JP2553264B2 - Tab用テープキャリア - Google Patents
Tab用テープキャリアInfo
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- JP2553264B2 JP2553264B2 JP3212581A JP21258191A JP2553264B2 JP 2553264 B2 JP2553264 B2 JP 2553264B2 JP 3212581 A JP3212581 A JP 3212581A JP 21258191 A JP21258191 A JP 21258191A JP 2553264 B2 JP2553264 B2 JP 2553264B2
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- Japan
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- lead
- copper foil
- tape carrier
- plating
- layer
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、LSI等が組みこまれ
るTAB用テープキャリアに関する。
るTAB用テープキャリアに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子の実装技術においては、一定
水準以上の性能を持つ製品を高速で量産するために自動
化が図られている。
水準以上の性能を持つ製品を高速で量産するために自動
化が図られている。
【0003】この自動化を目的として開発された半導体
素子の実装技術の一つに、長尺のテープキャリアにワイ
ヤレスボンディングにより半導体素子を組込んでいくT
AB(Tape Automated Bonding)方式がある。
素子の実装技術の一つに、長尺のテープキャリアにワイ
ヤレスボンディングにより半導体素子を組込んでいくT
AB(Tape Automated Bonding)方式がある。
【0004】このTABでは、半導体素子の各電極端子
にバンプを設け、このバンプと対応するテープキャリア
のインナーリードとをボンディングツールにより熱圧着
した後、絶縁性の流動レジンにより樹脂封止され、さら
に表面保護コートが施されるという操作が連続的に行な
われる。
にバンプを設け、このバンプと対応するテープキャリア
のインナーリードとをボンディングツールにより熱圧着
した後、絶縁性の流動レジンにより樹脂封止され、さら
に表面保護コートが施されるという操作が連続的に行な
われる。
【0005】最近前記TAB用テープキャリアによるI
Cパッケージは、従来の時計用等の民生機からパソコ
ン、高品質液晶テレビ等にも応用が広がり、いわゆる高
級民生機から営業用の分野にも実用化が急速に進んでい
る。
Cパッケージは、従来の時計用等の民生機からパソコ
ン、高品質液晶テレビ等にも応用が広がり、いわゆる高
級民生機から営業用の分野にも実用化が急速に進んでい
る。
【0006】ここで問題となっているのが、高信頼性化
であるが、TAB特有の大きな問題がクローズアップさ
れてきた。
であるが、TAB特有の大きな問題がクローズアップさ
れてきた。
【0007】それは、温度サイクル試験を行なうと、銅
箔パターンリードのインナーリードが破断するという問
題である。
箔パターンリードのインナーリードが破断するという問
題である。
【0008】この問題点について、図6に、従来のTA
B用テープキャリアを用い、実装にいたるまでの構成例
を示す。
B用テープキャリアを用い、実装にいたるまでの構成例
を示す。
【0009】同図に示すように、従来のTAB用テープ
キャリアは、銅箔パターンリード11の表面に表面処理
層12を形成し、さらに半導体素子14の電極のバンプ
15を介して表面処理層12と接合し、封止用樹脂7で
半導体素子14および表面処理済みの銅箔パターンリー
ド11を封止し、その上に保護層13が施され組み立て
られていた。
キャリアは、銅箔パターンリード11の表面に表面処理
層12を形成し、さらに半導体素子14の電極のバンプ
15を介して表面処理層12と接合し、封止用樹脂7で
半導体素子14および表面処理済みの銅箔パターンリー
ド11を封止し、その上に保護層13が施され組み立て
られていた。
【0010】しかし、銅箔パターンリード11のインナ
ーリード部と樹脂との熱膨張の差は大きいため、温度サ
イクル試験のような温度の変化によってインナーリード
