JP2544779B2 - 透明なレ―ザ・アドレス指定式の液晶光変調セル - Google Patents
透明なレ―ザ・アドレス指定式の液晶光変調セルInfo
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、一般に、像の投射用の光変調器として用い
られる液晶デバイスに関する。より詳細には、本発明
は、引き続く投射のために、レーザ光線によって情報を
書き込むことができる液晶セルに関する。該セルは透過
モードにおいて作用し、従って直接セルを通して投射を
行うことができる。
られる液晶デバイスに関する。より詳細には、本発明
は、引き続く投射のために、レーザ光線によって情報を
書き込むことができる液晶セルに関する。該セルは透過
モードにおいて作用し、従って直接セルを通して投射を
行うことができる。
従来技術 液晶物質を用いるデバイスは、過去数十年間にわたっ
て可成りの関心を集めている。これらの液晶デバイスの
大部分は、ネマチック型の液晶を利用している。そのよ
うなデバイスは、データを記憶することができず、絶え
ずアドレス指定するか又はリフレッシュしなければなら
ない。しかし、所望の表示が動的なものであって、本質
的に連続的な更新を受ける場合には、このことは欠点で
はない。
て可成りの関心を集めている。これらの液晶デバイスの
大部分は、ネマチック型の液晶を利用している。そのよ
うなデバイスは、データを記憶することができず、絶え
ずアドレス指定するか又はリフレッシュしなければなら
ない。しかし、所望の表示が動的なものであって、本質
的に連続的な更新を受ける場合には、このことは欠点で
はない。
スメチック液晶と呼ぶ他の種類の液晶物質は、像情報
を、一度だけ液晶に書き込みさえすればよいという点
で、記憶能力を有している。この書き込まれた情報は、
以後消去されるまで本質的に永久的である。
を、一度だけ液晶に書き込みさえすればよいという点
で、記憶能力を有している。この書き込まれた情報は、
以後消去されるまで本質的に永久的である。
高解像力の投射表示デバイスとして、これらのスメク
チック物質を利用するレーザ・アドレス指定式の液晶光
変調器が開発されている。これらのデバイスに書き込む
機構は、主として熱式である。集光した赤外レーザ光線
を用いて、スメクチック液晶物質を加熱して等方性状態
にする。次に、該液晶を冷却して、スメクチック状態に
戻し、光散乱領域を形成する。この書き込まれた散乱領
域は、この特定の液晶物質のスメクチック温度範囲内で
は安定であり、従って書き込まれた情報を保存すること
ができる。このセルは、105ボルト／センチのオーダの
電界、又は加熱並びに印加電界の複合効果によって消去
することができる。
チック物質を利用するレーザ・アドレス指定式の液晶光
変調器が開発されている。これらのデバイスに書き込む
機構は、主として熱式である。集光した赤外レーザ光線
を用いて、スメクチック液晶物質を加熱して等方性状態
にする。次に、該液晶を冷却して、スメクチック状態に
戻し、光散乱領域を形成する。この書き込まれた散乱領
域は、この特定の液晶物質のスメクチック温度範囲内で
は安定であり、従って書き込まれた情報を保存すること
ができる。このセルは、105ボルト／センチのオーダの
電界、又は加熱並びに印加電界の複合効果によって消去
することができる。
セルの書き込みに続いて可視光線をセルを通して投射
することによって、書き込まれた任意の像を、さらに、
表示スクリーン、感光性物質等に投射することができ
る。種々のそのような表示デバイスがDewey著「Laser−
Addressed Liquid Crystal Displays」Optical Enginee
ring、第23巻第３号230−240頁（1984年５−６月）に論
じられている。
することによって、書き込まれた任意の像を、さらに、
表示スクリーン、感光性物質等に投射することができ
る。種々のそのような表示デバイスがDewey著「Laser−
Addressed Liquid Crystal Displays」Optical Enginee
ring、第23巻第３号230−240頁（1984年５−６月）に論
じられている。
赤外ダイオードレーザと組合わせて用いるために、２
つのタイプのレーザ・アドレス指定式の液晶光変調装置
が開発されている。両者ともDeweyの上記の出版物中に
論じられている。反射性デバイスとして知られている１
つのそのようなデバイスは、液晶セル中の１つの基質上
につくられた薄膜赤外線吸収体を利用している。赤外光
線をその吸収体層を横切って走査させると、その放射線
は熱に転化してセル内部に散乱領域をつくり出す。しか
し、薄膜赤外線吸収体は、赤外線に対してのみならず、
最終の像を投射するのに用いられる可視光線に対しても
不透過性である。従って、液晶セルに書き込まれた像
は、可視光線をセルから反射させることによって投射し
なければならない。このことは、同時に、比較的複雑な
反射型光学システムの使用を必要とするものである。
つのタイプのレーザ・アドレス指定式の液晶光変調装置
が開発されている。両者ともDeweyの上記の出版物中に
論じられている。反射性デバイスとして知られている１
つのそのようなデバイスは、液晶セル中の１つの基質上
