JP2550081B2 - 回路形成法 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はプリント配線板の回路形成法に係り、特に高
密度で微細な回路形成に適したプリント配線板の回路形
成法に関する。
密度で微細な回路形成に適したプリント配線板の回路形
成法に関する。
プリント配線板の高密度化、微細回路化が進むなか
で、これを達成するために種々の回路形成法が提案され
ている。その一つに、銅張積層板を出発材料として回路
所望部分以外を感光性のめっきレジストでマスクし、次
いで回路所望部分のみにめっき、例えば化学銅めっきを
行って回路形成をする方法がある。しかし、通常は銅張
積層板と感光性めっきレジストとの密着性が不十分なた
め、めっき中にめっきレジストが剥離してしまい十分な
回路形成ができないという問題があった。特に、微細回
路形成を行う場合、この剥離が大きな問題になる。この
問題を解決するために、特開昭61−48831号に記載のよ
うに、銅張積層板などの表面を軽石で機械的にこすった
後、ベンゾトリアゾールなどの接着促進剤を塗布し、次
いで、感光性めっきレジストで必要とする部分をマスク
していた。これにより、めっきレジストと下地銅表面と
の間がめっきしている間に剥離するようなことが改善で
きるようになった。また、ベンゾトリアゾールなどの接
着促進剤を感光性めっきレジストに添加して同様の効果
を得る方法が考案され、上記剥離の問題が改善できるよ
うになった。
で、これを達成するために種々の回路形成法が提案され
ている。その一つに、銅張積層板を出発材料として回路
所望部分以外を感光性のめっきレジストでマスクし、次
いで回路所望部分のみにめっき、例えば化学銅めっきを
行って回路形成をする方法がある。しかし、通常は銅張
積層板と感光性めっきレジストとの密着性が不十分なた
め、めっき中にめっきレジストが剥離してしまい十分な
回路形成ができないという問題があった。特に、微細回
路形成を行う場合、この剥離が大きな問題になる。この
問題を解決するために、特開昭61−48831号に記載のよ
うに、銅張積層板などの表面を軽石で機械的にこすった
後、ベンゾトリアゾールなどの接着促進剤を塗布し、次
いで、感光性めっきレジストで必要とする部分をマスク
していた。これにより、めっきレジストと下地銅表面と
の間がめっきしている間に剥離するようなことが改善で
きるようになった。また、ベンゾトリアゾールなどの接
着促進剤を感光性めっきレジストに添加して同様の効果
を得る方法が考案され、上記剥離の問題が改善できるよ
うになった。
しかし、上記従来技術は接着促進剤としてベンゾトリ
アゾールなどを使用するため、めっき膜に悪影響を及ぼ
す場合がある。すなわち、ベンゾトリアゾールがわずか
ながらめっき液に溶け出し、めっき膜の物性を低下させ
たり、めっき速度を低下させたり、さらにはめっき厚さ
が不均一になったりする場合がある。このような悪影響
を及ぼすのはベンゾトリアゾールだけでなく、密着促進
剤になると考えられる類似化合物、例えば２−メルカプ
トベンゾチアゾールなどの複素環系化合物に多い。この
ような問題が生じると、信頼性に優れたパターン形成が
できなくなるばかりか、場合によってはパターン形成そ
のものが不可能になる。
アゾールなどを使用するため、めっき膜に悪影響を及ぼ
す場合がある。すなわち、ベンゾトリアゾールがわずか
ながらめっき液に溶け出し、めっき膜の物性を低下させ
たり、めっき速度を低下させたり、さらにはめっき厚さ
が不均一になったりする場合がある。このような悪影響
を及ぼすのはベンゾトリアゾールだけでなく、密着促進
剤になると考えられる類似化合物、例えば２−メルカプ
トベンゾチアゾールなどの複素環系化合物に多い。この
ような問題が生じると、信頼性に優れたパターン形成が
できなくなるばかりか、場合によってはパターン形成そ
のものが不可能になる。
本発明の目的は上述した従来技術の欠点を解決し、め
っきレジストが下地金属層へ十分密着して化学めっき中
に剥離することがなく、且つ、めっき膜が悪影響を受け
ることなく、微細回路を形成する方法を提供するにあ
る。
っきレジストが下地金属層へ十分密着して化学めっき中
に剥離することがなく、且つ、めっき膜が悪影響を受け
ることなく、微細回路を形成する方法を提供するにあ
る。
上記目的はめっきレジストを形成する下地金属表面に
第２の金属層を形成することにより達成される。特に、
第２の金属層がパターンめっきする金属よりもイオン化
傾向の大きな金属の場合に大きな効果を得ることができ
る。
第２の金属層を形成することにより達成される。特に、
第２の金属層がパターンめっきする金属よりもイオン化
傾向の大きな金属の場合に大きな効果を得ることができ
る。
化学めっきを行っている間にめっきレジストが剥離す
る現象について調べたところ、めっきレジストと接して
いる金属層表面の酸化物層がパターンめっき中に破壊さ
れることが剥離の主原因であろうと考えるに至った。し
たがって、剥離を防止するには酸化物層の破壊を防止す
るか、もしくは金属層表面に酸化物層が形成されないよ
うにすれば良いと考えられる。すなわち、酸化物層の破
壊を防止するには化学めっきによるめっきする金属より
もイオン化傾向の大きな金属をめっきレジストの下地金
属層に適用すれば良い。これにより、下地金属層表面に
形成された酸化物層はめっきの間にめっき電位によって
金属に還元されることなく安全に存在すると推定され
る。種々の実験の結果、本発明者等はめっきレジストを
形成する下地金属層表面にパターンめっきを行う金属よ
りもイオン化傾向の大きな金属からなる第２金属層を形
成することによりめっき中のめっきレジストの剥離を防