が樹脂の大きな熱膨張に耐えきれず、破断するといった
恐れが生じていた。
ーリード部と樹脂との熱膨張の差は大きいため、温度サ
イクル試験のような温度の変化によってインナーリード
が樹脂の大きな熱膨張に耐えきれず、破断するといった
恐れが生じていた。
【0011】このため、高級機器への切替えがなかなか
進まない状況にある。この破断の原因は表面処理層12
が通常SnまたはSn−Pb合金めっきなのでSnとC
uの反応により金属間化合物層が、表面にでき(5〜6
μmt)この表面層が硬いために破断寿命を著しく短縮
していることも原因となっている。
進まない状況にある。この破断の原因は表面処理層12
が通常SnまたはSn−Pb合金めっきなのでSnとC
uの反応により金属間化合物層が、表面にでき(5〜6
μmt)この表面層が硬いために破断寿命を著しく短縮
していることも原因となっている。
【0012】この対策としては、銅箔の強度アップ目的
に合金銅箔等の構想もあるが、まだ実現されていない。
に合金銅箔等の構想もあるが、まだ実現されていない。
【0013】別の方策としては、低熱膨張係数の封止用
樹脂の採用や、銅箔パターンリードへの表面処理等も考
えられているが同様に実現されていない。それは、これ
らの手法が必然的にコストアップにつながるからであ
り、他の簡単な耐温度サイクル性能を持つTAB用テー
プキャリアの開発が待たれていた。
樹脂の採用や、銅箔パターンリードへの表面処理等も考
えられているが同様に実現されていない。それは、これ
らの手法が必然的にコストアップにつながるからであ
り、他の簡単な耐温度サイクル性能を持つTAB用テー
プキャリアの開発が待たれていた。
【0014】9は基板(プリント板)、10はポリイミ
ドフィルムである。
ドフィルムである。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】従来技術の中で解決す
べき問題点を挙げると下記のようになる。 (1)SnまたはSn−Pb合金めっき中のSnとCu
との反応によりCu−Snの金属間化合物が形成され
て、Cu箔パターンリードが硬くなり曲げ実装部等で破
断がおこる(図7のアウターリード曲げ加工部32a参
照)。 (2)(1)と同様の原因により曲げ実装部でなくても
インナーリード部が封止樹脂との熱膨張差に基づく温度
サイクルストレスに耐えられなくなり、インナーリード
が破断しやすくなる。 (3)Cu−Snの金属間化合物とは、ε相Cu3 S
n、η相Cu6 Su5 等であり、SnとCuの接合面に
おいて加熱時の相互拡散により化合物層が形成される。
この層は加熱時間に比例して成長するので、薄い銅箔パ
ターンリードを持つTAB用テープキャリアでは銅箔パ
ターンリードの厚み全体が金属間化合物層となってしま
う場合があり、危険である。 (4)LSIを組み込んだTABパッケージ(TCP=
Tape Carrier Packageとも言う)については、120〜
150℃の高温保持試験や−50〜150℃の温度サイ
クル試験等がある。これは車載用等で90〜100℃に
もなる実負荷温度を想定しているものである。TCP技
術は、まだ新しいが、Cu−Snの反応によるCu箔パ
ターンリードの破断、折れ、クラック等が懸念されてお
り、実際に上記の耐久試験に十分耐えられないことが大
きな問題となっている。 (5)また、上層のSnめっきまたは半田めっき等が、
LSIバンプとの接続前にTAB用テープキャリア製造
工程中でCu−Snの金属間化合物を形成してしまう
と、LSIバンプとの接続が困難になるという問題が生
じている。実際の接続に必要な上層のめっき厚さが減じ
るためである。この金属間化合物ばかりでなく単なる拡
散層は常温でも6か月間で0.3μm程度進行するので
問題となっている。即ち、拡散層でも上層のめっき層の
めっき厚さを減じさせるからである。 (6)Cu−Snの反応バリア的考え方に基づきNiめ
っきを施して、NiがCuともSnとも拡散しにくい原
理を応用することを試みたが、Niめっきはそれ自身が
硬いため曲げると折れやすく、またNiめっきはマイグ
レーションをおこしやすくバイヤス電圧負荷時の危険が
高いことが判明して採用を断念した。下地のニッケルめ
っきでも上層のめっきの薄い部分や欠陥部よりマイグレ
ーションをおこすことがその理由である。
べき問題点を挙げると下記のようになる。 (1)SnまたはSn−Pb合金めっき中のSnとCu
との反応によりCu−Snの金属間化合物が形成され
て、Cu箔パターンリードが硬くなり曲げ実装部等で破
断がおこる(図7のアウターリード曲げ加工部32a参