につくられた薄膜赤外線吸収体を利用している。赤外光
線をその吸収体層を横切って走査させると、その放射線
は熱に転化してセル内部に散乱領域をつくり出す。しか
し、薄膜赤外線吸収体は、赤外線に対してのみならず、
最終の像を投射するのに用いられる可視光線に対しても
不透過性である。従って、液晶セルに書き込まれた像
は、可視光線をセルから反射させることによって投射し
なければならない。このことは、同時に、比較的複雑な
反射型光学システムの使用を必要とするものである。
もう１つのタイプのデバイスは、通常、透過性デバイ
スと呼ばれている。典型的には、レーザの波長にピーク
吸収を有する赤外線吸収染料を、液晶物質中にドーピン
グしてある。書き込み光線をセルを横切って走査させる
と、その染料はレーザ光線を吸収して、それを熱に変え
る。該染料は可視波長の光線にはほとんど影響を与えな
いか又は全く影響を及ぼさない。従って、このようなデ
バイスに書き込まれた像は、通常のスライド映写機の場
合に用いられるのと同様に単に投射光線をデバイスを通
過させることによって投射することができる。従って、
必要な投射システムは、反射性デバイスの場合よりも簡
単であり、かつ廉価である。しかしながら、該デバイス
に用いる赤外線吸収染料は、反復使用後漂白されること
があるので、多くの用途には不適当である。
スと呼ばれている。典型的には、レーザの波長にピーク
吸収を有する赤外線吸収染料を、液晶物質中にドーピン
グしてある。書き込み光線をセルを横切って走査させる
と、その染料はレーザ光線を吸収して、それを熱に変え
る。該染料は可視波長の光線にはほとんど影響を与えな
いか又は全く影響を及ぼさない。従って、このようなデ
バイスに書き込まれた像は、通常のスライド映写機の場
合に用いられるのと同様に単に投射光線をデバイスを通
過させることによって投射することができる。従って、
必要な投射システムは、反射性デバイスの場合よりも簡
単であり、かつ廉価である。しかしながら、該デバイス
に用いる赤外線吸収染料は、反復使用後漂白されること
があるので、多くの用途には不適当である。
従って、必要とされるものは、上記透過性デバイス及
び反射性デバイスの両者の欠点を克服した、レーザ・ア
ドレス指定式液晶光変調器である。詳しくは、そのよう
なデバイスは透過性デバイスの比較的単純な光学システ
ムを用いることが可能であるべきである。しかし、その
デバイスは性能の低下を示すことなく長期の有効寿命を
もつべきである。
び反射性デバイスの両者の欠点を克服した、レーザ・ア
ドレス指定式液晶光変調器である。詳しくは、そのよう
なデバイスは透過性デバイスの比較的単純な光学システ
ムを用いることが可能であるべきである。しかし、その
デバイスは性能の低下を示すことなく長期の有効寿命を
もつべきである。
発明の要約 前記の要望を満足させるために、本発明は、レーザ・
アドレス指定式液晶セルを提供する。該セルは、セルの
外表面を形成する第１及び第２の透明基質層を含んでい
る。第１及び第２の電極層が、それぞれ、透明な導電性
物質から形成される。第１電極層は第１基質層に隣接し
て設けられ、第２電極層は第２基質層に隣接して設けら
れる。スメクチック液晶層がそれら電極層の間に配置さ
れる。液晶層と第２電極層の間に、赤外線は吸収する
が、可視光線は通過させる手段が設けられる。
アドレス指定式液晶セルを提供する。該セルは、セルの
外表面を形成する第１及び第２の透明基質層を含んでい
る。第１及び第２の電極層が、それぞれ、透明な導電性
物質から形成される。第１電極層は第１基質層に隣接し
て設けられ、第２電極層は第２基質層に隣接して設けら
れる。スメクチック液晶層がそれら電極層の間に配置さ
れる。液晶層と第２電極層の間に、赤外線は吸収する
が、可視光線は通過させる手段が設けられる。
この赤外線吸収手段は三部分構造体である。この構造
体は、放射線吸収物質層、選択的に赤外線を反射し、か
つ可視光線を透過させる層、及びこの両者の間に設けら
れる誘電体物質のスペーサ層を含んでいる。
体は、放射線吸収物質層、選択的に赤外線を反射し、か
つ可視光線を透過させる層、及びこの両者の間に設けら
れる誘電体物質のスペーサ層を含んでいる。
液晶セルは、第１基質層を通してレーザでアドレス指
定することができる。もしくは、該セルは、第２基質層
を通してレーザでアドレス指定することができる。
定することができる。もしくは、該セルは、第２基質層
を通してレーザでアドレス指定することができる。
放射線吸収物質層は、金属物質から形成することがで
きる。この放射線吸収物質層は、ニッケルから形成する
のが好適である。スペーサ層は二酸化ケイ素であること
ができる。
きる。この放射線吸収物質層は、ニッケルから形成する
のが好適である。スペーサ層は二酸化ケイ素であること
ができる。
上記の選択反射層は、複数の、第１誘電体物質及び第
２誘電体物質の交互層よりなり、第１物質は第２物質に
対して比較的高い屈折率を有している。交互層の総数は
偶数で、各交互層は、赤外線の波長の1/4の光学的厚さ
を有している。第１物質が二酸化チタンで、かつ第２物
質が二酸化ケイ素であるのが好適である。
２誘電体物質の交互層よりなり、第１物質は第２物質に