止できることを確認するに至った。さらに、もう一つの
考え方である酸化物層が形成されないようにする方法に
ついて検討した結果、金などの貴金属類を第２金属層に
適用した場合、同様にめっきレジストが剥離しにくくな
ることを確認した。
る現象について調べたところ、めっきレジストと接して
いる金属層表面の酸化物層がパターンめっき中に破壊さ
れることが剥離の主原因であろうと考えるに至った。し
たがって、剥離を防止するには酸化物層の破壊を防止す
るか、もしくは金属層表面に酸化物層が形成されないよ
うにすれば良いと考えられる。すなわち、酸化物層の破
壊を防止するには化学めっきによるめっきする金属より
もイオン化傾向の大きな金属をめっきレジストの下地金
属層に適用すれば良い。これにより、下地金属層表面に
形成された酸化物層はめっきの間にめっき電位によって
金属に還元されることなく安全に存在すると推定され
る。種々の実験の結果、本発明者等はめっきレジストを
形成する下地金属層表面にパターンめっきを行う金属よ
りもイオン化傾向の大きな金属からなる第２金属層を形
成することによりめっき中のめっきレジストの剥離を防
止できることを確認するに至った。さらに、もう一つの
考え方である酸化物層が形成されないようにする方法に
ついて検討した結果、金などの貴金属類を第２金属層に
適用した場合、同様にめっきレジストが剥離しにくくな
ることを確認した。
本発明によれば、化学めっきによるパターンめっきを
している間にめっきレジストが剥離することがなく、ま
た、めっき膜が悪影響を受けることもない。それによっ
て、回路パターンおよびめっきレジストにより描かれた
所望の回路通りに形成できるので、微細回路を形成する
ことが可能である。
している間にめっきレジストが剥離することがなく、ま
た、めっき膜が悪影響を受けることもない。それによっ
て、回路パターンおよびめっきレジストにより描かれた
所望の回路通りに形成できるので、微細回路を形成する
ことが可能である。
次に本発明について第１図に示すプリント配線板の断
面図を用いて詳細に説明する。
面図を用いて詳細に説明する。
第１図のＡは金属層２を有する絶縁板１の必要個所に
孔３をあけた状態を示す。金属層２には一般に銅が用い
られ、銅張積層板として市販されているものが適用でき
る。絶縁板１も市販されているガラスエポキシ積層板，
ガラスポリイミド積層板，紙フェノール積層板など広範
囲の材料が使用できる。第１図のＡで、予め金属層２を
エッチングなどにより、回路を形成しておくことも可能
であり、必要に応じて適宜行えば良い。
孔３をあけた状態を示す。金属層２には一般に銅が用い
られ、銅張積層板として市販されているものが適用でき
る。絶縁板１も市販されているガラスエポキシ積層板，
ガラスポリイミド積層板，紙フェノール積層板など広範
囲の材料が使用できる。第１図のＡで、予め金属層２を
エッチングなどにより、回路を形成しておくことも可能
であり、必要に応じて適宜行えば良い。
第１図のＢは金属層２の上に金属薄層４を形成した状
態を示す。この金属薄層４は必ずしも必要でなく、場合
によっては省略できる。例えば、孔３を必要としない場
合、絶縁板１が十分に薄くて表裏のパターンめっきが孔
３内で容易に接続される場合、もしくは、孔３の表面に
化学めっきの触媒が付与されて活性化されてある場合な
どである。しかし、この金属薄層４を形成することによ
り、工程が長くなるという欠点はあるが、より確実な回
路形成ができる。金属薄層４は蒸着などの乾式法及びめ
っきなどの湿式法いずれでも形成できるが、量産性を考
慮すると湿式法が有利と思われる。湿式法では化学めっ
き、例えば化学銅めっきだけで金属薄層４を形成する方
法、あるいは化学めっき後に電気めっきを行う方法、あ
るいは孔３に通常化学銅めっきの触媒を付与して活性化
しておき、直接電気めっきを行う方法などがある。この
金属薄層４の厚さは特に限定されないが、10μｍ以下の
厚さで十分である。
態を示す。この金属薄層４は必ずしも必要でなく、場合
によっては省略できる。例えば、孔３を必要としない場
合、絶縁板１が十分に薄くて表裏のパターンめっきが孔
３内で容易に接続される場合、もしくは、孔３の表面に
化学めっきの触媒が付与されて活性化されてある場合な
どである。しかし、この金属薄層４を形成することによ
り、工程が長くなるという欠点はあるが、より確実な回
路形成ができる。金属薄層４は蒸着などの乾式法及びめ
っきなどの湿式法いずれでも形成できるが、量産性を考
慮すると湿式法が有利と思われる。湿式法では化学めっ
き、例えば化学銅めっきだけで金属薄層４を形成する方
法、あるいは化学めっき後に電気めっきを行う方法、あ
るいは孔３に通常化学銅めっきの触媒を付与して活性化
しておき、直接電気めっきを行う方法などがある。この
金属薄層４の厚さは特に限定されないが、10μｍ以下の
厚さで十分である。
次いで、金属薄層４もしくは金属層２の上に第２金属
層５を形成する。金属薄層４の上に第２金属層５を形成
した状態を第１図Ｃに示す。第２金属層５を形成する金
属は後工程で用いる。パターンめっき用金属よりもイオ
ン化傾向の大きなもの、もしくは酸化物ができにくい金
属が適している。例えばパターンめっきには導電率の大
きな銅が一般に用いられるが、その場合、前者としてア
ルミニウム，亜鉛，スズ，鉄，ニッケル，コバルトもし
くは少なくともそれらの一つを含む合金が第２金属層５
として適している。また、後者としては白金，金，など
の貴金属類が第２金属層として適している。第２金属層
の厚さは特に限定されず、１μｍ以下で十分である。第
２金属層形成の金属の色調がわずかに出る程度、例えば
0.01μｍ程度でも効果が得られる。しかし、第２金属層
５の下地の金属薄層４もしくは金属層２の表面が広範囲