照)。 (2)(1)と同様の原因により曲げ実装部でなくても
インナーリード部が封止樹脂との熱膨張差に基づく温度
サイクルストレスに耐えられなくなり、インナーリード
が破断しやすくなる。 (3)Cu−Snの金属間化合物とは、ε相Cu3 S
n、η相Cu6 Su5 等であり、SnとCuの接合面に
おいて加熱時の相互拡散により化合物層が形成される。
この層は加熱時間に比例して成長するので、薄い銅箔パ
ターンリードを持つTAB用テープキャリアでは銅箔パ
ターンリードの厚み全体が金属間化合物層となってしま
う場合があり、危険である。 (4)LSIを組み込んだTABパッケージ(TCP=
Tape Carrier Packageとも言う)については、120〜
150℃の高温保持試験や−50〜150℃の温度サイ
クル試験等がある。これは車載用等で90〜100℃に
もなる実負荷温度を想定しているものである。TCP技
術は、まだ新しいが、Cu−Snの反応によるCu箔パ
ターンリードの破断、折れ、クラック等が懸念されてお
り、実際に上記の耐久試験に十分耐えられないことが大
きな問題となっている。 (5)また、上層のSnめっきまたは半田めっき等が、
LSIバンプとの接続前にTAB用テープキャリア製造
工程中でCu−Snの金属間化合物を形成してしまう
と、LSIバンプとの接続が困難になるという問題が生
じている。実際の接続に必要な上層のめっき厚さが減じ
るためである。この金属間化合物ばかりでなく単なる拡
散層は常温でも6か月間で0.3μm程度進行するので
問題となっている。即ち、拡散層でも上層のめっき層の
めっき厚さを減じさせるからである。 (6)Cu−Snの反応バリア的考え方に基づきNiめ
っきを施して、NiがCuともSnとも拡散しにくい原
理を応用することを試みたが、Niめっきはそれ自身が
硬いため曲げると折れやすく、またNiめっきはマイグ
レーションをおこしやすくバイヤス電圧負荷時の危険が
高いことが判明して採用を断念した。下地のニッケルめ
っきでも上層のめっきの薄い部分や欠陥部よりマイグレ
ーションをおこすことがその理由である。
【0016】本発明の目的は、前記問題を解決し、Cu
−Sn金属間化合物の形成を抑止してインナーリードの
破断を防止したTAB用テープキャリアを提供すること
にある。
−Sn金属間化合物の形成を抑止してインナーリードの
破断を防止したTAB用テープキャリアを提供すること
にある。
【0017】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明によれば、半導体素子取付用デバイスホールを
有し、その表面に貼り付けられたデバイスホール開口部
に向って伸びる銅箔パターンリードを有し、前記半導体
素子の電極と銅箔パターンリードのインナーリードとを
前記インナーリードの先端部で接合した後、樹脂封止し
て実装する際に用いられるTAB用テープキャリアにお
いて、前記銅箔パターンリードの少なくともインナーリ
ードを除く部分の表面にZnまたはZn合金めっきを介
してSnまたはSn合金めっきを有することを特徴とす
るTAB用テープキャリアが提供される。
に本発明によれば、半導体素子取付用デバイスホールを
有し、その表面に貼り付けられたデバイスホール開口部
に向って伸びる銅箔パターンリードを有し、前記半導体
素子の電極と銅箔パターンリードのインナーリードとを
前記インナーリードの先端部で接合した後、樹脂封止し
て実装する際に用いられるTAB用テープキャリアにお
いて、前記銅箔パターンリードの少なくともインナーリ
ードを除く部分の表面にZnまたはZn合金めっきを介
してSnまたはSn合金めっきを有することを特徴とす
るTAB用テープキャリアが提供される。
【0018】ここで、前記銅箔は圧延銅箔または電解銅
箔であるのが好ましい。
箔であるのが好ましい。
【0019】以下に本発明をさらに詳細に説明する。
【0020】本発明のTAB用テープキャリアは、可撓
性の絶縁フィルムにデバイス孔、スプロケット孔等の必
要な貫通孔を開け、このフィルムに導体箔を貼着し、こ
の導体箔をエッチング加工にて加工し、半導体素子と電
気的に接続されるインナーリードと、アウターリードを
有するリードパターンを形成したものである。
性の絶縁フィルムにデバイス孔、スプロケット孔等の必
要な貫通孔を開け、このフィルムに導体箔を貼着し、こ
の導体箔をエッチング加工にて加工し、半導体素子と電
気的に接続されるインナーリードと、アウターリードを
有するリードパターンを形成したものである。
【0021】本発明のTAB用テープキャリアは、構造