対して比較的高い屈折率を有している。交互層の総数は
偶数で、各交互層は、赤外線の波長の1/4の光学的厚さ
を有している。第１物質が二酸化チタンで、かつ第２物
質が二酸化ケイ素であるのが好適である。
実 施 例 本発明は、セル上にデータを記録するために、赤外レ
ーザ光線によってアドレス指定される液晶光変調セルを
提供するものである。この記録に引き続いて、可視光線
を透過モードにあるセルを通過させて、適当な表示装置
又は感光性媒体上に像を投射する。
ーザ光線によってアドレス指定される液晶光変調セルを
提供するものである。この記録に引き続いて、可視光線
を透過モードにあるセルを通過させて、適当な表示装置
又は感光性媒体上に像を投射する。
セルをアドレス指定するのに用いられる赤外レーザ
は、830nmの波長を有するビームを生じるダイオードレ
ーザが好適である。適当な走査手段によってビームをセ
ル全体を横切って走査させて、セル上にイメージ・デー
タを書き込む。セルをレーザによってアドレス指定する
特定の手段、及び投射光線をセルを通して指向する特定
の手段は、ここに述べる発明にとっては重要ではない。
しかし、これら手段の一例は米国特許4 564 853を見れ
ば知ることができる。
は、830nmの波長を有するビームを生じるダイオードレ
ーザが好適である。適当な走査手段によってビームをセ
ル全体を横切って走査させて、セル上にイメージ・デー
タを書き込む。セルをレーザによってアドレス指定する
特定の手段、及び投射光線をセルを通して指向する特定
の手段は、ここに述べる発明にとっては重要ではない。
しかし、これら手段の一例は米国特許4 564 853を見れ
ば知ることができる。
さて、第１図を参照すると、本発明によってつくられ
た液晶光変調セルの断面図が示されている。セル10は液
晶層12を含んでいる。任意の適当なスメクチックＡ型の
液晶物質を用いることができ、好適な１例はCBOAであ
る。
た液晶光変調セルの断面図が示されている。セル10は液
晶層12を含んでいる。任意の適当なスメクチックＡ型の
液晶物質を用いることができ、好適な１例はCBOAであ
る。
セル10は１対の透明な基質層14及び16によって支持さ
れている。これらの層はガラスからつくられるのが好ま
しい。基質層14と液晶物質12の間には、透明な導電性物
質の層18が配置されている。もう１つのそのような物質
の層20が基質層16に隣接して設けられている。これらの
透明な導電層は、インジウム−スズ酸化物から形成され
るのが望ましい。層18と層20は共に、液晶セルを消去す
るのに用いるための導体として働く。従って、層18と層
20の間に電界を生じさせて、液晶を完全無散乱状態に再
整列することができる。
れている。これらの層はガラスからつくられるのが好ま
しい。基質層14と液晶物質12の間には、透明な導電性物
質の層18が配置されている。もう１つのそのような物質
の層20が基質層16に隣接して設けられている。これらの
透明な導電層は、インジウム−スズ酸化物から形成され
るのが望ましい。層18と層20は共に、液晶セルを消去す
るのに用いるための導体として働く。従って、層18と層
20の間に電界を生じさせて、液晶を完全無散乱状態に再
整列することができる。
レーザダイオードのような適当な源（図示せず）から
の赤外レーザ光線は、一般に、第１図の矢印22によって
示す方向からセルに向けられる。投射光線は、何れの方
向からでもセルに向けることができる。
の赤外レーザ光線は、一般に、第１図の矢印22によって
示す方向からセルに向けられる。投射光線は、何れの方
向からでもセルに向けることができる。
液晶物質12と導体層20との間に、可視（光線）透過性
の赤外線吸収体24が配置されている。この吸収体はレー
ザダイオードの波長で強い吸収を示し、好適な実施例に
従ってつくられた場合には、830nmにおいて90％を超え
る吸収を達成することができる。また、この吸収体は可
視スペクトルにおいて高透過性をも与える。好適な実施
例によってつくられた場合、セルは可視範囲にわたり約
40乃至50％の透過率を達成することができる。
の赤外線吸収体24が配置されている。この吸収体はレー
ザダイオードの波長で強い吸収を示し、好適な実施例に
従ってつくられた場合には、830nmにおいて90％を超え
る吸収を達成することができる。また、この吸収体は可
視スペクトルにおいて高透過性をも与える。好適な実施
例によってつくられた場合、セルは可視範囲にわたり約
40乃至50％の透過率を達成することができる。
レーザ光線を吸収すると、吸収体24の中に熱が発生す
る。次に、この熱は、層12の内部の液晶物質に作用し
て、記録すべき像情報に対応する散乱領域をつくり出
す。
る。次に、この熱は、層12の内部の液晶物質に作用し
て、記録すべき像情報に対応する散乱領域をつくり出
す。
この透明な赤外線吸収体は、誘電体薄膜及び金属薄膜
の三層堆積よりなっている。第１図に示すように、吸収
体は誘電体レーザ・ミラー26、吸収層28、及び両者の間
に配置されたスペーサ層30を含んでいる。これらの３層
は共に、適当に調節される場合に、入射レーザ光に対し
て著しく吸収性になることができる干渉キャビティを形
成する。
の三層堆積よりなっている。第１図に示すように、吸収