にわたって露出したままになっていると十分な効果は得
られない。厚さについてはその表面粗さ、金属の種類に
よっても異るため、実用上は最適条件を見出す必要があ
る。第２金属層を形成する方法は蒸着，スパッタリン
グ，イオンプレーティングなどの乾式法、化学めっき，
電気めっき，置換めっきなどの湿式法があり、いずれの
方法でも形成可能である。
層５を形成する。金属薄層４の上に第２金属層５を形成
した状態を第１図Ｃに示す。第２金属層５を形成する金
属は後工程で用いる。パターンめっき用金属よりもイオ
ン化傾向の大きなもの、もしくは酸化物ができにくい金
属が適している。例えばパターンめっきには導電率の大
きな銅が一般に用いられるが、その場合、前者としてア
ルミニウム，亜鉛，スズ，鉄，ニッケル，コバルトもし
くは少なくともそれらの一つを含む合金が第２金属層５
として適している。また、後者としては白金，金，など
の貴金属類が第２金属層として適している。第２金属層
の厚さは特に限定されず、１μｍ以下で十分である。第
２金属層形成の金属の色調がわずかに出る程度、例えば
0.01μｍ程度でも効果が得られる。しかし、第２金属層
５の下地の金属薄層４もしくは金属層２の表面が広範囲
にわたって露出したままになっていると十分な効果は得
られない。厚さについてはその表面粗さ、金属の種類に
よっても異るため、実用上は最適条件を見出す必要があ
る。第２金属層を形成する方法は蒸着，スパッタリン
グ，イオンプレーティングなどの乾式法、化学めっき，
電気めっき，置換めっきなどの湿式法があり、いずれの
方法でも形成可能である。
ひき続き、第１図Ｄに示すように所望する回路形成部
分以外をめっきレジスト６でマスクする。ここで、めっ
きレジスト６と下地第２金属層５との密着性をより高め
るために第２金属層５表面を粗化しておくことが望まし
い。第２金属層５の表面を粗化する方法は、第２金属層
５表面を機械的もしくは化学的に直接粗化する方法と、
第２金属層５の下地となる金属薄層４もしくは金属層２
を予め粗化しておく方法がある。第２金属層５を直接粗
化するのではなく、金属薄層４もしくは金属層２を予め
粗化する方法を適用すれば、第２金属層５の種類に拘ら
ず全ての金属に対して同一粗化法が適用できる。
分以外をめっきレジスト６でマスクする。ここで、めっ
きレジスト６と下地第２金属層５との密着性をより高め
るために第２金属層５表面を粗化しておくことが望まし
い。第２金属層５の表面を粗化する方法は、第２金属層
５表面を機械的もしくは化学的に直接粗化する方法と、
第２金属層５の下地となる金属薄層４もしくは金属層２
を予め粗化しておく方法がある。第２金属層５を直接粗
化するのではなく、金属薄層４もしくは金属層２を予め
粗化する方法を適用すれば、第２金属層５の種類に拘ら
ず全ての金属に対して同一粗化法が適用できる。
金属薄層４もしくは金属層２が銅である場合、次の粗
化法が均一かつ密着強度を向上させるのに有効である。
まず、銅表面を過硫酸塩もしくは塩化第２銅などのエッ
チング剤を含む処理液で粗化する方法がある。さらに粗
化するには上記エッチング剤を含む処理液で粗化後、表
面を亜塩素酸塩を含む溶液で酸化し、さらに還元性処理
液で処理し再び金属銅にする方法がある。この処理を行
うことにより、銅表面をより一層粗化することができ
る。還元処理液としてはジメチルアミンボランなどのア
ミンボラン系化合物を含む処理液が特に有効である。ま
た、上記亜鉛素酸塩などで酸化した表面は電気的にカソ
ード還元することもでき、どちらの方法でも適用でき
る。
化法が均一かつ密着強度を向上させるのに有効である。
まず、銅表面を過硫酸塩もしくは塩化第２銅などのエッ
チング剤を含む処理液で粗化する方法がある。さらに粗
化するには上記エッチング剤を含む処理液で粗化後、表
面を亜塩素酸塩を含む溶液で酸化し、さらに還元性処理
液で処理し再び金属銅にする方法がある。この処理を行
うことにより、銅表面をより一層粗化することができ
る。還元処理液としてはジメチルアミンボランなどのア
ミンボラン系化合物を含む処理液が特に有効である。ま
た、上記亜鉛素酸塩などで酸化した表面は電気的にカソ
ード還元することもでき、どちらの方法でも適用でき
る。
第１図Ｄのめっきレンジ６は印刷法、もしくは写真法
によって所望する部分に形成する。本発明の目的である
微細回路形成には写真法が有利である。写真法に適用で
きるめっきレジストは感光性のドライフィルムタイプの
ものあるいは液状タイプのものがある。ここで、ベンゾ
トリアゾールなど、めっきレジストの密着性を向上させ
るような薬剤をめっき特性に悪影響を及ぼさない範囲で
めっきレジストに添加することは可能である。めっきレ
ジストに関しては市販のものが適用できる。
によって所望する部分に形成する。本発明の目的である
微細回路形成には写真法が有利である。写真法に適用で
きるめっきレジストは感光性のドライフィルムタイプの
ものあるいは液状タイプのものがある。ここで、ベンゾ
トリアゾールなど、めっきレジストの密着性を向上させ
るような薬剤をめっき特性に悪影響を及ぼさない範囲で
めっきレジストに添加することは可能である。めっきレ
ジストに関しては市販のものが適用できる。
次に、第１図Ｅに示すようにパターンめっき７により
回路形成を行う。この回路形成用パターンめっき７は銅
めっきが導電性の点から最適である。また、銅めっき方
法として化学銅めっき方法、電気銅めっき方法、それら
の併用方法がある。孔３が小さな場合は、スルーホール
めっきのつきまわり性の観点から、化学銅めっきが有利
となる。パターンめっき７を行うとき、露出している第
２金属層５をそのまま残しておいても構わないが、亜鉛