上接着剤無しに絶縁フィルムを導体箔にコーティングし
た2層テープキャリアおよび接着剤を用いた3層テープ
キャリアのいずれでもよい。
上接着剤無しに絶縁フィルムを導体箔にコーティングし
た2層テープキャリアおよび接着剤を用いた3層テープ
キャリアのいずれでもよい。
【0022】前記導体箔としては、銅箔が用いられる。
【0023】この銅箔パターンリードを用い、インナー
リードと半導体素子の電極とを接合し、樹脂で封止す
る。
リードと半導体素子の電極とを接合し、樹脂で封止す
る。
【0024】以下、本発明のTAB用テープキャリアに
ついて添付図面に示す好適実施例に基づいて説明する。
ついて添付図面に示す好適実施例に基づいて説明する。
【0025】図1は、TAB用テープキャリア1の部分
平面図である。 同図に示すように、TAB用テープキ
ャリア1は、ポリイミド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリ
エステル樹脂、可撓性エポキシ樹脂等の樹脂類や、紙類
等の可撓性、絶縁性を有する材料で構成されるフィルム
2上に、所望のパターンの銅箔を貼着したリード3が接
着剤等により貼着されている。
平面図である。 同図に示すように、TAB用テープキ
ャリア1は、ポリイミド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリ
エステル樹脂、可撓性エポキシ樹脂等の樹脂類や、紙類
等の可撓性、絶縁性を有する材料で構成されるフィルム
2上に、所望のパターンの銅箔を貼着したリード3が接
着剤等により貼着されている。
【0026】前記銅箔を貼着したリード3(以下、銅箔
パターンリード11という)の銅箔は圧延銅箔または電
解銅箔とするのがよい。 このリード3は、先端のイン
ナーリード31と外部面を接続するためのアウターリー
ド32とを有している。
パターンリード11という)の銅箔は圧延銅箔または電
解銅箔とするのがよい。 このリード3は、先端のイン
ナーリード31と外部面を接続するためのアウターリー
ド32とを有している。
【0027】アウターリード32は、実装時にフィルム
から切断、あるいは接着剤を溶解等により剥離し、外部
端子と半田付等によって接続される。
から切断、あるいは接着剤を溶解等により剥離し、外部
端子と半田付等によって接続される。
【0028】前記銅箔パターンリード11は、その少な
くともインナーリードを除く部分の表面にZnまたはZ
n合金めっき層20が形成され、さらにその表面にSn
またはSn合金めっき層30が形成されている。
くともインナーリードを除く部分の表面にZnまたはZ
n合金めっき層20が形成され、さらにその表面にSn
またはSn合金めっき層30が形成されている。
【0029】このようにSnまたはSn合金めっきの下
地めっきとしてZnまたはZn合金めっきを施すことに
より、CuとSnとの反応によって生ずる硬い金属間化
合物の形成を防止することができ、インナーリードの破
断が防止できる。
地めっきとしてZnまたはZn合金めっきを施すことに
より、CuとSnとの反応によって生ずる硬い金属間化
合物の形成を防止することができ、インナーリードの破
断が防止できる。
【0030】前記ZnまたはZn合金めっき層20は、
ZnまたはZn合金のめっきまたは蒸着等によって被覆
することができる。このめっき層20の厚さは、0.0
1〜0.1μmとするのがよい。これは、合金層の形成
を抑止するのに最低のめっき厚さと半田付性を阻害しな
い上限のめっき厚さに基づくものである。
ZnまたはZn合金のめっきまたは蒸着等によって被覆
することができる。このめっき層20の厚さは、0.0
1〜0.1μmとするのがよい。これは、合金層の形成
を抑止するのに最低のめっき厚さと半田付性を阻害しな
い上限のめっき厚さに基づくものである。
【0031】前記SnまたはSn合金めっき層30は、
Sn、Sn−Pb、半田等のめっきまたは蒸着等によっ
て被覆することができる。このめっき層30の厚さは、
0.3〜1.0μmとするのがよい。これは、素子との
接合性を良くするためである。
Sn、Sn−Pb、半田等のめっきまたは蒸着等によっ
て被覆することができる。このめっき層30の厚さは、
0.3〜1.0μmとするのがよい。これは、素子との
接合性を良くするためである。
【0032】テープキャリア1の中央部付近には半導体
素子をマウントするためのデバイスホール4が、また外
周には位置決めと送り操作を容易にするためのスプロケ
ットホール6が形成されている。
素子をマウントするためのデバイスホール4が、また外