体は誘電体レーザ・ミラー26、吸収層28、及び両者の間
に配置されたスペーサ層30を含んでいる。これらの３層
は共に、適当に調節される場合に、入射レーザ光に対し
て著しく吸収性になることができる干渉キャビティを形
成する。
三層の赤外線吸収体24の中で、吸収層28はスペーサ30
と協同して、入射赤外線を受け入れる。吸収層28と液晶
物質12との界面で、若干の光線を反射することがある。
残余の光線は吸収層28を通過して、スペーサ層30に入
る。この光線はさらにレーザ・ミラー26で反射し、その
後吸収層／液晶界面に戻って、この界面で反射される光
と干渉する。スペーサ層30の光学的厚さを調節すること
によって、反射光の正味の量を最小にすることができ
る。このようにして、入射赤外線の90％以上を吸収する
ことができる。
と協同して、入射赤外線を受け入れる。吸収層28と液晶
物質12との界面で、若干の光線を反射することがある。
残余の光線は吸収層28を通過して、スペーサ層30に入
る。この光線はさらにレーザ・ミラー26で反射し、その
後吸収層／液晶界面に戻って、この界面で反射される光
と干渉する。スペーサ層30の光学的厚さを調節すること
によって、反射光の正味の量を最小にすることができ
る。このようにして、入射赤外線の90％以上を吸収する
ことができる。
吸収層は以上に薄い金属層から形成するのが好適であ
る。この層の厚さは、単一バスの光学的透過率を高くす
るために必要である。これは、投射ビームをセルを通過
させようとする場合に必要である。この層の好適な厚さ
は５乃至10nmの範囲にあり、最も望ましくは7.5nmであ
る。１つの好適な実施例においては、吸収層はニッケル
から形成されるが、クロム又はマンガンを含む多くの他
の適当な金属を用いることができる。
る。この層の厚さは、単一バスの光学的透過率を高くす
るために必要である。これは、投射ビームをセルを通過
させようとする場合に必要である。この層の好適な厚さ
は５乃至10nmの範囲にあり、最も望ましくは7.5nmであ
る。１つの好適な実施例においては、吸収層はニッケル
から形成されるが、クロム又はマンガンを含む多くの他
の適当な金属を用いることができる。
スペーサ層30は透明な誘電体層である。さきに言及し
たように、この層の厚さは赤外レーザ光線の反射を最小
に、すなわち、吸収を最大にするように選ばれる。この
層の好適な厚さは180乃至220nmの範囲にあり、最も望ま
しくは200nmである。１つの好適な実施例においては、
この層は二酸化ケイ素から形成することができ、またフ
ッ化マグネシウムも使用することができる。
たように、この層の厚さは赤外レーザ光線の反射を最小
に、すなわち、吸収を最大にするように選ばれる。この
層の好適な厚さは180乃至220nmの範囲にあり、最も望ま
しくは200nmである。１つの好適な実施例においては、
この層は二酸化ケイ素から形成することができ、またフ
ッ化マグネシウムも使用することができる。
三層吸収構造体に関する更に詳細は、Bell及びSpong
共著の「Anti−Reflection Structures for Optical Re
cording」I.E.E.E.Journal of Quantum Electronics.QE
−14（７）、487−495頁（1978年７月）を見れば知るこ
とができる。ここに記載されたデバイスにおいては、反
射層は、スペーサ層／反射層界面において赤外線を完全
に反射させる透明な、典型的には金属層である。いうま
でもなく、このような方法は、透過型液晶光変調器にお
いては、そのような層が完成像を投射するのに必要な可
視光線の通過を妨げるので、使用することができない。
共著の「Anti−Reflection Structures for Optical Re
cording」I.E.E.E.Journal of Quantum Electronics.QE
−14（７）、487−495頁（1978年７月）を見れば知るこ
とができる。ここに記載されたデバイスにおいては、反
射層は、スペーサ層／反射層界面において赤外線を完全
に反射させる透明な、典型的には金属層である。いうま
でもなく、このような方法は、透過型液晶光変調器にお
いては、そのような層が完成像を投射するのに必要な可
視光線の通過を妨げるので、使用することができない。
本発明においては、レーザ・ミラー26は誘電体層の堆
積を有する多層構造として形成されている。このような
ミラーは、赤外線に対して95乃至99％の高い反射率を与
えるが、可視光線に対しては本質的に透過性である。該
ミラーのそれら層は、２つの異なる物質から形成され、
交互状態で堆積される。好適な実施例においては、高屈
折率を有する物質から堆積中の奇数番目の層が形成され
る。１つの例においては、これらの層の適当な物質はXO
2であり、ただしＸはTi,Hf,又はZrを含む群から選ば
れ、Tiが好適である。偶数番目の層はそれぞれ比較的低
屈折率を有する物質から形成される。そのような物質の
１つの好適な例は二酸化ケイ素（SiO2）であり、かつフ
ッ化マグネシウム（MgF2）も使用することができる。こ
の堆積の各層は、レーザ光線の1/4波長に等しい光学的
厚さを有するように形成されている。このようにして、