を第２金属層にした場合などは耐食性の点からも第２金
属層を除去する方が好ましい。この場合、無機酸等で除
去することができる。
回路形成を行う。この回路形成用パターンめっき７は銅
めっきが導電性の点から最適である。また、銅めっき方
法として化学銅めっき方法、電気銅めっき方法、それら
の併用方法がある。孔３が小さな場合は、スルーホール
めっきのつきまわり性の観点から、化学銅めっきが有利
となる。パターンめっき７を行うとき、露出している第
２金属層５をそのまま残しておいても構わないが、亜鉛
を第２金属層にした場合などは耐食性の点からも第２金
属層を除去する方が好ましい。この場合、無機酸等で除
去することができる。
パターンめっき７を行うにあたり、パターンめっきさ
れる下地には上述のように第２金属層５は必ずしも必要
でなく、除去することも可能である。同様に、孔３内に
関しては、第２金属層５はもちろん、金属薄層４も必ず
しも必要でない。しかし、孔３内に確実にパターンめっ
きを行うにはパターンめっきに先立ち、化学めっきの触
媒を付与して表面を活性化することが望ましい。次に化
学めっきにより最後までパターンめっき行うか、もしく
は化学めっきでうすくめっきをし、次いで電気めっきを
行う方法が信頼性上望ましい。特に、化学めっきのため
の触媒を孔３内表面に付与して活性化した後、化学めっ
きにより金属薄層４を形成する方法が適している。金属
薄層４、第２金属層５を粗化した後、化学めっきの触媒
を付与して活性化する方法は粗化表面を変質させてめっ
きレジスト６との密着性を低下させる場合があるので十
分な注意が必要である。
れる下地には上述のように第２金属層５は必ずしも必要
でなく、除去することも可能である。同様に、孔３内に
関しては、第２金属層５はもちろん、金属薄層４も必ず
しも必要でない。しかし、孔３内に確実にパターンめっ
きを行うにはパターンめっきに先立ち、化学めっきの触
媒を付与して表面を活性化することが望ましい。次に化
学めっきにより最後までパターンめっき行うか、もしく
は化学めっきでうすくめっきをし、次いで電気めっきを
行う方法が信頼性上望ましい。特に、化学めっきのため
の触媒を孔３内表面に付与して活性化した後、化学めっ
きにより金属薄層４を形成する方法が適している。金属
薄層４、第２金属層５を粗化した後、化学めっきの触媒
を付与して活性化する方法は粗化表面を変質させてめっ
きレジスト６との密着性を低下させる場合があるので十
分な注意が必要である。
第１図Ｅ以降は通常の方法で最終までの回路形成を行
うことができる。その一例として、まず、パターンめっ
きの上にさらに半田めっきを行い、エッチングレジスト
を形成する。つづいて、前記めっきレジスト６を除去す
る。回路上に形成したエッチングレジストにより、それ
以外の前記第２金属層5,金属薄層4,金属層２をエッチン
グ除去する。ここで、金属層2,金属薄層4,第２金属層５
が薄い場合は半田めっきを行わず、直接ディフェレンシ
ャルエッチングを行い回路形成することができる。半田
めっきを行う場合、最終的には必要に応じて半田めっき
を除去することも可能である。
うことができる。その一例として、まず、パターンめっ
きの上にさらに半田めっきを行い、エッチングレジスト
を形成する。つづいて、前記めっきレジスト６を除去す
る。回路上に形成したエッチングレジストにより、それ
以外の前記第２金属層5,金属薄層4,金属層２をエッチン
グ除去する。ここで、金属層2,金属薄層4,第２金属層５
が薄い場合は半田めっきを行わず、直接ディフェレンシ
ャルエッチングを行い回路形成することができる。半田
めっきを行う場合、最終的には必要に応じて半田めっき
を除去することも可能である。
上記説明では主に下地全面に金属層がある場合のパタ
ーンめっきについて行ったが、予め絶縁板表面に回路パ
ターンを形成し、孔及び必要回路部分のみを化学めっき
してプリント配線板を作成する方法にも全く同様に適用
できる。
ーンめっきについて行ったが、予め絶縁板表面に回路パ
ターンを形成し、孔及び必要回路部分のみを化学めっき
してプリント配線板を作成する方法にも全く同様に適用
できる。
さらに、本発明は前述した両面プリント配線板を基に
多層化し、多層プリント配線板を製造する場合にも適用
できる。
多層化し、多層プリント配線板を製造する場合にも適用
できる。
以下、いくつかの実施例を挙げてより具体的に説明す
る。
る。
実施例1. 基材厚0.1mm,銅厚９μｍの両面銅張積層板についてア
ルカリ脱脂を行ない、水洗後、過硫酸アンモニウム200
g、98％硫酸5mlを水にとかして１にした組成のソフト
エッチング液（30℃）で１分間処理した。水洗後ひき続
き、電気亜鉛めっき浴（シェーリンク社，ジンカルック
ス浴）で見かけの電流密度1A/dm2,1分間めっきし、第２
の金属層を形成した。次に水洗，乾燥後，感光性ドライ
フィルム（日立化成社,SR−3200,50μｍ厚）をラミネー
トし、所望する回路ネガパターンを露光，現像により得
た。３％硫酸で２分間処理し、水洗を行ったのち、下記
組成の化学銅めっき液（71℃）中で、30μｍの厚さの銅
めっきを行ない、回路を形成した。
ルカリ脱脂を行ない、水洗後、過硫酸アンモニウム200
g、98％硫酸5mlを水にとかして１にした組成のソフト
エッチング液（30℃）で１分間処理した。水洗後ひき続
き、電気亜鉛めっき浴（シェーリンク社，ジンカルック
ス浴）で見かけの電流密度1A/dm2,1分間めっきし、第２
の金属層を形成した。次に水洗，乾燥後，感光性ドライ
フィルム（日立化成社,SR−3200,50μｍ厚）をラミネー
トし、所望する回路ネガパターンを露光，現像により得
た。３％硫酸で２分間処理し、水洗を行ったのち、下記
組成の化学銅めっき液（71℃）中で、30μｍの厚さの銅