周には位置決めと送り操作を容易にするためのスプロケ
ットホール6が形成されている。
【0033】そして、このデバイスホール4内に突出し
ているインナーリード31と図2に示すように半導体素
子14の対応する各電極のバンプ15とは接合される。
ているインナーリード31と図2に示すように半導体素
子14の対応する各電極のバンプ15とは接合される。
【0034】そして、前記インナーリード31と、半導
体素子14とを樹脂7で封止する。この封止用の樹脂7
は、エポキシ等が一般的に用いられる。
体素子14とを樹脂7で封止する。この封止用の樹脂7
は、エポキシ等が一般的に用いられる。
【0035】この後、全体を保護層13で被覆する。
この保護層13はエポキシ系のソルダーレジスト等によ
って被覆することができる。
この保護層13はエポキシ系のソルダーレジスト等によ
って被覆することができる。
【0036】この保護層の厚さは、2〜3μmとするの
がよい。
がよい。
【0037】一般にテープキャリア1は図1に示す一テ
ープキャリアが連続して存在する長尺物である。
ープキャリアが連続して存在する長尺物である。
【0038】
【実施例】以下、実施例に基づき、本発明を具体的に説
明する。 (実施例1)35mm幅の200ピン、TAB用テープ
キャリアをまず製造した。フィルムベースには75μm
tのポリイミドフィルムを、接着剤にはエポキシ系の箔
20μm厚さのものを用いた。また、銅箔には25μm
厚さの電解銅箔を使用した。インナーリードのCu箔パ
ターンリードの幅は50μm、アウターリードの銅箔パ
ターンリードの幅は100μmとした。
明する。 (実施例1)35mm幅の200ピン、TAB用テープ
キャリアをまず製造した。フィルムベースには75μm
tのポリイミドフィルムを、接着剤にはエポキシ系の箔
20μm厚さのものを用いた。また、銅箔には25μm
厚さの電解銅箔を使用した。インナーリードのCu箔パ
ターンリードの幅は50μm、アウターリードの銅箔パ
ターンリードの幅は100μmとした。
【0039】このTAB用テープキャリアの銅箔パター
ンリードの全面に硫酸亜鉛電気めっき液により純Znめ
っきを0.1μm厚さで施し、その表面に80%Sn−
20%Pbの電気半田めっきを硼弗化浴電気めっき液に
より、0.7μmの厚さで施した。同時に下地Znめっ
きなしの試料も作成して性能試験を行った(比較例
1)。試験結果を表1および図3に示す。
ンリードの全面に硫酸亜鉛電気めっき液により純Znめ
っきを0.1μm厚さで施し、その表面に80%Sn−
20%Pbの電気半田めっきを硼弗化浴電気めっき液に
より、0.7μmの厚さで施した。同時に下地Znめっ
きなしの試料も作成して性能試験を行った(比較例
1)。試験結果を表1および図3に示す。
【0040】実施例1および比較例1についてマイグレ
ーション試験を行った。同時に純Znめっきの替りにN
i下地めっき0.5μmを施したほかは実施例1と同様
に行ったもの(参考例)を加えて試験を行った。その結
果を表2に示す。
ーション試験を行った。同時に純Znめっきの替りにN
i下地めっき0.5μmを施したほかは実施例1と同様
に行ったもの(参考例)を加えて試験を行った。その結
果を表2に示す。
【0041】(実施例2)実施例1と同様のパターン形
状で接着剤なしの2層TAB用テープキャリアを製造し
評価を行った。2層TAB用テープキャリアの製法とし
ては、電解銅箔25μmにポリイミドワニスをキャステ
ィング(ワニスをローラーコート法等により膜形成す
る)して、ポリイミドフィルム層を形成する方法を採用
した。
状で接着剤なしの2層TAB用テープキャリアを製造し
評価を行った。2層TAB用テープキャリアの製法とし
ては、電解銅箔25μmにポリイミドワニスをキャステ
ィング(ワニスをローラーコート法等により膜形成す
る)して、ポリイミドフィルム層を形成する方法を採用
した。
【0042】デバイスホールはホトレジスト膜を形成し
て、アルカリ−ヒドラジン液でポリイミドを溶解除去後
マスクとしてのホトレジスト膜を剥膜する方法を採用し
た。比較試験は実施例1と同様にZnめっきなしの試料
で行った(比較例2)。試験結果を表1に示す。曲げ試
験は銅箔膜が同じなので実施を省略した。
て、アルカリ−ヒドラジン液でポリイミドを溶解除去後
マスクとしてのホトレジスト膜を剥膜する方法を採用し
た。比較試験は実施例1と同様にZnめっきなしの試料
で行った(比較例2)。試験結果を表1に示す。曲げ試
験は銅箔膜が同じなので実施を省略した。
【0043】(実施例3)実施例1および比較例1の試
