると
云う問題がある。
【００２１】
【作用】本発明の超電導線材は、基材上に形成したＴｌ
を含まない酸化物層上に空隙率が５〜５０％の被覆層を
形成し、Ｔｌ含有物質の蒸気中で熱処理を施すことによ
って、上記被覆層の空隙を介してＴｌが浸透し酸化物層
と反応し、Ｔｌ系酸化物超電導体層が形成される。しか
し、前記被覆層の空隙率が５〜５０％の範囲でなければ
好ましくない。その詳細な理由はまだ明らかでない。
を含まない酸化物層上に空隙率が５〜５０％の被覆層を
形成し、Ｔｌ含有物質の蒸気中で熱処理を施すことによ
って、上記被覆層の空隙を介してＴｌが浸透し酸化物層
と反応し、Ｔｌ系酸化物超電導体層が形成される。しか
し、前記被覆層の空隙率が５〜５０％の範囲でなければ
好ましくない。その詳細な理由はまだ明らかでない。
【００２２】
【実施例】次に実施例により本発明を説明する。
【００２３】〔実施例 １〕モル比がＢａ：Ｓｒ：Ｃ
ａ：Ｃｕが１.６：０.４：２.０：３.０となるようにＢ
ａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯを混合し、８８０℃で１
０時間焼成した。焼成後、焼成体を粉砕，分級して粒径
１０〜１００μｍの粉末を得た。
ａ：Ｃｕが１.６：０.４：２.０：３.０となるようにＢ
ａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯを混合し、８８０℃で１
０時間焼成した。焼成後、焼成体を粉砕，分級して粒径
１０〜１００μｍの粉末を得た。
【００２４】上記粉末を用いて、厚さ５０μｍ×幅２ｍ
ｍのＡｇ基材上に、酸化物層の厚さが５０μｍとなるよ
う溶射し、さらにその上に厚さ５０μｍのＡｇの被覆層
を溶射した試料を作製した。なお、上記の溶射条件は、
次のとおりである。
ｍのＡｇ基材上に、酸化物層の厚さが５０μｍとなるよ
う溶射し、さらにその上に厚さ５０μｍのＡｇの被覆層
を溶射した試料を作製した。なお、上記の溶射条件は、
次のとおりである。
【００２５】溶射装置 ：大気圧溶射装置 プラズマガス：Ａｒ＋Ｈ2（圧力１００ｐｓｉ，流量１
００ｃｆｈ） ｃｆｈ（cubic foot per hour）：立方フィート毎時 プラズマ電圧：３０〜６０Ｖ プラズマ電流：４００〜９００Ａ 溶射距離 ：５０〜２００ｍｍ 溶射粉末 ：粒径１０〜１００μｍ（但し、溶射装置
に入れる際に、最大粒径から最小粒径を差し引いた値が
５０μｍ以下になるように調節した。） Ａｇ層の空隙率は、上記の溶射条件を一部変えることに
より調節した。空隙率の異なる試料（Ｎｏ.１〜９）を
作製し、Ａｌ2Ｏ3製密封容器中でＴｌ2Ｏ3粉末とともに
８１０℃で２０時間の焼成を２回行った。
００ｃｆｈ） ｃｆｈ（cubic foot per hour）：立方フィート毎時 プラズマ電圧：３０〜６０Ｖ プラズマ電流：４００〜９００Ａ 溶射距離 ：５０〜２００ｍｍ 溶射粉末 ：粒径１０〜１００μｍ（但し、溶射装置
に入れる際に、最大粒径から最小粒径を差し引いた値が
５０μｍ以下になるように調節した。） Ａｇ層の空隙率は、上記の溶射条件を一部変えることに
より調節した。空隙率の異なる試料（Ｎｏ.１〜９）を
作製し、Ａｌ2Ｏ3製密封容器中でＴｌ2Ｏ3粉末とともに
８１０℃で２０時間の焼成を２回行った。
【００２６】なお、前記Ａｇ被覆層の空隙率γ（％）は
(ａ×１００)／ｂ（但し、ａは顕微鏡観察による被覆層
中の空隙の総断面積、ｂは被覆層の総断面積である。）
によって求めた。
(ａ×１００)／ｂ（但し、ａは顕微鏡観察による被覆層
中の空隙の総断面積、ｂは被覆層の総断面積である。）
によって求めた。
【００２７】上記により作製した試料は、７７Ｋ，０Ｔ
において直流４端子法でＪｃを測定した。結果を表１に
示す。
において直流４端子法でＪｃを測定した。結果を表１に
示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】〔実施例 ２〕モル比がＢａ：Ｓｒ：Ｃ
ａ：Ｃｕが１.６：０.４：２.０：３.０となるようにＢ
ａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯを混合し、８８０℃で１
０時間焼成した。焼成後、焼成体を粉砕，分級して粒径
１０〜１００μｍの粉末を得た。
ａ：Ｃｕが１.６：０.４：２.０：３.０となるようにＢ
ａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＣｕＯを混合し、８８０℃で１
０時間焼成した。焼成後、焼成体を粉砕，分級して粒径
１０〜１００μｍの粉末を得た。
【００３０】上記粉末を用いて、厚さ５０μｍ×幅２ｍ
ｍのＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、ＳｒＴｉＯ3、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ
3、ＹＳＺの各基材上に、酸化物層の厚さが５０μｍと
なるよう溶射し、さらにその上に厚さ５０μｍのＡｇ、
Ａｕ、Ｃｕ、ＳｒＴｉＯ3、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＹＳＺ
の被覆層を溶射した試料（Ｎｏ.１０〜５７）を作製し
た。なお、上記の溶射条件は、実施例１と同じである。
ｍのＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、ＳｒＴｉＯ3、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ
3、ＹＳＺの各基材上に、酸化物層の厚さが５０μｍと
なるよう溶射し、さらにその上に厚さ５０μｍのＡｇ、
Ａｕ、Ｃｕ、ＳｒＴｉＯ3、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＹＳＺ
の被覆層を溶射した試料（Ｎｏ.１０〜５７）を作製し
た。なお、上記の溶射条件は、実施例１と同じである。
【００３１】上記各試料をＡｌ2Ｏ3製密封容器中でＴｌ
2Ｏ3粉末とともに８１０℃で２０時間の焼成を２回行っ
た。なお、これらの各試料の被覆層の空隙率は５〜５０
％である。
2Ｏ3粉末とともに８１０℃で２０時間の焼成を２回行っ
た。なお、これらの各試料の被覆層の空隙率は５〜５０
％である。
【００３２】上記各試料は７７Ｋ，０Ｔにおいて直流４
端子法でＪｃを測定した。結果を表２，表３に示す。
端子法でＪｃを測定した。結果を表２，表３に示す。
【００３３】
【表２】
【００３４】
【表３】
【００３５】〔実施例 ３〕モル比がＰｂ：Ｓｒ：Ｂ
ａ：Ｃａ：Ｃｕが０.７：１.６：０.４：２.０：３.０
となるようにＰｂＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，ＣａＯ，ＣｕＯ
を混合し、８８０℃で１０時間焼成した。焼成後、焼成
体を粉砕，分級して粒径１０〜１００μｍの粉末を得
た。なお、Ｐｂは溶射中にその一部が蒸発するので多く
配合した。
ａ：Ｃａ：Ｃｕが０.７：１.６：０.４：２.０：３.０
となるようにＰｂＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，ＣａＯ，ＣｕＯ
を混合し、８８０℃で１０時間焼成した。焼成後、焼成
体を粉砕，分級して粒径１０〜１００μｍの粉末を得
た。なお、Ｐｂは溶射中にその一部が蒸発するので多く
配合した。
【００３６】上記粉末を用いて、厚さ５０μｍ×幅２ｍ
ｍのＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、ＳｒＴｉＯ3、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ
3、ＹＳＺの各基材上に、酸化物層の厚さが５０μｍと
なるよう溶射し、さらにその上に厚さ５０μｍのＡｇ、
Ａｕ、Ｃｕ、ＳｒＴｉＯ3、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＹＳＺ
の被覆層を溶射した試料（Ｎｏ.５８〜１０６）を作製
した。なお、上記の溶射条件は、実施例１と同じであ
る。
ｍのＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、ＳｒＴｉＯ3、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ
3、ＹＳＺの各基材上に、酸化物層の厚さが５０μｍと
なるよう溶射し、さらにその上に厚さ５０μｍのＡｇ、
Ａｕ、Ｃｕ、ＳｒＴｉＯ3、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＹＳＺ
の被覆層を溶射した試料（Ｎｏ.５８〜１０６）を作製
した。なお、上記の溶射条件は、実施例１と同じであ
る。
【００３７】上記各試料をＡｌ2Ｏ3製密封容器中でＴｌ
2Ｏ3粉末とともに８１０℃で２０時間の焼成を２回行っ
た。これらの各試料の被覆層の空隙率は５〜５０％であ
る。
2Ｏ3粉末とともに８１０℃で２０時間の焼成を２回行っ
た。これらの各試料の被覆層の空隙率は５〜５０％であ
る。
【００３８】上記各試料は７７Ｋ，０Ｔにおいて直流４
端子法でＪｃを測定した。結果を表４，表５に示す。
端子法でＪｃを測定した。結果を表４，表５に示す。
【００３９】
【表４】
【００４０】
【表５】
【００４１】
【発明の効果】本発明によれば、超電導特性が優れた、
被覆層を有するＴｌ系酸化物超電導線材を得ることがで
き、該線材は経時劣化も少なくと云う優れた効果があ
る。
被覆層を有するＴｌ系酸化物超電導線材を得ることがで