めっきを行ない、回路を形成した。
CuSO4・5H2O 10g/ エチレンジアミン四酢酸ニナトリウム 30g/ 37％HCHO 3ml/ NaOH 12g/ ２−２′−ジピリジル 30mg/ ポリエチレングリコール（平均分子量600） 10g/ 実施例2. 基材厚0.1mm,銅厚18μｍの両面銅張積層板の必要個所
に孔をあけた。次いで、アルカリ脱脂を行ない、水洗後
過硫酸アンモニウム200g、98％硫酸5mlを水に溶かし１
とした組成のソフトエッチング液（30℃）で１分間処
理した水洗を行った後、15％塩酸で１分間処理し、触媒
液（日立化成社,HS101B）に20℃,5分間浸漬し、水洗後
３％硫酸で20℃,5分間処理して水洗を行ない活性化し
た。次に銅表面をバフ研磨し、さらにハーミス研磨を行
なって表面をナシジ状に粗し、水洗を行った後、実施例
１と同様に電気亜鉛めっきにより、第２の金属層を形成
し、感光性ドライフイルムのラミネート，露光，現像，
及び化学銅めっきを行ない回路を形成した。
に孔をあけた。次いで、アルカリ脱脂を行ない、水洗後
過硫酸アンモニウム200g、98％硫酸5mlを水に溶かし１
とした組成のソフトエッチング液（30℃）で１分間処
理した水洗を行った後、15％塩酸で１分間処理し、触媒
液（日立化成社,HS101B）に20℃,5分間浸漬し、水洗後
３％硫酸で20℃,5分間処理して水洗を行ない活性化し
た。次に銅表面をバフ研磨し、さらにハーミス研磨を行
なって表面をナシジ状に粗し、水洗を行った後、実施例
１と同様に電気亜鉛めっきにより、第２の金属層を形成
し、感光性ドライフイルムのラミネート，露光，現像，
及び化学銅めっきを行ない回路を形成した。
実施例3. 基材厚0.1mm,銅厚18μｍの両面銅張積層板の必要個所
に孔をあけた。次いでアルカリ脱脂を行ない、水洗後、
過硫酸アンモニウム200g、98％硫酸5mlを水に溶かし１
とした組成のソフトエッチング液（30℃）で１分間処
理した。水洗を行った後、15％塩酸に１分間浸漬し、触
媒液（日立化成社,HS101B）に20℃,5分間浸漬し水洗し
た。次いで、亜鉛素酸ナトリウム90g/，水酸化ナトリ
ウム15g/，リン酸ナトリウム30g/からなる処理液
（75℃）に２分間浸漬し、水洗を行つた。次にジメチル
アミンボラン6g/、水酸化ナトリウム5g/（40℃）に
１分間浸漬して成形した酸化膜を還元した。十分に水洗
を行った後、実施例１と同様の条件で、電気亜鉛めっ
き，感光性ドライフイルムのラミネート，露光，現像，
ならびに化学銅めっきを行い回路を形成した。
に孔をあけた。次いでアルカリ脱脂を行ない、水洗後、
過硫酸アンモニウム200g、98％硫酸5mlを水に溶かし１
とした組成のソフトエッチング液（30℃）で１分間処
理した。水洗を行った後、15％塩酸に１分間浸漬し、触
媒液（日立化成社,HS101B）に20℃,5分間浸漬し水洗し
た。次いで、亜鉛素酸ナトリウム90g/，水酸化ナトリ
ウム15g/，リン酸ナトリウム30g/からなる処理液
（75℃）に２分間浸漬し、水洗を行つた。次にジメチル
アミンボラン6g/、水酸化ナトリウム5g/（40℃）に
１分間浸漬して成形した酸化膜を還元した。十分に水洗
を行った後、実施例１と同様の条件で、電気亜鉛めっ
き，感光性ドライフイルムのラミネート，露光，現像，
ならびに化学銅めっきを行い回路を形成した。
実施例4. 基材厚0.1mm,銅厚18μｍの両面銅張積層板の必要個所
に孔をあけた。次いでアルカリ脱脂を行ない、水洗後、
過硫酸アンモニウム200g,98％硫酸5mlを水に溶かし１
とした組成のソフトエッチング液（30℃）で１分間処理
した。水洗を行った後、15％塩酸に１分間浸漬し、触媒
液（日立化成社,HS101B）に20℃,5分間浸漬して水洗
し、さらに３％塩酸に20℃,5分間浸漬して水洗を行ない
活性化した。次いで、下記組成の化学銅めっき液（70
℃）で約５μｍの厚さまでめっきした。
に孔をあけた。次いでアルカリ脱脂を行ない、水洗後、
過硫酸アンモニウム200g,98％硫酸5mlを水に溶かし１
とした組成のソフトエッチング液（30℃）で１分間処理
した。水洗を行った後、15％塩酸に１分間浸漬し、触媒
液（日立化成社,HS101B）に20℃,5分間浸漬して水洗
し、さらに３％塩酸に20℃,5分間浸漬して水洗を行ない
活性化した。次いで、下記組成の化学銅めっき液（70
℃）で約５μｍの厚さまでめっきした。
CuSO4・5H2O 10g/ エチレンジアミン四酢酸ニナトリウム 30g/ 37％HCHO 3ml/ NaOH 12g/ ２−２ジピリジル 20ml/ ポリエチレングリコール モノメチルエーテル 0.5g/ フエロシアン化カリウム 2mg/ 水洗を行った後、36％塩酸500ml/，塩化第２銅（２
水塩）40g/を含むエッチング水溶液（45℃）で20秒処
理し、すみやかに水洗を行い、さらに亜鉛素ナトリウム
90g/，水酸化ナトリウム15g/，リン酸ナトリウム30
g/からなる酸化液（70℃）に１分間浸漬した。次にジ
メチルアミンボラン6g/，水酸化ナトリウム5g/とし
た還元性水溶液（30℃）に１分間浸漬して酸化膜を還元
した。十分に水洗を行った後、電気亜鉛めっき浴（シェ
ーリング社，ジンカルックス浴）で、見かけの電流密度
0.5A/dm2で室温で５分間めっきし、第２の金属層を形成
した。次に、水洗，乾燥後，感光性ドライフイルム（日
立化成社,SK−3200,50μｍ厚）をラミネートし、所望す
る回路ネガパターンを露光，現像により得た。３％硫酸
で５分間処理し、水洗を行ったのち、下記組成の化学銅
めっき液（72℃）で約30μｍの厚さのパターンめっきを
行ない、回路を成形した。