料を常温で保管して、保管期間とギャングボンディング
性(LSIのバンプとインナーリードをヒートツールに
より加熱圧接する方法)との関係を調査し、その結果を
インナーリードの引き剥し強度試験(各試験数20)に
より評価した(図4参照)。
料を常温で保管して、保管期間とギャングボンディング
性(LSIのバンプとインナーリードをヒートツールに
より加熱圧接する方法)との関係を調査し、その結果を
インナーリードの引き剥し強度試験(各試験数20)に
より評価した(図4参照)。
【0044】(実施例4)インナーリード部のみに金め
っきを施し(0.5μm)アウター側とフィルムパター
ン上にはZnめっき下地の半田めっきを施したほかは実
施例1と同様に行った。インナーリード側は曲げ加工を
行わないため硬いNiめっき(厚さ1.0μm)上のA
uめっきを使用した。この場合、NiはCuとAuの拡
散反応のバリアめっきとして採用した。その結果、イン
ナーリード接合温度430℃における銅の金中への拡散
を防止でき、ギャングボンディング性を向上できた。同
時に、アウターリード側の曲げ性については実施例1と
同様の効果が得られた。
っきを施し(0.5μm)アウター側とフィルムパター
ン上にはZnめっき下地の半田めっきを施したほかは実
施例1と同様に行った。インナーリード側は曲げ加工を
行わないため硬いNiめっき(厚さ1.0μm)上のA
uめっきを使用した。この場合、NiはCuとAuの拡
散反応のバリアめっきとして採用した。その結果、イン
ナーリード接合温度430℃における銅の金中への拡散
を防止でき、ギャングボンディング性を向上できた。同
時に、アウターリード側の曲げ性については実施例1と
同様の効果が得られた。
【0045】(実施例5)最上層の半田めっきを100
%Snの純錫電気めっきとしたほかは実施例1と同様に
行った。図3に曲げ試験結果を示す。
%Snの純錫電気めっきとしたほかは実施例1と同様に
行った。図3に曲げ試験結果を示す。
【0046】<試験方法>温度サイクル試験は、EIA
J1C−121により、下記の条件で高温低温域を、一
定時間ずつ交互に保持し、この環境変化によって生じる
リード切れ個数を求めた。
J1C−121により、下記の条件で高温低温域を、一
定時間ずつ交互に保持し、この環境変化によって生じる
リード切れ個数を求めた。
【0047】 高温側150℃、低温側−50℃ 高温側保持時間: 30分 低温側保持時間: 30分 常温(中間温度25℃): 30分 雰囲気: 空気中
【0048】サイクル数100〜500後のインナーリ
ード破断発生のパッケージ数を破断率とした。試験パッ
ケージ数は各25個とし、破断は軟X線透過法により観
察した。封止レジンはエポキシ系(熱膨張係数6.3×
10-5/deg)を用いた。
ード破断発生のパッケージ数を破断率とした。試験パッ
ケージ数は各25個とし、破断は軟X線透過法により観
察した。封止レジンはエポキシ系(熱膨張係数6.3×
10-5/deg)を用いた。
【0049】高温保持後曲げ試験は、120℃で500
時間まで大気中に保持したのち、手曲げにより0.1R
曲げ試験(図5に示すように試料40を垂直位置から
右、左に曲げ角度90度でA→B→C→Dの順序に曲
げ、これを曲げ回数4として破断にいたるまでの回数で
示した。マイグレーション試験は、下記により行った。 印加電圧: 直流50V パターン間: 50μm パターン長: 15mm 雰囲気: 85℃、85%RH 試験期間: 500時間のパターン間抵抗をメガオーム
計で測定し、3回の平均値(単位:オーム)で示す。
時間まで大気中に保持したのち、手曲げにより0.1R
曲げ試験(図5に示すように試料40を垂直位置から
右、左に曲げ角度90度でA→B→C→Dの順序に曲
げ、これを曲げ回数4として破断にいたるまでの回数で
示した。マイグレーション試験は、下記により行った。 印加電圧: 直流50V パターン間: 50μm パターン長: 15mm 雰囲気: 85℃、85%RH 試験期間: 500時間のパターン間抵抗をメガオーム
計で測定し、3回の平均値(単位:オーム)で示す。
【0050】
【0051】
【0052】以上のように、本発明のリードは、従来の
ものと比べ、かなり耐久性の優れたものであることがわ
かる。
ものと比べ、かなり耐久性の優れたものであることがわ
かる。
【0053】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、Cu−Sn金属間化合物の形成を抑止してイ
ンナーリードの破断および腐食環境下での腐食断線を防
ぐことができるようになった。このため、高級精密機器