レーザ・ミラーは入射放射線に対して特別に調整され
る。
積を有する多層構造として形成されている。このような
ミラーは、赤外線に対して95乃至99％の高い反射率を与
えるが、可視光線に対しては本質的に透過性である。該
ミラーのそれら層は、２つの異なる物質から形成され、
交互状態で堆積される。好適な実施例においては、高屈
折率を有する物質から堆積中の奇数番目の層が形成され
る。１つの例においては、これらの層の適当な物質はXO
2であり、ただしＸはTi,Hf,又はZrを含む群から選ば
れ、Tiが好適である。偶数番目の層はそれぞれ比較的低
屈折率を有する物質から形成される。そのような物質の
１つの好適な例は二酸化ケイ素（SiO2）であり、かつフ
ッ化マグネシウム（MgF2）も使用することができる。こ
の堆積の各層は、レーザ光線の1/4波長に等しい光学的
厚さを有するように形成されている。このようにして、
レーザ・ミラーは入射放射線に対して特別に調整され
る。
好適には、レーザ・ミラー内の誘電体積の総数は少く
とも７である。１つの例においては、11層を使用し、得
られたミラーは、830nmにおいて略99％の反射率、及び
可視スペクトル全体について95％を上回る平均透過率を
示した。
とも７である。１つの例においては、11層を使用し、得
られたミラーは、830nmにおいて略99％の反射率、及び
可視スペクトル全体について95％を上回る平均透過率を
示した。
このようなレーザ・ミラーをつくる方法は技術的に公
知である。このようなデバイスの理論に関する更に詳細
は、Baumeister著の「Interference,and Optical Inter
ference Coatings」Applied Optics and Optical Engin
eering、285−323頁（Kingslake編、1965年）を見れば
知ることができる。
知である。このようなデバイスの理論に関する更に詳細
は、Baumeister著の「Interference,and Optical Inter
ference Coatings」Applied Optics and Optical Engin
eering、285−323頁（Kingslake編、1965年）を見れば
知ることができる。
第１図に示すセルの実施例の変形は、第２図によって
知ることができる。さらに、第２図のセルは、レーザ・
ミラー26の個々の層を見ることができるように、さらに
詳細に示されている。この実施例においては、液晶セル
12と吸収層28の間に、付加的な絶縁層32が設けられる。
この絶縁層32は、液晶分子を整列させるための一酸化ケ
イ素物質から形成された一つの層34、並びに二酸化ケイ
素物質から形成されたもう１つの部分36、の２つの部分
を含んでいる。層32は、直流電流阻止のために設けら
れ、そして吸収構造体の光学的性質に著しく影響を及ぼ
さないような厚さを有するように選ばれている。好適な
実施例においては、この厚さは115nmの厚さを有するこ
とができる。
知ることができる。さらに、第２図のセルは、レーザ・
ミラー26の個々の層を見ることができるように、さらに
詳細に示されている。この実施例においては、液晶セル
12と吸収層28の間に、付加的な絶縁層32が設けられる。
この絶縁層32は、液晶分子を整列させるための一酸化ケ
イ素物質から形成された一つの層34、並びに二酸化ケイ
素物質から形成されたもう１つの部分36、の２つの部分
を含んでいる。層32は、直流電流阻止のために設けら
れ、そして吸収構造体の光学的性質に著しく影響を及ぼ
さないような厚さを有するように選ばれている。好適な
実施例においては、この厚さは115nmの厚さを有するこ
とができる。
さらに別の実施例が第３図に示されている。ここに示
されたセル40には、上部ガラス基質層44の下に透明な電
極層42が配置されている。赤外線吸収体46は、電極42に
隣接して位置し、そして同じく吸収層48、スペーサ層5
0、及びレーザ・ミラー52を含んでいる。液晶物質54は
レーザ・ミラー52の下に位置し、さらに第２電極層56及
び下部基質58が続いている。赤外レーザの書き込みビー
ムは、矢印60によって示された方向からセルに向けられ
る。可視投射光線は、何れの方向からもセルに指し向け
ることができる。この実施例においては、電極層42及び
吸収層48の両者の中での赤外線の吸収によって十分な熱
が発生して、液晶物質54の内部に散乱領域をつくり出
す。
されたセル40には、上部ガラス基質層44の下に透明な電
極層42が配置されている。赤外線吸収体46は、電極42に
隣接して位置し、そして同じく吸収層48、スペーサ層5
0、及びレーザ・ミラー52を含んでいる。液晶物質54は
レーザ・ミラー52の下に位置し、さらに第２電極層56及
び下部基質58が続いている。赤外レーザの書き込みビー
ムは、矢印60によって示された方向からセルに向けられ
る。可視投射光線は、何れの方向からもセルに指し向け
ることができる。この実施例においては、電極層42及び
吸収層48の両者の中での赤外線の吸収によって十分な熱
が発生して、液晶物質54の内部に散乱領域をつくり出
す。
セル40は、第１図のセル10中の対応する層と同じ物質
並びに類似の厚さを有する層から形成されることが望ま