水塩）40g/を含むエッチング水溶液（45℃）で20秒処
理し、すみやかに水洗を行い、さらに亜鉛素ナトリウム
90g/，水酸化ナトリウム15g/，リン酸ナトリウム30
g/からなる酸化液（70℃）に１分間浸漬した。次にジ
メチルアミンボラン6g/，水酸化ナトリウム5g/とし
た還元性水溶液（30℃）に１分間浸漬して酸化膜を還元
した。十分に水洗を行った後、電気亜鉛めっき浴（シェ
ーリング社，ジンカルックス浴）で、見かけの電流密度
0.5A/dm2で室温で５分間めっきし、第２の金属層を形成
した。次に、水洗，乾燥後，感光性ドライフイルム（日
立化成社,SK−3200,50μｍ厚）をラミネートし、所望す
る回路ネガパターンを露光，現像により得た。３％硫酸
で５分間処理し、水洗を行ったのち、下記組成の化学銅
めっき液（72℃）で約30μｍの厚さのパターンめっきを
行ない、回路を成形した。
CuSO4・5H2O 10g/ エチレンジアミン四酢酸ニナトリウム 30g/ 37％HCHO 3ml/ NaOH 12g/ ２−２′ジピリジル 30mg/ ポリイチレングリコール（平均分子量600） 20g/ 実施例5. 実施例４の電気亜鉛めっきの代わりに下記組成の電気
スズめっき溶（20℃）で見かけの電流密度0.5A/dm2で５
分間めっきして、第２の金属層を、形成した以外は実施
例４と全く同様の方法で回路を形成した。
スズめっき溶（20℃）で見かけの電流密度0.5A/dm2で５
分間めっきして、第２の金属層を、形成した以外は実施
例４と全く同様の方法で回路を形成した。
硫酸スズ 30g/ 硫酸 100ml/ 添加剤（ジャバンメタル社，ロナスタン） 30ml/ 実施例6. 実施例４の電気亜鉛めっきの代わりに下記組成の電気
ニッケルめっき浴（20℃）で見かけの電流密度0.5A/dm2
で３分間めっきして、第２の金属層を形成した以外は実
施例４と全く同様の方法で回路を形成した。
ニッケルめっき浴（20℃）で見かけの電流密度0.5A/dm2
で３分間めっきして、第２の金属層を形成した以外は実
施例４と全く同様の方法で回路を形成した。
NiSO4・6H2O 200g/ HBO5 15g/ NaCl 15g/ 実施例7. 実施例４の電気亜鉛めっきの代わりに、蒸着によりア
ルミニウムを基板表面に約0.1μｍの厚さまで行うこと
によって、第２の金属を形成し、また、めっきレジスト
形成後の硫酸処理を下記組成から成る処理液に代えてめ
っき面のアルミニウムを除去した以外は実施例４と全く
同様の方法で回路を形成した。
ルミニウムを基板表面に約0.1μｍの厚さまで行うこと
によって、第２の金属を形成し、また、めっきレジスト
形成後の硫酸処理を下記組成から成る処理液に代えてめ
っき面のアルミニウムを除去した以外は実施例４と全く
同様の方法で回路を形成した。
H3PO4 400ml/ CH3COOH 400ml/ HNO3 100ml/ 実施例8. 実施例４の電気亜鉛めっきの代わりに下記組成の化学
めっき液（90℃）で約0.1μｍの厚さまでめっきして、
第２の金増層を形成した以外は実施例４と全く同様の方
法で、回路を形成した。
めっき液（90℃）で約0.1μｍの厚さまでめっきして、
第２の金増層を形成した以外は実施例４と全く同様の方
法で、回路を形成した。
FlSO4・7H2O 14g/ NiSO4・6H2O 13g/ クエン酸ナトリウム 74g/ NaH2PO2・H2O 21g/ HBO3 30g/ NaOH PH9 実施例9. 基材厚1mm,銅厚35μｍの両面銅張積層板の必要個所に
孔をあけた。次いで、バフ研磨、さらにパーミス研磨を
行って整面した。水洗，乾燥後感光性ドライフイルム
（ダイナケム社，ラミナーGSI,35μｍ）をラミネート
し、露光，現像を行って回路パターンを形成し、塩酸酸
性塩化第二銅水溶液でエッチングを行い、表面回路を形
成した。水洗後、回路状に残存するドライフイルムを塩
化メチレンで除去した。次いで、バフ研磨により整面し
た。さらに、過硫酸アンモニウム200g,硫酸10mlを水に
溶かして１とした組成のソフトエッチング液（30℃）
で１分間処理した。水洗を行った後、15％塩酸に１分間
浸漬し、触媒液（日立化成社,HS101B）に20℃,5分間浸
漬し水洗し、さらに15％塩酸に浸漬して水洗を行い活性
化した。次に、化学スズめっき浴（シップレイ社,LT−2
6）に85℃,5秒浸漬して第２金属層を形成した。水洗乾
燥後、感光性ドライフイルム（日立化成社,SR−3200,35
μｍ厚）をラミネートし、さらに露光，現像して必要部
分のみを露出させた。３％硫酸で５分間処理した後、露
出部分に実施例１と同一条件で化学銅めっきを行い、所
望する回路を形成した。
孔をあけた。次いで、バフ研磨、さらにパーミス研磨を
行って整面した。水洗，乾燥後感光性ドライフイルム
（ダイナケム社，ラミナーGSI,35μｍ）をラミネート
し、露光，現像を行って回路パターンを形成し、塩酸酸
性塩化第二銅水溶液でエッチングを行い、表面回路を形
成した。水洗後、回路状に残存するドライフイルムを塩
化メチレンで除去した。次いで、バフ研磨により整面し
た。さらに、過硫酸アンモニウム200g,硫酸10mlを水に
溶かして１とした組成のソフトエッチング液（30℃）
で１分間処理した。水洗を行った後、15％塩酸に１分間
浸漬し、触媒液（日立化成社,HS101B）に20℃,5分間浸
漬し水洗し、さらに15％塩酸に浸漬して水洗を行い活性
化した。次に、化学スズめっき浴（シップレイ社,LT−2
6）に85℃,5秒浸漬して第２金属層を形成した。水洗乾
燥後、感光性ドライフイルム（日立化成社,SR−3200,35
μｍ厚）をラミネートし、さらに露光，現像して必要部
分のみを露出させた。３％硫酸で５分間処理した後、露