き、該線材は経時劣化も少なくと云う優れた効果があ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｂ 13/00 ５６５ Ｈ０１Ｂ 13/00 ５６５Ｄ (56)参考文献 特開 平２−275779（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−103321（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−300202（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】 基材上にＴｌ系酸化物超電導体層が形成
され、その上に空隙率が５〜５０％の金属，金属酸化物
または無機質の溶射被覆層が設けられていることを特徴
とするＴｌ系酸化物超電導線材。 - 【請求項２】 基材上にＴｌ系酸化物超電導体層が形成
され、その上に空隙率が５〜５０％の金属，金属酸化物
または無機質の溶射被覆層が設けられており、前記Ｔｌ
系酸化物超電導体層が下式〔１〕または〔２〕で示され
ることを特徴とするＴｌ系酸化物超電導線材。 【数１】 〔但し、０.８≦Ａ≦１.２、０≦ｘ≦０.４、０≦ｙ≦
０.２、０≦ｚ≦０.４である。〕 - 【請求項３】 前記基材および溶射被覆層の主成分がＡ
ｇ、Ａｕ、Ｃｕ、ＳｒＴｉＯ3、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3また
はＹＳＺ（イットリウム安定化ジルコニア）である請求
項１または２に記載のＴｌ系酸化物超電導線材。 - 【請求項４】 基材上にＴｌを含まない酸化物層を形成
し、該酸化物層上に空隙率が５〜５０％の金属，金属酸
化物または無機質の溶射被覆層を形成し、次いでＴｌ含
有物質蒸気中で熱処理して前記酸化物層とＴｌを反応さ
せることを特徴とするＴｌ系酸化物超電導線材の製法。 - 【請求項５】 前記基材および溶射被覆層の主成分がＡ
ｇ、Ａｕ、Ｃｕ、ＳｒＴｉＯ3、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3また
はＹＳＺである請求項４に記載のＴｌ系酸化物超電導線
材の製法。 - 【請求項６】 前記Ｔｌ含有物質がＴｌ2Ｏ3である請求
項４または５に記載のＴｌ系酸化物超電導線材の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5263546A JP2554235B2 (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | Ｔｌ系酸化物超電導線材およびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5263546A JP2554235B2 (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | Ｔｌ系酸化物超電導線材およびその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122128A JPH07122128A (ja) | 1995-05-12 |
| JP2554235B2 true JP2554235B2 (ja) | 1996-11-13 |
Family
ID=17391049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5263546A Expired - Fee Related JP2554235B2 (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | Ｔｌ系酸化物超電導線材およびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2554235B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02275779A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-09 | Ngk Insulators Ltd | 超電導セラミックス複合体 |
| JPH03103321A (ja) * | 1989-09-14 | 1991-04-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 超電導体用原料及びその製造法並びに該原料を用いた超電導体の製造法 |
| JPH04300202A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-23 | Hitachi Ltd | 酸化物を用いた超電導体及びその作製方法 |
-
1993
- 1993-10-21 JP JP5263546A patent/JP2554235B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07122128A (ja) | 1995-05-12 |
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