しい。
並びに類似の厚さを有する層から形成されることが望ま
しい。
第１図は本発明による液晶セルの一部の断面図である。 第２図は本発明の別の実施例を示す液晶セルの一部の断
面図である。 第３図は本発明のさらに他の実施例を示す液晶セルの一
部の断面図である。 （符号説明） 10:液晶光変調セル、12:液晶層、14,16:基質層、18:透
明導電性層、20:透明導電性層、24:可視透過性赤外線吸
収体、26:レーザ・ミラー、28:吸収層、30:スペーサ
層、32:絶縁層、40:セル、42:透過電極層、44:基質層、
46:赤外線吸収体、48:吸収層、50:スペーサ層、52:レー
ザ・ミラー、54:液晶層、56:電極層、58:基質層。
面図である。 第３図は本発明のさらに他の実施例を示す液晶セルの一
部の断面図である。 （符号説明） 10:液晶光変調セル、12:液晶層、14,16:基質層、18:透
明導電性層、20:透明導電性層、24:可視透過性赤外線吸
収体、26:レーザ・ミラー、28:吸収層、30:スペーサ
層、32:絶縁層、40:セル、42:透過電極層、44:基質層、
46:赤外線吸収体、48:吸収層、50:スペーサ層、52:レー
ザ・ミラー、54:液晶層、56:電極層、58:基質層。
Claims (14)
- 【請求項１】レーザでアドレス指定可能な液晶セルの外
表面を定めるための第１及び第２の透明な基質層、 それぞれ透明な導電性物質から形成される第１及び第２
の電極層であって、該第１電極層は前記第１基質層に隣
接して設けられ、かつ該第２電極層は前記第２基質層に
隣接して設けられた、第１及び第２の電極層、 前記第１及び第２の電極層の間に設けられたスメクチッ
ク液晶層、及び 前記液晶層と前記第２電極層との間に設けられた、赤外
線を吸収するが、可視光線を通過させるための赤外線吸
収手段、 を含むレーザでアドレス指定可能な液晶セルにおいて、 前記赤外線吸収手段が、放射線吸収物質の層、赤外線に
対し選択的に反射性をもちかつ可視光線に対し透過性を
もつ層、及び両層の間に設けられた誘電体物質のスペー
サ層を含むこと、 を特徴とするレーザでアドレス指定可能な液晶セル。 - 【請求項２】前記セルが前記第１基質層を通してレーザ
でアドレス指定される請求項第１項に記載の液晶セル。 - 【請求項３】前記セルが前記第２基質層を通してレーザ
でアドレス指定される請求項第１項に記載の液晶セル。 - 【請求項４】前記放射線吸収物質の層が金属物質から形
成される請求項第１項、第２項、又は第３項に記載の液
晶セル。 - 【請求項５】前記放射線吸収物質の層がニッケルから形
成される請求項第４項に記載の液晶セル。 - 【請求項６】前記スペーサ層が二酸化ケイ素物質から形
成される請求項第１項、第２項、又は第３項に記載の液
晶セル。 - 【請求項７】前記スペーサ層がフッ化マグネシウム物質
から形成される請求項第１項、第２項、又は第３項に記
載の液晶セル。 - 【請求項８】前記選択的反射性の層が誘電性のミラーで
ある請求項第１項、第２項、又は第３項に記載の液晶セ
ル。 - 【請求項９】前記選択的反射性の層が第１及び第２の誘
電物質が交互になった複数の層よりなり、該第１物質は
該第２物質に対して比較的高い屈折率を有する、請求項
第１項、第２項、又は第３項に記載の液晶セル。 - 【請求項１０】前記交互になった層のおのおのが、前記
赤外線の波長の1/4の光学的厚さを有する請求項第９項
に記載の液晶セル。 - 【請求項１１】前記第１物質がXO2であり、ただしＸはT
i,Hf,及びZrを含む群から選ばれる請求項第９項に記載
の液晶セル。 - 【請求項１２】前記第２物質が二酸化ケイ素である請求
項第９項に記載の液晶セル。 - 【請求項１３】前記第２物質がフッ化マグネシウムであ
る請求項第９項に記載の液晶セル。 - 【請求項１４】前記第１及び第２の電極層がインジウム
−スズ酸化物物質から形成される請求項第１項に記載の
液晶セル。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/053,216 US4787713A (en) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | Transparent laser-addressed liquid crystal light modulator cell |
| US53216 | 1987-05-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63316824A JPS63316824A (ja) | 1988-12-26 |
| JP2544779B2 true JP2544779B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=21982697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63123721A Expired - Lifetime JP2544779B2 (ja) | 1987-05-22 | 1988-05-20 | 透明なレ―ザ・アドレス指定式の液晶光変調セル |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0292330B1 (ja) |