出部分に実施例１と同一条件で化学銅めっきを行い、所
望する回路を形成した。
実施例10. 基材厚1mm,銅厚35μｍの両面銅張積層板の必要個所に
孔をあけた。次いで、バフ研磨、さらにパーミス研磨を
行って整面した。水洗，乾燥後感光性ドライフイルム
（ダイナケム社，ラミナーGSI,35μｍ）をラミネート
し、露光，現像を行って回路パターンを形成し、塩酸酸
性塩化第二銅水溶液でエッチングを行い、表面回路を形
成した。水洗後、回路状に残存するドライフイルムを塩
化メチレンで除去した。次いで、バフ研磨により整面し
た。さらに、過硫酸アンモニウム200g,硫酸10mlを水に
溶かして１とした組成のソフトエッチング液（30℃）
で１分間処理した。水洗を行った後、15％塩酸に１分間
浸漬し、触媒液（日立化成社,HS101B）に20℃,5分間浸
漬し水洗し、さらに15％塩酸に浸漬して水洗を行い活性
化した。次に、亜鉛素酸ナトリウム90g/，水酸化ナト
リウム15g/，リン酸ナトリウム30g/からなる酸化膜
形成処理液（75℃）に２分間浸漬し、さらに水洗を行っ
た。次にジメチルアミンボラン6g/，水酸化ナトリウ
ム5g/からなる還元性溶液（40℃）に１分間浸漬して
形成した酸化膜を還元した。十分に水洗した後、下記組
成、 NiSO4・6H2O 35g/ クエン酸ナトリウム 10g/ 酢酸ナトリウム 10g/ NaH2PO2・H2O 10g/ NaOH PH5.6 の化学ニッケルめっき浴（90℃）に５分間浸漬して第２
金属層を形成した。次いで、実施例１と同様の条件で、
感光性ドライフイルムのラミネート，露光，現像ならび
に化学銅めっきを行い、所望する回路を形成した。
孔をあけた。次いで、バフ研磨、さらにパーミス研磨を
行って整面した。水洗，乾燥後感光性ドライフイルム
（ダイナケム社，ラミナーGSI,35μｍ）をラミネート
し、露光，現像を行って回路パターンを形成し、塩酸酸
性塩化第二銅水溶液でエッチングを行い、表面回路を形
成した。水洗後、回路状に残存するドライフイルムを塩
化メチレンで除去した。次いで、バフ研磨により整面し
た。さらに、過硫酸アンモニウム200g,硫酸10mlを水に
溶かして１とした組成のソフトエッチング液（30℃）
で１分間処理した。水洗を行った後、15％塩酸に１分間
浸漬し、触媒液（日立化成社,HS101B）に20℃,5分間浸
漬し水洗し、さらに15％塩酸に浸漬して水洗を行い活性
化した。次に、亜鉛素酸ナトリウム90g/，水酸化ナト
リウム15g/，リン酸ナトリウム30g/からなる酸化膜
形成処理液（75℃）に２分間浸漬し、さらに水洗を行っ
た。次にジメチルアミンボラン6g/，水酸化ナトリウ
ム5g/からなる還元性溶液（40℃）に１分間浸漬して
形成した酸化膜を還元した。十分に水洗した後、下記組
成、 NiSO4・6H2O 35g/ クエン酸ナトリウム 10g/ 酢酸ナトリウム 10g/ NaH2PO2・H2O 10g/ NaOH PH5.6 の化学ニッケルめっき浴（90℃）に５分間浸漬して第２
金属層を形成した。次いで、実施例１と同様の条件で、
感光性ドライフイルムのラミネート，露光，現像ならび
に化学銅めっきを行い、所望する回路を形成した。
実施例11. 基材厚1mm,銅厚35μｍの両面銅張積層板の必要個所に
孔をあけた。次いでアルカリ脱脂を行い、水洗後、過硫
酸アンモニウム200g,硫酸10mlを水に溶かして１とし
た組成のソフトエッチング液（30℃）で１分間処理し
た。次に、次亜リン酸ナトリウム90g/，水酸化ナトリ
ウム15g/，リン酸ナトリウム30g/からなる酸化膜形
成処理液（75℃）に２分間浸漬し、さらに水洗を行っ
た。次に、Na2SO4 100g/,NaOH 10g/からなる電解液
中で酸化膜を電解還元した。水洗し、さらに下記組成の
電気ニッケルめっき浴（30℃）で見かけの電流密度0.5A
/dm2で１分間行い NiSO4・6H2O 200g/ HBO3 15g/ NaCl 15g/ 第２金属層を形成した。水洗乾燥後、次いで、感光性ド
ライフイルム（ダイナケム社，ラミナーGSI,35μｍ厚）
をラミネートし、露光現像を行って、所望する回路を形
成した。さらに回路状の感光性ドライフイルムを塩化メ
チレンにより除去した。バフ研磨により表面を整面し
た。さらに、水洗を行った後、15％塩酸に１分間浸漬
し、触媒液（日立化成社,HS101B）に20℃,5分間浸漬し
水洗し、さらに15％塩酸に浸漬して水洗を行い活性化し
た。次に、実施例１と同様の条件で電気亜鉛めっきを行
い、第２金属層を形成した。ひきつづき、水洗乾燥し、
感光性ドライフイルム（日立化成社,SR−3200,35μｍ
厚）をラミネートし、さらに露光，現像して必要部分の
みを露出させた。３％硫酸で５分間処理した後、露出部
分に実施例１と同一条件で化学銅めっきを行い、所望す
る回路を形成した。
孔をあけた。次いでアルカリ脱脂を行い、水洗後、過硫
酸アンモニウム200g,硫酸10mlを水に溶かして１とし
た組成のソフトエッチング液（30℃）で１分間処理し
た。次に、次亜リン酸ナトリウム90g/，水酸化ナトリ
ウム15g/，リン酸ナトリウム30g/からなる酸化膜形
成処理液（75℃）に２分間浸漬し、さらに水洗を行っ
た。次に、Na2SO4 100g/,NaOH 10g/からなる電解液
中で酸化膜を電解還元した。水洗し、さらに下記組成の
電気ニッケルめっき浴（30℃）で見かけの電流密度0.5A
/dm2で１分間行い NiSO4・6H2O 200g/ HBO3 15g/ NaCl 15g/ 第２金属層を形成した。水洗乾燥後、次いで、感光性ド
ライフイルム（ダイナケム社，ラミナーGSI,35μｍ厚）
をラミネートし、露光現像を行って、所望する回路を形