を作る際も、TAB用テープキャリアを用いて量産する
ことが可能となった。
いるので、Cu−Sn金属間化合物の形成を抑止してイ
ンナーリードの破断および腐食環境下での腐食断線を防
ぐことができるようになった。このため、高級精密機器
を作る際も、TAB用テープキャリアを用いて量産する
ことが可能となった。
【図1】本発明のTAB用テープキャリアの部分平面図
である。
である。
【図2】本発明の銅箔パターンリードを用いて基板実装
したときの概略断面図である。
したときの概略断面図である。
【図3】高温保持後曲げ試験時の加熱時間と破断までの
曲げ回数との関係を示すグラフである。
曲げ回数との関係を示すグラフである。
【図4】保管期間とリード1本当りの引き剥し強度との
関係を示すグラフである。
関係を示すグラフである。
【図5】高温保持後曲げ試験における曲げ回数の説明図
である。
である。
【図6】従来のインナーリードボンディングの概略断面
図である。
図である。
【図7】アウターリード曲げ加工部の説明図である。
1 TAB用テープキャリア 11 銅箔パターンリード 12 表面処理層 13 保護層、 14 半導体素子 15 バンプ 2 フィルム 3 リード 31 インナーリード 32 アウターリード 32a アウターリード曲げ加工部 4 デバイスホール 6 スプロケットホール 7 封止用樹脂 9 基板(プリント板) 10 ポリイミドフィルム 20 ZnまたはZn合金めっき層 30 SnまたはSn合金めっき層 40 試料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−357847(JP,A) 特開 平3−276738(JP,A) 特開 平3−276739(JP,A) 特開 平3−276654(JP,A) 特開 平3−64939(JP,A) 特開 平2−213495(JP,A)
Claims (2)
- 【請求項1】半導体素子取付用デバイスホールを有し、
その表面に貼り付けられたデバイスホール開口部に向っ
て伸びる銅箔パターンリードを有し、 前記半導体素子の電極と銅箔パターンリードのインナー
リードとを前記インナーリードの先端部で接合した後、
樹脂封止して実装する際に用いられるTAB用テープキ
ャリアにおいて、 前記銅箔パターンリードの少なくともインナーリードを
除く部分の表面にZnまたはZn合金めっきを介してS
nまたはSn合金めっきを有することを特徴とするTA
B用テープキャリア。 - 【請求項2】前記銅箔パターンリードは、圧延銅箔また
は電解銅箔である請求項1に記載のTAB用テープキャ
リア。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3212581A JP2553264B2 (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | Tab用テープキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3212581A JP2553264B2 (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | Tab用テープキャリア |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0555298A JPH0555298A (ja) | 1993-03-05 |
JP2553264B2 true JP2553264B2 (ja) | 1996-11-13 |
Family
ID=16625072
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3212581A Expired - Lifetime JP2553264B2 (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | Tab用テープキャリア |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2553264B2 (ja) |
-
1991
- 1991-08-26 JP JP3212581A patent/JP2553264B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0555298A (ja) | 1993-03-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960709 |