| JP (1) | JP2544779B2 (ja) |
| KR (1) | KR0128728B1 (ja) |
| CN (1) | CN1011832B (ja) |
| DE (1) | DE3888232T2 (ja) |
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| US4917472A (en) * | 1988-03-14 | 1990-04-17 | Hughes Aircraft Company | Light valves with positive dielectric anisotropy liquid crystal and highly tilted off-perpendicular surface alignment, and associated operating method |
| JPH0317630A (ja) * | 1989-06-15 | 1991-01-25 | Victor Co Of Japan Ltd | 画像情報変換素子 |
| US5177628A (en) * | 1990-04-24 | 1993-01-05 | The University Of Colorado Foundation, Inc. | Self-powered optically addressed spatial light modulator |
| JPH06222336A (ja) * | 1992-07-06 | 1994-08-12 | Chisso Corp | 新規な光学素子 |
| EP1967899B1 (en) * | 1996-10-22 | 2013-01-23 | Seiko Epson Corporation | Reflective liquid crystal panel substrate |
| US20010043175A1 (en) | 1996-10-22 | 2001-11-22 | Masahiro Yasukawa | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic equipment and projection type display device both using the same |
| US7872728B1 (en) * | 1996-10-22 | 2011-01-18 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device using the same |
| EP1989586B1 (en) * | 2006-03-02 | 2018-05-09 | Compound Photonics | Optically addressed spatial light modulator and method |
| KR101135537B1 (ko) * | 2010-07-16 | 2012-04-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 레이저 조사 장치 |
| US20120188474A1 (en) * | 2010-09-01 | 2012-07-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Thermal imager |
| US9835885B2 (en) | 2014-09-05 | 2017-12-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Systems, methods, and apparatus for sensitive thermal imaging |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3824002A (en) * | 1972-12-04 | 1974-07-16 | Hughes Aircraft Co | Alternating current liquid crystal light value |
| GB1430611A (en) * | 1973-01-11 | 1976-03-31 | Marconi Co Ltd | Liquid crystal display devices |
| US3999838A (en) * | 1975-06-05 | 1976-12-28 | International Business Machines Corporation | Beam addressed liquid crystal cells |
| US4012119A (en) * | 1975-12-12 | 1977-03-15 | Xerox Corporation | Direct current liquid crystal display with highly reflecting dielectric mirror |