成した。さらに回路状の感光性ドライフイルムを塩化メ
チレンにより除去した。バフ研磨により表面を整面し
た。さらに、水洗を行った後、15％塩酸に１分間浸漬
し、触媒液（日立化成社,HS101B）に20℃,5分間浸漬し
水洗し、さらに15％塩酸に浸漬して水洗を行い活性化し
た。次に、実施例１と同様の条件で電気亜鉛めっきを行
い、第２金属層を形成した。ひきつづき、水洗乾燥し、
感光性ドライフイルム（日立化成社,SR−3200,35μｍ
厚）をラミネートし、さらに露光，現像して必要部分の
みを露出させた。３％硫酸で５分間処理した後、露出部
分に実施例１と同一条件で化学銅めっきを行い、所望す
る回路を形成した。
比較例1. 実施例１で電気亜鉛めっきを行わなかった以外は実施
例１と全く同様の方法で回路を形成した。
例１と全く同様の方法で回路を形成した。
比較例2. 実施例２で電気亜鉛めっきを行わなかった以外は実施
例２と全く同様の方法で回路を形成した。
例２と全く同様の方法で回路を形成した。
比較例3. 実施例３で電気亜鉛めっきを行わなかった以外は実施
例３と全く同様の方法で回路を形成した。
例３と全く同様の方法で回路を形成した。
比較例4. 実施例４で電気亜鉛めっきを行わなかった以外は実施
例４と全く同様の方法で回路を形成した。
例４と全く同様の方法で回路を形成した。
比較例5. 実施例９で化学スズめっきを行わなかった以外は実施例
９と全く同様の方法で回路を形成した。
９と全く同様の方法で回路を形成した。
比較例6. 実施例10で化学ニッケルめっきを行わなかった以外は
実施例10と全く同様の方法で回路を形成した。
実施例10と全く同様の方法で回路を形成した。
比較例7. 実施例11で電気ニッケルめっきを行わなかった以外は
実施例11と全く同様の方法で回路を形成した。
実施例11と全く同様の方法で回路を形成した。
上述した実施例１〜11により、めっきレジストと下地
との実質的な剥離が起こらず、所望通りの回路を形成す
ることができた。他方、比較例１〜８では、めっきレジ
ストと下地との間に広範囲にわたる剥離が認められ、一
部分にパターンめっき液がしみ込み、満足できる回路を
得ることができなかった。
との実質的な剥離が起こらず、所望通りの回路を形成す
ることができた。他方、比較例１〜８では、めっきレジ
ストと下地との間に広範囲にわたる剥離が認められ、一
部分にパターンめっき液がしみ込み、満足できる回路を
得ることができなかった。
尚、本実施例１〜８で回路を形成した後、通常の方法
により、回路形成部以外の第２金属層，銅箔層などを除
去して良好な所望するプリント配線板を得た。
により、回路形成部以外の第２金属層，銅箔層などを除
去して良好な所望するプリント配線板を得た。
本発明によれば、パターンめっきの際、めっきレジス
トが下地金属層から剥離することがないので、微細回路
を形成するのに十分な効果を得ることができる。
トが下地金属層から剥離することがないので、微細回路
を形成するのに十分な効果を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。 １……絶縁板 ２……金属層 ３……孔 ４……銅薄層 ５……第２金属層 ６……めっきレジスト ７……パターンめっき
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−50489（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−62393（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−283097（ＪＰ，Ａ) 特公 昭57−30319（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (6)
- 【請求項１】表面に金属層を有する絶縁板の回路所望部
分以外をめっきレジストでマスクし、回路所望部分のみ
に化学めっきによりパターンめっきを行って回路を形成
する方法において、該金属層上に該パターンめっきの金
属よりもイオン化傾向の大きな第２の金属層をさらに形
成した後、前記めっきレジストでマスクし、化学めっき
により前記パターン形成を行うことを特徴とする回路形
成方法。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項において、第２の金
属層あるいは第２の金属層の下地となる前記金属層の表
面を粗化することを特徴とする回路形成方法。 - 【請求項３】特許請求の範囲第２項において、前記第２
の金属層の下地となる金属層は銅であり該金属層の表面
の粗化は、酸化しさらに還元することにより行うことを
特徴とする回路形成方法。 - 【請求項４】特許請求の範囲第３項において、酸化処理
液が亜鉛素酸塩を含む溶液であり、且つ還元処理が電気
的もしくはアミンボラン溶液などの処理液で化学的に行
われることを特徴とする回路形成方法。 - 【請求項５】特許請求の範囲第１項において、パターン
めっきを行うに先立ち、露出部分の第２金属層を除去す
ることを特徴とする回路形成方法。 - 【請求項６】特許請求の範囲第１項において、第２の金
属層をが少なくともアルミニウム、ニッケル、スズ、亜
鉛、鉄、クロムのうち一種を含むことを特徴とする回路
形成方法。
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| JP62168638A JP2550081B2 (ja) | 1987-07-08 | 1987-07-08 | 回路形成法 |
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