| US4114991A (en) * | 1976-12-22 | 1978-09-19 | Hughes Aircraft Company | Visible-to-infrared converter light valve |
| US4185894A (en) * | 1978-03-13 | 1980-01-29 | Hughes Aircraft Company | Dielectric reflector for selective wavelength reflection |
| JPS57104115A (en) * | 1980-12-22 | 1982-06-29 | Nec Corp | Liquid crystal light valve |
| EP0078604A3 (en) * | 1981-10-30 | 1984-09-05 | Hughes Aircraft Company | Single layer absorptive anti-reflection coating for a laser-addressed liquid crystal light valve |
| US4595260A (en) * | 1982-05-28 | 1986-06-17 | Nec Corporation | Liquid crystal projection display with even temperature elevation |
| US4585310A (en) * | 1983-12-12 | 1986-04-29 | International Business Machines Corporation | Alignment layer orientation in raster scan thermally addressed smectic liquid crystal displays |
| JPS6113224A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-21 | Nec Corp | 熱書込み液晶ライトバルブ |
| US4564853A (en) * | 1985-02-08 | 1986-01-14 | Polaroid Corporation | Electronic image sensing and printing apparatus |
| US4679910A (en) * | 1985-03-20 | 1987-07-14 | Hughes Aircraft Company | Dual liquid-crystal cell-based visible-to-infrared dynamic image converter |
| US4828366A (en) * | 1987-12-07 | 1989-05-09 | The Mead Corporation | Laser-addressable liquid crystal cell having mark positioning layer |
-
1987
- 1987-05-22 US US06/053,216 patent/US4787713A/en not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-05-20 JP JP63123721A patent/JP2544779B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1988-05-21 CN CN88103010A patent/CN1011832B/zh not_active Expired
- 1988-05-21 KR KR1019880006016A patent/KR0128728B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1988-05-23 EP EP88304651A patent/EP0292330B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-05-23 DE DE3888232T patent/DE3888232T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3888232D1 (de) | 1994-04-14 |
| US4787713A (en) | 1988-11-29 |
| EP0292330A3 (en) | 1990-04-04 |
| DE3888232T2 (de) | 1994-09-01 |
| JPS63316824A (ja) | 1988-12-26 |
| EP0292330B1 (en) | 1994-03-09 |
| KR880014409A (ko) | 1988-12-23 |
| CN1011832B (zh) | 1991-02-27 |
| EP0292330A2 (en) | 1988-11-23 |
| KR0128728B1 (ko) | 1998-04-04 |
| CN1031431A (zh) | 1989-03-01 |
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